專利名稱：集成電路裝置以及用于生成校準壓控振蕩器的調(diào)諧信號的方法
技術領域：
本發(fā)明領域涉及包括用于生成校準壓控振蕩器的調(diào)諧信號的調(diào)諧信號電路的集成電路裝置及其方法。
背景技術：
壓控振蕩器(VCO)通常被用于合成高頻信號，并且通常形成鎖相環(huán)路(PLL)的一部分。圖I說明了特有的PLL 100的例子。所述PLL 100包括被布置為接收控制電壓信號105和輸出合成頻率信號115的VC0110。所述合成頻率信號115被提供給反饋回路，所述反饋回路包括被布置為接收所述合成頻率信號115和輸出反饋信號125的小數(shù)‘N’分配器(fractional “n”divider) 120。所述反饋信號包括等于所述合成頻率信號115的第N個頻 率的頻率。然后所述反饋信號125被提供給相位/頻率檢測器130，所述相位/頻率檢測器130比較所述反饋信號125和參考信號135，并且輸出比較信號145。然后所述比較信號145被供應給例如電荷泵140，所述電荷泵140接收所述比較信號145并且輸出提供給所述VC0110的所述控制電壓信號105。所述控制電壓信號105可以在被提供給所述VC0110之前穿過低通濾波器150。對于PLL，特別是其中的VC0，通常有必要被校準以確保所需的頻率信號的精確生成，例如，當從所需的合成頻率信號轉換成另一個時。VCO的自動校準的傳統(tǒng)技術通常包括給VCO校準邏輯(未顯示)提供調(diào)諧信號，所述VCO校準邏輯在所述PLL內(nèi)比較信號(例如提供給所述VCO的所述控制電壓信號)和所述調(diào)諧信號。然后所述VCO校準邏輯校準所述VCO使得所述比較的信號匹配所述接收到的調(diào)諧信號。例如，這種校準可能包括PLL的最初的‘粗’調(diào)諧，從而通過在所述PLL100的反饋路徑內(nèi)配置所述小數(shù)‘N’分配器120來選擇頻率范圍/子頻帶。選擇所需的頻率范圍/子頻帶之后，所述VC0110的‘精細’校準可以被執(zhí)行，例如通過在所述VCO 110的LC諧振儲能電路內(nèi)校準電感和/或電容值。傳統(tǒng)校準技術的一個問題是提供給所述校準邏輯的所述調(diào)諧信號通常是由外部元件，例如分壓器等等生成的，其中所述調(diào)諧信號是相對于地而言的。以這種方式，這種調(diào)諧信號基本上不受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響(或至少僅輕微地受到影響)。然而，VCO通常不是那么不受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響。因此，使用這種‘可靠的’的調(diào)諧電壓信號以校準VCO可能導致所述VCO被校準為使得次佳的頻率范圍/子頻帶被選擇，從而導致在正常操作期間引起所述PLL不鎖定的VCO增益值。因此，有必要使VCO校準被執(zhí)行使得所述正確的頻率范圍/子頻帶可以被得到，不論過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化。

發(fā)明內(nèi)容
正如附屬權利要求中所描述的，本發(fā)明提供了一種用于生成校準壓控振蕩器的調(diào)諧信號的調(diào)諧信號電路的集成電路裝置，以及一種用于生成校準壓控振蕩器的調(diào)諧信號的方法。本發(fā)明的具體實施例在附屬權利要求中被陳述。根據(jù)下文中描述的實施例，本發(fā)明的這些或其它方面將會很明顯并且被闡述。


根據(jù)附圖，僅僅通過舉例的方式，本發(fā)明的進一步細節(jié)、方面和實施例將被描述。在附圖中，類似的符號被用于表示相同的或功能相似的元件。為了簡便以及清晰，附圖中的元件不一定按比例繪制。圖I說明了眾所周知的鎖相環(huán)路布置的例子。
圖2說明了壓控振蕩器的例子。圖3說明了包括調(diào)諧信號電路的集成電路裝置的例子。圖4說明了圖3的所述調(diào)諧信號電路的例子。圖5說明了一種生成調(diào)諧信號的方法的簡化流程圖的例子。
具體實施例方式由于本發(fā)明說明的實施例可能大部分是通過使用本領域所屬技術人員所熟知的電子元件以及電路被實施的，細節(jié)不會在比上述所說明的認為有必要的程度大的任何程度上進行解釋。對本發(fā)明基本概念的理解以及認識是為了不混淆或偏離本發(fā)明所教之內(nèi)容。現(xiàn)參照圖2，說明了壓控振蕩器(VCO) 200的例子。所述VCO 200包括被布置為在所述諧振儲能電路210的諧振頻率上振蕩電流的諧振儲能電路210。作為這種諧振儲能電路的典型特征，圖2的諧振儲能電路210包括各種以電感元件和電容元件形式存在的無源元件。為了簡便，圖2的所述諧振儲能電路210被說明為包括可變電容240和在操作中并聯(lián)耦合于所述可變電容240的電感元件250。然而，電感元件和電容元件的任何合適的布置在所述諧振儲能電路210內(nèi)可以被提供。所述可變電容240的電容屬性能通過提供給所述諧振儲能電路210的輸入212的控制電壓(VtuJ 270可以被‘調(diào)諧’，并且以這種方式所述諧振儲能電路210的所述諧振頻率可以被控制。所述VCO 200還包括被布置為給所述振蕩電流提供足夠的增益以取代在例如所述諧振儲能電路210內(nèi)丟失的能量的放大器部件220。所述放大器部件220通常包括例如以晶體管差對等等形式存在的有源部件。電流源260在操作中串聯(lián)耦合于所述放大器部件220，并且被布置為給所述諧振儲能電路210提供偏置電流。VC0，例如圖2中所說明的所述VCO 200，通常被用于合成高頻信號，特別是通常形成鎖相環(huán)(PLL)的一部分。對于PLL，特別是其中的VC0，通常有必要被校準以確保所需的頻率信號的精確的生成，例如，當從所需的合成頻率信號轉換成另一個時。VCO的自動校準的傳統(tǒng)技術通常包括給所述VCO提供調(diào)諧信號。然后校準邏輯可能在所述PLL內(nèi)比較信號(例如由所述PLL的電荷泵輸出的信號)和目標值，并且校準所述VCO和/或PLL使得比較的信號匹配所述目標值。例如，這種校準可能包括PLL的最初的‘粗’調(diào)諧，從而通過在所述PLL100的反饋路徑內(nèi)配置所述小數(shù)‘N’分配器120來選擇頻率范圍/子頻帶。選擇所需的頻率范圍/子頻帶之后，例如通過所說的在所述VC0200的所述諧振儲能電路210內(nèi)校準電感和/或電容值可以執(zhí)行所述VCO 110的‘精細’校準。
傳統(tǒng)技術的問題是提供給所述VCO的所述調(diào)諧信號通常是由包括例如電壓分壓器等等的無源元件的外部元件生成的，其中所述調(diào)諧信號是相對于地而言的。以這種方式，這種調(diào)諧信號基本上不受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響(或至少僅輕微地受到影響)。然而，正如圖2所說明的，VCO包括所述放大器部件220內(nèi)的有源部件，因此顯著地受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響。因此，使用這種‘可靠的’的調(diào)諧電壓信號以校準VCO可能導致所述VCO被校準使得包括其在正常操作期間導致引起所述PLL不鎖定的VCO增益值。現(xiàn)參照圖3，說明了包括用于生成校準VC0(例如圖2中所述的VC0200)的調(diào)諧信號315的調(diào)諧信號電路310的集成電路裝置300的例子。對于所說明的例子，所述VC0200形成PLL電路305的一部分，并且同樣地由所述VC0200輸出的合成頻率信號320被提供給所述PLL電路305的反饋路徑。所述反饋路徑包括被布置為接收所述合成頻率信號320和輸出反饋信號330的小數(shù)‘N’分配器325。所述反饋信號包括基本上等于所述合成頻率信號320的第N個頻率的頻率。然后所述反饋信號330被提供給相位/頻率檢測器335，所述相位/頻率檢測器335比較所述反饋信號330和參考信號340，并且輸出比較信號345。然后所述比較信號345被供應給電荷泵350，所述電荷泵350接收所述比較信號345并且輸出通過低通濾波器360提供給所述VC0200的控制電壓信號355。對于所說明的例子，開 關元件365位于所述低通濾波器360和所述VC0200之間并且被布置為在操作中耦合于所述VC0200的輸入。對于圖2中所說明的例子，所述開關元件365將位于所述諧振儲能電路210的所述輸入212處。在第一正常的PLL操作模式(未顯不)中，所述開關兀件365將所述控制電壓信號335從所述低通濾波器360耦合于所述VC0200。正如圖2所說明的，所述開關元件365還被布置為很快地在操作中將所述VC0200的所述輸入耦合于由所述調(diào)諧信號電路310、PLL/VC0校準配置生成的所述調(diào)諧信號315。圖3中還說明了校準邏輯370，對于所說明的例子所述校準邏輯370在校準所述PLL/VC0期間被布置為從所述低通濾波器360接收所述控制電壓信號355。在校準模式期間，所述校準邏輯370比較所述控制電壓信號355和目標值，例如存儲在所述校準邏輯370的寄存器(未顯示)內(nèi)的，并且校準所述VC0200和/或PLL電路300以作為響應，使得所述控制電壓信號355匹配所述目標值。例如，這種校準可能包括所述PLL電路305的最初的‘粗’調(diào)諧，從而通過在所述PLL電路305的反饋路徑內(nèi)配置所述小數(shù)‘N’分配器325來選擇頻率范圍/子頻帶。選擇所需的頻率范圍/子頻帶之后，可以通過所說的在圖2中的所述VC0200的所述諧振儲能電路210內(nèi)校準電感和/或電容值來執(zhí)行所述VC0200的‘精細’校準。圖3中所說明的所述PLL電路305和校準邏輯370僅僅用于提供根據(jù)本發(fā)明的例子改編的集成電路裝置的示例實施例，以幫助理解本發(fā)明所描述的發(fā)明概念。同樣地，圖3中所說明的所述PLL電路305和校準邏輯370的特定實施不旨在限定本發(fā)明的主題范圍。例如，所述校準邏輯可以替代地被布置為接收所述合成頻率信號320，并且在校準模式期間比較所述合成頻率信號320和目標值/信號，并且校準所述VC0200和/或PLL電路300以作為響應?，F(xiàn)參照圖4，結合圖3各個方面，根據(jù)一些示例實施例，說明了用于生成校準VCO的調(diào)諧信號315的調(diào)諧信號電路310的例子。所述調(diào)諧信號電路310被布置為接收代表跨越正在被校準的VC0200的諧振儲能電路210內(nèi)至少一個無源元件的目標電壓(Vvvc)的目標電壓信號302。所述調(diào)諧信號電路310還被布置為生成代表跨越正在被校準的所述VC0200的至少一個有源部件220的平均電壓差(Avg Vtkp)的VCO仿真信號415，以及至少部分基于所述接收到的目標電壓信號302以及所述生成的VCO仿真信號415來輸出調(diào)諧信號315。以這種方式，所述調(diào)諧信號315的所述VCO仿真信號部件使所述VC0200的所述至少一個有源部件220的敏感度在過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化在所述調(diào)諧信號315中被反映出來，從而在所述PLL/VC0的校準期間被補償。相反地，所述調(diào)諧信號315的所述目標電壓信號部件為圖2的所述VC0200的所述諧振儲能電路210內(nèi)的至少一個無源元件210提供可配置的參考電壓，以在所述PLL/VC0的校準期間使用，并且不受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響。因此，在過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化也可能被反映出來并且至少部分地被補償?shù)耐瑫r，可以生成調(diào)諧信號315，其使得能夠根據(jù)可配置的參考電壓來校準PLL/VC0，因此導致所述VC0/PLL的校準更加精確和可靠。結果，所述VC0/PLL可以更精確地被校準，導致所述電路的更加有效的操作。在校準期間，除了減少次佳的頻率范圍/子頻帶選擇，更低的電流消耗可被實現(xiàn)。
對于現(xiàn)有的校準技術，其中為了獲得在460mV的校準之后跨越調(diào)諧電容的目標電壓Vvv。，PLL和VCO已被校準，在校準之后實際的Vvve電壓電平被測量為范圍在391mV到530mV之間。這種跨越調(diào)諧電容的電壓Vvv。中的變化可以足以引起所述PLL不鎖定，或降低相位噪聲性能到超出可接受的水平。相反地，在校準之后通過使用根據(jù)本發(fā)明的例子生成的調(diào)諧信號，在校準之后Vvv。電壓電平的范圍在453mV到475mV之間，比現(xiàn)有技術顯著地更精確。以這種方式，通過在PLL/VC0的校準期間使過程中的變化至少部分地被補償，包括這種PLL/VC0電路的半導體裝置的顯著地收率可以被實現(xiàn)。此外，以上述方式，通過在PLL/VC0的校準期間使過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化至少部分地被補償，相位噪聲可以顯著地被減少，從而可能獲得更寬的頻率頻帶，允許所需的頻率子頻帶的數(shù)量被減少，和/或簡化所述PLL電路的校準和操作。下列表達式I為圖2中所說明的所述VC0200的所述增益提供了表達式VCOgain = Kvco = f (Vvvc) 表達式 I同樣地，下列表達式2為所述VC0200的所述振蕩頻率提供了表達式Fosc — 2 *冗於叩、表達式2正如表達式2所顯示的，所述VC0200的所述增益Kvco和振蕩頻率Fosc直接地受到跨越所述調(diào)諧電容240的所述電壓Vvve245 (例如，在所述諧振儲能電路210的所述調(diào)諧輸入212和所述諧振儲能電路210的所述輸出214之間)的影響。由于所述調(diào)諧電容240是純粹地無源部件，跨越所述調(diào)諧電容240的所述電壓Vvve245將不會受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響。Vvvc = Vtune-avg (Vtkp) 表達式 3上述表達式3通過被提供給所述諧振儲能電路210的所述輸入212的所述控制電壓(Vtune) 270，說明了跨越所述調(diào)諧電容240的電壓Vvve245和所述諧振儲能電路210的所述輸出214處的所述電壓(Vtkp)之間的關系。因此，控制電壓(VtuJ 270可以以被定義為跨越所述調(diào)諧電容240的所述電壓Vvve245和所述諧振儲能電路210的所述輸出214處的平均電壓(Vtkp)的總和。正如圖2中所說明的，所述諧振儲能電路210的所述輸出214處的所述電壓(Vtkp)有效地是跨越所述VC0220的所述放大器部件220的所述電壓。因此，對于圖2中所說明的例子，當應用于所述VC0200時，控制電壓(VtuJ 270被分成跨越所述VCO的一部分所述諧振儲能電路210的‘無源’電壓部件以及跨越所述VCO的所述放大器部件220的‘有源’電壓部件。
再參照圖4，所述調(diào)諧信號電路(例如圖3的調(diào)諧信號電路310)包括VCO仿真模塊410，所述VCO仿真模塊410包括代表所述VC0200的有源部件的至少一個有源部件，并且被布置為生成所述VCO仿真信號415。對于所說明的例子，所述VCO仿真模塊410包括代表圖2的所述VC0200的所述放大器部件220的放大器部件412，并且被布置為將跨越所述放大器部件412的電壓輸出為所述VCO仿真信號415。圖4的所述VCO仿真模塊410還包括在操作中串聯(lián)耦合于所述VCO仿真模塊410的所述放大器部件412的電流源414。所述仿真模塊410的所述電流源414和放大器部件412代表圖2的所述VC0200的所述電流源260和放大器部件220，并且同樣地跨越所述放大器部件412的所述電壓代表跨越所述VCO的所述放大器部件220的所述電壓。顯著地，由于所述仿真模塊410的所述電流源414和放大器部件412代表圖2的所述VC0200的所述電流源260和放大器部件220，它們將以與所述VC0200的所述電流源260和放大器部件220相同的方式受到過程、溫度、電流消耗、振蕩頻率等變化的影響。因此，這種變化將在所述VCO仿真信號415中被反映出來。根據(jù)一些例子，以及正如圖4中所說明，所述VCO仿真模塊410的所述放大器部件412可能包括基本上等于圖2的所述VC0200的所述放大器部件220的第η個增益的增益，以及所述VCO仿真模塊410的所述電流源414可能提供基本上等于所述VC0200的所述電流源260提供的第η個電流的電流。以這種方式，在將跨越所述放大器部件412的所述電壓保持為代表跨越所述VCO的所述放大器部件220的電壓的同時，所述VCO仿真模塊410的電流消耗可以被減少。對于所說明的例子，所述接收到的目標電壓信號302可以代表跨越圖2的所述VC0200的所述諧振儲能電路210內(nèi)的可變電容240的目標電壓245。此外，所說明的例子的所述調(diào)諧信號電路310可以被布置為將所述接收到的目標電壓信號302與所述生成的VCO仿真信號415的總和輸出為所述調(diào)諧信號315。因此，所述調(diào)諧信號315可以被看作是包括代表跨越所述VC0200的所述諧振儲能電路210的目標‘無源’電壓的第一部件，以及代表跨越所述VC0200的所述放大器部件220的‘有源’電壓的第二電壓部件。因此，對于圖4中所說明的例子，通過配置代表所述VC0200的所述電流源260和放大器部件220的所述電流源414以及放大器部件412，包括“有源”部件的調(diào)諧信號315可以被生成，其精確地反映了跨越圖2的所述VC0200的所述有源部件的電壓，其中‘無源’部件可以被配置以包括跨越所述VC0200的所述無源元件的目標電壓電平?，F(xiàn)參照圖5，說明了一種用于生成校準壓控振蕩器(VCO)的調(diào)諧信號的方法的簡化的流程圖500的例子。所述方法從步驟510開始，并移動到步驟520，其中收到代表目標電壓跨越正在被校準的VCO的諧振儲能電路內(nèi)的至少一個無源元件的目標電壓信號。然后，在步驟530，代表跨越正在被校準的VCO的諧振儲能電路內(nèi)的至少一個無源元件的平均電壓差的VCO仿真信號被生成。接收到的目標電壓信號與生成的VCO仿真信號的總和在步驟540被生成。等于接收到的目標電壓信號和生成的VCO仿真信號的總和的調(diào)諧信號在步驟550被輸出。所述方法然后在步驟560結束。在前面的說明中，參照本發(fā)明實施例的特定例子已經(jīng)對本發(fā)明進行了描述。然而，很明顯各種修改和變化可以在不脫離附屬權利要求中所陳述的本發(fā)明的寬范圍精神及范圍的情況下被做出。本發(fā)明所討論的連接可以是任何類型的連接。該連接適于將信號從或傳輸?shù)礁髯缘墓?jié)點、單元或裝置，例如通過穿孔中間裝置。因此，除非暗示或說明，連接，例如，可能是直接連接或間接連接。連接可以被說明或描述，涉及到是單一連接、一組多個連接、單向連接、或雙向連接。然而，不同實施例可能改變連接的實現(xiàn)。例如，可以使用單獨單向連接而不是雙向連接，反之亦然。此外，一組多個連接可以被替換為連續(xù)地或以時間多路復用方式傳輸多個信號的單一連接。同樣地，攜帶多個信號的單一連接可以被分離成各種不同的攜帶這些信號的子集的連接。因此，存在傳輸信號的許多選項。 本領域所屬技術人員將認識到邏輯塊之間的界限僅僅是說明性的并且替代實施例可能合并邏輯塊或電路元件或在各種邏輯塊或電路元件上強加替代的分解功能。因此，應了解本發(fā)明描述的架構僅僅是示范的，并且事實上實現(xiàn)相同功能的很多其它架構可以被實現(xiàn)。例如，在圖3說明的例子中，為了清楚起見，所述校準信號電路310被說明為與配置邏輯370相分離。然而，應了解，根據(jù)本發(fā)明的一些示例實施例改編的校準信號電路可能替代地形成配置電路的整體部分，例如圖3中說明的配置邏輯370。為實現(xiàn)相同功能的任何元件的布置是有效地“關聯(lián)”使得所需的功能得以實現(xiàn)。因此，為實現(xiàn)特定功能，本發(fā)明中結合在一起的任何兩個元件可以被看作彼此“相關聯(lián)”使得所需的功能得以實現(xiàn)，不論架構還是中間元件。同樣地，如此關聯(lián)的任何兩個元件還可以被認為是彼此被“在操作中連接”或“在操作中耦合”以實現(xiàn)所需的功能。此外，本領域所屬技術人員將認識到上述描述的操作功能之間的界限只是說明性的。所述多個操作可以組合成單一的操作，單一的操作可以分布在附加操作中以及操作可以在至少部分重疊的時間內(nèi)被執(zhí)行。而且，替代實施例可能包括特定操作的多個實例，并且操作的順序在各種其它實施例中會改變。又如，在實施例中，說明的例子可以被作為位于單一集成電路上的電路或在相同裝置內(nèi)的電路被實現(xiàn)，例如在圖3中說明的?；蛘?，所述例子可以作為任何數(shù)量的單獨集成電路或以一種合適的方式彼此相聯(lián)接的單獨裝置被實現(xiàn)。例如，圖3的所述校準信號電路310可能替代地在單獨的集成電路裝置上被實施為所述VC0200和/或置邏輯370。然而，其它修改、變化和替代也是可能的。說明書和附圖相應地被認為是從說明性的而不是嚴格意義上來講的。在權利要求中，放置在括號之間的任何參考符號不得被解釋為限定權利要求。所述詞語“包括”不排除權利要求中所列舉的其它元件或步驟的存在。此外，本發(fā)明所用的“a”或“an”被定義為或一組多個。并且，在權利要求中所用詞語如“至少一個”以及“或一組多個”不應所述解釋為通過不定冠詞“a”或“an”引入的其它權利要求元件限定任何其它特定權利要求。所述特定權利要求包括這些所介紹的對發(fā)明的權利元件，所述權利元件不僅僅包括這樣的元件。即使當同一權利要求中包括介紹性短語“或一組多個”或“至少一個”以及不定冠詞，例如“a”或“an”。使用定冠詞也是如此。除非另有說明，使用術語如“第一”以及“第二”是 用于任意區(qū)分這些術語描述的元件的。因此，這些術語不一定表示時間或這些元件的其它優(yōu)先次序。某些措施在相互不同的權利要求中被列舉的事實并不表示這些措施的組合不能被用于獲取優(yōu)勢。
權利要求
1.一種包括調(diào)諧信號電路(310)的集成電路裝置(300)，所述調(diào)諧信號電路(310)用于生成校準壓控振蕩器(VCO) (200)的調(diào)諧信號(315);其中所述調(diào)諧信號電路(310)被布置為 接收目標電壓信號(302)，所述目標電壓信號(302)代表跨越正在被校準的VCO(200)的諧振儲能電路(210)內(nèi)至少一個無源元件(240)的目標電壓(Vwc) (245)； 生成VCO仿真信號(415)，所述VCO仿真信號(415)代表跨越正在被校準的所述VCO的至少一個有源部件(220)的平均電壓差；以及 至少部分基于所接收的目標電壓信號(302)以及所生成的VCO仿真信號(415)，輸出調(diào)諧信號(315)。
2.根據(jù)權利要求I所述的集成電路裝置(300)其中所述調(diào)諧信號電路(310)包括VCO仿真模塊(410)，所述VCO仿真模塊(410)包括至少一個有源部件(412)，所述有源部件(412)代表正在被校準的所述VCO (200)的所述至少一個有源部件(220)，并且被布置為生成所述VCO仿真信號(415)。
3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路裝置(300)，其中所述VCO仿真模塊(410)被布置為將跨越放大器部件(412)的電壓輸出為所述VCO仿真信號(415)。
4.根據(jù)權利要求3所述的集成電路裝置(300)，其中所述VCO仿真模塊(410)還包括電流源(414)，所述電流源(414)被在操作中串聯(lián)耦合于所述VCO仿真模塊(410)的所述放大器部件(412)。
5.根據(jù)權利要求4所述的集成電路，其中所述VCO仿真模塊(410)的所述電流源(414)和放大器部件(412)代表正在被校準的所述VCO (200)的電流源(260)和放大器部件(220)。
6.根據(jù)權利要求4或權利要求5所述的集成電路裝置(300)，其中所述VCO仿真模塊(410)的所述放大器部件(412)包括增益，所述增益等于正在被校準的所述VCO (200)的所述放大器部件(220)的所述第η個增益。
7.根據(jù)前述權利要求4至6中任何一項所述的集成電路，其中所述VCO仿真模塊(410)的所述電流源(414)被布置為提供電流，所述電流等于正在被校準的所述VCO (200)的所述電流源(260)的所述第η個電流。
8.根據(jù)前述權利要求中任何一項所述的集成電路裝置(300)，其中所述目標電壓信號(302)代表跨越正在被校準的VCO (200)的所述諧振儲能電路(210)內(nèi)可變電容(240)的目標電壓(245) ο
9.根據(jù)前述權利要求中任何一項所述的集成電路裝置(300)，其中所述目標電壓信號(302)代表位于正在被校準的所述VCO(200)的所述諧振儲能電路(210)的調(diào)諧輸入(212)和正在被校準的所述VCO(200)的所述諧振儲能電路(210)的輸出(214)之間的目標電壓差。
10.根據(jù)前述權利要求中任何一項所述的集成電路裝置(300)，其中所述調(diào)諧信號電路(310)被布置為將所接收的目標電壓信號(302)與所生成的VCO仿真信號(415)的總和輸出為所述調(diào)諧信號(315)。
11.一種用于生成校準壓控振蕩器(VCO)的調(diào)諧信號的方法(500)，所述方法包括 接收目標電壓信號，所述目標電壓信號代表跨越正在被校準的(520)的VCO的諧振儲能電路內(nèi)至少一個無源元件的目標電壓； 生成VCO仿真信號，所述VCO仿真信號代表跨越正在被校準的(530)的VCO的諧振儲能電路內(nèi)至少一個無源元件的平均電壓差；以及 至少部分基于所接收的目標電壓信號以及所生成的VCO仿真信號(550)，輸出調(diào)諧信號。
全文摘要
集成電路裝置(300)包括用于生成校準壓控振蕩器(VCO)(200)的調(diào)諧信號(315)的調(diào)諧信號電路(310)。所述調(diào)諧信號電路(310)被布置為接收代表目標電壓(Vvvc)(245)跨越正在被校準的VCO(200)的諧振儲能電路(210)內(nèi)的至少一個無源元件(240)的目標電壓信號(302)，生成代表平均電壓差跨越正在被校準的所述VCO的至少一個有源部件(220)的VCO仿真信號(415)，以及輸出至少部分基于所述接收到的目標電壓信號(302)以及所述生成的VCO仿真信號(415)的調(diào)諧信號(315)。
文檔編號H03L7/099GK102959867SQ201080067372
公開日2013年3月6日 申請日期2010年6月29日 優(yōu)先權日2010年6月29日
發(fā)明者萊昂內(nèi)爾·熱內(nèi)特, 讓-斯特凡·維吉耶 申請人:飛思卡爾半導體公司