專利名稱：SMD3225-32MHz型晶體諧振器用晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種SMD3225-32MHZ型晶體諧振器用晶片。
背景技術(shù)：
晶振的主要電性能參數(shù)，例如頻率、電阻等都是由晶片的性能決定。未加工的晶片 導(dǎo)電性能差，在晶體諧振器制造中都要在晶片部分表面鍍上一層銀，作為晶片的電極(此電 極的面積小于晶片表面積)，使晶體在電場(chǎng)的作用下形成逆壓電效應(yīng)。晶體諧振器電阻過大時(shí)，容易造成不“起振”或工作不穩(wěn)定的現(xiàn)象，相對(duì)應(yīng)的電 阻值越小晶體諧振器的功耗越小，因此降低晶體諧振器電阻是制造商追求的目標(biāo)。目前， SMD3225-32MHZ型低頻晶體諧振器所用晶片一般使用常規(guī)的長(zhǎng)X寬=1. 05mmX 1. 0 mm(誤 差在士0. 05mm)的電極，但電阻平均值偏大，約34. 8 Ω，且晶體電阻值分布不集中，超出客 戶電阻要求的產(chǎn)品較多，合格率很低。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種SMD3225-32MHZ型晶體諧振器用晶片，具有電阻 小、功耗低的優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的晶片長(zhǎng)度為1.92 mm，寬度為1.375 mm，其表面設(shè)有鍍 膜電極，所述主電極的長(zhǎng)度為1. 0(Tl. 10mm,寬度為0. 95 1. 05mm，主電極中心和晶片中心重合。晶體電性能主要決定于晶片本身和鍍膜電極兩個(gè)方面。通常各頻率點(diǎn)晶片的中心 和主電極中心是不重合的，對(duì)晶片電性能影響較小，不會(huì)出現(xiàn)耦合振蕩造成電阻超標(biāo)的現(xiàn) 象。但3225-32MHZ晶片按常規(guī)設(shè)計(jì)電極時(shí)，易出現(xiàn)耦合現(xiàn)象從而導(dǎo)致電阻增加。本發(fā)明人 通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)主電極中心和晶片中心重合時(shí)，用這種晶片制作的晶體諧振器電阻水平 明顯下降，經(jīng)隨機(jī)抽取20只測(cè)量的電阻平均值約22. 4Ω，本實(shí)用新型晶體諧振器的平均電 阻有明顯下降且分布集中，超出客戶電阻要求的產(chǎn)品大大減少。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1所示，本實(shí)用新型SMD3225-32MHZ型晶體諧振器所用晶片1上設(shè)有鍍膜主電 極2，晶片1長(zhǎng)度為1. 92mm,寬度為1. 375mm,鍍膜主電極2的長(zhǎng)度L為1. 00 1. IOmm,寬 度W為0.95 1.05mm。3為主電極中心和晶片中心重合點(diǎn)。
權(quán)利要求1. SMD3225-32MHZ型晶體諧振器用晶片，晶片(1)長(zhǎng)度為1. 92mm,寬度為1. 375mm,晶片 ⑴上設(shè)有鍍膜電極，所述主電極O)的長(zhǎng)度為1. 00 1. 10mm，寬度為0. 95 1. 05mm，其 特征在于主電極O)中心和晶片(1)中心重合。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種SMD3225-32MHz型晶體諧振器用晶片，晶片長(zhǎng)度為1.92mm，寬度為1.375mm，其表面設(shè)有鍍膜電極，所述主電極的長(zhǎng)度為1.00~1.10mm，寬度為0.95~1.05mm，主電極中心和晶片中心重合。本實(shí)用新型具有電阻小、功耗低的優(yōu)點(diǎn)，改善了SMD3225-32MHz產(chǎn)品電阻嚴(yán)重超標(biāo)的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H03H9/17GK201854248SQ20102054805
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者吳亞華, 吳成秀 申請(qǐng)人:銅陵市峰華電子有限公司