專利名稱：用于功率放大的線性化電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體而言涉及配置用于功率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
設(shè)計用于射頻(RF)功率應(yīng)用的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件在非線性區(qū)域中進行操作，并且因此會使輸入信號失真。用于校正這種失真的一般途徑現(xiàn)在是采用包含輸出信號的反饋環(huán)路。然而，這些方法可能受到環(huán)路穩(wěn)定性問題的影響。因此，期望RF功率放大的更好的線性化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性放大器電路包括功率放大電路和線性化電路。在各個實施例中， 功率放大電路和線性化電路這兩者均布置在裸片上。功率放大電路包括功率放大器核芯， 該功率放大器核芯包含放大器晶體管，該放大器晶體管的柵極耦合到信號源輸入。線性化電路耦合在信號源輸入與放大器晶體管的柵極之間，并且其包含功率放大器核芯的副本 (replica)。在一些實施例中，該副本的有源部件小于功率放大器核芯的對應(yīng)的有源部件。 線性化電路被配置成在第一放大器晶體管的柵極處添加非線性模擬信號。在一些實施例中，線性化電路并不包含時鐘和/或并不包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器。在各個實施例中，功率放大器核芯包括柵地陰地(cascode)電路，該柵地陰地電路包含第一放大器晶體管。在這些實施例的一些中，第一放大器晶體管包括MOS晶體管，并且柵地陰地電路還包含第二放大器晶體管，該第二放大器晶體管的漏極耦合到第一放大器晶體管的源極。在其他一些實施例中，作為第二放大器晶體管的替代，柵地陰地電路還包括 JFET，該JFET的漏極耦合到第一放大器晶體管的源極。在示例性放大器電路的各個實施例中，線性化電路還包括包絡(luò)檢測器，該包絡(luò)檢測器耦合在信號源輸入與功率放大器核芯的副本之間，其中該包絡(luò)檢測器被配置成產(chǎn)生包絡(luò)信號。在這些實施例的一些中，線性化電路還包括第一運算放大器，該第一運算放大器耦合在包絡(luò)檢測器與副本之間；以及第二運算放大器，該第二運算放大器耦合在副本與放大器晶體管的柵極之間。第一運算放大器在包絡(luò)信號被施加到副本之前對其進行放大，而第二運算放大器在來自副本的經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號被施加到放大器核芯之前對其進行放大。在又一些實施例中，放大器核芯的副本包括放大器晶體管的副本。在這些實施例中，包絡(luò)信號被施加到放大器晶體管的副本的柵極。在這些實施例的一些中，DC偏置源和放大器晶體管的副本的漏極兩者都耦合到放大器晶體管的柵極。本發(fā)明還提供了包含放大器電路的器件。示例性器件包括封裝體；以及集成無源器件和裸片，該無源器件和裸片在封裝體的相同側(cè)上附接到封裝體或者各自布置在封裝體的相對側(cè)上。集成無源器件包含輸入匹配塊和輸出匹配塊。裸片包括功率放大器核芯，該功率放大器核芯耦合在輸入匹配塊和輸出匹配塊之間，并且包含具有柵極的放大器晶體管。 裸片還包括功率放大器核芯的副本，其中該副本的輸出耦合到放大器晶體管的柵極。在一些實施例中，功率放大器核芯的副本包含放大器晶體管的副本，并且在這些實施例中，裸片還包括耦合到放大器晶體管的副本的柵極的包絡(luò)檢測器。在各個實施例中，封裝體耦合到 RF信號源和天線之一或者這兩者。本發(fā)明還提供了用于放大RF信號的方法。示例性方法包括根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號；根據(jù)包絡(luò)信號產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號；以及產(chǎn)生線性放大的RF信號。經(jīng)放大的 RF信號通過向功率放大器核芯的晶體管施加偏置的RF信號來產(chǎn)生，其中偏置的RF信號包括RF信號加上經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。在該方法中，該方法的任何步驟或者所有步驟在共同的裸片上執(zhí)行。在各個實施例中，未采用時鐘信號和/或未執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。此外，在各個實施例中，RF信號與經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號之間的延遲在約IOns至約15ns之間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性放大器電路的示意性表示。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性放大器核芯及其副本的示意性表示。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示例性放大器核芯及其副本的示意性表示。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的RF信號放大的示例性方法的流程圖表示。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性RF器件的示意性表示。
具體實施例方式本公開涉及用于在功率放大中使用的線性化電路并且涉及用于線性地放大RF信號的方法。本發(fā)明的線性化電路被配置成與包括功率放大器核芯的功率放大電路結(jié)合使用。這種線性化電路包括功率放大器核芯的副本，其中該副本是功率放大器核芯的成比例的復(fù)制，該成比例的復(fù)制優(yōu)選地與功率放大器核芯制造在相同襯底上，并且緊鄰該功率放大器核芯。在操作中，功率放大電路和線性化電路這兩者都接收RF信號，并且線性化電路根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號。包絡(luò)信號用來控制功率放大器核芯的副本以產(chǎn)生模擬輸出信號，該模擬輸出信號表示功率放大器核芯的AM到AM失真的反轉(zhuǎn)。線性化電路利用副本的經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號來偏置RF信號，以控制功率放大器核芯。因此，本發(fā)明的線性化電路將模擬的AM到AM預(yù)失真施加到功率放大器核芯，以對功率放大器核芯的非線性響應(yīng)進行補償，從而導(dǎo)致RF信號的更加線性的放大。本發(fā)明的優(yōu)點包括低的電流消耗以及不需要線性化電路115包括時鐘、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)或者任何其他數(shù)字塊。而是，在各個實施例中，線性化電路可以完全是模擬的。附加地，在功率放大器核芯的制造過程中的、影響功率放大器核芯響應(yīng)的線性度的工藝變化將類似地影響副本的響應(yīng)的線性度。因此，將理解，功率放大電路和線性化電路的整體組合變得對這種工藝變化不敏感。還將理解，在本發(fā)明中，在不借助于來自功率放大器核芯的輸出信號的反饋的情況下實現(xiàn)了線性化。圖1是配置成從信號源輸入105接收RF信號并且產(chǎn)生線性放大輸出信號的放大器電路100的示意性表示。放大器電路100包括功率放大電路110和線性化電路115。功率放大電路110包括功率放大器核芯120、輸入匹配塊125和輸出匹配塊130。以下參照圖
52與圖3描述示例性的功率放大器核芯120。功率放大電路110與線性化電路115這兩者均耦合到信號源輸入105，以接收相同的RF信號。功率放大電路110和線性化電路115可以例如利用耦合器135耦合到信號源輸入105。示例性信號源輸入105包括引線鍵合焊盤和裸片附接焊盤。線性化電路115耦合在信號源輸入105與功率放大器核芯120之間，并且其包括功率放大器核芯120的副本140。副本140包括功率放大器核芯120的有源部件的成比例的復(fù)制。在一些實施例中，副本140與功率放大器核芯120制造在同一襯底上。在這些實施例的一些中，還緊鄰功率放大器核芯120地制造副本140。示例性襯底包括CMOS裸片。將副本140靠近功率放大器核芯120布置允許良好的晶體管匹配以及來自副本140的非線性的反轉(zhuǎn)的響應(yīng)與來自功率放大器核芯120的非線性的響應(yīng)的良好適配。在一些實施例中， 副本140的尺度小于功率放大器核芯120的尺寸，盡管尺度并不必限于更小。在示例性副本140中，有源部件為功率放大器核芯120中的對應(yīng)的部件的尺寸的大約1/60。在各個實施例中，副本140的有源部件相對于功率放大器核芯120的對應(yīng)的有源部件的比例在從大約1/20到大約1/60的范圍中。線性化電路115還包括耦合在信號源輸入105與副本140之間的包絡(luò)檢測器145。 包絡(luò)檢測器145根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號。在一些實施例中，包絡(luò)檢測器145與功率放大器核芯120布置在同一襯底上。在一些情況中，包絡(luò)檢測器145完全是模擬的。包絡(luò)檢測器145的合適電路設(shè)計是本領(lǐng)域中公知的。線性化電路115還可以包括諸如運算放大器之類的放大器150，其耦合在包絡(luò)檢測器145與副本140之間并且被配置成放大包絡(luò)信號。線性化電路115還可以包括也可以是運算放大器的放大器155，其耦合在副本140與功率放大器核芯120之間并且被配置成放大來自副本140的經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。如以下將要詳細(xì)討論的那樣，如圖1所示，線性化電路115的經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號輸出被添加到DC偏置電壓，并且被用來控制功率放大器核芯 120。在各個實施例中，功率放大器核芯120和副本140布置在裸片上。在這些實施例的一些中，耦合器135、包絡(luò)檢測器145以及放大器150以及放大器155中的任意一個或者全部也布置在同一裸片上。該裸片可以被附接到還包括功率放大電路和線性化電路的其他部件的封裝體。例如，輸入匹配塊125和輸出匹配塊130可以在附接到封裝體的集成無源器件(IPD)上制造。在一些實施例中，信號源輸入105包括在裸片或者封裝體上的引線鍵合焊盤或者裸片附接焊盤。以下參照圖5更詳細(xì)地描述包括裸片和IPD的封裝體的示例。圖2是示例性副本200和對應(yīng)的功率放大器核芯210的示意性表示。功率放大器核芯210是功率放大器核芯120(圖1)的一個示例。如圖所示，功率放大器核芯210包括布置成柵地陰地配置的兩個有源部件，即第一放大器晶體管220和第二放大器晶體管230。 在一些實施例中，第一放大器晶體管220包括薄MOS而第二放大器晶體管230包括厚M0S。 第二放大器晶體管230的源極耦合到DC電源和功率放大器核芯210的輸出。如本文所使用的，“厚”和“薄”是與放大器晶體管220、230的溝道長度有關(guān)的相對的術(shù)語。例如，在一個實施例中，第二放大器晶體管230包括具有為400nm的溝道長度的厚 M0S,而第一放大器晶體管220包括具有為ISOnm的溝道長度的薄M0S。厚MOS具有比同一功率放大器核芯210中的薄MOS長的溝道長度，但是另外并不限于本文標(biāo)識的示例性值。
第一放大器晶體管220的柵極由RF信號、DC偏置與經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號的加和控制。在放大器電路100工作在電流模式中的這些實施例中，DC偏置和經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號在其中走線匯合的節(jié)點處相加。在放大器電路100在電壓模式中工作的這些實施例中， DC偏置和經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號可以利用低頻加法器(參見圖1)來相加。低頻加法器可以包括例如運算放大器。副本200還包括類似地布置成柵地陰地配置的兩個放大器晶體管對0、250。放大器晶體管M0、250分別是放大器晶體管220、230的成比例的復(fù)制。在放大器晶體管220、230 包括薄MOS和厚MOS的這些實施例中，放大器晶體管M0、250也分別包括薄MOS和厚M0S。 放大器晶體管240的柵極由包絡(luò)信號控制。放大器晶體管250的源極耦合到諸如VDD之類的功率源，而放大器晶體管240的漏極耦合到副本200的輸出。電阻器260也耦合在放大器晶體管MO的漏極與接地之間。電阻器沈0的適當(dāng)?shù)碾娮栌呻娏鞯诫妷恨D(zhuǎn)換比給出。圖3是另一示例性副本300和對應(yīng)的功率放大器核芯310的示意性表示。功率放大器核芯310是功率放大器核芯120(圖1)的另一示例。如圖所示，功率放大器核芯310 也包括布置成柵地陰地配置的兩個有源部件，即第一放大器晶體管320和第二放大器晶體管330。在一些實施例中，第一放大器晶體管320包括厚M0S，而第二放大器晶體管330包括JFET。第一放大器晶體管320的柵極由RF信號、DC偏置和經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號的加和控制。第二放大器晶體管330的源極耦合到DC電源和放大器核芯310的輸出。副本300也包括布置成柵地陰地配置的兩個放大器晶體管340、350。放大器晶體管340、350的每個分別是放大器晶體管320、330的成比例的復(fù)制。在放大器晶體管320、 330包括厚MOS和JFET的這些實施例中，放大器晶體管340、350也分別包括厚MOS和JFET。 放大器晶體管340的柵極由包絡(luò)信號控制。放大器晶體管350的源極耦合到諸如VDD之類的功率源，而放大器晶體管340的漏極耦合到副本300的輸出。電阻器360也耦合在放大器晶體管340的漏極與接地之間。圖4是本發(fā)明的示例性放大方法400的流程圖表示。方法400包括接收RF信號的步驟410 ；根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號的步驟420 ；根據(jù)包絡(luò)信號產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號的步驟430 ；以及通過將偏置的RF信號施加到功率放大器核芯的晶體管(諸如MOS晶體管)而產(chǎn)生線性放大的RF信號的步驟440。此處，偏置的RF信號包括RF信號加上經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。在各個實施例中，方法400中的任何步驟或者所有步驟可以由形成在共同裸片(諸如CMOS裸片)上的部件執(zhí)行。例如，步驟440和步驟430可以由制造在同一裸片上的功率放大器核芯和對應(yīng)的副本執(zhí)行。本發(fā)明的其他方法可以利用制造在分離的裸片上的功率放大器核芯、副本、耦合器和包絡(luò)檢測器中的一個或者多個執(zhí)行。步驟410包括接收RF信號，并且可以包括例如在諸如弓丨線鍵合焊盤或者裸片附接焊盤的信號源輸入處接收RF信號，該信號源輸入處在共同裸片上或者在裸片附接到的封裝體上。RF信號可以接收自也耦合到信號源輸入的RF信號源(參見圖5)。在步驟420中，例如利用包絡(luò)檢測器145根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號。產(chǎn)生包絡(luò)信號還可以包括例如利用運算放大器放大包絡(luò)信號。在步驟430中，根據(jù)包絡(luò)信號產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。在一些實施例中，經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號通過利用包絡(luò)信號控制功率放大器核芯的副本來產(chǎn)生，并且這可以包括利用包絡(luò)信號控制副本的晶體管的柵極。在一些實施例中，經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號可以在該晶體管的漏極處獲得。在一些實施例中，該晶體管在如例如在圖2和圖3中示出的柵地陰地配置中。在步驟440中，產(chǎn)生線性放大的RF信號，并且在一些實施例中，該RF信號與步驟 430中產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號在同一裸片上產(chǎn)生。在步驟410中接收的同一 RF信號還在步驟440中運用。線性放大的RF信號通過將偏置的RF信號施加到功率放大器核芯的晶體管而產(chǎn)生，并且偏置的RF信號包括RF信號加上經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。在一些實施例中，偏置的RF信號附加地包括DC偏置電壓。在一些實施例中，產(chǎn)生線性放大的RF信號還可以包括例如在將經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號加到RF信號之前利用運算放大器放大經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。由于線性化電路消耗一些功率，所以在一些實施例中，當(dāng)線性化電路將節(jié)省的功率比該電路將消耗的功率多時，方法400選擇性地運用線性化電路。在一些實施例中，這可以通過當(dāng)功率水平在閾值之下時關(guān)閉線性化電路115的一些部件或者所有部件來實現(xiàn)。在閾值之上的功率水平可以被認(rèn)為是屬于高功率模式，而在閾值之下的功率水平可以被認(rèn)為屬于低功率模式。注意到，當(dāng)RF信號和經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號相加時，諸如濾波之類的若干因素可以在RF信號與經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號之間產(chǎn)生延遲。經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號將使RF信號遲滯， 并且因此未能完全校正功率放大器核芯120的非線性。在一些實施例中，容忍該延遲，而在其他一些實施例中，該延遲被校正。例如，RF信號可以在耦合器135與輸入匹配塊125之間被延遲等于由線性化電路115引入的延遲的量。將理解，在延遲未被校正的這些實施例中，延遲可以被保持在大約IOns與大約15ns之間的最小值。沒有諸如ADC之類的數(shù)字塊有助于使延遲保持較小。圖5提供了示例性RF設(shè)備500 (諸如移動電話)的示意性表示，該RF設(shè)備500包括耦合在RF源510與天線515之間的放大器電路100。在一些實施例中，RF源510被配置成產(chǎn)生寬帶碼分多址(WCDMA)調(diào)制的RF信號。示例性天線515包括電話天線。在所圖示的實施例中，放大器電路505跨例如包括硅襯底和IPD525的半導(dǎo)體裸片 520分布。在所圖示的實施例中，半導(dǎo)體裸片520與IPD 525這兩者均附接到封裝體530， 該封裝體530提供半導(dǎo)體裸片520與IPD 525之間的電路徑。在一些實施例中，半導(dǎo)體裸片520與IPD 525布置在封裝體530的相對側(cè)上，這與所圖示的實施例中其中半導(dǎo)體裸片 520與IPD 525布置在封裝體530的相同側(cè)上不同。為清楚起見，省略了放大器電路100的某些部件，諸如線性化電路115的放大器150、155。在由圖5所圖示的實施例中，半導(dǎo)體裸片520包括功率放大器核芯120、功率放大器核芯120的副本140、耦合器135、包絡(luò)檢測器145和放大器150、155 (未示出)。IPD 525 也可以包括例如硅襯底，并且包括輸入匹配塊125和輸出匹配塊130。如圖1所示，以電通信的方式布置在半導(dǎo)體裸片520和IPD 525上的部件。在前述說明書中，參照本發(fā)明的具體實施例描述了本發(fā)明，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，本發(fā)明并不限于此。以上描述的本發(fā)明的各種特征和方面將可以單獨或者結(jié)合使用。此外，在不脫離本說明書的較寬的精神實質(zhì)和范圍的情況下，本發(fā)明可以在本文描述的以外的任何多種環(huán)境和應(yīng)用中利用。因此，說明書和附圖被視為是示例性的而不是限制性的。將理解，如本文所使用的術(shù)語“包括”、“包含”和“具有”旨在被解釋為本領(lǐng)域中的開放式術(shù)語。
權(quán)利要求
1.一種放大器電路，包括功率放大電路，包括功率放大器核芯，所述功率放大器核芯包含第一放大器晶體管，所述第一放大器晶體管的柵極耦合到信號源輸入；以及線性化電路，所述線性化電路耦合在所述信號源輸入和所述放大器晶體管的柵極之間，所述線性化電路包含所述功率放大器核芯的副本，所述線性化電路被配置成在所述放大器晶體管的柵極處添加非線性模擬信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器電路，其中所述功率放大器核芯包括柵地陰地電路， 所述柵地陰地電路包含所述第一放大器晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的放大器電路，其中所述柵地陰地電路還包含第二放大器晶體管，所述第二放大器晶體管的漏極耦合到所述第一放大器晶體管的源極，并且其中所述第一放大器晶體管包括MOS晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的放大器電路，其中所述柵地陰地電路包括JFET，所述 JFET的漏極耦合到所述第一放大器晶體管的源極，并且其中所述第一放大器晶體管包括 MOS晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3或者4所述的放大器電路，其中所述副本的有源部件小于所述功率放大器核芯的對應(yīng)的有源部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4或者5所述的放大器電路，其中所述功率放大電路和線性化電路這兩者均布置在裸片上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5或者6所述的放大器電路，其中所述線性化電路還包括包絡(luò)檢測器，所述包絡(luò)檢測器耦合在所述信號源輸入與所述功率放大器核芯的副本之間，所述包絡(luò)檢測器被配置成產(chǎn)生包絡(luò)信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的放大器電路，其中所述線性化電路還包括第一運算放大器，所述第一運算放大器耦合在所述包絡(luò)檢測器與所述副本之間；以及第二運算放大器，所述第二運算放大器耦合在所述副本與所述放大器晶體管的柵極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的放大器電路，其中所述功率放大器核芯的副本包含所述放大器晶體管的副本，并且所述包絡(luò)信號被施加到所述放大器晶體管的副本的柵極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的放大器電路，其中DC偏置源和所述放大器晶體管的副本的漏極兩者均耦合到所述放大器晶體管的柵極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9或者11所述的放大器電路，其中所述線性化電路并不包括時鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-10或者11所述的放大器電路，其中所述線性化電路并不包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
13.一種器件，包括封裝體；集成無源器件，附接到所述封裝體，并且包含輸入匹配塊，以及輸出匹配塊；以及裸片，附接到所述封裝體，所述裸片包含功率放大器核芯，所述功率放大器核芯耦合在所述輸入匹配塊和輸出匹配塊之間，并且包括具有柵極的放大器晶體管，以及所述功率放大器核芯的副本，所述副本的輸出耦合到所述放大器晶體管的柵極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述功率放大器核芯的副本包含所述放大器晶體管的副本，并且所述裸片還包括耦合到所述放大器晶體管的副本的柵極的包絡(luò)檢測器。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或者14所述的器件，其中所述裸片附接到所述封裝體的一側(cè)，并且所述集成無源器件附接到所述封裝體的相對側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13、14或者15所述的器件，還包括耦合到所述封裝體的RF信號源。
17.根據(jù)權(quán)利要求13-15或者16所述的器件，還包括耦合到所述封裝體的天線。
18.根據(jù)權(quán)利要求13-16或者17所述的器件，其中所述裸片還包括包絡(luò)檢測器。
19.一種用于放大RF信號的方法，所述方法包括 根據(jù)所述RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號；在裸片上根據(jù)所述包絡(luò)信號產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號；以及通過將偏置的RF信號施加到在所述裸片上的功率放大器核芯的MOS晶體管而產(chǎn)生線性放大的RF信號，其中所述偏置的RF信號包括所述RF信號加上所述經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中產(chǎn)生所述經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號包括利用所述包絡(luò)信號控制所述功率放大器核芯的副本的晶體管的柵極。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或者20所述的方法，其中所述偏置的RF信號附加地包括DC偏置電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求19、20或者21所述的方法，其中根據(jù)所述RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號也在所述裸片上執(zhí)行。
23.根據(jù)權(quán)利要求19-21或者22所述的方法，其中所述RF信號與所述經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號之間的延遲在大約IOns至15ns之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求19-22或者23所述的方法，其中并未采用時鐘信號。
25.根據(jù)權(quán)利要求19-23或者M所述的方法，其中并未執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。
全文摘要
本發(fā)明的線性化電路與包括功率放大器核芯的功率放大電路結(jié)合使用。示例性線性化電路包括功率放大器核芯的副本。在操作中，線性化根據(jù)RF信號產(chǎn)生包絡(luò)信號。包絡(luò)信號用來控制該副本以產(chǎn)生表示功率放大器核芯的AM到AM失真的反轉(zhuǎn)的模擬輸出信號。線性化電路然后利用副本的經(jīng)反轉(zhuǎn)的非線性信號來偏置RF信號，以控制功率放大器核芯。功率放大器核芯及其副本可以在相同的半導(dǎo)體裸片上限定，因此這兩者類似地對工藝變化做出響應(yīng)。
文檔編號H03F1/26GK102484454SQ201080038631
公開日2012年5月30日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者A·馬爾瓦希, S·卡克 申請人:Acco半導(dǎo)體公司