專利名稱：復(fù)位電路及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及具有復(fù)位電路的電子裝置。
背景技術(shù)：
眾所周知，處理單元為電子裝置的核心部件。當處理單元中的軟件運行出現(xiàn)問題時，往往容易導(dǎo)致處理單元出現(xiàn)異常，進而導(dǎo)致電子裝置死機而無法關(guān)機。為解決這個問題，處理單元的外圍通常都設(shè)置了復(fù)位電路，用于提供復(fù)位功能對出現(xiàn)異常的處理單元進行復(fù)位操作。一般的復(fù)位電路由電子開關(guān)及單穩(wěn)態(tài)電路組成。用戶掰動復(fù)位鍵后，電子開關(guān)控制單穩(wěn)態(tài)電路導(dǎo)通以提供復(fù)位信號至處理單元的復(fù)位端口，使處理單元復(fù)位。然而，若使用者無意中觸碰到復(fù)位鍵便會導(dǎo)致處理單元被復(fù)位，對使用者造成困擾。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種可避免使用者無意中碰觸到復(fù)位鍵便導(dǎo)致處理單元被復(fù)位的復(fù)位電路。一種復(fù)位電路，連接一電子裝置的處理單元，用于對該處理單元進行復(fù)位。該復(fù)位電路包括開關(guān)控制單元、第一開關(guān)單元及復(fù)位信號產(chǎn)生單元，該開關(guān)控制單元基于使用者的操作控制第一開關(guān)單元的導(dǎo)通或截止，該復(fù)位信號產(chǎn)生單元用于在第一開關(guān)單元截止一預(yù)定時間段后產(chǎn)生復(fù)位信號，并在第一開關(guān)單元導(dǎo)通時停止產(chǎn)生復(fù)位信號，該處理單元根據(jù)復(fù)位信號復(fù)位。本發(fā)明還提供一種電子裝置，其包括處理單元及用于對該處理單元進行復(fù)位的復(fù)位電路，該復(fù)位電路包括開關(guān)控制單元、第一開關(guān)單元及復(fù)位信號產(chǎn)生單元，該開關(guān)控制單元基于使用者的操作控制第一開關(guān)單元的導(dǎo)通或截止，該復(fù)位信號產(chǎn)生單元用于在第一開關(guān)單元截止一預(yù)定時間段后產(chǎn)生復(fù)位信號，并在第一開關(guān)單元導(dǎo)通時停止產(chǎn)生復(fù)位信號， 該處理單元根據(jù)復(fù)位信號復(fù)位。本發(fā)明通過設(shè)置復(fù)位電路，令使用者可于處理單元出現(xiàn)異常時利用復(fù)位電路對處理單元進行復(fù)位。由于具有復(fù)位信號產(chǎn)生單元，并且使用者需操作開關(guān)控制單元一預(yù)定時間段后處理單元才會被復(fù)位，避免了使用者因無意中觸碰到開關(guān)控制單元便復(fù)位處理單元的情況。


圖1為一較佳實施例的電子裝置的示意圖，該電子裝置包括復(fù)位電路。圖2為圖1所示復(fù)位電路的功能模塊圖。圖3為圖2所示復(fù)位電路的電路圖。主要元件符號說明電子裝置100處理單元20
復(fù)位端口RESET復(fù)位電路30開關(guān)控制單元31開關(guān)310公共端Jl第一控制端J2第二控制端J3第一電源端口Pl第一電阻Rl第一濾波電容Cl第二濾波電容C2第一開關(guān)單元32三極管Ql復(fù)位信號產(chǎn)生單元 33延時模塊34第二電源端口 P2第二電阻R2第三電阻R3充電電容C3第二開關(guān)模塊 35MOS 管Q2導(dǎo)流模塊36二極管D電源單元40負載50
具體實施例方式請參閱圖1，其為一較佳實施例的電子裝置100的示意圖。電子裝置100包括處理單元20、復(fù)位電路30、電源單元40及負載50。處理單元20具有一復(fù)位端口，復(fù)位電路30 用于對處理單元20進行復(fù)位操作。電源單元40用于對電子裝置100進行供電。負載50 連接處理單元20及電源單元40，負載50對應(yīng)電子裝置100的一功能模塊。在本實施例中， 處理單元20為一電源控制芯片，負載50可對應(yīng)電子裝置100的音樂播放模塊，復(fù)位端口為低電平觸發(fā)端口。在其他實施例中，負載50對應(yīng)電子裝置100的其他使用功能，如視頻播放模塊、藍牙模塊等，而復(fù)位端口可為高電平觸發(fā)端口。請參閱圖2，其為復(fù)位電路30的功能模塊圖。復(fù)位電路30包括開關(guān)控制單元31、 第一開關(guān)單元32及復(fù)位信號產(chǎn)生單元33。開關(guān)控制單元31基于使用者的操作產(chǎn)生第一控制信號或第二控制信號。在本實施例中，第一控制信號為高電平信號，第二控制信號為低電平信號。在其他實施例中，第一控制信號亦可為低電平信號，而第二控制信號為高電平信號。
第一開關(guān)單元32用于根據(jù)第一控制信號及第二控制信號分別導(dǎo)通及截止。復(fù)位信號產(chǎn)生單元33包括延時模塊34、第二開關(guān)模塊35及導(dǎo)流模塊36。延時模塊34連接第一開關(guān)單元32，用于在第一開關(guān)單元32截止后延遲一預(yù)定時間段產(chǎn)生導(dǎo)通電壓。第二開關(guān)模塊35用于接收該導(dǎo)通電壓并導(dǎo)通以產(chǎn)生一低電平復(fù)位信號至處理單元20 的復(fù)位端口 RESET。在本實施方式中，延時模塊34包括一電容，該電容在第一開關(guān)單元32 截止時開始儲存電能，以產(chǎn)生導(dǎo)通電壓。導(dǎo)流模塊36用于在第一開關(guān)單元32導(dǎo)通后將延時模塊34中電容所儲存的電能導(dǎo)流接地。請參閱圖3，其為圖2所示復(fù)位電路30的電路圖。開關(guān)控制單元31包括開關(guān)310、 第一電源端口 P1、第一電阻R1、第一濾波電容Cl及第二濾波電容C2。開關(guān)310具有公共端 Jl、第一控制端J2及第二控制端J3，其中，公共端Jl及第一控制端J2接地，第二控制端J3 則通過第一電阻Rl連接第一電源端口 P1。第一電源端口 Pl用于提供第一供電電壓。第一濾波電容Cl連接于第一電源端口 Pl與地之間，第二濾波電容C2連接于第二控制端J3與地之間，均用于濾除第一電源端口 Pl所提供的第一供電電壓中的雜波?？梢岳斫猓谄渌恍嵤├?，開關(guān)控制單元31也可以不包括第一濾波電容Cl及第二濾波電容C2，或者只包括第一濾波電容Cl或第二濾波電容C2。第一開關(guān)單元32包括三極管Ql。三極管Ql的基極連接第二控制端J3，發(fā)射極接地，集電極連接延時模塊；34。在本實施例中，三極管Ql為NPN型三極管。延時模塊34包括第二電源端口 P2、第二電阻R2、第三電阻R3及充電電容C3。第二電源端口 P2用于提供第二供電電壓。第二電阻R2及第三電阻R3串聯(lián)連接于充電電容 C3的一端及第二電源端口 P2之間，充電電容C3的另一端接地。三極管Ql的集電極連接于第二電阻R2及第三電阻R3之間。第二開關(guān)模塊35包括MOS管Q2。MOS管Q2的柵極連接充電電容C3與第二電阻 R2相連的一端，源極接地，漏極連接處理單元20的復(fù)位端口 RESET。在本實施例中，MOS管 Q2為N溝道MOS管。導(dǎo)流模塊36包括二極管D，其陽極連接MOS管Q2的柵極，而陰極則連接三極管Ql 的集電極。需要說明的是，在本實施例中，第一電源端口 Pl及第二電源端口 P2用于提供3伏的直流電壓，而在其他實施例中，亦可根據(jù)電子裝置100的使用要求提供更高或者更低的直流電壓。在本實施例中，三極管Ql的導(dǎo)通電壓大約為0. 7V，M0S管Q2的導(dǎo)通電壓則大致為1.8V，而在其他實施例中，亦可根據(jù)需要選用具有不同導(dǎo)通電壓的其他三極管或MOS管。電子裝置100的工作原理介紹如下當電子裝置100處于使用狀態(tài)時，開關(guān)控制單元31的開關(guān)310的公共端Jl及第一控制端J2相連接，開關(guān)控制單元31產(chǎn)生高電平信號，也即第一控制信號，至第一開關(guān)單元32。三極管Ql的基極接收該高電平信號后，三極管Ql導(dǎo)通，使得三極管Ql的集電極及發(fā)射極之間相當于短路。此時，第二電源端口 P2通過第三電阻R3和三極管Ql接接地。MOS 管Q2處于截止狀態(tài)，其漏極與源極之間相當于開路，MOS管Q2的漏極不能提供低電平復(fù)位信號給處理單元20的復(fù)位端口 RESET。當處理單元20發(fā)生軟件運行問題而出現(xiàn)異常時，為復(fù)位處理單元20，使用者可通過撥動開關(guān)310令第一控制端J2及第二控制端J3相接觸一預(yù)定時間段，如，在本實施例中，該預(yù)定時間段為4-5秒鐘。第一控制端J2與第二控制端J3相接觸后，第二控制端J3通過第一控制端J2接地，開關(guān)控制單元31提供低電平信號，也即第二控制信號，至第一開關(guān)單元32。此時三極管Ql的基極相當于接地，因此，三極管Ql處于截止狀態(tài)，第二電源端口 P2所提供的第二供電電壓通過第三電阻R3和第二電阻R2開始對充電電容C3進行充電。根據(jù)充電電容兩端電壓的計算公式，u = Ul-e~-t/(RC)(u為充電電容C3兩端電壓值，U為第二電源端口 P2所提供的電壓值，t為一預(yù)定時間段)，可得出，在經(jīng)過一預(yù)定時間段t后，充電電容C3兩端的電壓值可達到導(dǎo)通MOS管的導(dǎo)通電壓1. 8V，也即導(dǎo)通電壓值。也即，在經(jīng)過該預(yù)定時間段后，MOS管Q2導(dǎo)通，漏極相當于接地端，提供一低電平復(fù)位信號至處理單元20的復(fù)位端口 RESET。復(fù)位端口 RESET被觸發(fā)，處理單元20被復(fù)位。處理單元20被復(fù)位后，使用者便可松開開關(guān)310。使用者松開開關(guān)310后，三極管Ql被導(dǎo)通，充電電容C3通過二極管D及三極管Ql的集電極和發(fā)射極接地并開始放電。 也即，盡管在使用者松開開關(guān)310后，充電電容C3由于放電緩慢仍然會對MOS管Q2提供導(dǎo)通電壓，但由于充電電容C3的放電電流已通過二極管D導(dǎo)流并通過三極管Ql流至地端，因此，MOS管Q2也會在使用者松開開關(guān)310后立即截止，避免MOS管Q2的漏極繼續(xù)觸發(fā)處理單元20的復(fù)位端口 RESET。在本實施例中，第二電阻R2及第三電阻R3的阻值為51K歐姆，充電電容C3的大小則為47微法，根據(jù)充電電容兩端電壓的計算公式，U = Ul-e~_t/(RC)可得出在第一開關(guān)單元32截止大致一預(yù)定時間段4秒鐘后，充電電容C3兩端的電壓大約為1. 8V,達到了 MOS管的導(dǎo)通電壓。然而，在其他實施例中，第二電阻R2或第三電阻R3的阻值是可調(diào)的， 或者充電電容C3的電容值是可調(diào)的，因而可改變預(yù)定時間段的長度。或者，亦可通過選用具有不同導(dǎo)通電壓的MOS管來調(diào)整預(yù)定時間段的長度。當然，在另一些實施例中，延時模塊 34亦可只包括第二電阻R2或第三電阻R3。本發(fā)明的電子裝置100，可根據(jù)使用者對開關(guān)310的操作而利用復(fù)位電路30自動對處理單元20進行復(fù)位，解決電子裝置100出現(xiàn)死機而無法關(guān)機的情況。并且，由于利用本發(fā)明的復(fù)位電路30，使用者需撥動開關(guān)310 —預(yù)定時間段后才可對處理單元20進行復(fù)位，避免了使用者因無意中撥動開關(guān)310便復(fù)位處理單元20的情況。同時，本發(fā)明中的復(fù)位電路30結(jié)構(gòu)簡單，由常見元器件組成，便于分析和維修。此外，本發(fā)明的復(fù)位電路30具有導(dǎo)流模塊36，當處理單元20的復(fù)位端口 RESET被觸發(fā)后，導(dǎo)流模塊36可及時導(dǎo)流電流， 避免復(fù)位端口 RESET被繼續(xù)觸發(fā)而對處理單元20造成損害。本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發(fā)明， 而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)位電路，用于對處理單元進行復(fù)位，其特征在于該復(fù)位電路包括開關(guān)控制單元、第一開關(guān)單元及復(fù)位信號產(chǎn)生單元，該開關(guān)控制單元基于使用者的操作控制第一開關(guān)單元的導(dǎo)通或截止，該復(fù)位信號產(chǎn)生單元用于在第一開關(guān)單元截止后延遲一預(yù)定時間段產(chǎn)生復(fù)位信號，并在第一開關(guān)單元導(dǎo)通時停止產(chǎn)生復(fù)位信號，該處理單元根據(jù)復(fù)位信號復(fù)位。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)位電路，其特征在于該復(fù)位信號產(chǎn)生單元包括延時模塊及第二開關(guān)模塊，該延時模塊用于在第一開關(guān)單元截止后延遲該預(yù)定時間段產(chǎn)生導(dǎo)通電壓， 該第二開關(guān)模塊根據(jù)導(dǎo)通電壓導(dǎo)通以產(chǎn)生復(fù)位信號。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)位電路，其特征在于該開關(guān)控制單元包括用于提供第一供電電壓的第一電源端口、開關(guān)及連接于第一電源端口與開關(guān)之間的第一電阻，該開關(guān)基于使用者的操作控制第一供電電壓開始或停止通過第一電阻被提供給該第一開關(guān)單元。
4.如權(quán)利要求2所述的復(fù)位電路，其特征在于該第一開關(guān)單元包括三極管，該三極管的基極連接該開關(guān)控制單元，發(fā)射極接地，集電極連接至該延時模塊。
5.如權(quán)利要求2所述的復(fù)位電路，其特征在于該處理單元包括一用于接收復(fù)位信號的復(fù)位端口，該第二開關(guān)模塊包括MOS管，該MOS管的柵極用于接收該導(dǎo)通電壓，漏極連接該復(fù)位端口，源極接地。
6.如權(quán)利要求4所述的復(fù)位電路，其特征在于該延時模塊包括用于提供第二供電電壓的第二電源端口、充電電容及連接于第二電源端口與第二開關(guān)模塊之間的第二電阻與第三電阻，該三極管的集電極連接于該第二電阻及該第三電阻之間，該充電電容的一端連接于該第三電阻，另一端接地。
7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)位電路，其特征在于該復(fù)位信號產(chǎn)生單元還包括一個導(dǎo)流模塊，用于在該三極管導(dǎo)通后將該充電電容中的充電電壓導(dǎo)至接地，該導(dǎo)流模塊包括二極管，其陽極連接該充電電容，陰極連接該三極管的集電極。
8.如權(quán)利要求7所述的復(fù)位電路，其特征在于該充電電容的電容值是可調(diào)的，以及/ 或者第二電阻與該第三電阻的電阻值是可調(diào)的。
9.一種電子裝置，包括處理單元及用于對處理單元進行復(fù)位的復(fù)位電路，其特征在于 該復(fù)位電路為權(quán)利要求第1-8項中任意一項的復(fù)位電路。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其特征在于該電子裝置還包括電源單元及負載， 該處理單元為電源控制芯片，該電源單元在該電源控制芯片的控制下給負載供電。
全文摘要
一種復(fù)位電路，連接一電子裝置的處理單元，用于對該處理單元進行復(fù)位。該復(fù)位電路包括開關(guān)控制單元、第一開關(guān)單元及復(fù)位信號產(chǎn)生單元，該開關(guān)控制單元基于使用者的操作控制第一開關(guān)單元的導(dǎo)通或截止，該復(fù)位信號產(chǎn)生單元用于在第一開關(guān)單元截止一預(yù)定時間段后產(chǎn)生復(fù)位信號，并在第一開關(guān)單元導(dǎo)通時停止產(chǎn)生復(fù)位信號，該處理單元根據(jù)復(fù)位信號復(fù)位。本發(fā)明通過設(shè)置復(fù)位電路由于具有復(fù)位信號產(chǎn)生單元，避免了使用者因無意中觸碰到開關(guān)控制單元便復(fù)位處理單元的情況。本發(fā)明還提供一種具有該復(fù)位電路的電子裝置。
文檔編號H03K17/22GK102545854SQ20101061683
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者任東亮 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司