專利名稱：彈性波裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面彈性波(SAW =Surface Acoustic Wave)裝置和壓電薄膜諧振器 (FBAR =Film Bulk Acoustic Resonator)等彈性波裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
公知一種具有基板、和在基板的主面上設(shè)置的彈性波元件的彈性波裝置。專利文獻(xiàn)1公開了一種通過用樹脂覆蓋基板的側(cè)面和背面(與設(shè)置了彈性波元件的主面相反側(cè)的主面)，從而實(shí)現(xiàn)了耐沖擊性的提高的彈性波裝置。彈性波裝置在從制造后到被安裝為止的期間的搬運(yùn)時(shí)等，有時(shí)會(huì)從基板側(cè)方受到?jīng)_擊。另外，專利文獻(xiàn)1雖然提及了耐沖擊性，但并非尤其著眼于來自基板側(cè)方的沖擊。其結(jié)果是，專利文獻(xiàn)1的彈性波裝置沒有成為特別適合來自基板側(cè)方的沖擊的形態(tài)。因此，優(yōu)選提供一種能夠提高來自基板側(cè)方的耐沖擊性的彈性波裝置及其制造方法。專利文獻(xiàn)1 日本特開2008-5464號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的彈性波裝置，具有基板；和在該基板的一個(gè)主面設(shè)置的彈性波元件。在上述基板的側(cè)面設(shè)置有與上述一個(gè)主面相比更靠近另一個(gè)主面?zhèn)榷鴱脑搨?cè)面突出的突出部。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的彈性波裝置的制造方法，具有第1切斷工序，將在一個(gè)主面設(shè)置了多個(gè)彈性波元件的晶片的上述一個(gè)主面?zhèn)炔糠滞ㄟ^第1刀片切斷來形成對(duì)多個(gè)彈性波裝置進(jìn)行劃分的槽部；和第2切斷工序，通過刀刃厚度比第1刀片薄的第2 刀片，沿著上述槽部將上述晶片的另一個(gè)主面?zhèn)炔糠智袛鄟韺⑸鲜鼍蛛x。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)以及步驟，在彈性波裝置的搬運(yùn)時(shí)等，在對(duì)彈性波裝置的側(cè)面施加了沖擊的情況下，容易在突出部產(chǎn)生碰撞。另一方面，關(guān)于彈性波裝置的性能維持，與另一個(gè)主面?zhèn)炔糠值男螤罹S持相比，設(shè)置了彈性波元件的一個(gè)主面?zhèn)炔糠值男螤罹S持起支配作用。因此，彈性波裝置作為整體提高了來自基板側(cè)方的耐沖擊性。由此，彈性波元件的形狀維持和蓋子與基板之間的貼緊性維持得到提高。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的外觀的立體圖。圖2是將圖1的SAW裝置的一部分切斷顯示的概略立體圖。圖3是圖1的III-III線上的概念性的剖面圖。圖4中的圖4(a) 圖4(d)是說明圖1的SAW裝置的制造方法的剖面圖。圖5中的圖5(a) 圖5(c)是表示圖4(d)的后續(xù)的剖面圖。圖6中的圖6(a) 圖6(d)是表示圖5(c)的后續(xù)的剖面圖。
圖7中的圖7(a) 圖7(c)是表示第1 第3變形例所涉及的突出部的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的SAW裝置，參照附圖進(jìn)行說明。另外，以下說明中采用的圖是示意圖，附圖上的尺寸比例等不一定與實(shí)際一致。(SAW裝置的構(gòu)成)圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的SAW裝置1的外觀立體圖。SAff裝置1由所謂的晶片級(jí)封裝(WLP)形式的SAW裝置構(gòu)成。SAW裝置1作為整體形成為大致長方體狀。在長方體的一面露出有多個(gè)端子3。多個(gè)端子3的數(shù)目以及配置位置根據(jù)SAW裝置1內(nèi)部的電子電路的構(gòu)成而適當(dāng)設(shè)定。在本實(shí)施方式中，例示出將6個(gè)端子3沿著一面的外周而排列的情況。SAW裝置1經(jīng)由多個(gè)端子3中的任意一個(gè)來進(jìn)行信號(hào)的輸入。所輸入的信號(hào)通過 SAW裝置1被濾波。然后，SAW裝置1經(jīng)由多個(gè)端子3中的任意一個(gè)來輸出濾波后的信號(hào)。 關(guān)于SAW裝置1，例如通過在使露出有多個(gè)端子3的面與未圖示的電路基板等的安裝面對(duì)置并載置于該安裝面的狀態(tài)下進(jìn)行樹脂密封，從而在將端子3與安裝面上的端子相連接的狀態(tài)下進(jìn)行安裝。圖2是表示將SAW裝置1的一部分切斷來顯示的立體圖。另外，圖3是圖1的 III-III線上的剖面圖。SAff裝置1具有基板5、和在基板5上設(shè)置的SAW元件7。另外，SAW裝置1具有 以SAW元件7的保護(hù)等為目的而將SAW元件7覆蓋的蓋子9、將基板5的側(cè)面覆蓋的樹脂膜 11、在基板5的SAW元件7側(cè)的相反側(cè)設(shè)置的背面電極13、以及層疊于背面電極13的樹脂層15。基板5由壓電基板構(gòu)成。具體而言，例如，基板5是鉭酸鋰單晶、鈮酸鋰單晶等具有壓電性的單晶基板。基板5大致形成為薄型的長方體狀，具有第1主面5a、其背面?zhèn)鹊牡?主面恥(圖;3)、以及與第1主面fe以及第2主面恥的側(cè)方(外周側(cè))面對(duì)的側(cè)面5c。 在側(cè)面5c形成有與側(cè)面5c相比更向外側(cè)突出的突出部5d。突出部5d沿著第2主面恥的外周被設(shè)置為遍布該外周的整周。換言之，突出部 5d既能夠看作通過將側(cè)面5c的第2主面恥側(cè)部分?jǐn)U徑而形成，也能夠看作在將壓電基板 3的第1主面如側(cè)沿著外周的整周而刻鑿時(shí)，由未被刻鑿而剩下的部分而形成。突出部5d 的剖面形狀(圖3所示的剖面形狀)大致為矩形。另外，在將側(cè)面5c沿上下方向二等分為第1區(qū)域(第1主面如側(cè)的區(qū)域)和第2區(qū)域(第2主面恥側(cè)的區(qū)域)時(shí)，突出部5d設(shè)置于第2區(qū)域內(nèi)。基板5的一邊的長度為例如0. 5mm 2mm。基板5的厚度為例如0. 2mm 0. 5mm。 突出部5d的突出量為例如5 10 μ m。突出部5d的厚度為例如25 50 μ m。SAW元件7用于對(duì)輸入到SAW裝置1的信號(hào)進(jìn)行濾波。SAW元件7被設(shè)置在第1 主面5a。SAW元件7具有一對(duì)梳齒狀電極(IDT電極)17。各梳齒狀電極17具有在基板5 中的SAW的傳播方向(X方向)延伸的母線17a(圖2)、和從母線17a向與上述傳播方向正交的方向(Y方向)延伸的多個(gè)電極指17b。梳齒狀電極17之間按照各自的電極指17b相互咬合的方式被設(shè)置。
另外，由于圖2以及圖3是示意圖，因此示出了具有數(shù)根電極指17b的一對(duì)梳齒狀電極17。實(shí)際上，也可以設(shè)置具有比這更多的電極指的多對(duì)梳齒狀電極。另外，多個(gè)SAW元件7也可以以串聯(lián)連接或并聯(lián)連接等方式連接，由梯形SAW濾波器或雙重模式SAW諧振器濾波器等構(gòu)成。SAW元件7由例如Al-Cu合金等Al合金而形成。蓋子9具有在第1主面fe的俯視圖中包圍SAW元件7的框部19、和將框部19 的開口堵住的蓋部21。并且，通過由第1主面5a(嚴(yán)格來說，后述的保護(hù)膜29)、框部19以及蓋部21所包圍的空間，形成用于使SAW的傳播變得容易的振動(dòng)空間S。另外，振動(dòng)空間S 可以以適當(dāng)數(shù)目以及形狀來設(shè)置，在本申請中，例示設(shè)置了兩個(gè)振動(dòng)空間S的情況。框部19通過在大致固定厚度的層形成一個(gè)以上的成為振動(dòng)空間S的開口而構(gòu)成。 在本實(shí)施方式中，設(shè)置有兩個(gè)振動(dòng)空間S?？虿?9的厚度(振動(dòng)空間S的高度)為例如數(shù) μπι 30μπι。蓋部21由層疊在框部19上的大致固定厚度的層構(gòu)成。蓋部21的厚度為例女口μ m 30 μ m。蓋子9的平面形狀例如與基板5的平面形狀相同，在本實(shí)施方式中為矩形。蓋子 9具有例如與第1主面fe大致同等的寬度，將第1主面fe的大致整個(gè)面覆蓋。但是，蓋子 9比第1主面fe窄一些，在側(cè)面5c與蓋子9的側(cè)面9c之間形成段差。該段差遍布第1主面5a的全周而形成。該段差的大小為例如5 20 μ m?？虿?9以及蓋部21由例如感光性的樹脂形成。感光性的樹脂為例如，通過丙稀基或異丁烯基等的游離基聚合而硬化的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯酸酯系的樹脂?？虿?9以及蓋部21既可以由相同材料形成，也可以由相互不同的材料形成。在本例中，為了方便說明而明示了框部19與蓋部21之間的邊界線，但在現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)品中，框部 19和蓋部21也可以由同一材料形成，形成一體。樹脂膜11將側(cè)面5c中比突出部5d更靠近第1主面fe側(cè)的部分以及蓋子9的側(cè)面9c覆蓋。樹脂膜11，按照由基板5、蓋子9以及樹脂膜11構(gòu)成的SAW裝置1的外形成為長方體狀的方式，且按照填埋因突出部5d而引起的段差、以及基板5與蓋子9之間的段差的方式而設(shè)置。即，樹脂膜11，將側(cè)面5c中比突出部5d更靠近第1主面fe側(cè)的部分的整個(gè)面以及側(cè)面9c的整個(gè)面覆蓋，另外，樹脂膜11的外周面lie與突出部5d的頂面k為平坦面，樹脂膜11的第1主面如側(cè)的端面Ila與蓋子9的上表面9a為平坦面。樹脂膜11由例如酚醛清漆系樹脂、環(huán)氧樹脂、雙酚樹脂、或者聚酰亞胺樹脂形成。 樹脂膜11與基板5相比，楊氏模量低。S卩，樹脂膜11比基板5柔軟，易吸收沖擊。背面電極13將第2主面恥的整個(gè)面覆蓋。背面電極13的厚度為例如1 μ m 數(shù) μ m。背面電極13由例如Al-Cu合金等Al合金而形成。因溫度變化等而在基板5充電的電荷流向背面電極13，從而抑制SAW元件7的熱電破壞。樹脂層15將第2主面恥(背面電極13)的整個(gè)面覆蓋。樹脂層15的厚度為例如 25 μ m 50 μ m。樹脂層15由例如環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂形成。樹脂層15與樹脂膜11 同樣地，楊氏模量比基板5更低。端子3豎立在第1主面5a，經(jīng)由在蓋子9形成的孔部9h而在蓋子9的上表面9a 露出。具體而言，孔部9h在振動(dòng)空間S的外側(cè)向第1主面如所面對(duì)的方向貫通框部19以及蓋部21。
在第1主面fe設(shè)置有與SAW元件7連接的布線23 (圖2)、和與布線23連接的多個(gè)襯墊25。端子3通過被設(shè)置在襯墊25上，從而與SAW元件7連接。如圖3所示，在第1主面如上設(shè)置有導(dǎo)體層27、和將導(dǎo)體層27覆蓋的保護(hù)膜四。導(dǎo)體層27構(gòu)成SAW元件7、布線23 (圖2)的至少一部分、以及襯墊25的至少一部分。導(dǎo)體層27由例如Al-Cu合金等Al合金形成，其厚度為例如100 300nm。保護(hù)膜四有助于導(dǎo)體層27的抗氧化等。保護(hù)膜四由例如具有絕緣性，并且對(duì) SAW的傳播沒有影響的程度的質(zhì)量輕便的材料形成。例如，保護(hù)膜四由氧化硅(Si02等)、 氮化硅、硅等形成。保護(hù)膜四的厚度為例如導(dǎo)體層27的厚度的1/10程度(IOnrn 30nm)、 或者為與導(dǎo)體層27的厚度同等程度以上(IOOnm 300nm)。保護(hù)膜四例如遍布第1主面fe的大致整個(gè)面而被設(shè)置，蓋子9被層疊在保護(hù)膜四上。另外，樹脂膜11的第1主面fe上的部分也層疊在保護(hù)膜四上。另一方面，在端子 3的配置位置，將保護(hù)膜四去除，襯墊25從保護(hù)膜四露出。另外，蓋子9嚴(yán)格來說不直接設(shè)置在第1主面fe上，而是設(shè)置在保護(hù)膜四等上。 在本例中，在像這樣將規(guī)定的部件或?qū)拥乳g接設(shè)置在基板5的主面，而不直接設(shè)置在基板5 的主面的情況下，有時(shí)也表述為將這些規(guī)定的部件或?qū)拥仍O(shè)置在基板5的主面。關(guān)于層疊一詞也同樣。除此以外，也可以還在第1主面fe上設(shè)置在導(dǎo)體層27或者保護(hù)膜四上層疊的絕緣膜；經(jīng)由該絕緣膜而層疊在導(dǎo)體層27上，構(gòu)成布線23的一部分的其他導(dǎo)體層；以及構(gòu)成襯墊25的上層部分，強(qiáng)化襯墊25與端子3之間的連接的連接強(qiáng)化層等。(SAW裝置的制造方法)圖4(a) 圖6(d)是說明SAW裝置1的制造方法的剖面圖。制造工序從圖4(a) 至圖6(d)依次進(jìn)行。以下所說明的工序在所謂的晶片工序中實(shí)現(xiàn)。S卩，以通過分割而成為基板5的母基板(晶片31)為對(duì)象，進(jìn)行薄膜形成和光刻法等，之后，通過被切割從而同時(shí)形成多個(gè)SAW 裝置1。但是，在圖4(a) 圖5(c)中，僅圖示與一個(gè)SAW裝置1相對(duì)應(yīng)的部分。另外，在圖6(a) 圖6(d)中，僅圖示與三個(gè)SAW裝置1相對(duì)應(yīng)的部分。導(dǎo)體層和絕緣層等隨著工序的進(jìn)行而形狀發(fā)生變化，但變化前后采用共同的符號(hào)。同樣地，對(duì)晶片31的第1主面以及第2主面也賦予基板5的第1主面fe以及第2主面恥的符號(hào)。如圖4 (a)所示，首先，在基板5的第1主面fe上形成導(dǎo)體層27。具體而言，首先， 通過濺射法、蒸鍍法或者CVD (ChemicAl Vapor D印osition 化學(xué)氣相沉積)法等薄膜形成法，在第1主面fe上形成成為導(dǎo)體層27的金屬層。接著，通過使用了縮小投影曝光機(jī)(光刻機(jī)(st印per))和RIE(Reactive Ion Etching 反應(yīng)性離子蝕刻)裝置的光刻法等來對(duì)金屬層進(jìn)行圖案形成(patterning)。由此，形成了包含SAW元件7、布線23的至少一部分以及襯墊25的至少一部分的導(dǎo)體層27。接著，如圖4(b)所示，形成保護(hù)膜四。具體而言，首先，成為保護(hù)膜四的薄膜通過CVD法或者蒸鍍法等薄膜形成法而形成。接著，按照導(dǎo)體層27中構(gòu)成襯墊25的部分露出的方式，通過光刻法將薄膜的一部分去除。由此形成保護(hù)膜四。形成保護(hù)膜四后，如圖4(c)所示，形成成為框部19的薄膜。薄膜例如通過粘貼由感光性樹脂形成的膜(film)，或者通過與保護(hù)膜四等采用同樣的薄膜形成法而形成。形成成為框部19的薄膜后，如圖4(d)所示，通過光刻法將薄膜的一部分去除，形成成為振動(dòng)空間S的開口以及孔部9h的下方側(cè)部分。另外，沿著切割線形成槽，還形成框部19的側(cè)面。即，由薄膜形成框部19。另外，光刻法可以是正型以及負(fù)型中的任意一者。形成框部19后，如圖5(a)所示，通過與框部19的形成方法同樣的方法形成蓋部 21。具體而言，首先，形成成為蓋部21的薄膜。薄膜例如通過粘貼由感光性樹脂形成的膜而形成。通過將薄膜層疊在框部19，從而框部19的開口被堵塞，構(gòu)成振動(dòng)空間S。接著，通過光刻法將薄膜的一部分去除，形成孔部9h的上方側(cè)部分。另外，沿著切割線形成槽，還形成蓋部21的側(cè)面。即，由薄膜形成蓋部21。另外，光刻法可以是正型以及負(fù)型中的任意一者。形成蓋部21后，如圖5(b)所示形成端子3。具體而言，首先，基底層33遍布蓋子 9的上表面9a以及孔部9h的內(nèi)部而形成?；讓?3是金屬層，例如通過濺射法而形成。接著，在基底層33上形成抗蝕層37。關(guān)于抗蝕層37，例如通過旋涂法等方法在基板上形成薄膜，并將該薄膜通過光刻法進(jìn)行圖案形成從而形成該抗蝕層37。通過圖案形成將薄膜的一部分去除，由此基底層33在孔部9h及其周圍部分露出。之后，通過電鍍法在基底層33的露出部分使金屬析出。由此形成實(shí)心部35。形成實(shí)心部35后，如圖5(c)所示，將基底層33的被抗蝕層37覆蓋的部分以及抗蝕層37去除。由此形成端子3。即，由基底層33構(gòu)成端子3的表面?zhèn)炔糠?，由?shí)心部35構(gòu)成端子3的內(nèi)部側(cè)部分(大部分)。另外，在圖3中，省略了基底層33的圖示。之后，在第2主面恥依次形成背面電極13以及樹脂層15(圖5(c))。具體而言， 背面電極13通過濺射法、蒸鍍法或者CVD法等薄膜形成法而形成。樹脂層15通過例如在將樹脂片貼緊在背面電極13之后，進(jìn)行熱硬化而形成。另外，樹脂層15也可以通過澆注 (potting)法或印刷法而形成。形成樹脂層15后，如圖6(a)所示，將晶片狀的SAW裝置1的樹脂層15和切割膠帶39粘接。接著，如圖6(b)所示，通過第1刀片41將晶片31的第1主面如側(cè)部分沿著切割線而切斷。由此形成對(duì)多個(gè)SAW裝置1進(jìn)行劃分的槽部31a。形成槽部31a后，如圖6 (c)所示，將構(gòu)成樹脂膜11的樹脂填充在槽部31a。樹脂的填充例如采用分配器43來進(jìn)行。另外，所填充的樹脂通過加熱而硬化。進(jìn)行了樹脂的填充以及硬化后，如圖6(d)所示，通過比第1刀片41刀刃厚度薄的第2刀片45，沿著槽部31a而將晶片狀的SAW裝置1從第1主面fe側(cè)進(jìn)行切斷。具體而言，將填充在槽部31a的樹脂、晶片31的第2主面恥側(cè)部分、背面電極13以及樹脂層15 在槽部31a的大致中央處進(jìn)行切斷。由此，多個(gè)SAW裝置1被相互分離。另外，因第1刀片41以及第2刀片45的刀刃厚度差而形成突出部5d。例如，在第1刀片41的刀刃厚度為50 μ m，第2刀片的刀刃厚度為40 μ m的情況下，突出部5d的突出量為(50-40)/2 = 5 μ m。另外，第1刀片41為例如固定磨粒式的刀片，具有多個(gè)固定磨粒41a、和對(duì)多個(gè)固定磨粒41a進(jìn)行保持的接合材料41b。同樣地，第2刀片45具有多個(gè)固定磨粒45a、對(duì)多個(gè)固定磨粒4 進(jìn)行保持的接合材料45b。
磨粒的材質(zhì)、粒徑、磨粒的密度、接合材料的材質(zhì)、刀刃厚度可以適當(dāng)選擇，第1刀片41與第2刀片45除了刀刃厚度以外的一部分條件可以是共同的。例如，第1刀片41以及第2刀片45在磨粒的材質(zhì)、粒徑、以及磨粒的密度上是共同的，而接合材料的種類不同。 接合材料41b選擇適于壓電基板(基板幻的切斷的材料，接合材料4 選擇適于樹脂(樹脂膜11以及樹脂層15中的至少一方)的切斷的材料。根據(jù)以上實(shí)施方式，SAff裝置1具有基板5、以及在基板5的第1主面fe設(shè)置的 SAW元件7。在基板5的側(cè)面5c，在與第1主面fe相比更靠近第2主面5b側(cè)的位置，設(shè)置有突出部5d。因此，在SAW裝置1的搬運(yùn)時(shí)等，在對(duì)側(cè)面5c施加沖擊的情況下，與側(cè)面5c的第 1主面如側(cè)部分相比，在突出部5d更容易產(chǎn)生碰撞。另一方面，關(guān)于SAW裝置1的性能維持，與第2主面恥側(cè)部分的形狀維持相比，第1主面fe側(cè)部分的形狀維持起支配作用。因此，SAW裝置1作為整體能夠提高對(duì)來自基板5側(cè)方的沖擊的耐沖擊性。具體而言，通過強(qiáng)化第1主面fe側(cè)部分對(duì)來自基板5側(cè)方的沖擊的保護(hù)，從而SAW元件7的形狀維持(濾波器精度維持)或蓋子9與基板5(保護(hù)膜29)之間的貼緊性維持(導(dǎo)電層的抗氧化效果) 提高。另外，專利文獻(xiàn)1沒有公開對(duì)于來自側(cè)面的沖擊，與第2主面恥側(cè)相比優(yōu)先保護(hù)第 1主面5a側(cè)的思路。突出部5d沿著第2主面恥的外周而設(shè)置。因此，能夠強(qiáng)化第1主面fe側(cè)對(duì)來自與第1主面fe平行的各個(gè)方向的沖擊的保護(hù)。另外，如參照圖6(b)以及圖6(d)所說明的那樣，能夠以通過采用刀刃厚度不同的第1刀片41以及第2刀片45來形成突出部5d等、 改變切割時(shí)的切削寬度的簡單方法來形成突出部5d。SAW裝置1具有樹脂膜11，該樹脂膜11比基板5更柔軟，覆蓋比側(cè)面5c的突出部 5d更靠近第1主面fe側(cè)的部分，并且從第1主面fe側(cè)與突出部5d相抵接。因此，通過樹脂膜11吸收對(duì)側(cè)面5c的沖擊，能夠強(qiáng)化對(duì)SAW裝置1的第1主面fe側(cè)部分的保護(hù)。另外，所謂比基板5更柔軟的樹脂膜11，是指以楊氏模量來進(jìn)行比較更為柔軟的情況。即，樹脂膜11比基板5的楊氏模量更小。另外，突出部5d發(fā)揮限制樹脂膜11向第2主面恥側(cè)的移動(dòng)的制動(dòng)器(stopper)的作用，抑制樹脂膜11從側(cè)面5c的剝離。樹脂膜11也可以按照其側(cè)面位于比突出部5d更靠近內(nèi)側(cè)的位置的方式而形成。 換言之，也可以按照與樹脂膜11的側(cè)面相比更向外突出的方式形成突出部5d。這樣，在具有與側(cè)面平行的面的物體從基板5的側(cè)方與SAW裝置1發(fā)生碰撞的情況下，能夠抑制因該物體與突出部5d發(fā)生碰撞而導(dǎo)致較大的沖擊傳遞至SAW裝置1的第1主面5a，另一方面， 在不會(huì)觸碰突出部5d這樣的點(diǎn)狀物體從基板5的側(cè)方與SAW裝置1發(fā)生碰撞的情況下，能夠通過樹脂膜11緩和碰撞時(shí)的沖擊，抑制向SAW裝置1的第1主面fe傳遞較大的沖擊。SAff裝置1具有設(shè)置在第1主面fe上、且將SAW元件7密封的蓋子9。蓋子9的側(cè)面9c通過位于比基板5的側(cè)面5c更靠近內(nèi)側(cè)的位置，從而形成段差。樹脂膜11從基板 5的側(cè)面5c跨越蓋子9的側(cè)面9c而設(shè)置，并且從第1主面fe側(cè)與上述的段差相抵接。因此，蓋子9與基板5 (嚴(yán)格來說，保護(hù)膜29)之間的接縫被樹脂膜11覆蓋，抑制了水分從接縫浸入或者蓋子9從基板5剝離。進(jìn)而，蓋子9與基板5之間的段差發(fā)揮限制樹脂膜11向第2主面恥側(cè)的移動(dòng)的制動(dòng)器的作用，抑制了樹脂膜11從側(cè)面9c或側(cè)面5c的剝離。另外，SAW裝置1的制造方法包括第1切斷工序(圖6 (b))，將在第1主面fe設(shè)置了多個(gè)SAW元件7的晶片31的第1主面fe側(cè)部分通過第1刀片41切斷來形成對(duì)多個(gè)SAW 裝置1進(jìn)行劃分的槽部31a。另外，該制造方法包括第2切斷工序(圖6(d))，通過刀刃厚度比第1刀片41更薄的第2刀片45沿著槽部31a將晶片31的第2主面恥側(cè)部分切斷來分離晶片31。因此，能夠簡單地形成突出部5d。另外，由于在兩個(gè)工序中采用互不相同的刀片， 因此能夠采用適于各個(gè)工序的刀片。例如，在第1切斷工序(圖6(b))中，通過利用粒徑大的第1刀片41進(jìn)行切削來高速地進(jìn)行切斷，在第2切斷工序(圖6(d))中，通過利用粒徑小的第2刀片45進(jìn)行切削，從而能夠抑制在刀片貫通晶片時(shí)所容易產(chǎn)生的缺口的發(fā)生。SAW裝置1的制造方法還包括在第1切斷工序(圖6(b))之后、且在第2切斷工序 (圖6(d))之前，在槽部31a填充樹脂的工序(圖6(c))。因此，能夠簡單地構(gòu)成上述那樣的覆蓋比側(cè)面5c的突出部5d更靠近第1主面fe側(cè)的部分，并且貼緊突出部5d的樹脂膜 11。SAW裝置1的制造方法進(jìn)一步包括在第1切斷工序(圖6(b))之前，在晶片31的第2主面恥形成樹脂層15的工序(圖5 (c))。在第1切斷工序(圖6 (b))中，不切斷樹脂層15，在第2切斷工序(圖6(d))中，切斷樹脂層15。因此，通過選擇適于壓電基板的切斷的刀片作為第1刀片41，選擇適于樹脂層15的切斷的刀片作為第2刀片45，從而能夠抑制第2主面恥上的缺口或裂紋的發(fā)生。圖7(a) 7(c)是表示突出部5d的第1 第3變形例的剖面圖。第1 第3變形例的突出部5d按照越靠近第2主面恥側(cè)則越向外擴(kuò)大的方式形成錐狀。換言之，第1 第3變形例的突出部5d越靠近第2主面恥側(cè)(越位于與第2主面恥接近的位置)則越突出。更具體而言，在圖7(a)所示的第1變形例中，突出部5d的剖面形狀形成為大致直角三角形。在圖7(b)所示的第2變形例中，突出部5d的剖面形狀形成為大致梯形。在圖 7(c)所示的第3變形例中，突出部5d的第1主面fe側(cè)的一部分的剖面形狀形成為大致矩形(長方形)，第2主面恥側(cè)的一部分的剖面形狀形成為大致梯形。突出部5d的錐面(5e) 相對(duì)于側(cè)面5c的傾斜角(錐面與側(cè)面5c平行時(shí)作為0° )為例如5° 40°。另外，在第1 第3變形例中，突出部5d可以沿著第2主面釙的外周而設(shè)置、以及可以設(shè)置從第1主面fe側(cè)與突出部5d相抵接的樹脂膜11等方面與實(shí)施方式相同。第1變形例的突出部5d，與實(shí)施方式的突出部5d相比較，能夠緩和突出部5d的第1主面fe側(cè)的根部上的應(yīng)力集中，另一方面，能夠使碰撞的發(fā)生位置集中在第2主面恥側(cè)。另外，第2以及第3變形例的突出部5d，與實(shí)施方式的突出部5d相比較，能夠使碰撞的發(fā)生位置集中在第2主面恥側(cè)。第1 第3變形例的突出部5d可通過例如使第2刀片 45的整體或者外周緣成為錐狀等而形成。(實(shí)施例)關(guān)于實(shí)施方式以及第1變形例的基板5，設(shè)定具體的尺寸等來進(jìn)行與沖擊有關(guān)的模擬計(jì)算。具體而言如下。[模擬條件]基板5的基本尺寸Lx (參照圖2) =0. 6mmLy (參照圖 2) = 0. 8mm
Lz (參照圖 2) = 0. 2mm突出部5d的尺寸dl(參照圖2以及圖7(a)) = 0. 0075mmd2 (參照圖 2 以及圖 7 (a)) = 0. 0375mm基板5的楊氏模量230GPa (假設(shè)LiTaO3)基板5的泊松比0. 3 (假設(shè)LiTaO3)基板5 的密度7450kg/m3 (假設(shè) LiTaO3)所假設(shè)的情況假設(shè)基板5向Y方向(參照圖2)落下而與)(Z平面(與Y方向正 交的面)發(fā)生碰撞狀況。假設(shè)碰撞時(shí)的速度為3. 2m/s，碰撞時(shí)的加速度為9. 8m/2 (重力加 速度)。[計(jì)算方法]采用有限要素法按時(shí)序計(jì)算基板5的應(yīng)カ分布。S卩，當(dāng)基板5向Y方向落下吋，突出部5d與)(Z平面發(fā)生碰撞而在突出部5d產(chǎn)生 應(yīng)力。該應(yīng)カ隨著時(shí)間的經(jīng)過而向基板5整體傳播。對(duì)該樣態(tài)進(jìn)行再現(xiàn)，調(diào)查了基板5的 各部在各時(shí)間點(diǎn)的應(yīng)力。[評(píng)價(jià)方法]提取了在第1主面如產(chǎn)生的最大應(yīng)力。理由如上所述，因?yàn)殛P(guān)于SAW裝置1的性能維持，可以認(rèn)為與第2主面恥側(cè)部分 的形狀維持相比，第1主面fe側(cè)部分的形狀維持起支配作用，另外，可以認(rèn)為與應(yīng)カ的平均 值相比最大值的影響更大。另外，在第1主面如產(chǎn)生的最大應(yīng)カ在第1主面fe內(nèi)的發(fā)生位置以及發(fā)生時(shí)間 點(diǎn)因模擬條件而不同。[模擬結(jié)果]實(shí)施方式的突出部5d的情況下第1主面內(nèi)的最大應(yīng)カ2. 8X IO8Pa第1變形例的突出部5d的情況下第1主面內(nèi)的最大應(yīng)カ2. 5X IO8Pa根據(jù)模擬結(jié)果確認(rèn)如下與突出部5d為矩形的情況相比，突出部5d為越靠近第2 主面恥側(cè)則越突出的錐狀的情況下，在第1主面如產(chǎn)生的應(yīng)カ的最大值更小。本發(fā)明并非限定于以上實(shí)施方式以及變形例，可以以各種形態(tài)實(shí)施。弾性波裝置并非限定于SAW裝置。例如，弾性波裝置可以是壓電薄膜諧振器。另 夕卜，弾性波裝置也可以是利用了弾性邊界波的弾性邊界波裝置。在弾性波裝置中，也可以省略樹脂膜(11)、背面電極(13)、樹脂層(15)、保護(hù)膜 (四)，相反也可以形成其他適當(dāng)?shù)膶拥取Ａ硗?，在弾性邊界波裝置的情況下，能夠不設(shè)置振 動(dòng)空間S地制作弾性波裝置。另外，突出部5d的形狀并不限于上述形狀。例如，可以按照從壓電基板3的第1 主面3a向第2主面北逐漸擴(kuò)大的方式形成突出部5d。換言之，也可以按照當(dāng)從側(cè)面看壓 電基板3吋，其形狀成為大致梯形的方式，設(shè)置突出部5d。晶片的切斷不限于采用刀片來進(jìn)行。例如切斷可以采用激光來進(jìn)行。另外，例如， 也可以第1切斷ェ序采用刀片進(jìn)行，第2切斷ェ序采用激光進(jìn)行等對(duì)多種方法進(jìn)行組合。
另外，在SAW裝置中，比側(cè)面(5c)的突出部(5d)更靠近一個(gè)主面(5a)側(cè)的部分、 以及突出部的面對(duì)基板側(cè)方的面(5e)是否由刀片所切割出的剖面構(gòu)成，可通過例如基于 SEM(Scanning Electron Microscope 掃描型電子顯微鏡)的表面觀察來進(jìn)行確定。例如， 在晶片被刀片切斷的情況下，在側(cè)面形成與通過采用磨粒進(jìn)行切削所形成的主面平行的直線狀(嚴(yán)格來講為弧狀)的槽，因此可通過SEM來觀察該槽。第2切斷工序(圖6(d))的切斷，既可從一個(gè)主面如側(cè)(在第1切斷工序中被切斷的一側(cè))進(jìn)行，也可從另一個(gè)主面恥側(cè)進(jìn)行。在成為樹脂膜11的樹脂的填充工序(圖6(c))中，樹脂也可以不填充至蓋子9的上表面9a為止。例如，樹脂既可以填充至基板5的一個(gè)主面fe以下為止，也可以填充至蓋子的上表面以下為止。符號(hào)說明1…SAW裝置(彈性波裝置)、5…基板、5a···第1主面(一個(gè)主面)、5b…第2主面 (另一個(gè)主面)、5c…側(cè)面、5d···突出部、7…SAW元件(彈性波元件)。
權(quán)利要求
1.一種彈性波裝置，具有基板；和在該基板的一個(gè)主面設(shè)置的彈性波元件，在上述基板的側(cè)面設(shè)置有與上述一個(gè)主面相比更靠近另一個(gè)主面?zhèn)榷鴱脑搨?cè)面突出的突出部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于，在將上述基板的側(cè)面在厚度方向二等分為一個(gè)主面?zhèn)鹊牡?區(qū)域和另一個(gè)主面?zhèn)鹊牡?區(qū)域時(shí)，上述突出部被設(shè)置在上述第2區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其特征在于，上述突出部沿著上述另一個(gè)主面的外周遍布該外周的整周而設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于，上述突出部被設(shè)置為隨著靠近與上述另一個(gè)主面接近的位置而向外擴(kuò)大的錐狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于，還具有樹脂膜，該樹脂膜比上述基板柔軟，覆蓋上述基板的側(cè)面的比上述突出部更靠近上述一個(gè)主面?zhèn)鹊牟糠?，并且從上述一個(gè)主面?zhèn)扰c上述突出部相抵接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波裝置，其特征在于，還具有在上述一個(gè)主面上設(shè)置的、將上述彈性波元件密封的蓋子，上述蓋子的側(cè)面通過位于比上述基板的側(cè)面更靠近內(nèi)側(cè)的位置，從而形成段差，上述樹脂膜從上述基板的側(cè)面跨越上述蓋子的側(cè)面而設(shè)置，并且從上述一個(gè)主面?zhèn)扰c上述段差相抵接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其特征在于，上述基板的側(cè)面的比上述突出部更靠近上述一個(gè)主面?zhèn)鹊拿?、以及上述突出部的與上述基板的側(cè)方面對(duì)的面是由刀片切割出的剖面所構(gòu)成的剖面。
8.一種彈性波裝置的制造方法，具有第1切斷工序，將在一個(gè)主面設(shè)置了多個(gè)彈性波元件的晶片的上述一個(gè)主面?zhèn)炔糠滞ㄟ^第1刀片切斷來形成對(duì)多個(gè)彈性波裝置進(jìn)行劃分的槽部；和第2切斷工序，利用刀刃厚度比第1刀片薄的第2刀片，沿著上述槽部將上述晶片的另一個(gè)主面?zhèn)炔糠智袛鄟韺⑸鲜鼍蛛x。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于，還具有在上述第1切斷工序之后，且在上述第2切斷工序之前，在上述槽部填充樹脂的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的彈性波裝置的制造方法，其特征在于，還具有在上述第1切斷工序之前，在上述晶片的上述另一個(gè)主面形成樹脂層的工序，在上述第1切斷工序中，不將上述樹脂層切斷，在上述第2切斷工序中，將上述樹脂層切斷。
全文摘要
本發(fā)明的彈性波裝置具有基板、和在基板的一個(gè)主面設(shè)置的彈性波元件。在基板的側(cè)面設(shè)置有與上述一個(gè)主面相比更靠近另一個(gè)主面?zhèn)榷鴱脑搨?cè)面突出的突出部。
文檔編號(hào)H03H3/08GK102577119SQ20108004226
公開日2012年7月11日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者大久保佳洋 申請人:京瓷株式會(huì)社