專利名稱：一種高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器，屬于集成電路設(shè)計(jì)技 術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在直接上變頻發(fā)射機(jī)中，首先為保證發(fā)射信號(hào)的信噪比，要求上混頻器輸入信號(hào) 的幅度足夠大；其次由于上混頻器輸入端的等效直流失調(diào)誤差電壓會(huì)在上混頻器的輸出端 引起本振泄露，本振泄露將惡化發(fā)射信號(hào)的質(zhì)量，而發(fā)射信號(hào)的本振泄露抑制比取決于上 混頻器輸入端輸入信號(hào)的幅度和等效直流失調(diào)誤差電壓的比。因此為保證輸出信號(hào)的本振 泄露抑制比，就要求上混頻器的輸入信號(hào)幅度足夠大，或者對(duì)直流失調(diào)誤差電壓進(jìn)行抑制。 最后，上述兩點(diǎn)同時(shí)要求上混頻器輸入信號(hào)幅度足夠大，但是隨著輸入信號(hào)幅度增加，上混 頻器的線性度將惡化。因此直接上變頻發(fā)射機(jī)通常要求上變頻混頻器具有良好的線性度， 同時(shí)能夠?qū)斎攵说闹绷魇д{(diào)誤差電壓進(jìn)行抑制，而且最好是能夠獨(dú)立的抑制，就是說(shuō)抑 制直流失調(diào)誤差電壓幾乎不影響上混頻器的線性度，而上述要求通常是難以做到的。上變頻混頻器的線性度通常取決于混頻器輸入跨導(dǎo)級(jí)的線性度，而混頻器的輸入 跨導(dǎo)級(jí)為獲得好的線性度，通常采用放大器進(jìn)行反饋。但是采用放大器進(jìn)行反饋是以犧牲 上混頻器帶寬為代價(jià)的，因此帶有放大器反饋結(jié)構(gòu)的上變頻混頻器不適合寬帶信號(hào)的發(fā) 射。通常會(huì)要求發(fā)射機(jī)能夠?qū)Πl(fā)射信號(hào)的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此要求上混頻器的增益能 夠進(jìn)行調(diào)節(jié)。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，對(duì)上混頻器增益進(jìn)行調(diào)節(jié)通常會(huì)影響到上混頻器的線性度?？偨Y(jié)上述三點(diǎn)，上變頻混頻器可能會(huì)要求具有抑制直流失調(diào)誤差電壓、寬帶寬和 增益能夠可調(diào)節(jié)的功能，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，上述三點(diǎn)要求都會(huì)惡化上變頻混頻器的線性度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器，采用超級(jí)源 極跟隨器結(jié)構(gòu)，而非采用放大器反饋結(jié)構(gòu)，以取得優(yōu)異的線性度。本發(fā)明提出的增益可控的高線性度寬帶上變頻混頻器，包括第一電流鏡，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第一偏置電壓和第二偏置電壓，以 導(dǎo)通組成該電流鏡的PMOS管，并輸出第一電流、第二電流、第三電流和第四電流；級(jí)源極跟 隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流鏡輸出的第一電流和來(lái)自 外部電源的正輸入電壓，并將該正輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后得到正輸出電壓；所述的 第一超級(jí)源 極跟隨器由第一直流失調(diào)誤差消除電路、第一 NMOS管和第二 NMOS管組成，其中 第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連，第一 NMOS管的源極和第二 NMOS管的漏極相連，第二 NMOS管的漏極和地相連；所述的第一直流失調(diào)誤差消除電路由第一 PMOS管和電流支路組成，第一 PMOS管和電流支路并聯(lián)，第一 PMOS管的柵極接收來(lái)自外 部電源的正輸入電壓，第一 PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一電流鏡的第一電流輸出端和 第一超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第一 PMOS管的漏極與第一 NMOS管的漏極相連；所述 的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流支路由一個(gè)第二 PMOS管和 一個(gè)第三NMOS管組成，其中第二 PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所述的第一 PMOS管的源極相 連，第二 PMOS管的柵極與所述的第一 PMOS管的柵極相連，第二 PMOS管的漏極與第三NMOS 管的漏極相連，第三NMOS管的源極與所述的第一 PMOS管的漏極相連，第三NMOS管的柵極 接收所述的第一直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述的每一路并聯(lián)的電流支路 使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；第二超級(jí)源極跟隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流 鏡輸出的第二電流和來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，并將該負(fù)輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后 得到負(fù)輸出電壓；所述的第二超級(jí)源極跟隨器由第二直流失調(diào)誤差消除電路、第四NMOS管 和第五NMOS管組成，其中第四NMOS管和第五NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連， 第四NMOS管的源極和第五NMOS管的漏極相連，第五NMOS管的漏極和地相連；所述的第二 直流失調(diào)誤差消除電路由第三PMOS管和電流支路組成，第三PMOS管和電流支路并聯(lián)，第 三PMOS管的柵極接收來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，第三PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一 電流鏡的第二電流輸出端和第二超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第三PMOS管的漏極與第 四NMOS管的漏極相連；所述的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流 支路由一個(gè)第四PMOS管和一個(gè)第六NMOS管組成，其中第四PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所 述的第三PMOS管的源極相連，第四PMOS管的柵極與所述的第三PMOS管的柵極相連，第四 PMOS管的漏極與第六NMOS管的漏極相連，第六NMOS管的源極與所述的第三PMOS管的漏極 相連，第六NMOS管的柵極接收所述的第二直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述 的每一路并聯(lián)的電流支路使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；可編程電阻網(wǎng)絡(luò)，用于接收其作用來(lái)自第一電流鏡的第三電流和第四電流、來(lái)自 第一超級(jí)源極跟隨器的正輸出電壓、來(lái)自第二超級(jí)源極跟隨器的負(fù)輸出電壓和來(lái)自外部電 源的增益控制信號(hào)，產(chǎn)生正輸出電流和負(fù)輸出電流；第二電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正輸出電流以及來(lái)自整流和偏置 電路的第四偏置電壓，并將正輸入電流折疊到第二電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第一跨導(dǎo)電流，其 中的第四偏置電壓為該第二電流鏡提供偏置電壓；第三電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)輸出電流以及來(lái)自整流和偏置 電路的第四偏置電壓，并將負(fù)輸入電流折疊到第三電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第二跨導(dǎo)電流，其 中的第四偏置電壓為該第三電流鏡提供偏置電壓；整流和偏置電路，用于產(chǎn)生所述的第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓和 第四偏置電壓，并接收所述的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流，經(jīng)過(guò)整流后將第一跨導(dǎo)電流 和第二跨導(dǎo)電流的頻率變換成射頻頻率，將具有射頻頻率的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流 加載到負(fù)載電路，產(chǎn)生射頻輸出電壓。本發(fā)明的提出的高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器，其優(yōu)點(diǎn)是1、本發(fā)明的上變頻混頻器，保證了輸入MOS管柵源電壓不隨著輸入信號(hào)的幅度而 變化，輸入信號(hào)幾乎沒有畸變的加載到電阻上面轉(zhuǎn)化成為電流，從而消除了輸入MOS管柵源電壓隨輸入信號(hào)的變化而變化的二階效應(yīng)造成的上混頻器線性度性能下降。2、本發(fā)明的上變頻混頻器，具有消除等效直流失調(diào)誤差電壓的功能，并且該功能 幾乎不影響到上混頻器的線性度。3、本發(fā)明的上變頻混頻器，具有增益可調(diào)節(jié)的功能，該結(jié)構(gòu)保證輸入信號(hào)不通過(guò) 調(diào)節(jié)增益的開關(guān)MOS管，從而消除了開關(guān)MOS管帶來(lái)的非線性，從而保證調(diào)節(jié)增益幾乎不影 響上變頻混頻器的線性度。


圖1是本發(fā)明提出的上變頻混頻器的結(jié)構(gòu)框圖。圖2和圖3分別是圖1所述上變頻混頻器中的第一電流鏡、第一超級(jí)源極跟隨器、 第二超級(jí)源極跟隨器、可編程電阻網(wǎng)絡(luò)、第二電流鏡、第三電流鏡的連接示意圖。圖4是圖2中的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖5是圖1所示的上變頻混頻器中的整流和偏置電路的一種具體實(shí)現(xiàn)形式。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出的高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器，其結(jié)構(gòu)框圖如圖1所 示，包括第一電流鏡，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第一偏置電壓和第二偏置電壓，以 導(dǎo)通組成該電流鏡的PMOS管，并輸出第一電流、第二電流、第三電流和第四電流；第一超級(jí)源極跟隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流 鏡輸出的第一電流和來(lái)自外部電源的正輸入電壓，并將該正輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后 得到正輸出電壓；所述的第一超級(jí)源極跟隨器由第一直流失調(diào)誤差消除電路、第一 NMOS管 和第二 NMOS管組成，其中第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連， 第一 NMOS管的源極和第二 NMOS管的漏極相連，第二 NMOS管的漏極和地相連；所述的第一 直流失調(diào)誤差消除電路由第一 PMOS管和電流支路組成，第一 PMOS管和電流支路并聯(lián)，第 一 PMOS管的柵極接收來(lái)自外部電源的正輸入電壓，第一 PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一 電流鏡的第一電流輸出端和第一超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第一 PMOS管的漏極與第 一 NMOS管的漏極相連；所述的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流 支路由一個(gè)第二 PMOS管和一個(gè)第三NMOS管組成，其中第二 PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所 述的第一 PMOS管的源極相連，第二 PMOS管的柵極與所述的第一 PMOS管的柵極相連，第二 PMOS管的漏極與第三NMOS管的漏極相連，第三NMOS管的源極與所述的第一 PMOS管的漏極 相連，第三NMOS管的柵極接收所述的第一直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述 的每一路并聯(lián)的電流支路使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；第二超級(jí)源極跟隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流 鏡輸出的第二電流和來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，并將該負(fù)輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后 得到負(fù)輸出電壓；所述的第二超級(jí)源極跟隨器由第二直流失調(diào)誤差消除電路、第四NMOS管 和第五NMOS管組成，其中第四NMOS管和第五NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連， 第四NMOS管的源極和第五NMOS管的漏極相連，第五NMOS管的漏極和地相連；所述的第二 直流失調(diào)誤差消除電路由第三PMOS管和電流支路組成，第三PMOS管和電流支路并聯(lián)，第三PMOS管的柵極接收來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，第三PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一 電流鏡的第二電流輸出端和第二超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第三PMOS管的漏極與第 四NMOS管的漏極相連；所述的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流 支路由一個(gè)第四PMOS管和一個(gè)第六NMOS管組成，其中第四PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所 述的第三PMOS管的源極相連，第四PMOS管的柵極與所述的第三PMOS管的柵極相連，第四 PMOS管的漏極與第六NMOS管的漏極相連，第六NMOS管的源極與所述的第三PMOS管的漏極 相連，第六NMOS管的柵極接收所述的第二直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述 的每一路并聯(lián)的電流支路使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；可編程電阻網(wǎng)絡(luò)，用于接收其作用來(lái)自第一電流鏡的第三電流和第四電流、來(lái)自 第一超級(jí)源極跟隨器的正輸出電壓、來(lái)自第二超級(jí)源極跟隨器的負(fù)輸出電壓和來(lái)自外部電 源的增益控制信號(hào)，產(chǎn)生正輸出電流和負(fù)輸出電流；第二電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正輸出電流以及來(lái)自整流和偏置 電路的第四偏置電壓，并將正輸入電流折疊到第二電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第一跨導(dǎo)電流，其 中的第四偏置電壓為該第二電流鏡提供偏置電壓；第三電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)輸出電流以 及來(lái)自整流和偏置 電路的第四偏置電壓，并將負(fù)輸入電流折疊到第三電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第二跨導(dǎo)電流，其 中的第四偏置電壓為該第三電流鏡提供偏置電壓；整流和偏置電路，用于產(chǎn)生所述的第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓和 第四偏置電壓，并接收所述的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流，經(jīng)過(guò)整流后將第一跨導(dǎo)電流 和第二跨導(dǎo)電流的頻率變換成射頻頻率，將具有射頻頻率的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流 加載到負(fù)載電路，產(chǎn)生射頻輸出電壓。上述上變頻混頻器中，第一電流鏡的結(jié)構(gòu)如圖2所示，由八個(gè)PMOS管組成，即PMOS 管M573，M574, M575, M576, M577, M578, M579, M580，組成縱向四路對(duì)稱結(jié)構(gòu)，每路分別包括 兩個(gè)PMOS管，并且每路PMOS管中的一個(gè)PMOS管的漏極與下一個(gè)PMOS管的源極相連，并且 每路的上一個(gè)PMOS管的柵極與同一個(gè)偏置電壓相連，并且每路的下一個(gè)PMOS管的柵極與 另外一個(gè)相同的偏置電壓相連，為共源共柵電流鏡。上述上變頻混頻器中，可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的電路如圖4所示，包括R701、R702、……、
R720 共 20 個(gè)電阻，T731、T732、......、Τ739、Τ741、Τ742、......、Τ759，Τ761、......、Τ770 共 38
個(gè)CMOS開關(guān)，其連接方式為可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端與電阻R701的一端相連，電 阻R701的另一端與電阻R702的一端相連，電阻R702的另一端與電阻R703的一端相連，電 阻R703的另一端與電阻R704的一端相連，電阻R704的另一端與電阻R705的一端相連，電 阻R705的另一端與電阻R706的一端相連，電阻R706的另一端與電阻R707的一端相連，電 阻R707的另一端與電阻R708的一端相連，電阻R708的另一端與電阻R709的一端相連，電 阻R709的另一端與電阻R710的一端相連，電阻R710的另一端與電阻R711的一端相連，電 阻R711的另一端與電阻R712的一端相連，電阻R712的另一端與電阻R713的一端相連，電 阻R713的另一端與電阻R714的一端相連，電阻R714的另一端與電阻R715的一端相連，電 阻R715的另一端與電阻R716的一端相連，電阻R716的另一端與電阻R717的一端相連，電 阻R717的另一端與電阻R718的一端相連，電阻R718的另一端與電阻R719的一端相連，電 阻R719的另一端與電阻R720的一端相連，CMOS開關(guān)T741的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端相連，另一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸入端相連，CMOS開關(guān)T742、T743、……、 Τ750的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端相連，另一端分別與R701、R702、……、R709 的另一端相連，CMOS開關(guān)T731、T732、……、T739的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸入 端相連，另一端分別與電阻R701、R702、……、R709的另一端相連，CMOS開關(guān)T770的一端 與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸出端相連，另一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸入端相連， CMOS開關(guān)T761、T762、……、T770的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸出端相連，另一端 分別與 R712、R713、......、R720 的另一端相連，CMOS 開關(guān) T751、T752、......、T759 的一端
與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸入端相連，另一端分別與電阻R720、R719、……、R712的另一 端相連。上述上變頻混頻器中，第二電流鏡與第三電流鏡的電路如圖2所示。第二電流鏡 包括一路偏置電流和五個(gè)NMOS管。其中偏置電流由PMOS管M571、M572及偏置VPB和VPBC 組成，而五個(gè)NMOS管分別記為M541、M543、M531、M544和M532，具體連接方式為電流鏡的 輸入電流接M541的漏極，M541的源極與第二 NMOS的漏極、M532的柵極相連，M541的柵極與 M543的柵極、M532的漏極、偏置電流的輸出端相連，M543的柵極與M544的柵極相連，M543 的源極與M544的源極、M325的源極、地相連，M531的漏極與電流鏡的輸出電流端相連，M531 的源極與M544的漏極相連。第三電流鏡的結(jié)構(gòu)與第二電流鏡的結(jié)構(gòu)完全一樣，具體見圖2 所示電路。上述上變頻混頻器中，整流電路如圖5所示，其輸入包括第一跨導(dǎo)電流、第二跨導(dǎo) 電流、來(lái)自外部的本振信號(hào)L0+，本振信號(hào)L0-，輸出包括第一輸出電壓和第二輸出電壓，所 述的整流和偏置電路由NMOS管M131、M132、M133、M134、電容C135、電容C136、電阻R139和 電阻R140組成，連接關(guān)系為電容C135的一端連接本振信號(hào)L0+，另一端同時(shí)與M131和M134 的柵極和R140的一端相連；電容C136的一端連接本振信號(hào)L0-，另一端同時(shí)與M132和M133 的柵極和R139的一端相連；VB同時(shí)與R139和R140的另一端相連；第一跨導(dǎo)電流輸入端同 時(shí)與M131和M132的源極相連；第二跨導(dǎo)電流輸入端同時(shí)與M133和M134的源極相連；第一 輸出電壓端同時(shí)與M131和M133的漏極相連；第二輸出電壓端同時(shí)與M132和M134的漏極 相連。以下結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明上變頻混頻器的結(jié)構(gòu)和工作原理如圖1所示，第一電流鏡在給定的偏置電路下生成若干路電流，此電流在可編程 電阻網(wǎng)絡(luò)的增益控制之下，生成相應(yīng)的跨導(dǎo)電流。跨導(dǎo)電流再通過(guò)第二電流鏡和第三電流 鏡的鏡像后輸入到整流電路，經(jīng)過(guò)相應(yīng)的吉爾伯特單元電路處理后轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的射頻信號(hào) 加載到負(fù)載電阻上。圖2是上混頻器跨導(dǎo)級(jí)電路示意圖。該跨導(dǎo)輸入信號(hào)電壓是圖1中所 述的正輸入電壓和負(fù)輸入電壓信號(hào)，輸出信號(hào)是兩路電流，分別記為第一跨導(dǎo)電流和第二 跨導(dǎo)電流。圖2中虛線框包圍的部分是直接失調(diào)誤差電壓抑制模塊，它具有數(shù)字抑制直流 失調(diào)誤差電壓的功能。VPB和VPBC分別是PMOS電流鏡的偏置電壓，即為圖1中的第一偏 置電壓和第二偏置電壓；VNB和VNBC分別是NMOS電流鏡的偏置電壓，即為圖1中的第四偏 電壓?？删幊屉娮杈W(wǎng)絡(luò)是用來(lái)實(shí)現(xiàn)增益調(diào)節(jié)的，它具有10位控制字PRG<9:0>596。圖3是 直流失調(diào)誤差電壓抑制電路。該電路的輸入信號(hào)電壓是圖1中所述的正輸入電壓或負(fù)輸入 電壓信號(hào)，輸入信號(hào)連接到輸入PMOS管M620 M625的柵極。所有輸入MOS管的襯底都與 各自的源級(jí)相連，并且PMOS管M620 M625所有的源極連接到同一節(jié)點(diǎn)。PMOS管621 625的漏極分別連接到NMOS管M601 M605的漏極，所有NMOS開關(guān)管M601 M605的源極 連接到同一節(jié)點(diǎn)。PMOS管M620的漏極同樣連接到M620的源極。NMOS管M601 M605柵 極分別連接到直流失調(diào)誤差電壓的抑制控制字上，并且NMOS管M601 M605的數(shù)目依次逐 倍減少，從數(shù)目16逐倍減少到1。而PMOS管621 625的數(shù)目也是依次逐倍減少，從數(shù)目 16逐倍減少到1。所述的直接失調(diào)誤差電壓控制字D0C<5:0>的高位D0C<5>連接到反相器 的輸入端。反相器的輸出連接到與非門的一個(gè)輸入?？偩€D0C<4:0>連接到與非門另外的 一個(gè)輸入。圖4是可編程電阻網(wǎng)絡(luò)?？删幊屉娮杈W(wǎng)絡(luò)是由電阻網(wǎng)絡(luò)和數(shù)控傳輸門組成。電 阻網(wǎng)絡(luò)R701 R720首尾相連，電阻R701其中一端連接到正電流輸入端，電阻R720的另外 一端連接到負(fù)電流輸入端。電阻網(wǎng)絡(luò)除了電阻R710和電阻R711連接處外，都有抽頭，改抽 頭分別通過(guò)2個(gè)傳輸門連接到負(fù)電流輸入端和負(fù)電流輸出端，或者正電流輸入端和正電流 輸出端。而該兩處傳輸門是通過(guò)總線控制信號(hào)PRG<9:0>其中某1位來(lái)控制選通或者關(guān)斷。 譬如電阻R701和電阻R702之間的抽頭分別通過(guò)傳輸門T731和T742分別連接到正電流輸 入端和正電流輸出端。而傳輸門T731和T742都是通過(guò)PRG<8>以及其反向信號(hào) PRG<8> 控制選通或者關(guān)斷。 本發(fā)明的上變頻混頻器具有高線性度的特性。電路通過(guò)三處設(shè)計(jì)從而保證了該上 變頻混頻器優(yōu)異的線性度性能。下面分別展開討論首先，上變頻混頻器的線性度通常決定 于該混頻器跨導(dǎo)級(jí)的線性度，該上變頻混頻器輸入MOS管采用超級(jí)源級(jí)跟隨器結(jié)構(gòu)，該結(jié) 構(gòu)具有很好的線性度。如圖2和圖3所示，圖3中的PMOS輸入管M620 M625和圖2中的 NMOS管M523和M524分別構(gòu)成所謂的超級(jí)源極跟隨器結(jié)構(gòu)。以正電壓輸入端口為例，該跨 導(dǎo)具體的工作原理如下輸入信號(hào)加載在輸入端口上，連接到上述超級(jí)源極跟隨器中PMOS 的柵極，超級(jí)源極跟隨器將上述輸入信號(hào)平移柵源電壓，加載到可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流 輸入端，從而將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流，從可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端流出。該電流信號(hào) 經(jīng)過(guò)NMOS電路鏡M532和M531折疊到跨導(dǎo)級(jí)電流輸出端口即第一跨導(dǎo)電流輸出端。具體 說(shuō)來(lái)，偏置電壓VPB和VPBC分別給共源共柵電流鏡M571、M572，電流鏡M581、M582，電流鏡 M573、M574，電流鏡M575、M576，電流鏡M577、M578以及電流鏡M579、M580提供偏置。偏置電 壓VNB以及VNBC分別給共源共柵電流鏡M521、M523以及電流鏡M522、M524提供偏置。其 中理論上電流鏡M573、M574以及電流鏡M579、M580的電流分別和電流鏡M521、M523以及電 流鏡M522、M524相等。上述兩套PMOS和NMOS電流源分別給圖3直流失調(diào)誤差電壓消除電 路的PMOS輸入管M620 M625提供直流偏置。電流鏡M575、M576和電流鏡M577、M578分 別為NMOS管M532以及M533提供直流電流。上述直流電路分別與信號(hào)電流M597、M598之 和分別經(jīng)過(guò)NMOS電流鏡M531、M534流出成為第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流。電流鏡M571、 M572和電流鏡M581、M582的作用是為NMOS管M541、M542提供直流電流。NMOS管M541、 M542分別為NMOS管M544、M543以及NMOS管M545、M546提供柵極偏置。而NMOS管M541、 M542分別是電流鏡M532、M531的共源共柵管子，NMOS管M541、M542則分別是電流鏡M533、 M534的共源共柵管子。其次，保證該上變頻器高線性度的設(shè)計(jì)還在于輸入PMOS管M620 M625的柵源電壓不隨著輸入信號(hào)的變化而 變化，從而保證輸入信號(hào)幾乎沒有畸變的，只是 平移一個(gè)柵源之后加載到可編程電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化為信號(hào)，完成跨導(dǎo)的功能。如圖2和圖 3所示，通過(guò)跨導(dǎo)輸入PMOS管M620 M625的電流分別是由PMOS電流鏡M573、M574，NMOS 電流鏡M521、M523以及PMOS電流鏡M579、M580, NMOS電流鏡M522、M524所決定的。理論上PMOS電流鏡的電路等于分別對(duì)應(yīng)的NMOS電流鏡中的電流，也就是說(shuō)輸入PMOS管M620 M625的電流不隨著輸入信號(hào)變化而變化，從而消除了柵源電壓的二階非線性效應(yīng)，從而保 證了線性度。下面將要談到該電路時(shí)如何進(jìn)行直流失調(diào)誤差電壓的抑制的，基本原理就是 通過(guò)選通或者關(guān)閉圖3中的NMOS開關(guān)管M601 M605，從而導(dǎo)致正電流支路的直流失調(diào)誤 差電壓消除電路中的PMOS輸入管M620 M625的柵源電壓與負(fù)電流支路的直流失調(diào)誤差 電壓消除電路中的PMOS管M620 M625的柵源電壓不同，以近似抵消等效的輸入直流失調(diào) 誤差電壓，從而改善輸出信號(hào)的本振泄露抑制比。盡管正負(fù)電流支路與負(fù)電路支路的PMOS 管620 625柵源電壓可能不相等，但是兩者對(duì)輸入信號(hào)來(lái)說(shuō)都是平移的作用，柵源電壓都 不隨著輸入信號(hào)變化而變化，也就保證了在保證該上混頻器優(yōu)異線性度的同時(shí)，能夠獨(dú)立 的進(jìn)行對(duì)直流失調(diào)誤差電壓的抑制。最后，將談到如何在進(jìn)行增益調(diào)節(jié)的同時(shí)而不影響電 路的線性度。如圖4所示，通常調(diào)節(jié)增益其中的一個(gè)方法是改變電阻網(wǎng)絡(luò)阻值的大小，而數(shù) 控改變電阻阻值將不可避免的引入MOS開關(guān)。由于開關(guān)的非線性，信號(hào)通過(guò)開關(guān)將導(dǎo)致線 性度降低，從而影響整體上編排混頻器的線性度。本上變頻混頻器的巧妙之處在于，通過(guò) 圖4的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，能夠保證上述MOS管的非線性對(duì)信號(hào)電壓轉(zhuǎn)化為信號(hào) 電流幾乎沒有任何影響，從而剔出了上述非線性對(duì)整體上變頻器線性度的影響。具體原因 分析如下，譬如當(dāng)PRG<8>選通的時(shí)候，PRG<9>和PRG<7:0>都將關(guān)閉，導(dǎo)通的傳輸門分別是 T731、T742和T751、T769。由于電路的對(duì)稱性以及信號(hào)的差分特性，只需要分析電阻網(wǎng)絡(luò)其 中的一邊。圖4中，傳輸門T731連接電阻抽頭和正電流輸入端，而傳輸門T742連接電阻抽 頭和正電流輸出端。圖2中可見，正電流輸入端處信號(hào)等于輸入電壓信號(hào)平移了柵源電壓 并送往正電流輸出端口。由于電流鏡M573、M573和電流鏡M521、M523決定了輸入PMOS關(guān) 的電流，在電阻抽頭處的信號(hào)電流只可能通過(guò)傳輸門T742經(jīng)正電流輸出端流走，而不可能 流向傳輸門T731。既然傳輸門T731沒有信號(hào)電路，那么可以理解輸入信號(hào)經(jīng) 過(guò)柵源電壓平 移，然后經(jīng)過(guò)傳輸門T731上某個(gè)固定電壓的平移之后，加載到電阻的抽頭上，從而轉(zhuǎn)化為 信號(hào)電流，該信號(hào)電流然后通過(guò)傳輸門T742經(jīng)過(guò)正電流輸出端口流走。上述過(guò)程即保證了 在獨(dú)立調(diào)節(jié)上混頻器增益的同時(shí)，保證了上混頻器的線性度幾乎不受到MOS管開關(guān)非線性 的影響。綜上3點(diǎn)所述，該上變頻混頻器具有優(yōu)異的線性度性能，并且保證在抑制直流失調(diào) 誤差電壓和調(diào)節(jié)上混頻器增益的動(dòng)作幾乎不會(huì)造成對(duì)電路線性度的任何損害。
該上變頻混頻器跨導(dǎo)級(jí)電路采用超級(jí)源級(jí)跟隨器結(jié)構(gòu)，在取得很好的線性度的同 時(shí)，取得了寬帶寬。通常電路的帶寬和穩(wěn)定性是緊密聯(lián)系在一起的，在此有必要分析一下該 混頻器跨導(dǎo)的穩(wěn)定性。如圖2所示，跨導(dǎo)級(jí)的主機(jī)點(diǎn)位于M523的漏極(以下記為節(jié)點(diǎn)538) 和M524的漏極(以下記為節(jié)點(diǎn)539)，分別由該點(diǎn)的小信號(hào)輸出電阻以及該點(diǎn)的計(jì)生電容決 定。而跨導(dǎo)級(jí)的次主極點(diǎn)位于M574的漏極(以下記為節(jié)點(diǎn)591)和M580的漏極(以下記 為節(jié)點(diǎn)592)，或者說(shuō)是M576的漏極(以下記為節(jié)點(diǎn)597)和M578的漏極(以下記為節(jié)點(diǎn) 598)，因此節(jié)點(diǎn)591和節(jié)點(diǎn)597或者節(jié)點(diǎn)592和節(jié)點(diǎn)598之間是分別通過(guò)兩個(gè)傳輸門連接 的。該次主機(jī)點(diǎn)的大小由可編程電阻網(wǎng)路的阻值以及該點(diǎn)的計(jì)生電容決定。由于主極點(diǎn)和 次主機(jī)點(diǎn)的寄生電容大約存在一個(gè)量級(jí)，而主極點(diǎn)的寄生電阻一般遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于可編程電阻網(wǎng) 絡(luò)的阻值，從而保證了次主極點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于主極點(diǎn)，從而保證了該跨導(dǎo)一般無(wú)須進(jìn)行頻率補(bǔ) 償即可保證電路穩(wěn)定。綜上所述，可以將該跨導(dǎo)理解為單極點(diǎn)系統(tǒng)，3dB帶寬即由主極點(diǎn)決 定，通常該主極點(diǎn)頻率在IM IOMHz的量級(jí)，從而能夠保證上混頻器具有IM IOMHz量級(jí)的3dB帶寬。該上混頻器抑制直流失調(diào)誤差電壓的工作原理現(xiàn)闡述如下如圖3所示，PMOS輸 入管M620 M625的襯底和源極相連接，從而消除了 PMOS管誰(shuí)信號(hào)的襯偏效益。據(jù)前所述， PMOS管M620 M625對(duì)于輸入信號(hào)的作用完全相當(dāng)于把輸入信號(hào)相上平移了柵源電壓。而 抑制直流失調(diào)誤差電壓的工作原理正是通過(guò)控制總線D0C<5:0>以及開關(guān)NMOS管M601 M605來(lái)控制選通或者關(guān)閉輸入PMOS管M621 M625。理論上通過(guò)正負(fù)電路支路的直流電 流相等，由于NMOS管M601 M605的選通或者關(guān)閉，輸入MOS管M620 M625導(dǎo)通PMOS管 所有的寬長(zhǎng)比W/L總和將不同，從而導(dǎo)致兩者的柵源電壓不同，而直流失調(diào)誤差電壓正是 可以通過(guò)上述兩者柵源電壓之差來(lái)補(bǔ)償，從而保證直流失調(diào)誤差電壓分別經(jīng)過(guò)不同的柵源 電壓平移之后，在正電流輸入節(jié)點(diǎn)和負(fù)電流輸入節(jié)點(diǎn)幾乎相等，就可以抑制直流失調(diào)誤差 電壓，從而保證輸出信號(hào)的本振泄露抑制比。
上混頻器實(shí)現(xiàn)增益可編程控制的原理非常直接。首先在此說(shuō)明跨導(dǎo)級(jí)電路的工作 原理，如前說(shuō)述，輸入信號(hào)從正電壓輸入端和負(fù)電壓輸入端分別經(jīng)過(guò)柵源電壓平移到節(jié)點(diǎn) 正電流輸入端和負(fù)電流輸入端，該電壓加在到可編程電阻網(wǎng)絡(luò)從而轉(zhuǎn)化為信號(hào)電流。假設(shè) 可編程電阻網(wǎng)絡(luò)得阻值是Rdg，則圖4中正電流輸出端和負(fù)電流輸出端的輸出信號(hào)是Io = Vin/Rdg,改變Rdg的大小，即可以改變輸出信號(hào)的大小，從而實(shí)現(xiàn)增益調(diào)節(jié)。如圖4所示， 改變可編程電阻網(wǎng)絡(luò)阻值Rdg的大小是通過(guò)控制字PRG<9:0>以及傳輸門在電阻網(wǎng)絡(luò)中抽 頭實(shí)現(xiàn)的。譬如，假設(shè)PRG<1>為“1”，其余PRG控制字為“0”，則傳輸門T738、T749、T758和 Τ762導(dǎo)通，此時(shí)Rdg阻值為電阻R701 R712阻值之和。改變控制字PRG<9:0>即實(shí)現(xiàn)了可 編程電阻網(wǎng)絡(luò)阻值的改變。在此值得重復(fù)說(shuō)明的是，由于傳輸門或者是MOS關(guān)開管通過(guò)和 上述電阻網(wǎng)絡(luò)串聯(lián)，傳輸門和MOS管開關(guān)的非線性勢(shì)必導(dǎo)致整體電路的非線性。但是本上 變頻混頻器能夠克服NMOS開關(guān)引入的非線性，從而保證了整體電路非常好的線性度。
權(quán)利要求
一種增益可控的高線性度寬帶上變頻混頻器，其特征在于該上變頻混頻器包括第一電流鏡，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第一偏置電壓和第二偏置電壓，以導(dǎo)通組成該電流鏡的PMOS管，并輸出第一電流、第二電流、第三電流和第四電流；第一超級(jí)源極跟隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流鏡輸出的第一電流和來(lái)自外部電源的正輸入電壓，并將該正輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后得到正輸出電壓；所述的第一超級(jí)源極跟隨器由第一直流失調(diào)誤差消除電路、第一NMOS管和第二NMOS管組成，其中第一NMOS管和第二NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連，第一NMOS管的源極和第二NMOS管的漏極相連，第二NMOS管的漏極和地相連；所述的第一直流失調(diào)誤差消除電路由第一PMOS管和電流支路組成，第一PMOS管和電流支路并聯(lián)，第一PMOS管的柵極接收來(lái)自外部電源的正輸入電壓，第一PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一電流鏡的第一電流輸出端和第一超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第一PMOS管的漏極與第一NMOS管的漏極相連；所述的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流支路由一個(gè)第二PMOS管和一個(gè)第三NMOS管組成，其中第二PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所述的第一PMOS管的源極相連，第二PMOS管的柵極與所述的第一PMOS管的柵極相連，第二PMOS管的漏極與第三NMOS管的漏極相連，第三NMOS管的源極與所述的第一PMOS管的漏極相連，第三NMOS管的柵極接收所述的第一直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述的每一路并聯(lián)的電流支路使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；第二超級(jí)源極跟隨器，用于接收來(lái)自整流和偏置電路的第三偏置電壓、第一電流鏡輸出的第二電流和來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，并將該負(fù)輸入電壓平移一個(gè)柵源電壓后得到負(fù)輸出電壓；所述的第二超級(jí)源極跟隨器由第二直流失調(diào)誤差消除電路、第四NMOS管和第五NMOS管組成，其中第四NMOS管和第五NMOS管的柵極分別與整流和偏置電路相連，第四NMOS管的源極和第五NMOS管的漏極相連，第五NMOS管的漏極和地相連；所述的第二直流失調(diào)誤差消除電路由第三PMOS管和電流支路組成，第三PMOS管和電流支路并聯(lián)，第三PMOS管的柵極接收來(lái)自外部電源的負(fù)輸入電壓，第三PMOS管的源極和襯底同時(shí)與第一電流鏡的第二電流輸出端和第二超級(jí)源極跟隨器的輸出端相連，第三PMOS管的漏極與第四NMOS管的漏極相連；所述的電流支路由多個(gè)互相并聯(lián)的電流支路組成，其中每一個(gè)電流支路由一個(gè)第四PMOS管和一個(gè)第六NMOS管組成，其中第四PMOS管的源極和襯底同時(shí)與所述的第三PMOS管的源極相連，第四PMOS管的柵極與所述的第三PMOS管的柵極相連，第四PMOS管的漏極與第六NMOS管的漏極相連，第六NMOS管的源極與所述的第三PMOS管的漏極相連，第六NMOS管的柵極接收所述的第二直流失調(diào)誤差消除電路生成的的控制信號(hào)，所述的每一路并聯(lián)的電流支路使用單獨(dú)的控制信號(hào)以達(dá)到減小直流失調(diào)誤差的作用；可編程電阻網(wǎng)絡(luò)，用于接收其作用來(lái)自第一電流鏡的第三電流和第四電流、來(lái)自第一超級(jí)源極跟隨器的正輸出電壓、來(lái)自第二超級(jí)源極跟隨器的負(fù)輸出電壓和來(lái)自外部電源的增益控制信號(hào)，產(chǎn)生正輸出電流和負(fù)輸出電流；第二電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正輸出電流以及來(lái)自整流和偏置電路的第四偏置電壓，并將正輸入電流折疊到第二電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第一跨導(dǎo)電流，其中的第四偏置電壓為該第二電流鏡提供偏置電壓；第三電流鏡，用于接收所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)輸出電流以及來(lái)自整流和偏置電路的第四偏置電壓，并將負(fù)輸入電流折疊到第三電流鏡的輸出端，產(chǎn)生第二跨導(dǎo)電流，其中的第四偏置電壓為該第三電流鏡提供偏置電壓；整流和偏置電路，用于產(chǎn)生所述的第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓和第四偏置電壓，并接收所述的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流，經(jīng)過(guò)整流后將第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流的頻率變換成射頻頻率，將具有射頻頻率的第一跨導(dǎo)電流和第二跨導(dǎo)電流加載到負(fù)載電路，產(chǎn)生射頻輸出電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的上變頻混頻器，其特征在于其中所述的第一電流鏡由八個(gè)PM0S 管組成，為縱向四路對(duì)稱結(jié)構(gòu)，每路分別包括兩個(gè)PM0S管，并且每路PM0S管中的一個(gè)PM0S 管的漏極與下一個(gè)PM0S管的源極相連，并且每路的上一個(gè)PM0S管的柵極與同一個(gè)偏置電 壓相連，并且每路的下一個(gè)PM0S管的柵極與另外一個(gè)相同的偏置電壓相連，為共源共柵電 流鏡。
3.如權(quán)利要求1和2所述的上變頻混頻器，其特征在于其中所述的可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的電路，包括 R701、R702、......、R720 共 20 個(gè)電阻，T731、T732、......、T739、T741、T742、......、T759，T761、……、T770共38個(gè)CMOS開關(guān)，其連接方式為可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端與電阻R701的一端相連，電阻R701的另一端與電阻 R702的一端相連，電阻R702的另一端與電阻R703的一端相連，電阻R703的另一端與電阻 R704的一端相連，電阻R704的另一端與電阻R705的一端相連，電阻R705的另一端與電阻 R706的一端相連，電阻R706的另一端與電阻R707的一端相連，電阻R707的另一端與電阻 R708的一端相連，電阻R708的另一端與電阻R709的一端相連，電阻R709的另一端與電阻 R710的一端相連，電阻R710的另一端與電阻R711的一端相連，電阻R711的另一端與電阻 R712的一端相連，電阻R712的另一端與電阻R713的一端相連，電阻R713的另一端與電阻 R714的一端相連，電阻R714的另一端與電阻R715的一端相連，電阻R715的另一端與電阻 R716的一端相連，電阻R716的另一端與電阻R717的一端相連，電阻R717的另一端與電阻 R718的一端相連，電阻R718的另一端與電阻R719的一端相連，電阻R719的另一端與電阻 R720的一端相連，CMOS開關(guān)T741的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端相連，另一端與 可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸入端相連，CMOS開關(guān)T742、T743、……、T750的一端與可編程電 阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸出端相連，另一端分別與R701、R702、……、R709的另一端相連，CMOS開 關(guān)T731、T732、……、T739的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的正電流輸入端相連，另一端分別與電 阻R701、R702、……、R709的另一端相連，CMOS開關(guān)T770的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電 流輸出端相連，另一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸入端相連，CMOS開關(guān)T761、T762、……、 T770的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸出端相連，另一端分別與R712、R713、……、R720 的另一端相連，CMOS開關(guān)T751、T752、……、T759的一端與可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的負(fù)電流輸入 端相連，另一端分別與電阻R720、R719、……、R712的另一端相連。
4.如權(quán)利要求1所述的上變頻混頻器，其特征在于其中所述的第二電流鏡或第三電流 鏡包括一路偏置電流和五個(gè)NM0S管，分別記為Ml、M2、M3、M4和M5，具體連接方式為電流 鏡的輸入電流接Ml的漏極，Ml的源極與第二 NM0S的漏極、M5的柵極相連，Ml的柵極與M2 的柵極、M5的漏極、偏置電流的輸出端相連，M2的柵極與M4的柵極相連，M2的源極與M4的 源極、M5的源極、地相連，M3的漏極與電流鏡的輸出電流端相連，M3的源極與M4的漏極相 連。
5.如權(quán)利要求1所述的上變頻混頻器，其特征在于所述的整流和偏置電路的輸入包括第一跨導(dǎo)電流、第二跨導(dǎo)電流、來(lái)自外部的本振信號(hào)L0+，本振信號(hào)L0-，輸出包括第一輸出 電壓和第二輸出電壓，所述的整流和偏置電路由NM0S管M131、M132、M133、M134、電容C135、 電容C136、電阻R139和電阻R140組成，連接關(guān)系為電容C135的一端連接本振信號(hào)L0+，另 一端同時(shí)與M131和M134的柵極和R140的一端相連；電容C136的一端連接本振信號(hào)L0-， 另一端同時(shí)與M132和M133的柵極和R139的一端相連；VB同時(shí)與R139和R140的另一端 相連；第一跨導(dǎo)電流輸入端同時(shí)與M131和M132的源極相連；第二跨導(dǎo)電流輸入端同時(shí)與 M133和M134的源極相連；第一輸出電壓端同時(shí)與M131和M133的漏極相連；第二輸出電壓 端同時(shí)與M132和M134的漏極相連。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高線性度寬帶寬增益可控的上變頻混頻器，屬于集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。包括第一、第二、、第三電流鏡，第一、第二超級(jí)源極跟隨器，可編程電阻網(wǎng)絡(luò)，以及整流和偏置電路，第一電流鏡在給定的偏置電路下生成若干路電流，并在可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的增益控制之下，生成相應(yīng)的跨導(dǎo)電流，再通過(guò)第二和第三電流鏡的鏡像后輸入到整流電路，經(jīng)過(guò)相應(yīng)電路處理后轉(zhuǎn)換成射頻信號(hào)加載到負(fù)載電阻上。本發(fā)明的上變頻混頻器，消除了輸入MOS管柵源電壓的二階效應(yīng)造成的上混頻器線性度性能下降；具有消除等效直流失調(diào)誤差電壓的功能，并且不影響到上混頻器的線性度；消除了開關(guān)MOS管帶來(lái)的非線性，保證調(diào)節(jié)增益不影響上變頻混頻器的線性度。
文檔編號(hào)H03D7/16GK101834564SQ20101017677
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
發(fā)明者羅可欣 申請(qǐng)人:北京利云技術(shù)開發(fā)公司