專利名稱：壓電振動裝置的密封構(gòu)件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振動裝置的密封構(gòu)件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，各種電子設(shè)備的動作頻率逐漸呈現(xiàn)高頻化，隨著這種高頻化，壓電振動裝置(例如水晶振子等)也需要高頻化的對策。這種壓電振動裝置包括由玻璃制成的第一密封構(gòu)件以及第二密封構(gòu)件和由水晶制成的在兩主面形成有激勵電極的水晶振動片，第一密封構(gòu)件和第二密封部件隔著水晶振動片層疊并接合，將配置在其內(nèi)部的水晶振動片的激勵電極氣密性密封(例如，參照下述專利文獻1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 專利3390348號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題然而，如專利文獻1所示，當?shù)谝幻芊鈽?gòu)件以及第二密封構(gòu)件中使用玻璃時，需要例如在第一密封構(gòu)件上形成用于在兩主面間引領(lǐng)電極的貫通孔。此處所說的貫通孔的形成采用相對于第一密封構(gòu)件的基體主面沿厚度方向垂直蝕刻的方法，在從第一密封構(gòu)件的基體主面形成垂直的柱狀的貫通孔的情況下，由于在貫通孔中形成鍍層時高縱橫比所造成的空隙，或者由于相對于厚度方向的應(yīng)力，第一密封構(gòu)件的基體和貫通孔內(nèi)的填充材料容易剝離，貫通孔的導(dǎo)通狀態(tài)不穩(wěn)定。為解決上述課題，本發(fā)明的目的是提供使形成在密封構(gòu)件上的貫通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定了的壓電振動裝置的密封構(gòu)件及其制造方法。技術(shù)手段為達到上述目的，本發(fā)明涉及的壓電振動裝置的密封構(gòu)件是將形成有激勵電極的壓電振動片的上述激勵電極氣密性密封的構(gòu)件，上述密封構(gòu)件的特征在于，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在上述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，上述貫通孔在上述基體的內(nèi)部的直徑小于在上述基體的兩主面上的上述貫通孔的兩端部的直徑，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀。根據(jù)本發(fā)明，能夠穩(wěn)定在該密封構(gòu)件中形成的上述貫通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說，根據(jù)本發(fā)明，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在上述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，上述貫通孔在上述基體的內(nèi)部的直徑小于在上述基體的兩主面上的上述貫通孔的兩端部的直徑，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀，因此能夠降低上述貫通孔的縱橫比。結(jié)果，能夠抑制在上述貫通孔中形成上述導(dǎo)通構(gòu)件時空隙的產(chǎn)生。并且，上述貫通孔在上述基體的內(nèi)部的直徑小于在上述基體的兩主面上的上述貫通孔的兩端部的直徑，因此在上述貫通孔內(nèi)對上述導(dǎo)通構(gòu)件的接合產(chǎn)生錨固效果，能夠防止上述導(dǎo)通構(gòu)件從上述貫通孔內(nèi)剝離。另外，根據(jù)本發(fā)明，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀，因此能夠避免由于與上述壓電振動片等其他部件接觸而發(fā)生短路。在上述構(gòu)成中，上述貫通孔的內(nèi)側(cè)面形成為錐形，對于上述貫通孔，其厚度方向的中間點的直徑小于在上述兩主面上的其兩端部的直徑。此時，上述貫通孔的內(nèi)側(cè)面形成為錐形，對于上述貫通孔，其厚度方向的中間點的直徑小于在上述兩主面上的其兩端部的直徑，因此易對上述貫通孔內(nèi)的上述導(dǎo)通構(gòu)件的接合產(chǎn)生錨固效果。在上述構(gòu)成中，上述導(dǎo)通構(gòu)件至少是由Au和Sn構(gòu)成的化合物，Au偏集于上述貫通孔的在上述基體內(nèi)部的直徑小的區(qū)域。此時，由于Au偏集于上述貫通孔的變狹窄的區(qū)域，所以使上述貫通孔內(nèi)的導(dǎo)通狀態(tài)良好。為達到上述目的，本發(fā)明所涉及的另一壓電振動裝置的密封構(gòu)件將形成有激勵電極的壓電振動片的上述激勵電極氣密性密封，上述密封構(gòu)件的特征在于，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在上述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，上述貫通孔在上述基體的兩主面上的一端面的直徑大于另一端面的直徑， 上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀。根據(jù)本發(fā)明，能夠穩(wěn)定在該密封構(gòu)件中形成的上述貫通孔的導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說， 根據(jù)本發(fā)明，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在上述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，上述貫通孔在上述基體的兩主面上的一端面的直徑大于另一端面的直徑，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀，因此能夠降低上述貫通孔的縱橫比。結(jié)果，能夠抑制在上述貫通孔中形成上述導(dǎo)通構(gòu)件時空隙的產(chǎn)生。并且，上述貫通孔在上述基體的兩主面上的一端面的直徑大于另一端面的直徑， 因此在上述貫通孔內(nèi)對上述導(dǎo)通構(gòu)件的接合產(chǎn)生錨固效果，能夠防止上述導(dǎo)通構(gòu)件從上述貫通孔內(nèi)剝離。另外，根據(jù)本發(fā)明，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹狀，因此能夠避免由于與上述壓電振動片等其他部件接觸而發(fā)生短路。在上述構(gòu)成中，還可以上述貫通孔內(nèi)側(cè)面呈圓錐形，并相對于上述基體的主面傾斜約45度 85度。此時，從穩(wěn)定形成在該密封構(gòu)件中的上述貫通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)來說是優(yōu)選的。在上述構(gòu)成中，上述電極圖案可以包括防止金屬擴散的擴散防止層。另外，作為上述擴散防止層，具體可舉出Ni鍍層。除該Ni鍍層以外，也可以是以Mo或W或Ti為材料的層(膜)。當作為這些上述擴散防止層的成膜方法使用濺射法等方法時，可以進行有效的成膜。另外，作為上述擴散防止層的膜厚的具體例子，優(yōu)選0.1 μπι 0.5 μπι左右。并且，當選擇熱膨脹系數(shù)與玻璃材料相近的材料作為該密封構(gòu)件的基體時，有助于提高上述擴散防止層的膜形成后的可靠性。此時，即使由于經(jīng)年變化和熱變化發(fā)生導(dǎo)通構(gòu)件的自退火時，也能夠通過上述擴散防止層抑制上述導(dǎo)通構(gòu)件擴散至上述電極圖案。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所涉及的壓電振動裝置的密封構(gòu)件的制造方法包括形成用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔的形成步驟；以及用于在上述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)通構(gòu)件的填充步驟，在上述形成步驟中，通過蝕刻法從上述基體的兩主面蝕刻基體從而形成貫通孔，上述貫通孔在基體內(nèi)部的直徑小于上述貫通孔的兩端部即上述貫通孔在上述兩主面上的直徑，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹形，其中，上述密封構(gòu)件將形成有激勵電極的壓電振動片的上述激勵電極氣密性密封。根據(jù)本發(fā)明，能夠穩(wěn)定在該密封構(gòu)件中形成的上述貫通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說，根據(jù)本發(fā)明，包括上述形成步驟和上述填充步驟，在上述形成步驟中，從上述基體的兩主面通過蝕刻法蝕刻基體從而形成貫通孔，上述貫通孔在基體內(nèi)部的直徑小于上述貫通孔的兩端部即上述貫通孔在上述兩主面上的直徑，上述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于上述基體的兩主面呈凹形，因此能夠降低上述貫通孔的縱橫比。結(jié)果，能夠抑制在上述貫通孔中形成上述導(dǎo)通構(gòu)件時空隙的產(chǎn)生。并且，上述貫通孔在基體內(nèi)部的直徑小于上述貫通孔的兩端部即上述貫通孔在上述兩主面上的直徑，因此在上述貫通孔內(nèi)對上述導(dǎo)通構(gòu)件的接合產(chǎn)生錨固效果，能夠防止上述導(dǎo)通構(gòu)件從上述貫通孔內(nèi)剝離。并且，上述貫通孔在基體內(nèi)部的直徑小于上述貫通孔的兩端部即上述貫通孔在上述兩主面上的直徑，因此在上述貫通孔內(nèi)對上述導(dǎo)通構(gòu)件的接合產(chǎn)生錨固效果，能夠防止上述導(dǎo)通構(gòu)件從上述貫通孔內(nèi)剝離。在上述方法中，在上述填充步驟中，在上述貫通孔內(nèi)形成Au層，在該Au層上形成 Sn層，并對形成在上述貫通孔中的這些Au層和Sn層以共晶點以上的溫度加熱熔融。此時，由于在上述填充步驟中，在上述貫通孔內(nèi)形成Au層，在該Au層上形成Sn 層，并對形成在上述貫通孔中的這些Au層和Sn層以共晶點以上的溫度加熱熔融，因此能夠抑制由于上述導(dǎo)通構(gòu)件的填充步驟而在上述導(dǎo)通構(gòu)件中產(chǎn)生空隙。在上述方法中，還可以在上述填充步驟中，在上述貫通孔內(nèi)形成Au-Sn合金鍍層， 并以共晶點以上的溫度加熱熔融該Au-Sn合金鍍層。此時，由于在上述填充步驟中，在上述貫通孔內(nèi)形成Au-Sn合金鍍層，并以共晶點以上的溫度加熱熔融該Au-Sn合金鍍層，因此能夠抑制由于上述導(dǎo)通構(gòu)件的填充步驟而在上述導(dǎo)通構(gòu)件中產(chǎn)生空隙。另外，當從上述Au-Sn合金的鍍層形成導(dǎo)通構(gòu)件時，由于已經(jīng) (從形成導(dǎo)通構(gòu)件前)為合金，所以熔融時間短。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的壓電振動裝置的密封構(gòu)件及其制造方法，能夠穩(wěn)定形成在密封構(gòu)件中的貫通孔中的導(dǎo)通狀態(tài)。


圖1是公開本實施例所涉及的水晶振子的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。圖2是示出本實施例所涉及的水晶振子的各構(gòu)成的簡要構(gòu)成圖。圖3是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的晶片清洗的簡要步驟圖。圖4是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Au保護層形成的簡要步驟圖。圖5是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的抗蝕
5劑涂布的簡要步驟圖。圖6是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的曝光以及顯影的簡要步驟圖。圖7是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的金屬蝕刻的簡要步驟圖。圖8是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的抗蝕劑剝離的簡要步驟圖。圖9是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的通孔蝕刻的簡要步驟圖。圖10是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的金屬蝕刻的簡要步驟圖。圖11是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Au膜形成的簡要步驟圖。圖12是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的抗蝕劑涂布的簡要步驟圖。圖13是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的曝光以及顯影的簡要步驟圖。圖14是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Au鍍層形成的簡要步驟圖。圖15是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Sn鍍層形成的簡要步驟圖。圖16是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的抗蝕劑剝離的簡要步驟圖。圖17是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的抗蝕劑涂布的簡要步驟圖。圖18是示出作為本實施例第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的曝光以及顯影的簡要步驟圖。圖19是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的金屬蝕刻的簡要步驟圖。圖20是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的金屬蝕刻的簡要步驟圖。圖21是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Au鍍層和Sn鍍層熔融的簡要步驟圖。圖22是示出作為本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件的制造步驟的一個步驟的Au膜形成的簡要步驟圖。圖23是公開本實施例的其他例子所涉及的水晶振子的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。圖M是圖23所示的第一密封構(gòu)件單體的通孔部分的放大簡要構(gòu)成圖。圖25是將圖對所示的第一密封構(gòu)件的通孔的內(nèi)側(cè)面的傾斜角度相對于主面設(shè)成約45度的簡要構(gòu)成圖。
圖沈是將圖對所示的第-約85度的簡要構(gòu)成圖。
-密封構(gòu)件的通孔的內(nèi)側(cè)面的傾斜角度相對于主面設(shè)成

圖27是公開本實施例的其他例子所涉及的水晶振子的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。 圖觀是公開本實施例的其他例子所涉及的水晶振子的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。 圖四是公開本實施例的其他例子所涉及的水晶振子的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。 符號說明
1水晶振子(壓電振動裝置)
2水晶振動片(壓電振動片)
3第一密封構(gòu)件
32第一密封構(gòu)件的接合面
34外部電極端子(電極圖案的-
35第一密封構(gòu)件的基體內(nèi)部
36通孔(貫通孔)
362通孔的兩端部
364通孔的一端面
38第一密封構(gòu)件的另一主面
4第二密封構(gòu)件
51導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面
53 Au
55 Au鍍層
6水晶Z板的晶片
7接合件
82正性抗蝕劑層
12內(nèi)部空間 23激勵電極 31第一密封構(gòu)件的一主面 33電極片(電極圖案的一部分) -部分)
361通孔的內(nèi)側(cè)面 363通孔的另一端面 37電極圖案(電極圖案的一部分) 39第一密封構(gòu)件的中間點 5導(dǎo)通構(gòu)件
52 Au和Sn的金屬間化合物 54 Au 膜 56 Sn鍍層
61、62水晶Z板的晶片的兩主面 81 Au保護膜層
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。另外，在以下所示的實施例中，作為進行壓電振動的壓電振動裝置，示出了將本發(fā)明適用于水晶振子的情況。如圖1所示，本實施例所涉及的水晶振子中設(shè)置有水晶振動片2(本發(fā)明中所說的水晶振動片2~)、將形成在該水晶振動片2的一主面21上的激勵電極23 (參照下述)氣密性密封的第一密封構(gòu)件3 (本發(fā)明中所說的密封構(gòu)件)和將形成在該水晶振動片2的另一主面22上的激勵電極23 (參照下述)氣密性密封的第二密封構(gòu)件4。在該水晶振子1中，水晶振子2和第一密封構(gòu)件3通過接合件7接合，并且，水晶振動片2和第二密封構(gòu)件4通過接合件7接合，從而形成封裝體(packageUl。另外，通過第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4隔著水晶振動片2接合，封裝體11的內(nèi)部空間12形成于兩處，在該封裝體11的內(nèi)部空間12中，形成在水晶振動片2的兩主面21、22上的激勵電極23分別氣密性密封在各內(nèi)部空間12內(nèi)。接著，用圖2說明上述的水晶振子1的各構(gòu)成。并且，此處針對水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4未接合的分別作為單體構(gòu)成的各部件進行說明。水晶振動片2由作為壓電材料的水晶構(gòu)成，其兩主面21、22呈反臺形狀。并且，在兩主面21、22的反臺形狀的薄壁部分形成激勵電極23，從激勵電極23引出形成引出電極 24。另外，該引出電極對與形成在第一密封構(gòu)件3上的電極片(electrode pad) 33電連接。在該水晶振動片2中，兩主面21、22的俯視時的外周端部沈作為第一密封構(gòu)件3 和第二密封構(gòu)件4的接合面25而構(gòu)成，兩主面21、22的俯視時的中央部分作為振動區(qū)域27 而構(gòu)成。振動區(qū)域27通過一部分觀(長度方向的一側(cè)部附近)與接合面25連接。在該水晶振動片2的一主面21的接合面25上形成用于與第一密封構(gòu)件3接合的第一接合件71。并且，在水晶振動片2的另一主面22的接合面25上形成用于與第二密封構(gòu)件4接合的第二接合件72。這些第一接合件71和第二接合件72以相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成。這些第一接合件71以及第二接合件72通過在兩主面21、22的俯視時的外周端部26的接合面25上層疊多個層而構(gòu)成，通過從其最下層側(cè)起蒸鍍形成Cr層(圖示省略)和Au層(圖示省略)并在之上層疊Au鍍層711、721而形成。并且，在本實施例中，Cr層具有0.05 μ m的厚度，Au層具有 0. 15 μ m的厚度。如圖2所示，第一密封構(gòu)件3是由一張水晶晶片6 (參照下述)形成的直立方的水晶Z板。該第一密封構(gòu)件3設(shè)置有與水晶振動片2的激勵電極23電連接的電極片33、與水晶振動片2接合的接合部(具體為接合面32)以及與外部電連接的外部電極端子34。與水晶振動片2的接合面32設(shè)置于第一密封構(gòu)件3的一主面31的俯視時的主面外周。第一密封構(gòu)件3的接合面32上形成用于與水晶振動片2接合的第二接合件73。 具體地，第三接合件73層疊有多層，通過從其最下層側(cè)蒸鍍形成Cr層(圖示省略)和Au 層731、在之上層疊形成Sn鍍層732并在之上層疊形成Au鍍層733而形成。另外，第三接合件73和電極片33同時形成，電極片33也與第三接合件73為同一構(gòu)成。并且，如圖2所示，第一密封構(gòu)件3上形成使水晶振動片2的激勵電極23與外部導(dǎo)通的通孔36(本發(fā)明中所說的貫通孔)，在該通孔36內(nèi)填充導(dǎo)通構(gòu)件5 (參照下述)。也就是說，該通孔36是使形成在第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面31、38上的電極圖案(電極片33、外部電極端子34和電極圖案37)處于導(dǎo)通狀態(tài)的通孔，通過該通孔36，電極圖案37 從第一密封構(gòu)件3的一主面31的電極片33圖案形成至另一主面38的外部電極端子34。并且，如圖2所示，通孔36的內(nèi)側(cè)面361形成為錐形，通孔36的在基體內(nèi)部35的直徑小于在兩主面31、38上的兩端部362的直徑。具體地，通孔36在第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39具有狹小的直徑。本實施例中，通孔36的直徑在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38即通孔36的兩端部362最大，在第一密封構(gòu)件3的基體內(nèi)部35中的通孔36的直徑最小。并且，在該通孔36內(nèi)，根據(jù)下述的第一密封構(gòu)件3的制造方法至少進行Au和Sn 的擴散接合，至少填充由Au-Sn合金構(gòu)成的導(dǎo)通構(gòu)件5。并且，該導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀。 Au和Sn由于熔融擴散而向主面31、38的面方向被吸引(draw)，從而使該導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51呈凹狀。通過該Au和Sn的吸引使第一密封構(gòu)件3和導(dǎo)通構(gòu)件5接合良好，可以抑制第一密封構(gòu)件3和導(dǎo)通構(gòu)件5之間產(chǎn)生間隙，并且抑制導(dǎo)通構(gòu)件5填充滲漏至第一密封構(gòu)件3。并且，在該導(dǎo)通構(gòu)件5中，Au偏集于通孔36的狹小直徑即在基體內(nèi)部35中的直徑小的區(qū)域，形成穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)的構(gòu)成。也就是說，在該導(dǎo)通構(gòu)件5中，Au偏集于成為通孔 36的狹小直徑的第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39，形成穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)的構(gòu)成。具體地，本實施例的導(dǎo)通構(gòu)件5由富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物構(gòu)成，該富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物由在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38附近的通孔36內(nèi)配置的Au和Sn的金屬間化合物52 和在第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39配置的Au 53構(gòu)成。如圖2所示，第二密封構(gòu)件4是由一張水晶晶片形成的直方體的水晶Z板。在該第二密封構(gòu)件4上設(shè)置與水晶振動片2接合的接合部(具體為接合面42)。 接合面42設(shè)置于第二密封構(gòu)件4的一主面41的俯視時的主面外周。第二密封構(gòu)件4的接合面42上設(shè)置用于與水晶振動片2接合的第四接合件74。 具體地，第四接合件74層疊有多層，通過從最下層側(cè)蒸鍍形成Cr層(圖示省略)和Au層 741、在之上層疊形成Sn鍍層742并在其上層疊形成Au鍍層743而形成。并且，上述水晶振動片2的接合面25上的第一接合件71的接合區(qū)域(具體為密封路線()一“入))與第一密封構(gòu)件3的接合面32上的第三接合件73的接合區(qū)域(具體為密封路線)具有相同寬度。并且，水晶振動片2的接合面25上的第二接合件72的接合區(qū)域(具體為密封路線)與第二密封構(gòu)件3的接合面42上的第四接合件74的接合區(qū)域 (具體為密封路線)具有相同寬度。接下來，使用

該水晶振子1以及第一密封構(gòu)件3的制造方法。清洗用于形成多個第一密封構(gòu)件3的水晶Z板的晶片6的兩主面61、62(參照圖 3)。如圖4所示，晶片6清洗結(jié)束后，在其兩主面61、62上蒸鍍形成以Cr層(圖示省略)作為基底的Au保護膜層81。在晶片6的兩主面61、62上形成Au保護膜層81后，如圖5所示，在Au保護膜層 81上通過旋涂法涂敷抗蝕劑，形成正抗蝕劑層82。在Au保護膜層81上形成正抗蝕劑層82后，如圖6所示，為了形成預(yù)定的圖案(形成通孔36)而進行曝光以及顯影。對通過進行曝光以及顯影而露出的Au保護膜層81進行金屬蝕刻，其后剝離除去正抗蝕劑層82 (參照圖8)。在如圖8所示地除去正抗蝕劑層82后，通過濕式蝕刻形成通孔36(參照圖9)。在形成通孔36之后，如圖10所示，進行金屬蝕刻從而除去Au保護膜層81。將以上步驟作為本發(fā)明中所說的形成用于使在第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面 31、38上形成的電極圖案(電極片33、外部電極端子34和電極圖案37)處于導(dǎo)通狀態(tài)的通孔36的形成步驟。另外，在上述形成步驟中，從第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面31、38同時通過蝕刻法(本實施例為濕式蝕刻)蝕刻基體從而形成通孔36，并使通孔36的基體內(nèi)部35中的直徑小于通孔36的兩端部362的兩主面31、38的直徑。除去Au保護膜層81后，如圖11所示，在包括通孔36的晶片6的表面上蒸鍍形成鍍配線用的以Cr膜(圖示省略)為基底的Au膜M。在晶片6的表面上形成Au膜M后，在整個晶片6上通過浸涂法涂敷抗蝕劑，形成正抗蝕劑層82 (參照圖12)。
在Au膜M上形成正抗蝕劑層82后，如圖3所示，為了形成預(yù)定的圖案(對通孔 36的鍍層形成)而進行曝光以及顯影。在通過曝光以及顯影而露出的通孔36內(nèi)的Au膜M上形成Au鍍層55 (本發(fā)明中所說的Au層)(參照圖14)。另外，此時，Au鍍層55僅形成在通孔36上。在通孔36內(nèi)的Au膜M上形成Au鍍層55后，如圖15所示，在Au鍍層55上形成 Sn鍍層56 (本發(fā)明中所說的Sn層)。在Au鍍層上形成Sn鍍層56后，剝離除去正抗蝕劑層82，露出晶片6的兩主面61、 62 (參照圖16)。在露出晶片6的兩主面61、62后，再次在包括通孔36的整個晶片6上通過浸涂法涂敷抗蝕劑，從而形成正抗蝕劑層82 (參照圖17)。在整個晶片6上形成正抗蝕劑層82后，如圖18所示，進行曝光以及顯影，露出除通孔36外的晶片6的兩主面61、62上形成的Au膜M。在露出晶片6的兩主面61、62上形成的Au膜M后，對Au膜M進行金屬蝕刻，如圖19所示，露出晶片6的兩主面61、62。另外，此時，僅通孔36上形成的Au膜M形成在晶片6上。在露出晶片6的兩主面61、62后，如圖20所示，剝離除去形成在通孔36上的正抗蝕劑層82。在剝離除去通孔36上形成的正抗蝕劑層82后，將通孔36上形成的Au鍍層55和 Sn鍍層56加熱熔融，形成導(dǎo)通構(gòu)件5，該導(dǎo)通構(gòu)件5由富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物構(gòu)成，該富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物由在該第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38附近的通孔36內(nèi)配置的 Au和Sn的金屬層間化合物52和在第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39配置的Au 53 構(gòu)成(參照圖21)，其后，在整個晶片6上蒸鍍形成Au膜(作為具體例可舉出第三接合件 73的Au膜731)(參照圖22)。將以上步驟作為在本發(fā)明中所說的用于在通孔36內(nèi)填充導(dǎo)通部件5的填充步驟。另外，在上述填充步驟中，在通孔36內(nèi)形成Au鍍層55，在該Au鍍層55上形成Sn 鍍層56，將這些通孔36上形成的Au鍍層55和Sn鍍層56以共晶點以上的溫度(本實施例中為300°C以上)加熱熔融。如圖22所示地在整個晶片6上形成Au膜731后，在整個晶片6上涂敷抗蝕劑，形成抗蝕劑層(圖示省略)，在Au膜731上形成抗蝕劑層后，為了形成預(yù)定的圖案(電極片 33、電極圖案37和第三接合件73的形成)而進行曝光以及顯影。另外，對通過進行曝光以及顯影而露出的Au膜731進行金屬蝕刻，分別形成電極片33和電極圖案37和第三接合件 73的Au膜731。之后，形成電極片33的Sn鍍層以及Au鍍層和第三接合件73的Sn鍍層 732以及Au鍍層733，如圖2所示，形成第一密封構(gòu)件1的電極片33和外部電極端子34和電極圖案37和第三接合件73。接下來，用圖1、2說明該水晶振子1的制造方法。另外，在本實施例中說明的是對在晶片6上形成有多個的狀態(tài)的第一密封構(gòu)件3配置作為單片的水晶振動片2、并在其上配置作為單片的第二密封構(gòu)件4的制造方法。但是，本發(fā)明并不限于本實施例說明的方法，也可以是以下方法，其中，對在水晶Z板的晶片上形成有多個的狀態(tài)的第一密封構(gòu)件3配置在水晶晶片上形成有多個的狀態(tài)的水晶振動片2，在之上配置在水晶Z板的晶片上形成有多
10個的狀態(tài)的第二密封構(gòu)件4，接合這些水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4， 之后進行單片化，此時，對水晶振動子1的批量生產(chǎn)是有益的。在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的水晶Z板的晶片6上形成多個的狀態(tài)的第一密封部件3的一主面31上，在通過圖像識別裝置設(shè)定的位置上，以水晶振動片2的另一主面22與第一密封構(gòu)件3的一主面31相對的方式配置作為單片的水晶振片2。在第一密封構(gòu)件3上配置水晶振動片2后，在水晶振動片2的一主面21上，在通過圖像識別裝置設(shè)定的位置上，以第二密封構(gòu)件4的一主面41與水晶振動片2的一主面21 相對的方式配置作為單片的第二密封構(gòu)件4，層壓水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4。在層疊水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4后，通過FCB法進行水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4的使用了超聲波的預(yù)裝配接合。在進行了水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4的暫時固定接合后， 進行其他的制造步驟(內(nèi)部空間12內(nèi)的脫氣或振蕩(· ··) 頻率調(diào)整等)，之后進行加熱熔融接合。另外，本制造步驟在真空氣氛下進行。另外，通過進行加熱熔融接合來接合第一接合件71和第三接合件73從而構(gòu)成接合件7，通過該接合件7接合水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3。通過借助了接合件7的水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3的接合，如圖1所示，在水晶振動片2的一主面21上形成的振動區(qū)域的激勵電極23被氣密性密封。并且，在第一接合件71和第三接合件73接合的同時，通過進行加熱熔融接合來接合第二接合件72和第四接合件7從而構(gòu)成接合件7，通過該接合件7接合水晶振動片2和第二密封構(gòu)件4。通過借助該接合件7的水晶振動片2和第二密封構(gòu)件4的接合，如圖1所示，水晶振動片2的另一主面22上形成的振動區(qū)域的激勵電極23被氣密性密封。如上所示，根據(jù)本實施例所涉及的水晶振動子1、第一密封構(gòu)件3以及第一密封構(gòu)件3的制造方法，可以穩(wěn)定形成在第一密封構(gòu)件3中的通孔36中的導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說，根據(jù)本實施例所涉及的水晶振動子1和第一密封構(gòu)件3，形成了用于使第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38上的電極圖案(電極片33、外部電極端子34和電極圖案 37)處于導(dǎo)通狀態(tài)的通孔36，導(dǎo)通構(gòu)件5填充在通孔36內(nèi)部，通孔36的基體內(nèi)部35的直徑小于兩主面31、38的通孔36的兩端部362的直徑，導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀，所以可以降低通孔36的縱橫比。結(jié)果，可以抑制在通孔36中形成導(dǎo)通構(gòu)件5時產(chǎn)生空隙。并且，由于通孔36的基體內(nèi)部35中的直徑小于兩主面31、38上的其兩端部362的直徑，所以在通孔36內(nèi)對導(dǎo)通部件5的接合產(chǎn)生錨固效果， 可以防止導(dǎo)通構(gòu)件5從通孔36內(nèi)剝離。進一步，由于導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀，可以避免由與水晶振動片2等其他部件的接觸而引起的短路。并且，Au和Sn由于熔融擴散而向主面31、38的面方向被吸引，從而使該導(dǎo)通構(gòu)件 5的兩端面51呈凹狀。通過該Au和Sn的吸引使第一密封構(gòu)件3和導(dǎo)通構(gòu)件5接合良好， 可以抑制第一密封構(gòu)件3和導(dǎo)通構(gòu)件5之間產(chǎn)生間隙，并且抑制導(dǎo)通構(gòu)件5填充滲漏至第一密封構(gòu)件3。并且，由Au和Sn的熔融擴散引起的導(dǎo)通構(gòu)件5吸引很大依賴于Au以及Sn 的表面張力，導(dǎo)通構(gòu)件5由于該Au以及Sn的表面張力而向通孔36內(nèi)部方向吸引。因此，即使當導(dǎo)通構(gòu)件5的Au和Sn在偏離通孔36的狀態(tài)下形成在第一密封構(gòu)件3上的時候，導(dǎo)通構(gòu)件5也會通過Au和Sn的熔融擴散而位移至通孔36內(nèi)從而填充在通孔36內(nèi)。也就是說，可以通過Au和Sn的熔融擴散進行導(dǎo)通部件5向第一密封構(gòu)件5的通孔36填充的填充位置的校正。并且，通孔36的內(nèi)側(cè)面361形成為錐形，由于通孔36的厚度方向的中間點39的直徑小于兩主面31、38的兩端部362的直徑，所以容易對通孔36內(nèi)的導(dǎo)通構(gòu)件5的接合產(chǎn)生錨固效果。并且，由于Au偏集于通孔36的變狹窄的區(qū)域，所以使通孔36內(nèi)的導(dǎo)通狀態(tài)良好。并且，根據(jù)本實施例所涉及的第一密封構(gòu)件3的制造方法，包括形成步驟和填充步驟，形成步驟通過從第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38同時用蝕刻法蝕刻第一密封構(gòu)件3 從而形成通孔36，通孔36的基體內(nèi)部35中的直徑小于通孔36的兩端部362的兩主面31、 38的直徑，導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀，因此，可以降低通孔36的縱橫比。結(jié)果，在通孔36內(nèi)形成導(dǎo)通構(gòu)件5時可以抑制空隙的產(chǎn)生。并且，由于通孔36的基體內(nèi)部35中的直徑小于通孔36的兩主面31、38上的兩端部362的直徑，所以在通孔36內(nèi)對導(dǎo)通構(gòu)件5的接合產(chǎn)生錨固效果，可以防止導(dǎo)通構(gòu)件5從通孔36內(nèi)剝離。并且，由于導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀， 所以可以避免與水晶振動片2等其他部件的接觸而發(fā)生短路。并且，在填充步驟中，在通孔36內(nèi)形成Au鍍層55，在該Au鍍層55上形成Sn鍍層 56，將這些通孔36內(nèi)形成的Au鍍層55和Sn鍍層56以共晶點以上的溫度加熱熔融，因此可以抑制由于導(dǎo)通構(gòu)件5的填充步驟而在導(dǎo)通構(gòu)件5中產(chǎn)生空隙。并且，本實施例中，僅使用第一密封構(gòu)件3作為密封構(gòu)件，但本發(fā)明并不限制于此，也可以在第二密封構(gòu)件4上形成通孔36作為密封構(gòu)件，并且，也可以將第一密封構(gòu)件3 以及第二密封構(gòu)件4用作密封構(gòu)件。并且，本實施例中，使用Au鍍層55和Sn鍍層56作為填充在通孔36內(nèi)的導(dǎo)通構(gòu)件5，但其形狀不限于鍍層，也可以采用膜或其他的方式。并且，本實施例中，在填充步驟中，在通孔36內(nèi)形成Au鍍層55，并在該Au鍍層55 上形成Sn鍍層56 (參照圖14至圖20)，這些Au鍍層55以及Sn鍍層56的形成位置只要在通孔36內(nèi)，就可以不延及到晶片6的兩主面61、62(第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38)。 也就是說，Au鍍層55以及Sn鍍層56的俯視時的外周端可以形成在通孔36的內(nèi)側(cè)面361 上。此時，經(jīng)過填充步驟形成的導(dǎo)通構(gòu)件5設(shè)于通孔36內(nèi)，導(dǎo)通構(gòu)件5不形成在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38上。這樣，通過導(dǎo)通構(gòu)件5僅形成于通孔36內(nèi)，可以防止在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38上形成導(dǎo)通構(gòu)件5的突起。結(jié)果，可以防止在將水晶振動片2與第一密封構(gòu)件3接合時水晶振動片2與導(dǎo)通構(gòu)件5的突起接觸，可以防止接合時的負荷集中于導(dǎo)通構(gòu)件5的突起而引起接合不良。并且，在本實施例中，對形成在通孔36中的Au鍍層55和Sn鍍層56進行加熱熔融，并形成了由富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物構(gòu)成的導(dǎo)通構(gòu)件5，其中，上述富Au狀態(tài)的Au-Sn 化合物由在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38附近的通孔36內(nèi)配置的Au和Sn的金屬間化合物52和在第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39配置的Au53構(gòu)成，導(dǎo)通構(gòu)件5也可由其他的制造步驟形成。例如，可以在加熱熔融前在通孔36內(nèi)形成Au-Sn合金的鍍層，也可以導(dǎo)通構(gòu)件5從最初就是化合物。也就是說，在填充步驟中，可以在通孔36內(nèi)形成Au-Sn 合金的鍍層，將該Au-Sn合金的鍍層以共晶點以上的溫度加熱熔融。這樣，當從Au-Sn合金形成的導(dǎo)通構(gòu)件5時，由于已經(jīng)(形成導(dǎo)通構(gòu)件5前)是合金，所以熔融時間短，可以更加抑制空隙的產(chǎn)生。并且，本實施例中，作為導(dǎo)通構(gòu)件5，使用了由在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38附近的通孔36內(nèi)配置的Au和Sn的金屬間化合物52和在第一密封構(gòu)件3的厚度方向的中間點39配置的Au53構(gòu)成的富Au狀態(tài)的Au-Sn化合物，但這是為使導(dǎo)通狀態(tài)良好的優(yōu)選例子， 例如，即使導(dǎo)通構(gòu)件5僅由Au和Sn的金屬間化合物52構(gòu)成也具有穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)的效果。并且，在本實施例中，將水晶Z板應(yīng)用于第一密封構(gòu)件，但并不限定于此，也可以是其他水晶，并且還可以是玻璃等。并且，在本實施例中，作為接合件7，使用了 Cr和Au和Sn，但并不限定于此，只要至少由接合件7的主材料(本實施例為Au)、用于使該主材料與水晶振動片2、第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4的接合狀態(tài)良好的接合輔助材料(本實施例為Cr)以及與主材料進行擴散接合的接合強化材料(本實施例為Sn)構(gòu)成就可以，接合件7例如也可由Cr和Au 和Ge構(gòu)成。并且，在本實施例中，水晶振動片2的接合面25上的第一接合件71的接合區(qū)域 (具體為密封路線)與第一密封構(gòu)件3的接合面32上的第三接合件73的接合區(qū)域(具體為密封路線)具有相同寬度，水晶振動片2的接合面25上的第二接合件72的接合區(qū)域(具體的密封路線)與第二密封構(gòu)件4的接合面42上的第四接合件74的接合區(qū)域(具體為密封路線)具有相同寬度，但并不限制于此，例如，相對于第一密封構(gòu)件3的接合面32上的第三接合件73的接合區(qū)域(具體為密封路線)，水晶振動片2的接合面25上的第一接合件 71的接合區(qū)域(具體為密封路線)也可以形成得較寬，相對于第二密封構(gòu)件4的接合面42 上的第四接合件74的接合區(qū)域(具體為密封路線)，水晶振動片2的接合面25上的第二接合件72的接合區(qū)域(具體為密封路線)也可以形成得較寬。在這種情況下，由于相對于在第一密封構(gòu)件3的接合面32上形成的第三接合件73 或在第二密封構(gòu)件4的接合面42上形成的第四接合件74的接合區(qū)域，在水晶振動片2的接合面25上形成的第一接合件71以及第二接合件72的接合區(qū)域形成得較寬，所以在水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4接合時，第三接合件73和第四接合件74被形成得較寬的第一接合件71以及第二接合件72的接合區(qū)域吸引。這是由于第三接合件73 和第四接合件74使用Sn、該Sn被第一接合件71和第二接合件72的Au吸引所引起的現(xiàn)象，通過利用該現(xiàn)象，可防止接合件7從水晶振動子1的端面突出。并且，在本實施例中，如圖1、2所示，在第一密封構(gòu)件3上設(shè)置與水晶振動片2的激勵電極23電連接的電極片33、與水晶振動片2接合的接合部(具體為接合面32)以及與外部電連接的外部電極端子34，這些構(gòu)成的材料并不限定于這些材料，只要電極片33能與水晶振動片2的激勵電極23電連接、接合部能與水晶振動片2接合、外部電極端子34能與外部電連接就可以，例如，也可以是圖23、M所示的材料。并且，在本實施例中，如圖1、2所示，在第一密封構(gòu)件3上形成有用于使水晶振動片2的激勵電極23與外部導(dǎo)通的通孔36，但該通孔36的形狀并不限定于此，只要能夠穩(wěn)定在第一密封構(gòu)件3中形成的通孔36的導(dǎo)通狀態(tài)即可，例如，也可以是圖23J4所示的通孔 36的形狀。圖M是水晶振動片2和第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4沒有接合的作為單體構(gòu)成的第一密封構(gòu)件3的通孔36的部分的放大簡要構(gòu)成圖。并且，圖23是公開了水晶振動片2以及圖M所示的第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4接合后的水晶振動子1的內(nèi)部空間的簡要側(cè)視圖。如圖M所示，第一密封構(gòu)件3在接合面32上形成有與水晶振動片2接合的第三接合件73。具體地，第三接合件73層疊有多層，通過從其最下層側(cè)蒸鍍形成Cr-Au層734、在之上層疊形成由Ni構(gòu)成的Ni鍍層(本發(fā)明中所說的防止金屬的擴散的擴散防止層)735、 并在之上層疊形成Au觸擊電鍍層736和Au鍍層737而形成。并且，由Cr-Au層734和Ni 鍍層構(gòu)成電極圖案37，由Au觸擊電鍍層736和Au鍍層737構(gòu)成電極片33。第三接合件73 和電極片33和外部電極端子34同時形成，電極片33也與第三接合件73是同一構(gòu)成。并且，如圖M所示，在第一密封構(gòu)件3上通過濕法蝕刻或干法蝕刻等任意的蝕刻方法蝕刻形成用于使水晶振動片2的激勵電極23與外部導(dǎo)通的通孔36，導(dǎo)通構(gòu)件5填充在該通孔36內(nèi)。另外，如圖M所示的通孔36從第一密封構(gòu)件3的一主面31單側(cè)蝕刻形成。該通孔36是使在第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面31、38上形成的電極圖案(電極片33和外部電極端子34和電極圖案37)處于導(dǎo)通狀態(tài)的通孔，通過該通孔36，電極圖案37從第一密封構(gòu)件3的一主面31的電極片33圖案形成至另一主面38的外部電極端子 34。如圖23J4所示，在通孔36中，在第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面31、38上的通孔36的另一端面363的直徑小于一端面364的直徑。并且，如圖2所示，通孔36的內(nèi)側(cè)面 361呈錐形，通孔36的內(nèi)側(cè)面361相對于第一密封構(gòu)件3的基體的主面38約傾斜60度。通過上述第一密封構(gòu)件3的制造方法，在該通孔36內(nèi)至少填充由Au-Sn合金構(gòu)成的導(dǎo)通構(gòu)件5。導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀。Au和Sn 由于熔融擴散而向主面31、38的面方向被吸引，從而使該導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51呈凹狀。 通過該Au和Sn的吸引使第一密封構(gòu)件3和導(dǎo)通構(gòu)件5接合良好，可以抑制第一密封構(gòu)件 3和導(dǎo)通構(gòu)件5之間產(chǎn)生間隙，并且抑制導(dǎo)通構(gòu)件5填充滲漏至第一密封構(gòu)件3。并且，關(guān)于導(dǎo)通構(gòu)件5，Au偏集于通孔36的狹小直徑即通孔36的另一端面363，形成為使導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。如圖23J4所示的實施例，形成有用于使在第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38上形成的電極圖案(電極片33和外部電極端子34和電極圖案37)處于導(dǎo)通狀態(tài)的通孔36，在通孔36內(nèi)填充導(dǎo)通構(gòu)件5，在兩主面31、38上的通孔36的另一端面363的直徑小于一端面364的直徑，導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀，因此可以可降低通孔36的縱橫比，抑制在通孔36中形成導(dǎo)通構(gòu)件5時空隙的產(chǎn)生。結(jié)果，可以穩(wěn)定在第一密封構(gòu)件3中形成的通孔36中的導(dǎo)通狀態(tài)。并且，導(dǎo)通構(gòu)件5的兩端面51相對于第一密封構(gòu)件3的兩主面31、38呈凹狀，因此可以避免與水晶振動片2等其他部件接觸而發(fā)生短路。并且，在第一密封構(gòu)件3的基體的兩主面31、38上的通孔36的另一端面363的直徑小于一端面364的直徑，因此在通孔36內(nèi)對導(dǎo)通構(gòu)件5的接合產(chǎn)生錨固效果，可以防止導(dǎo)通構(gòu)件5從通孔36內(nèi)剝離。并且，通孔36的內(nèi)側(cè)面361形成為錐形，相對于第一密封構(gòu)件3的基板的主面約傾斜60度，這對穩(wěn)定在第一密封構(gòu)件3上形成的通孔36的導(dǎo)通狀態(tài)來說是優(yōu)選的。并且，在電極片33和外部電極端子34和電極圖案37中包括Ni鍍層735，因此，即使在由于經(jīng)年變化和熱變化發(fā)生導(dǎo)通構(gòu)件5的自退火時，也可以通過Ni鍍層735抑制導(dǎo)通構(gòu)件5 (特別地在本實施例中為Sn)擴散至電極圖案37或電極片33等。另外，在本實施例中，具體地用M鍍層735作為擴散防止層，但并不限制于此，除 Ni鍍層735外，還可以是以Mo或W或Ti為材料的層(膜)。當作為這些擴散防止層的成膜方法使用濺射法等方法時，可以進行有效的成膜。另外，作為上述擴散防止層的膜厚的具體例子，優(yōu)選0. 1 μ m 0. 5 μ m左右。并且，在本實施例中，當選擇熱膨脹系數(shù)與玻璃材料相近的水晶Z板作為第一密封構(gòu)件3的基體時，有助于提高擴散防止層的膜形成后的可靠性。并且，在如圖23J4所示的實施例中，通孔36的內(nèi)側(cè)面361相對于第一密封構(gòu)件 3的基板的主面約傾斜60度，該傾斜角并不限定于此，只要至少通孔36的內(nèi)側(cè)面361相對于第一密封構(gòu)件3的基板的主面傾斜就是可以的，特別是優(yōu)選傾斜約45度至約85度。傾斜角度約為45度的實施例如圖25所示，傾斜角度約為85度的實施例如圖沈所示。并且，在上述如1所示的實施例中，形成為水晶振動片2與第一密封構(gòu)件2通過接合件7而接合、水晶振動片2與第二密封構(gòu)件4通過接合件7而接合的構(gòu)成，但并不限至于此，如圖27所示，也可以水晶振動片2裝載在封裝式形成的第一密封構(gòu)件3上，該第一密封構(gòu)件3通過接合件7與第二密封構(gòu)件4接合，從而將水晶振動片2的激勵電極23氣密性密封。在這種情況下也具有與上述圖1同樣的作用效果。具體地，在圖27所示的封裝式的水晶振子1中，設(shè)置有由壓電材料構(gòu)成的在其兩主面21、22上形成有激勵電極23的水晶振動片2、用于裝載水晶振動片2的第一密封構(gòu)件 3、以及使用接合件7與第一密封構(gòu)件3接合從而將水晶振動片2的激勵電極23氣密性密封的第二密封構(gòu)件4。如圖27所示，第一密封構(gòu)件3是形成為箱狀體的玻璃基體，該形成為箱狀體的玻璃基體由底部301和從該底部301向上方延伸的提部301構(gòu)成。該第一密封構(gòu)件3的提部 302的頂面作為接合面32而構(gòu)成，接合面32形成為平坦平滑面(鏡面加工)。在該第一密封構(gòu)件3中，在其接合面32上形成用于與第二密封構(gòu)件4接合的接合件7的一部分。并且， 接合件的一部分通過在提部302的接合面32上層疊多層而構(gòu)成，通過從其最下層側(cè)蒸鍍形成Cr層(省略圖示)和Au層(省略圖示)、并在之上層疊Au鍍層(省略圖示)而形成。如圖27所示，第二密封構(gòu)件4是由一張玻璃晶片形成的由直方體的基板構(gòu)成的蓋，該第二密封構(gòu)件4的一主面41作為接合面42而構(gòu)成，該接合面42形成為平坦平滑面 (鏡面加工)。在第二密封構(gòu)件4中，用于與第一密封構(gòu)件3接合的接合件7的其他部分形成在第二密封構(gòu)件4的一主面41的俯視時的主面外周。另外，接合件7的其他部分在接合面42上層疊多層，通過從其最下層側(cè)蒸鍍形成Cr層(圖示省略)和Au層(圖示省略)、在之上層疊形成Au-Sn合金層(圖示省略)并在之上層疊形成Au閃鍍層(圖示省略)而形成?；蛘?，接合件7的其他部分通過從其下面?zhèn)日翦冃纬蒀r層和Au層、并在之上依次層疊Sn鍍層和Au鍍層而形成。在圖27所示的水晶振子1中，通過接合件7的一部分和其他部分接合而構(gòu)成接合件7。另外，在該水晶振子2中，使用接合件7而將第一密封構(gòu)件3和第二密封構(gòu)件4接合， 從而使封裝體11的內(nèi)部空間12形成在一處，在水晶振動片2的兩主面21、22上形成的激勵電極23氣密性密封在該封裝體11的內(nèi)部空間12中。并且，在上述的圖27所示的實施例中適用了圖1所示的實施例的第一密封構(gòu)件3 的各構(gòu)成，也可以適用圖23所示的實施例的第一密封構(gòu)件3的各構(gòu)成。具體地，在圖觀中示出了適用了圖23所示的實施例的第一密封構(gòu)件3的各構(gòu)成的封裝體形式的水晶振子1。 該水晶振子1與圖27所示的實施例的不同僅在電極圖案(電極片33和外部電極端子34 和電極圖案37)和通孔36的方面，其他構(gòu)成是相同構(gòu)成。并且，電極圖案是與圖23所示的水晶振子1的電極圖案相同的構(gòu)成。因此，此處省略了水晶振子1的電極圖案的說明。并且，通孔36與圖23所示的構(gòu)成相比，為上下反方向地形成的構(gòu)成。具體地，通孔36的一端面364形成在第一密封構(gòu)件3的另一主面38上，通孔36的另一端面363形成在第一密封構(gòu)件3的一主面31上，通孔36的開口從第一密封構(gòu)件3的一主面31向另一主面38逐漸變大。圖觀所示的通孔36具有與圖23所示的通孔36相同的作用。圖觀所示的構(gòu)成在同時通過蝕刻法形成內(nèi)部空間12和通孔36時是優(yōu)選的。根據(jù)由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的圖觀所示的水晶振子1，具有與圖1、23、27所示的水晶振子1的第一密封構(gòu)件3所帶來的作用效果同樣的作用效果。并且，在圖23所示的實施例或如圖觀所示的實施例中，電極圖案中包括M鍍層 735，但包括M鍍層735的構(gòu)成并不限定于此，在圖1所示的實施例或圖27所示的實施例中也可在電極圖案中包括Ni鍍層735，例如，可以是圖四所示的形態(tài)。另外，圖四所示的水晶振子1是將圖觀所示的電極圖案(電極片33和外部電極端子34和電極圖案37)和通孔36適用于圖27所示的水晶振子1的情況。因此，省略了圖四所示的水晶振子1的各構(gòu)成的說明。并且，在本實施例中，用M鍍層735作為擴散防止層，這是優(yōu)選的例子，但并不限定于此，只要是防止導(dǎo)通構(gòu)件5的材料(在上述實施例中為Sn)的擴散，則也可以是其他的材料。另外，本發(fā)明在不脫離其精神或主旨或主要特征的范圍內(nèi)，可以以其他各種形式的實施。因此，上述實施例在所有的方面僅僅是單純的示例，不應(yīng)被限制性地解釋。本發(fā)明的范圍是權(quán)利要求書所示的范圍，不受限于說明書的內(nèi)容。另外，屬于權(quán)利要求書范圍的等同范圍的變形或變更全部落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。并且，本申請基于并要求于2008年8月5日在日本提交的專利申請第 2008-201882號的優(yōu)先權(quán)。本全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參照。工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明適于在密封構(gòu)件中使用了水晶的壓電振動裝置及密封構(gòu)件的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動裝置的密封構(gòu)件，該密封構(gòu)件將形成有激勵電極的壓電振動片的所述激勵電極氣密性密封，所述密封構(gòu)件的特征在于，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在所述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，所述貫通孔在所述基體的內(nèi)部的直徑小于在所述基體的兩主面上的所述貫通孔的兩端部的直徑，所述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于所述基體的兩主面呈凹狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件，其特征在于， 所述貫通孔的內(nèi)側(cè)面形成為錐形，對于所述貫通孔，其厚度方向的中間點的直徑小于在所述兩主面上的其兩端部的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件，其特征在于， 所述導(dǎo)通構(gòu)件至少是由Au和Sn構(gòu)成的化合物，Au偏集于所述貫通孔的在所述基體內(nèi)部的直徑小的區(qū)域。
4.一種壓電振動裝置的密封構(gòu)件，該密封構(gòu)件將形成有激勵電極的壓電振動片的所述激勵電極氣密性密封，所述密封構(gòu)件的特征在于，形成有用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔，在所述貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)通構(gòu)件，所述貫通孔在所述基體的兩主面上的一端面的直徑大于另一端面的直徑， 所述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于所述基體的兩主面呈凹狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件，其特征在于，所述貫通孔的內(nèi)側(cè)面形成為錐形，并相對于所述基體的主面傾斜約45度 85度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件，其特征在于， 所述電極圖案中包括防止金屬擴散的擴散防止層。
7.一種壓電振動裝置的密封構(gòu)件的制造方法，所述密封構(gòu)件將形成有激勵電極的壓電振動片的所述激勵電極氣密性密封，所述制造方法的特征在于，包括形成用于使形成在該密封構(gòu)件的基體的兩主面上的電極圖案處于導(dǎo)通狀態(tài)的貫通孔的形成步驟；以及用于在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)通構(gòu)件的填充步驟，在所述形成步驟中，通過蝕刻法從所述基體的兩主面蝕刻基體從而形成貫通孔，所述貫通孔在基體內(nèi)部的直徑小于所述貫通孔的兩端部即所述貫通孔在所述兩主面上的直徑， 所述導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于所述基體的兩主面呈凹形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件的制造方法，其特征在于，在所述填充步驟中，在所述貫通孔內(nèi)形成Au層，在該Au層上形成Sn層，并對形成在所述貫通孔中的這些Au層和Sn層以共晶點以上的溫度加熱熔融。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電振動裝置的密封構(gòu)件的制造方法，其特征在于， 在所述填充步驟中，在所述貫通孔內(nèi)形成Au-Sn合金鍍層，并以共晶點以上的溫度加熱熔融該Au-Sn合金鍍層。
全文摘要
提供了一種壓電振動裝置的密封構(gòu)件。該壓電振動裝置的密封構(gòu)件是將形成有激勵電極的壓電振動片的上述激勵電極氣密性密封的構(gòu)件。該密封構(gòu)件包括使兩主面的電極圖案導(dǎo)通的貫通孔，貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)通構(gòu)件。貫通孔的在基體內(nèi)部的直徑小于在密封構(gòu)件的兩端面上的直徑。導(dǎo)通構(gòu)件的兩端面相對于密封部件的基體的兩主面呈凹形。
文檔編號H03H3/02GK102171925SQ20098013930
公開日2011年8月31日 申請日期2009年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月5日
發(fā)明者佐藤俊介, 吉岡宏樹, 幸田直樹 申請人:株式會社大真空