專利名稱：復(fù)位電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)位電路，使復(fù)位解除時(shí)的誤動(dòng)作接近零。
技術(shù)背景
近年，搭載備份用電容的電器產(chǎn)品正逐漸增加。當(dāng)主電源停電等造成電源供給停 止的時(shí)候，使用這種電容里蓄積的電荷，可繼續(xù)工作一段時(shí)間。因此，若是短時(shí)間停電，由停 電造成內(nèi)存里數(shù)據(jù)清空的情況將會(huì)被杜絕。例如，進(jìn)行了預(yù)約錄像的情況，由于停電導(dǎo)致錄 不上的事態(tài)可以被無限減少。在此，由于電容里蓄積的電荷隨時(shí)間的經(jīng)過而不斷減少，在備 份電壓低于動(dòng)作下限電壓之前，有必要進(jìn)行復(fù)位以防止發(fā)生誤動(dòng)作等嚴(yán)重事態(tài)。
如上所述，使用電容里蓄積的電荷進(jìn)行備份動(dòng)作時(shí)，作為復(fù)位而言，一般使用低電 壓復(fù)位，即當(dāng)備份電壓低于設(shè)定的電壓時(shí)就實(shí)施復(fù)位；當(dāng)電源恢復(fù)過程中備份電壓高于復(fù) 位電壓時(shí)，復(fù)位解除，動(dòng)作重新開始。
圖4記載了一般現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路的構(gòu)成圖。在主電源方向來的電源線上，放 入二極管1，其后設(shè)置備份用電容2。放入二極管1的目的是當(dāng)來自主電源的電源供給被切 斷時(shí)不使備份用電容2蓄積的電荷發(fā)生逆流。其后，Vdd(電源電壓線)分別與低電壓復(fù)位 電路41、備份動(dòng)作電路5連接。若Vdd低于預(yù)設(shè)的低電壓復(fù)位電壓的電平，則低電壓復(fù)位電 路41產(chǎn)生復(fù)位請求信號。專利文獻(xiàn)1公開了一例低電壓檢知復(fù)位電路。
另外，圖5記載了一般現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路動(dòng)作的時(shí)序圖。低電壓復(fù)位電路41，若 低于預(yù)設(shè)的低電壓復(fù)位電壓，則復(fù)位請求信號產(chǎn)生；若高于低電壓復(fù)位電壓，則復(fù)位請求信 號解除。備份動(dòng)作電路5，一旦接收到復(fù)位請求信號，則由SW檢出電路53檢出復(fù)位請求信 號，發(fā)生復(fù)位。Vdd低于低電壓復(fù)位電壓的期間，將持續(xù)產(chǎn)生復(fù)位請求信號，復(fù)位會(huì)持續(xù)。
[專利文獻(xiàn) 1] JP 特開 2OO8-5OOO
但是，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，在電源供給恢復(fù)、Vdd上升的過程中超過低電壓復(fù)位 電壓的設(shè)定值但恢復(fù)到通常動(dòng)作電壓之前的電壓變化中有發(fā)生誤動(dòng)作的危險(xiǎn)。
具體地說，例如，一旦來自主電源的電源供給由于某種原因被切斷，就進(jìn)入以備份 用電容2蓄積的電荷進(jìn)行工作的備份狀態(tài)。其后，電容電荷逐漸減少，不久，Vdd也逐漸降 低，當(dāng)達(dá)到規(guī)定的電壓時(shí)，由低電壓復(fù)位電路引起復(fù)位，防止了誤動(dòng)作。為了使到達(dá)檢知低 電壓復(fù)位電壓從而進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)的時(shí)間盡可能長，令低電壓復(fù)位電壓盡可能接近LSI的動(dòng) 作下限電壓(Vmin)。
但是，若過于調(diào)低這個(gè)低電壓復(fù)位電壓，反過來當(dāng)主電源恢復(fù)時(shí)，Vdd略一升高，基 于低電壓的復(fù)位狀態(tài)立刻就被解除。此時(shí)，由于復(fù)位解除過早，造成以電壓不足夠高的不安 定的電壓狀態(tài)，動(dòng)作重新開始，成為引發(fā)誤動(dòng)作的原因。但是，若為了防止所述的誤動(dòng)作，調(diào) 高低電壓復(fù)位電壓，反過來又有備份動(dòng)作的時(shí)間變短的問題。
另外，即使是用微機(jī)編程來決定復(fù)位電壓的方法，也難以找到最適當(dāng)?shù)牡碗妷簭?fù) 位電壓值。
再者，對于復(fù)位信號，即使是用計(jì)數(shù)器來擴(kuò)展其信號寬度的現(xiàn)有方法，也難以既確保備份動(dòng)作時(shí)的長度，又可靠地避免在不安定電壓狀態(tài)下的動(dòng)作。 發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種復(fù)位電路，其特征在于，具有第1檢出器，其用于檢出第1檢出電 壓；第2檢出器，其用于檢出低于所述第1檢出電壓的第2檢出電壓；和控制電路，其用于接 收所述第1檢出器及所述第2檢出器的檢出結(jié)果，對實(shí)施復(fù)位請求的復(fù)位請求信號進(jìn)行輸 出控制。所述的控制電路，在低于所述第2檢出電壓后，高于所述第1檢出電壓時(shí)，使所述 的復(fù)位請求信號變化，實(shí)施復(fù)位請求。
或者，進(jìn)一步提供一種復(fù)位電路，其特征在于所述控制電路，在所述第2檢出器 檢出低于所述第2檢出電壓時(shí)，則令所述第1檢出器為檢出可能狀態(tài)，把所述第1檢出器的 輸出作為所述的復(fù)位請求信號。
本發(fā)明可以將自備份狀態(tài)開始的電源恢復(fù)過程中的誤動(dòng)作抑制到最小限度。


[圖1]為表示本實(shí)施方式的復(fù)位電路構(gòu)成的構(gòu)成圖。
[圖2]為表示本實(shí)施方式的復(fù)位電路動(dòng)作的時(shí)序圖。
[圖3]為表示本實(shí)施方式的復(fù)位電路構(gòu)成的構(gòu)成圖。
[圖4]為表示現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路構(gòu)成的構(gòu)成圖。
[圖5]為表示現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖中
1 二極管
2備份用電容
3備份控制LSI
4復(fù)位電路
5備份動(dòng)作電路
7第1檢出器
8第2檢出器
9控制電路
41低電壓復(fù)位電路
51其他電路
52計(jì)時(shí)器
53SW檢出電路
54ADC電路
91許可寄存器具體實(shí)施方式
圖1為表示本實(shí)施方式的復(fù)位電路構(gòu)成的構(gòu)成圖。另外，關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)所示部分， 其說明重復(fù)因此省略。Vdd(LSI電源電壓)分別與復(fù)位電路4、備份動(dòng)作電路5連接。復(fù)位 電路4的內(nèi)部具有第1檢出器7、第2檢出器8和控制電路9。第1檢出器7、第2檢出器8可以各自單獨(dú)設(shè)定檢出電壓。
這種構(gòu)成使用兩種檢出電壓第1檢出器7檢出的Vl (第1檢出電壓)和第2檢 出器8檢出的V2 (第2檢出電壓)。將主電源通電狀態(tài)時(shí)施加于備份動(dòng)作控制LSI3上的通 常電壓的電平設(shè)為V0，LSI的動(dòng)作下限電壓設(shè)為Vmin。設(shè)定VI、V2以滿足VO > Vl > V2 > Vmin0
在此，用圖2的時(shí)序圖說明以下過程來自主電源的電源供給從通電狀態(tài)變到斷 電狀態(tài)，電源供給被切斷，進(jìn)入備份狀態(tài)，然后恢復(fù)。主電源在通電狀態(tài)下，維持V0，其后，主 電源變?yōu)閿嚯姞顟B(tài)，Vdd逐漸降低，低于VI，進(jìn)一步地，低于V2。
此時(shí)，在接近Vmin時(shí)若主電源恢復(fù)，則Vdd就開始升高，先超過V2，進(jìn)一步超過 VI。這樣，控制電路9向備份電路5輸出請求復(fù)位的復(fù)位請求信號。
在此，初期狀態(tài)下，控制電路9根據(jù)第1檢出器7的檢出結(jié)果，禁止輸出復(fù)位請求 信號。當(dāng)Vdd低于V2，控制電路9接收到第2檢出器8的檢出結(jié)果時(shí)，則根據(jù)第1檢出器7 的檢出結(jié)果，允許輸出復(fù)位請求信號。即形成這樣一種構(gòu)成若先低于V2，其后高于VI，就 輸出復(fù)位請求信號。
控制電路9，也可以是在第2檢出器8檢出低于第2檢出電壓后令第1檢出器7成 為檢出可能狀態(tài)，且把第1檢出器7的輸出直接作為復(fù)位請求信號。根據(jù)上述構(gòu)成，可僅在 必要時(shí)第1檢出器7實(shí)施檢出從而使削減消耗電流成為可能。
接收到來自控制電路9輸出的復(fù)位請求信號的備份動(dòng)作電路5，接收這個(gè)復(fù)位請 求，發(fā)生復(fù)位。備份動(dòng)作控制LSI3整體實(shí)施復(fù)位后，則備份動(dòng)作電路5產(chǎn)生復(fù)位受理信號。 接收到這個(gè)復(fù)位受理信號的控制電路9，令復(fù)位請求信號非有效，從而禁止復(fù)位請求。這樣， 備份動(dòng)作控制LSI3就由復(fù)位狀態(tài)轉(zhuǎn)移到通常動(dòng)作狀態(tài)。
另外，也可以在備份動(dòng)作控制LSI3中用計(jì)時(shí)器52設(shè)定復(fù)位發(fā)生的期間，以便更加 穩(wěn)定地實(shí)施復(fù)位。如果計(jì)時(shí)器52沒有被內(nèi)置，例如，也可在其他電路51中內(nèi)置電容和電阻， 用此電容和電阻的CR時(shí)間常數(shù)來確保復(fù)位的穩(wěn)定時(shí)間。
圖3表示了不用第2檢出器8，而用備份動(dòng)作電路5內(nèi)置的ADC電路M的一例。 在內(nèi)置ADC電路(模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路)的例子中，通過削減第2檢出器8，可以抑制電路的規(guī) 模。從電阻10取出對Vdd分壓后的電壓，施加到ADC電路M上。ADC電路M，可以根據(jù)對 Vdd分壓后的電壓大小，推測出Vdd的大小。據(jù)此，可以檢出Vdd是否低于V2。
ADC電路M—旦檢出低于V2的電壓，就輸出復(fù)位許可信號。接收復(fù)位許可信號的 控制電路9，在內(nèi)部設(shè)置有許可寄存器91，一旦接收復(fù)位許可信號，就在許可寄存器91中設(shè) 置允許輸出復(fù)位許可信號的許可標(biāo)志。在這個(gè)許可標(biāo)志被設(shè)置的期間，若主電源恢復(fù)，Vdd 升高，一旦超過VI，就可以輸出復(fù)位請求信號。
備份動(dòng)作電路5接收復(fù)位請求信號，發(fā)生復(fù)位，一旦對備份動(dòng)作控制LSI3整體實(shí) 施復(fù)位，就將復(fù)位受理信號輸出至控制電路9。接收到復(fù)位受理信號的控制電路9，令復(fù)位 請求信號非有效，從而禁止復(fù)位請求。據(jù)此，備份動(dòng)作控制LSI3從復(fù)位狀態(tài)轉(zhuǎn)移到通常動(dòng) 作狀態(tài)。備份動(dòng)作控制LSI3整體實(shí)施復(fù)位后，許可寄存器91也被初期化，此時(shí)，許可標(biāo)志 也將消失。
上述雖是用ADC電路M代替第2檢出器8的例子，但由于ADC電路M通用性高， 因其他目的而被內(nèi)置于LSI的情況多，所以可有效利用的情況也多。
以上雖對實(shí)施發(fā)明的最佳方式進(jìn)行了說明，但所述實(shí)施方式是為了使本發(fā)明的理 解更容易，而不是為了限制解釋本發(fā)明。本發(fā)明在不脫離其宗旨的前提下可進(jìn)行變化、改 良，本發(fā)明包含其等同物。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)位電路，具有第1檢出器，其用于檢出第1檢出電壓；第2檢出器，其用于檢出低于所述第1檢出電壓的第2檢出電壓；和 控制電路，其用于接收所述第1檢出器及所述第2檢出器的檢出結(jié)果，對實(shí)施復(fù)位請求 的復(fù)位請求信號進(jìn)行輸出控制；所述控制電路，在低于所述第2檢出電壓后，當(dāng)高于所述第1檢出電壓時(shí)，使所述的復(fù) 位請求信號變化，實(shí)施復(fù)位請求。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)位電路，其特征在于所述控制電路，在所述第2檢出器檢出低于所述第2檢出電壓后，使所述第1檢出器成 為能檢出的狀態(tài)，且把所述第1檢出器的輸出作為所述的復(fù)位請求信號。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)位電路，其特征在于所述控制電路，接收復(fù)位受理信號，并根據(jù)所述復(fù)位受理信號的狀態(tài)，使所述復(fù)位請求 信號成為初期狀態(tài)，禁止復(fù)位請求。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)位電路，其特征在于 所述第2檢出器為模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路；所述控制電路，具有寄存器；所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路通過輸出復(fù)位許可信號，在所述寄存器中設(shè)置許可標(biāo)志；在所述 許可標(biāo)志被設(shè)置的期間，許可使所述復(fù)位請求信號產(chǎn)生變化。
全文摘要
一種復(fù)位電路，具有第1檢出器，用于檢出第1檢出電壓；第2檢出器，用于檢出低于所述第1檢出電壓的第2檢出電壓；和控制電路，用于接收所述第1檢出器及所述第2檢出器的檢出結(jié)果，對實(shí)施復(fù)位請求的復(fù)位請求信號進(jìn)行輸出控制。所述控制電路，在低于所述第2檢出電壓后，當(dāng)高于所述第1檢出電壓時(shí)，使所述的復(fù)位請求信號變化，實(shí)施復(fù)位請求。在現(xiàn)有技術(shù)的檢知到低電壓就實(shí)施復(fù)位的構(gòu)成中，一旦高于低電壓的設(shè)定值，復(fù)位便被解除，在恢復(fù)到通常電壓的過程中，有發(fā)生誤動(dòng)作的危險(xiǎn)。例如，一旦復(fù)位立刻被解除，就造成在電壓還不是足夠高的狀況下就開始重啟，由寄存器設(shè)定的誤寫入等原因會(huì)產(chǎn)生誤動(dòng)作等，成為可靠性方面的問題。
文檔編號H03K17/22GK102035517SQ20101029706
公開日2011年4月27日 申請日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者山田進(jìn) 申請人:三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社, 三洋電機(jī)株式會(huì)社