專利名稱：體聲波共振組件與體聲波濾波器及其方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種體聲波共振組件、一種體聲波濾波器以及一種制造體聲波共振組件的方法，特別涉及一種具有格狀電極的體聲波共振組件及其制造方法、一種輸入/輸出端位于不同層的體聲波共振濾波器，以及一種體聲波共振濾波器，其具有多個以多層堆棧的型態(tài)設置的體聲波共振組件，且位于其中一層的多個體聲波共振組件的壓電層彼此相連而形成一完整壓電層。
背景技術：
體聲波共振組件(bulk acoustic wave resonator, BAff resonator),由于具有高效率，已廣泛應用于各式電子產品上。舉例而言，體聲波共振組件可實現(xiàn)出體聲波共振濾波器(bulk acoustic waver filter, BAff filter)，應用于通訊產品的帶通濾波器上。在作為帶通濾波器的應用中，對于體聲波共振組件的頻率規(guī)格有相當嚴格的要求，而體聲波共振組件的頻率則主要取決于壓電材料的介電常數(shù)與厚度，以及兩電極的重疊面積。在體聲波共振組件的制造工藝中，壓電層的介電常數(shù)可通過材料的選擇而確定，而壓電層的厚度與兩電極的重疊面積則可能因制造工藝變化而與預定厚度值或預定位置有所不同。相對于目前用以定義電極圖案的微影蝕刻技術的精確度，形成壓電層的沉積制造工藝具有較差的精確度，因此使得在目前體聲波共振組件的制造工藝中，壓電層的厚度變化成為無法精確控制體聲波共振組件的頻率的主要原因，進而導致體聲波共振組件的合格率與可靠度無法進一步提升。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種體聲波共振組件、一種體聲波濾波器以及一種制造體聲波共振組件的方法，以提升體聲波共振組件的合格率與可靠度，并增加電路設計上的變化與節(jié)省制造工藝步驟。本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例提供一種體聲波共振組件，其包括一基底、堆棧于基底上的兩電極，以及設置于兩電極之間的至少一壓電層。兩電極與壓電層在一垂直投影方向上至少部分重疊，且兩電極之一具有多個開口。本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例提供一種制造體聲波共振組件的方法，包括下列步驟。 提供一基底，并在基底上形成一第一電極。隨后在第一電極上形成至少一壓電層，接著再在壓電層上形成一第二電極。此外，在第一電極與第二電極之一上形成多個開口。本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例提供一種體聲波濾波器，其包括一基底、以多層堆棧的型態(tài)設置于所述基底上的多個體聲波共振組件，以及一輸入端及一輸出端。體聲波共振組件利用耦合方式傳遞信號。輸入端與輸出端分別與不同的聲波共振組件電連接，且所述輸入端與所述輸出端分別位于不同層。本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例提供一種制造體聲波濾波器的方法，包括下列步驟。提供一基底。在基底上形成多個體聲波共振組件，其以多層堆棧方式設置于所述基底上，且所述體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號。形成一輸入端及一輸出端，其中輸入端與輸出端 分別與不同的體聲波共振組件電連接，且所述輸入端與所述輸出端分別位于不同層。本發(fā)明的又一優(yōu)選實施例提供一種體聲波濾波器，其包括一基底，以及堆棧于基 底上的多個體聲波共振組件。體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號，各體聲波共振組件包 括兩電極，以及設置于兩電極之間的至少一壓電層，且部分所述體聲波共振組件的壓電層 相互連接，以形成至少一完整壓電層。本發(fā)明的又一優(yōu)選實施例提供一種制造體聲波濾波器的方法，其包括下列步驟。 提供一基底。在基底上形成多個體聲波共振組件，其中體聲波共振組件堆棧于基底上，體聲 波共振組件以耦合方式傳遞信號，各體聲波共振組件包括兩電極，以及設置于兩電極之間 的至少一壓電層，且部分體聲波共振組件間的壓電層相互連接，以形成至少一完整壓電層。本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例提供一種體聲波濾波器，其包括一基底、堆棧于基底上 的多個體聲波共振組件，以及一導線。體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號，各體聲波共振 組件包括兩電極，以及設置于兩電極之間的至少一壓電層。導線與體聲波共振組件的電極 電連接，其中各導線可形成一電容、一電感與一電阻之其一。根據(jù)上述技術方案，本發(fā)明的體聲波共振組件、體聲波濾波器以及制造體聲波共 振組件的方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果本發(fā)明的體聲波濾波器的輸入端與輸出端可 位于不同層，可增加電路設計上的變化。本發(fā)明的體聲波濾波器的體聲波共振組件的壓電 層可互相連接而形成至少一完整壓電層。本發(fā)明制造體聲波共振組件的方法具有提升體聲 波共振組件的合格率與可靠度，并增加電路設計上的變化與節(jié)省制造工藝步驟的優(yōu)點。


圖1至圖3為本發(fā)明一優(yōu)選實施例制造體聲波共振組件的方法的示意圖；圖4與圖5為本發(fā)明的頻率微調步驟的兩優(yōu)選實施例的示意圖；圖6為本發(fā)明的電極圖案的一變化形態(tài)的示意圖；圖7A與圖8A為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器的示意圖；圖7B與圖7C為圖7A的實施例的兩變化形態(tài)的體聲波濾波器的示意圖；圖8B為圖8A的實施例的一變化形態(tài)的體聲波濾波器的示意圖；圖9為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器的示意圖；圖10為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器及其制造方法的示意圖；圖11為本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器及其制造方法的示意圖；圖12為體聲波濾波器可處理的訊號頻率與振幅的關系圖。其中，附圖標記說明如下30 基底32 第一電極32A 開口34 壓電層36 第二電極36A 開口38 體聲波共振組件39 電極39A 開口40 體聲波濾波器42 基底44 第一體聲波共振組件441 第一電極442 第二電極
443壓電層46第二.體聲波共振組件
461第一電極462第二.電極
463壓電層48第三體聲波共振組件
481第一電極482第二.電極
483壓電層49導線
50中介層501第— 材料層
502第二材料層503第三材料層
504第四材料層506第五材料層
50C空腔50S間隔圖案
52輸入端54輸出端
60體聲波濾波器70體聲波濾波器
80體聲波濾波器32補償圖案
具體實施例方式為使本領域技術人員能更進一步了解本發(fā)明，下面特列舉本發(fā)明的優(yōu)選實施例， 并配合附圖，詳細說明本發(fā)明的構成內容及所欲達到的功效。請參考圖1至圖3。圖1至圖3為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的制造體聲波共振組件的方法示意圖。如圖1所示，首先提供一基底30，其中基底30可為一半導體基底例如硅基底， 但不局限于此。接著在基底30上形成一電極(以下稱為第一電極32)。值得說明的是在形成第一電極32之前，可任選先在基底30上形成至少一介電層(圖中未顯示)或一壓電層 (圖中未顯示)，但不局限于此。如圖2所示，接著在第一電極32上形成至少一壓電層34， 其中壓電層34可由任何壓電材料例如氮化鋁所構成，并可采用各種制造工藝例如物理氣相沉積工藝或化學氣相沉積工藝形成。如圖3所示，隨后在壓電層34上形成另一電極(以下稱為第二電極36)，以形成體聲波共振組件38。第一電極32與第二電極36可由任何導電材料所構成，例如銀。在本發(fā)明中，第一電極32與第二電極36中至少其一可具有多個開口。舉例而言，在本實施例中，第一電極32具有開口 32A，且第二電極36也具有開口 36A， 而由于開口 32A與開口 36A分別為格狀，因此第一電極32與第二電極36可分別為一格狀電極，但不局限于此。此外，第一電極32、壓電層34與第二電極36在垂直投影方向上至少部分重疊，且第一電極32與第二電極36可根據(jù)設計不同而具有相同圖案或不相同圖案。由于體聲波共振組件38的頻率與電容值、電感值與電阻值相關，而電容值、電感值與電阻值可由壓電層34的厚度與材料以及第一電極32及第二電極36的重疊面積等因素所決定。由于壓電層34的制造工藝具有較差的精確度或其它不可預期的因素，因此常會使得制造出的體聲波共振組件38的實際頻率與目標頻率有所差異。因此為了解決此一問題，本實施例的制造體聲波共振組件的方法還包括進行一測量步驟以及一頻率微調步驟。 測量步驟用來測量出體聲波共振組件38的實際頻率，值得說明的是測量步驟可在體聲波共振組件38制造完成后進行，但不局限于此。例如也可在體聲波共振組件38的制造過程中通過模擬或其它方式所推算出。當測量出的實際頻率與目標頻率相等或其差異在可容許的范圍內，則可判定體聲波共振組件38為合格品，而當測量出的實際頻率與目標頻率有所差異時，則可進行頻率微調步驟，通過調整體聲波共振組件38的實際頻率而使其接近或等于目標頻率。在本實施例中，頻率微調步驟包括改變第一電極32的面積和/或改變第二電極 36的面積，例如增加或減少第一電極32的面積，或增加或減少第二電極36的面積，但不局限于此。改變第一電極32的面積和/或改變第二電極36的面積的方法可為例如改變開口 32A的數(shù)目和/或開口 36A的數(shù)目。請參考圖4與圖5。圖4與圖5為本發(fā)明的頻率微調步驟的兩優(yōu)選實施例的示意圖。如圖4所示，本實施例的頻率微調步驟是通過改變第一電極32的面積來進行的，例如可在第一電極32的開口 32A內填入一補償圖案32B來增加第一電極32的面積，因此開口 32A的數(shù)目會減少并可以改變第一電極32與第二電極36的重疊面積，由此可調整電容值、電感值或電阻值，進而調整體聲波共振組件38的實際頻率。如圖5所示，本實施例的頻率微調步驟是通過改變第二電極36的面積來進行的，例如可去除部分第二電極36而增加開口 36A的數(shù)目，因此第二電極36的面積會縮小而會改變第一電極32與第二電極36的重疊面積，由此可調整電容值、電感值與電阻值，進而調整體聲波共振組件38的實際頻率。在上述兩實施例中，改變第一電極32與第二電極36的而積可利用例如進行一沉積過程以增加第一電極32與第二電極36的面積，或是可利用例如進行一蝕刻過程以縮減第一電極32與第二電極36的面積加以實現(xiàn)，但不局限于此。另外值得說明的是本實施例的體聲波共振組件38使用圖案化電極，即第一電極32具有開口 32A且第二電極36具有開口 36A，此圖案化電極設計將有助于頻率微調步驟的進行，而使得改變第一電極32與第二電極36的重疊面積更易于實現(xiàn)。值得說明的是在本發(fā)明的其它實施例中， 也可先形成平面狀的第一電極32與第二電極36，再在頻率微調步驟中形成開口 32A或/和開口 36A。值得說明的是本發(fā)明的體聲波共振組件的第一電極或第二電極的圖案并不限于矩形的格狀電極，而可根據(jù)設計不同而為其它形狀。請參考圖6。圖6為本發(fā)明的電極圖案的一變化形態(tài)的示意圖。如圖6所示，不同于前述實施例，本實施例的電極39為多邊形例如五邊形，且電極39具有多個開口 39A，其中開口 39A為三角形，但不局限于此。請參考圖7A與圖8A。圖7A與圖8A為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器的示意圖，其中圖7A為體聲波濾波器的俯視示意圖，圖8A為體聲波濾波器的剖面示意圖。如圖 7A與圖8A所示，本實施例的體聲波濾波器40包括一基底42、以多層堆棧的型態(tài)設置于基底42上的多個體聲波共振組件，且所述多個體聲波共振組件利用耦合方式例如以聲耦合 (acoustically coupled)或電耦合(electrically coupled)傳遞信號。在本實施例中，所述多個體聲波共振組件包括設置于基底42上的多個第一體聲波共振組件44、堆棧于第一體聲波共振組件44上的多個第二體聲波共振組件46，以及堆棧于第二體聲波共振組件46 上的多個第三體聲波共振組件48。也就是說，本實施例的體聲波濾波器40具有三層堆棧的體聲波共振組件。各第一體聲波共振組件44具有一第一電極441、位于第一電極441之上的一第二電極442，以及設置于第一電極441與第二電極442之間的至少一壓電層443。 各第二體聲波共振組件46具有一第一電極461、位于第一電極461之上的一第二電極462， 以及設置于第一電極461與第二電極462之間的至少一壓電層463。各第三體聲波共振組件48具有一第一電極481、位于第一電極481之上的一第二電極482，以及設置于第一電極 481與第二電極482之間的至少一壓電層483。另外，位于同一層的體聲波共振組件的電極間耦接有導線49，如圖7A所示。導線
749可形成電感或電容或電阻的一部分。且導線49的長度、寬度、厚度、形狀，以及導線49 的走線圖案等因素也會影響其所代表的電容值或電感值或電阻值。因此，在設計體聲波濾波器40時應將導線49的長度、寬度、厚度、形狀，以及導線49的走線圖案等因素納入考慮而作適當調整。舉例而言，如圖7A所示，在本實施例中，導線49的走線圖案為一直線圖案， 且其長度、寬度、形狀與厚度可根據(jù)電容值、電感值與電阻值的規(guī)格需求而加以調整，但不局限于此。此外，不同層的體聲波共振組件之間以及最下層的體聲波共振組件(，在本實施例為第一體聲波共振組件44)與基底42之間可設置中介層50，其中中介層50可為一單一中介層或一復合中介層。若使用單一中介層，其可為一壓電層或一介電層，并具有適當?shù)淖杩?。若使用復合中介層，其包括多層堆棧的材料層，且所述材料層具有不同的阻抗。例如在本實施例中，中介?0包括一第一材料層501、一第二材料層502與一第三材料層503，其中第一材料層501、第二材料層502與第三材料層503具有不同阻抗，且第一材料層501、第二材料層502與第三材料層503分別可為一壓電層或一介電層。此外，體聲波濾波器40還包括一輸入端52及一輸出端54，由此接受輸入訊號進行濾波并將處理過的訊號輸出，且在本實施例中，輸入端52及輸出端M與位于同一層的體聲波共振組件電連接，例如與對應的兩個第三體聲波共振組件48電連接，但不局限于此。在本實施例中，位于最底層的第一體聲波共振組件44中的任何一個、位于中層的第二體聲波共振組件46中的任何一個，以及位于最上層的第三體聲波共振組件48中的任何一個均可具有上述圖1至圖5的實施例所述的圖案化電極，例如在本實施例中，第三體聲波共振組件48的第二電極482即為格狀電極。請再參考圖7B與圖7C。圖7B與圖7C為圖7A的實施例的兩變化形態(tài)的體聲波濾波器的示意圖。如圖7B所示，相對于圖7A的實施例，在本變化形中，部分的導線49的走線圖案可為一彎曲(meander)圖案，例如一 S形圖案，且其走線圖案、長度、寬度、形狀與厚度可根據(jù)電容值、電感值與電阻值的規(guī)格需求而加以調整，但不局限于此。如圖7C所示，相對于圖7A的實施例，在本變化形中，部分導線49的走線圖案為一繞折(winding)圖案，例如以直角方式撓折，但不局限于此。請再參考圖8B。圖8B為圖8A的實施例的一變化形態(tài)的體聲波濾波器的示意圖。 如圖8B所示，相對于圖8A的實施例，在本變化形態(tài)中，位于第一體聲波共振組件44與基底 42之間中介層50可包括一第一材料層501、一第二材料層502、一第三材料層503、一第四材料層504與一第五材料層505，其中第一材料層501、第二材料層502、第三材料層503、第四材料層504與第五材料層505具有不同阻抗，且第一材料層501、第二材料層502、第三材料層503、第四材料層504與第五材料層505分別可為一壓電層或一介電層。值得說明的是， 在本發(fā)明中，復合中介層中的各材料層的材料、厚度與層數(shù)等可根據(jù)需要加以調整，而不以上述實施例所述之作法為限。本發(fā)明的體聲波濾波器并不以上述實施例為限。下面將依次介紹本發(fā)明的其它優(yōu)選實施例的體聲波濾波器，且為了便于比較各實施例的不同之處并簡化說明，在下面的各實施例中使用相同的符號標注相同的組件，且主要針對各實施例的不同之處進行說明，而不再對重復部分進行贅述。請參考圖9。圖9為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器的示意圖。如圖9所示，在本實施例中，體聲波濾波器60的中介層50具有空腔50C。精確地說，位于第一體聲波
8共振組件44與基底42之間中介層50可包括一第一材料層501、一第二材料層502以及設置于第一材料層501與第二材料層502之間的一間隔圖案50S，而空腔50C形成于第一材料層50與第二材料層502之間，而使得第一體聲波共振組件44懸浮于基底42之上。請參考圖10。圖10為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器及其制造方法的示意圖。如圖10所示，本實施例的體聲波濾波器70的制造方法包括下列步驟。提供一基底 42。在基底42上形成多個體聲波共振組件，例如設置于基底42上的第一體聲波共振組件 44、堆棧于第一體聲波共振組件44上的多個第二體聲波共振組件46，以及多個第三體聲波共振組件48。體聲波共振組件以耦合方式例如聲耦合或電耦合方式互相連接以傳遞信號。 另外，形成一輸入端52及一輸出端M，其中輸入端52與輸出端M分別與不同的體聲波共振組件電連接，且輸入端52與輸出端M位于不同層。例如，輸入端52與最上層的第三體聲波共振組件48電連接，而輸出端M則與最底層的第一體聲波共振組件44電連接。此外， 在本實施例中，針對體聲波共振組件的電極，可根據(jù)設計不同而選用平面電極(如圖10所示)或是圖案化電極(如圖8A與圖8B所示)。上述將輸入端52與輸出端M分別與位于不同層的體聲波共振組件電連接的方式可增加體聲波濾波器70在電路設計上的變化。此外，本實施例的中介層50可根據(jù)需要而選用上述各實施例所述的任一做法。請參考圖11。圖11為本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的體聲波濾波器及其制造方法的示意圖。如圖11所示，本實施例的體聲波濾波器80的制造方法包括下列步驟。提供一基底 42。在基底42上形成多個體聲波共振組件，例如設置于基底42上的第一體聲波共振組件 44、堆棧于第一體聲波共振組件44上的多個第二體聲波共振組件46，以及多個第三體聲波共振組件48。體聲波共振組件以耦合方式例如聲耦合或電耦合方式互相連接以傳遞信號。 各體聲波共振組件包括兩電極，以及設置于兩電極之間的至少一壓電層。例如各第一體聲波共振組件44具有一第一電極441、位于第一電極441之上的一第二電極442，以及設置于第一電極441與第二電極442之間的至少一壓電層443。各第二體聲波共振組件46具有一第一電極461、位于第一電極461之上的一第二電極462，以及設置于第一電極461與第二電極462之間的至少一壓電層463。各第三體聲波共振組件48具有一第一電極481、位于第一電極481之上的一第二電極482，以及設置于第一電極481與第二電極482之間的至少一壓電層483。在本實施例中，位于最上層的體聲波共振組件的壓電層互相連接而形成一完整壓電層，即本實施例的體聲波濾波器80的至少部分第三體聲波共振組件48的壓電層 483互相連接而形成一完整壓電層。另外，完整壓電層設計并不局限于應用在最上層的體聲波共振組件上，例如其它層的體聲波共振組件的壓電層也可根據(jù)需要而具有完整壓電層設計。在本實施例中，針對體聲波共振組件的電極，可視設計不同選用平面電極(如圖10所示)或是圖案化電極(如圖8A與圖8B所示)。此外，本實施例的中介層50可根據(jù)需要而選用上述各實施例所述的任一做法。值得說明的是本發(fā)明的頻率微調步驟并不局限于應用在調整體聲波共振組件的頻率上，而也可應用于調整體聲波濾波器的濾波頻段，也就是說，通過個別調整體聲波濾波器內的不同體聲波共振組件的頻率可使得體聲波濾波器具有較佳的濾波效果。請參考圖 12。圖12為體聲波濾波器可處理的訊號頻率與振幅的關系圖，其中曲線A代表體聲波濾波器可處理的訊號頻率與振幅的關系的理想曲線，曲線B代表體聲波濾波器可處理的訊號頻率與振幅的關系的實際曲線，曲線C代表體聲波濾波器在進行頻率微調步驟后可處理的訊號頻率與振幅的關系的實際曲線。如圖12的曲線A所示，在理想狀況下，體聲波濾波器可處理的訊號頻率與振幅的關系的理想曲線應類似一矩形，也就是說在可通過的訊號頻率范圍內(頻率Π至頻率f2之間)，輸出的訊號應具有相同強度，而在可通過的訊號頻率范圍外(頻率fl至頻率f2之外)，應不會輸出訊號。如圖12的曲線B所示，在實際狀況下，體聲波濾波器的濾波效果會受到制造工藝變化或其它因素的影響，而使得在不可通過的訊號頻率范圍外，仍會產生具有相當強度的輸出訊號。如圖12的曲線C所示，在進行頻率微調步驟以分別調整個別體聲波共振組件的頻率后，體聲波濾波器的濾波效果會近似于理想體聲波濾波器的濾波效果，而大幅增加體聲波濾波器的可靠度。綜上所述，本發(fā)明的體聲波共振組件可具有圖案化電極的設計，因此有助于頻率微調步驟的進行。此外，本發(fā)明的體聲波濾波器的輸入端與輸出端可位于不同層，可增加電路設計上的變化。再者，本發(fā)明的體聲波濾波器的其中一層層的體聲波共振組件的壓電層可互相連接而形成至少一完整壓電層。另外，通過頻率微調步驟可調整個別體聲波共振組件的頻率，進而使體聲波濾波器的濾波效果會近似于理想體聲波濾波器的濾波效果，而大幅增加體聲波濾波器的可靠度。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種體聲波共振組件，其特征在于，包括 一基底；兩電極，堆棧于所述基底上；以及至少一壓電層，設置于所述兩電極之間；其中所述兩電極與所述壓電層在一垂直投影方向上至少部分重疊，且所述兩電極之一具有多個開口。
2.如權利要求1所述的體聲波共振組件，其特征在于，所述兩電極之一為格狀電極。
3.—種制造體聲波共振組件的方法，其特征在于，包括 提供一基底；在所述基底上形成一第一電極； 在所述第一電極上形成至少一壓電層； 在所述壓電層上形成一第二電極；以及在所述第一電極與所述第二電極之一上形成多個開口。
4.如權利要求3所述的制造體聲波共振組件的方法，其特征在于，還包括改變所述開口的數(shù)目，以決定所述體聲波共振組件的共振頻率。
5.如權利要求3所述的制造體聲波共振組件的方法，其特征在于，還包括改變所述開口的面積，以決定所述體聲波共振組件的共振頻率。
6.如權利要求3所述的制造體聲波共振組件的方法，其特征在于，所述開口為格狀。
7.—種體聲波濾波器，其特征在于，包括 一基底；多個體聲波共振組件，以多層堆棧的型態(tài)設置于所述基底上，且所述體聲波共振組件利用耦合方式傳遞信號；以及一輸入端及一輸出端，分別與不同的體聲波共振組件電連接，且所述輸入端與所述輸出端分別位于不同層。
8.如權利要求7所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述體聲波共振組件各包括兩電極，以及設置于所述兩電極之間的至少一壓電層。
9.如權利要求8所述的體聲波濾波器，其特征在于，還包括至少一中介層，設置于不同層的體聲波共振組件之間以及最下層的體聲波共振組件與所述基底之間。
10.如權利要求9所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述中介層包括一壓電層或一介電層。
11.如權利要求9所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述中介層為一復合中介層，所述復合中介層包括多層堆棧的材料層，且所述材料層具有不同的阻抗。
12.如權利要求11所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述復合中介層還包括一空腔， 位于所述材料層之間。
13.如權利要求7所述的體聲波濾波器，其特征在于，部分所述體聲波共振組件的壓電層相互連接，以形成至少一完整壓電層。
14.一種制造體聲波濾波器的方法，其特征在于，包括 提供一基底；在所述基底上形成多個體聲波共振組件，其中所述體聲波共振組件以多層堆棧方式設置于所述基底上，且所述體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號；以及形成一輸入端及一輸出端，其中所述輸入端與所述輸出端分別與不同的體聲波共振組件電連接，且所述輸入端與所述輸出端分別位于不同層。
15.一種體聲波濾波器，其特征在于，包括一基底；以及多個體聲波共振組件，堆棧于所述基底上，且所述體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號，其中所述體聲波共振組件各包括兩電極，以及設置于所述兩電極之間的至少一壓電層， 且部分所述體聲波共振組件的壓電層相互連接，以形成至少一完整壓電層。
16.如權利要求15所述的體聲波濾波器，其特征在于，還包括一輸入端以及一輸出端， 其中所述輸入端與所述輸出端分別與不同的體聲波共振組件電連接，且所述輸入端與所述輸出端分別位于不同層。
17.如權利要求15所述的體聲波濾波器，其特征在于，還包括至少一中介層，設置于堆棧的所述體聲波共振組件之間。
18.如權利要求17所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述中介層包括一壓電層或一介電層。
19.如權利要求17所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述中介層為一復合中介層，所述復合中介層包括多層堆棧的材料層，且所述材料層具有不同的阻抗。
20.如權利要求19所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述復合中介層還包括一空腔， 位于所述材料層之間。
21.一種制造體聲波濾波器的方法，其特征在于，包括提供一基底；以及在所述基底上形成多個體聲波共振組件，其中所述體聲波共振組件堆棧于所述基底上，所述體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號，所述體聲波共振組件各包括兩電極，以及設置于所述兩電極之間的至少一壓電層，且部分所述體聲波共振組件間的壓電層相互連接， 以形成至少一完整壓電層。
22.—種體聲波濾波器，其特征在于，包括一基底；多個體聲波共振組件，堆棧于所述基底上，且所述體聲波共振組件以耦合方式傳遞信號，所述體聲波共振組件各包括兩電極，以及設置于所述兩電極之間的至少一壓電層；以及一導線，與所述體聲波共振組件的所述電極電連接，其中所述導線形成一電容、一電感與一電阻之一。
23.如權利要求22所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述導線形成一電容，其電容值由所述導線的長度、寬度、厚度、形狀以及走線圖案之一所決定。
24.如權利要求22所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述導線形成一電感，其電感值由所述導線的長度、寬度、厚度、形狀以及走線圖案之一所決定。
25.如權利要求22所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述導線形成一電阻，其電阻值由所述導線的長度、寬度、厚度、形狀，以及走線圖案之一所決定。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種體聲波共振組件，其包括一基底、堆棧于基底上的兩電極，以及設置于兩電極之間的至少一壓電層。兩電極與壓電層在一垂直投影方向上至少部分重疊，且兩電極之一具有多個開口。本發(fā)明還公開了體聲波濾波器及其方法。
文檔編號H03H9/17GK102447452SQ20111002046
公開日2012年5月9日 申請日期2011年1月7日 優(yōu)先權日2010年10月11日
發(fā)明者毛紹綱, 鄧維康 申請人:立積電子股份有限公司