專利名稱：高可靠零功耗復(fù)位電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是各種數(shù)模混合芯片集成電路，滿足零功耗和復(fù)位可靠的要求。
背景技術(shù)：
在電子系統(tǒng)中，上電復(fù)位模塊是很常用的電路模塊之一，它能實(shí)現(xiàn)在上電過程的 同時(shí)產(chǎn)生低電平的復(fù)位信號，對電路的其它模塊進(jìn)行復(fù)位操作，從而消除上電初始時(shí)電路 模塊的不穩(wěn)定態(tài)。普通的上電復(fù)位電路產(chǎn)生復(fù)位信號，其翻轉(zhuǎn)點(diǎn)產(chǎn)生電路采用mos管電路，電路較 簡單，可以實(shí)現(xiàn)低功耗，但翻轉(zhuǎn)點(diǎn)變化較大，無反復(fù)翻轉(zhuǎn)抑制措施，產(chǎn)生的復(fù)位信號不可靠。本發(fā)明電路采用具有精確翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的BJT啟動(dòng)電路，具有滯洄功能抑制反復(fù)翻轉(zhuǎn)， 但其缺點(diǎn)是具有較大靜態(tài)功耗，本發(fā)明采用反饋控制電路實(shí)現(xiàn)零功耗，三塊電路實(shí)現(xiàn)零功 耗可靠上電復(fù)位功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種應(yīng)用于芯片集成電路設(shè)計(jì)的高可靠零功耗復(fù)位電路，包括啟動(dòng) 電路，復(fù)位產(chǎn)生電路和實(shí)現(xiàn)零功耗的控制電路三部分。其特點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)了在電路上電中的 復(fù)位信號，并且在完成上電復(fù)位后再斷開啟動(dòng)電路，完全實(shí)現(xiàn)零功耗。如圖1所示，啟動(dòng)電路包括晶體管1、晶體管2、晶體管3、電阻4、電阻5、電阻6和 電阻7組成，輸出為c點(diǎn)電壓。復(fù)位信號產(chǎn)生電路包括反相器8、反相器9、反相器10、反相 器11、電容15、非與門12及其輸出驅(qū)動(dòng)組成，輸出復(fù)位信號為reset電壓，反相器11的輸 出g連接控制電路部分的反相器13的輸入?？刂齐娐酚煞聪嗥?3和MOS管14組成，MOS管14的漏極接電源VDD，源極接啟動(dòng) 電路中的電阻5、6和7。


本發(fā)明將通過例子并參照附圖的方式說明，其中 圖1為本發(fā)明的具體實(shí)驗(yàn)示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明的具體實(shí)驗(yàn)示意圖。該電路示意圖包括啟動(dòng)電路，復(fù)位產(chǎn)生電路和實(shí)現(xiàn)零功耗的控制電路三部分。在電路上電過程中，MOS開關(guān)管14的漏端h隨VDD上升而上升，在剛開始的階段， 晶體管3還沒有導(dǎo)通，啟動(dòng)電路的輸出C、反相器9的輸出e和反相器11的輸出g也隨著 VDD升高而升高，相應(yīng)的反相器8的輸出d為低電平。
當(dāng)VDD上升到一定電平值時(shí)，晶體管3會導(dǎo)通，這時(shí)啟動(dòng)電路的輸出c會從此時(shí)的 VDD變?yōu)榈碗娖?，?dǎo)致反相器8的輸出d從低電平上升到此時(shí)的VDD值，此時(shí)的VDD值則認(rèn) 為是上電的閾值，即當(dāng)VDD超過該閾值時(shí)認(rèn)為上電完成。反相器8的輸出d再經(jīng)過后續(xù)的延時(shí)電路得到延時(shí)后的反相的輸出g，在反相器 8的輸出d和反相器11的輸出g都為高的時(shí)間段里，與非門12的輸出i為低電平，該輸出 經(jīng)過緩沖驅(qū)動(dòng)后作為低電平reset信號。此時(shí)完成上電復(fù)位功能。同時(shí)反相器11的輸出 g同時(shí)通過反相器13后關(guān)斷MOS開關(guān)管14，此時(shí)整個(gè)啟動(dòng)電路也會被關(guān)斷，完全實(shí)現(xiàn)零功
^^ ο 為防止電源上電中不干凈的電源抖動(dòng)引起reset信號的抖動(dòng)，該上電復(fù)位電路在 兩種機(jī)制上達(dá)到抑制作用，避免不正常反復(fù)上電導(dǎo)致反復(fù)復(fù)位的問題。第一種機(jī)制是啟動(dòng)電路中晶體管3和MOS管15組成的正反饋電路，使啟動(dòng)電路的 輸出c點(diǎn)電壓的上升和下降的翻轉(zhuǎn)閥值不同，這種滯回作用可在一定程度上避免VDD上電 過程中反復(fù)波動(dòng)帶來的c點(diǎn)電壓的非正常翻轉(zhuǎn)，進(jìn)而抑制reset信號非正常復(fù)位；第二種機(jī) 制是當(dāng)上電達(dá)到復(fù)位閥值并關(guān)斷啟動(dòng)電路后，因?yàn)殡娙?5的存在以及f處的前后反相器的 寄生電容的存在，使得f處電位從高電平到低電平的泄放需要相當(dāng)一定時(shí)間，如此時(shí)再一 次非正常地反復(fù)地再次上電時(shí)，由于該處電量還未泄放完全，使得控制電路的MOS開關(guān)管 14仍舊關(guān)斷，所以整個(gè)電路不會響應(yīng)VDD的上電變化，做到可靠的零功耗。如上所述本發(fā)明在使用的情況下，實(shí)現(xiàn)了完全的零功耗的可靠的上電復(fù)位電路， 很好地避免了傳統(tǒng)上電復(fù)位電路中非正常反復(fù)復(fù)位的問題，并且大大減小上電復(fù)位電路功
^^ ο本說明書(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘 述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個(gè)特征只 是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。本發(fā)明并不局限于前述的具體實(shí)施方式
。本發(fā)明擴(kuò)展到任何在本說明書中披露的 新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。盡管本發(fā)明結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例方式進(jìn)行描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背 離本法的精神和范圍的前提下，可以通過使用已知的等同方式對本發(fā)明進(jìn)行改變。前面對 優(yōu)選實(shí)施方式的描述應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是示例性描述而不是限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍由所 附的權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
一種高可靠零功耗復(fù)位電路，其特征在于包括啟動(dòng)電路，復(fù)位產(chǎn)生電路和實(shí)現(xiàn)零功耗的控制電路三部分；所述啟動(dòng)電路包括晶體管1、晶體管2、晶體管3、電阻4、電阻5、電阻6和電阻7組成，輸出為c點(diǎn)電壓；所述復(fù)位信號產(chǎn)生電路包括反相器8、反相器9、反相器10、反相器11、電容15、非與門12及其輸出驅(qū)動(dòng)組成，輸出復(fù)位信號為reset電壓，反相器11的輸出g連接所述控制電路部分的反相器13的輸入；所述控制電路由反相器13和MOS管14組成，MOS管14的漏極接電源VDD，源極接啟動(dòng)電路中的電阻5、6和7。
2.如權(quán)利要求1所述的高可靠零功耗復(fù)位電路，其特征在于由晶體管1、晶體管2、晶 體管3、電阻4、電阻5、電阻6和電阻7組成前述啟動(dòng)電路，由c點(diǎn)接到所述復(fù)位產(chǎn)生電路。
3.如權(quán)利要求1所述的高可靠零功耗復(fù)位電路，其特征在于由反相器8、反相器9、反 相器10、反相器11、電容15、非與門12及其后2個(gè)反相器組成所述復(fù)位產(chǎn)生電路，由reset 點(diǎn)輸出復(fù)位信號，由g點(diǎn)接到所述控制電路。
4.如權(quán)利要求1所述的高可靠零功耗復(fù)位電路，其特征在于由反相器13和MOS管14 組成所述控制電路，由h點(diǎn)接到所述啟動(dòng)電路。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種應(yīng)用于芯片集成電路設(shè)計(jì)的高可靠零功耗復(fù)位電路，包括啟動(dòng)電路，復(fù)位產(chǎn)生電路和實(shí)現(xiàn)零功耗的控制電路三部分。其特點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)了在電路上電中的復(fù)位信號，并且在完成上電復(fù)位后再斷開啟動(dòng)電路，完全實(shí)現(xiàn)零功耗，還能避免非正常反復(fù)上電時(shí)產(chǎn)生非正常的復(fù)位信號。
文檔編號H03K17/22GK101980445SQ20101054553
公開日2011年2月23日 申請日期2010年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者唐俊 申請人:成都國騰電子技術(shù)股份有限公司