專利名稱：光敏晶閘管輸出型光耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種光耦合器，特別是指一種光敏晶閘管輸出型光耦合器。
背景技術(shù)：
邏輯門和微處理器等低電流直流控制電路與交流功率負(fù)載之間的接口應(yīng)用上多采用晶閘管輸出型光耦合器。其具有低成本，有效，筒單等優(yōu)勢。
該類光耦合器主要是做為交流開關(guān)、交流信號(hào)調(diào)節(jié)等用于電機(jī)及
電路控制的交流負(fù)載上，光耦合器工作時(shí)兩個(gè)主端要承受110V、220V、 380V的交流電壓(見圖1),線路通斷時(shí)可能會(huì)承受到高于或甚至數(shù)倍工作電壓的浪涌信號(hào)電擊。斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是良映光耦合器承受浪涌沖擊能力的重要指標(biāo)。該指標(biāo)主要取決于光耦合器內(nèi)部光敏芯片的性能及產(chǎn)品的功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
配合如圖2所示，目前，光敏晶閘管輸出型光耦合器的輸出端的一端腳上l，設(shè)有一只光敏晶閘管即光敏芯片2，，對(duì)應(yīng)的輸入端的一個(gè)端腳3，上設(shè)有一個(gè)紅外芯片4，的結(jié)構(gòu)，二者處于相對(duì)應(yīng)的位置，其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓在800V 900V左右。對(duì)于一些特殊電路要求光敏晶閘管輸出型光耦合器的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓達(dá)到1200V以上，則只能采用兩只光耦合器串聯(lián)使用，如圖3所示，以達(dá)到電游要求。這種用法體積大，串聯(lián)的兩只耦合器參^:一致性由于分立選擇等原因難以匹配一致，使用時(shí)仍會(huì)存在擊穿等問題。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種光敏晶閘管輸出型光耦合器，其具 有體積小且用 一只光耦合器實(shí)現(xiàn)需要兩只光耦合器才能達(dá)到的斷態(tài) 重復(fù)峰值電壓。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的解決方案是 一種光敏晶閘管輸 出型光耦合器，其中在光耦合器輸出端的一端腳上引線出兩個(gè)端腳， 其上分別設(shè)有光敏芯片，兩光敏芯片在該輸出端即以串聯(lián)方式集成裝 配；對(duì)應(yīng)在光耦合器輸入端的兩個(gè)端腳上對(duì)應(yīng)上述端腳相對(duì)應(yīng)的位置 各延伸一拐腳，其上分別設(shè)有紅外芯片。采用上述方案后，由于單只光耦合器的光^:部分采用兩只光^:晶 閘管芯片串聯(lián)集成裝配，提高光敏晶閘管輸出型耦合器的斷態(tài)重復(fù)峰 值電壓至1200V以上，當(dāng)其應(yīng)用于特殊電路中時(shí)，不會(huì)增加體積同 時(shí)保證該類產(chǎn)品參數(shù)的匹配和一致，安全確實(shí)，不會(huì)出現(xiàn)擊穿等問題。


圖l是習(xí)用光耦合器的工作電路示意圖；圖2是習(xí)用光耦合器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是習(xí)用兩只光耦合器串聯(lián)的工作電路示意圖;圖4是本實(shí)用新型光耦合器內(nèi)部電路示意圖；圖5是本實(shí)用新型光耦合器工作電路示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖4、 5所示，本實(shí)用新型的光耦合器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，是在光耦合器的輸出端的一端腳1上引線出兩個(gè)端腳11、 12，其上分別設(shè)有 光敏芯片2，兩光壽丈芯片2在該輸出端即以串聯(lián)方式集成裝配，對(duì)應(yīng) 在光耦合器輸入端的兩個(gè)端腳3上對(duì)應(yīng)上述端腳11、 12相對(duì)應(yīng)的位 置各延伸一拐腳31、 32，其上分別設(shè)有紅外芯片4,如此令單只光耦 合器中即有兩個(gè)光敏晶閘管，以形成的光敏晶閘管輸出型光耦合器即可提高其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓值。由于單只光耦合器的光敏部分采用兩只光敏晶閘管芯片2內(nèi)部 串聯(lián)方式，提高了單只光耦合器的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓值并保證該類產(chǎn) 品參數(shù)的匹配和一致，同時(shí)可以不增加單只光耦合器的體積。通過光敏晶閘管芯片2串聯(lián)集成裝配，提高光敏晶閘管輸出型耦 合器的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓至1200V以上，當(dāng)其應(yīng)用于特殊電路中時(shí)， 不會(huì)增加體積同時(shí)保證該類產(chǎn)品參數(shù)的匹配和一致，安全確實(shí)，不會(huì) 出現(xiàn)擊穿等問題。
權(quán)利要求1、一種光敏晶閘管輸出型光耦合器，其特征在于在光耦合器輸出端的一端腳上引線出兩個(gè)端腳，其上分別設(shè)有光敏芯片，兩光敏芯片在該輸出端串聯(lián)裝配；對(duì)應(yīng)在光耦合器輸入端的兩個(gè)端腳上對(duì)應(yīng)上述端腳相對(duì)應(yīng)的位置各延伸一拐腳，其上分別設(shè)有紅外芯片。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種光敏晶閘管輸出型光耦合器，其特征在于在光耦合器輸出端的一端腳上引線出兩個(gè)端腳，其上分別設(shè)有光敏芯片，兩光敏芯片在該輸出端即以串聯(lián)方式集成裝配；對(duì)應(yīng)在光耦合器輸入端的兩個(gè)端腳上對(duì)應(yīng)上述端腳相對(duì)應(yīng)的位置各延伸一拐腳，其上分別設(shè)有紅外芯片。由于單只光耦合器的光敏部分采用兩只光敏晶閘管芯片串聯(lián)集成裝配，提高光敏晶閘管輸出型耦合器的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓至1200V以上，當(dāng)其應(yīng)用于特殊電路中時(shí)，不會(huì)增加體積同時(shí)保證該類產(chǎn)品參數(shù)的匹配和一致，安全確實(shí)，不會(huì)出現(xiàn)擊穿等問題。
文檔編號(hào)H03K17/79GK201426114SQ20092013664
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者李小紅, 王衛(wèi)東, 巍 陳, 陳燦輝 申請(qǐng)人:廈門華聯(lián)電子有限公司