專利名稱：漏電抑制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種漏電抑制電路，尤其涉及一種對(duì)備用電源進(jìn)行漏電抑制的漏電抑制電路。
背景技術(shù)：
在手機(jī)、電腦等電子裝置中，不同的電子元件往往具有不同的額定工作電壓，例如，微處理器的額定工作電壓為3. 3V，而與微處理電性連接的某些電子元件的額定工作電壓為5V，這就使得微處理器與這些電子元件的邏輯數(shù)字高電平具有不同的電壓值。在實(shí)際使用中，為了防止過(guò)大的電壓將微處理器燒壞，往往需要在微處理器與這些電子元件之間加電壓隔離電路來(lái)進(jìn)行不同電壓的隔離。請(qǐng)參閱圖1，所示為一現(xiàn)有的電壓隔離電路。該電壓隔離電路為一金屬氧化層半導(dǎo) 體場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)Q11。該MOSFET Qll的源極S電性連接至微處理器13 ;漏極D電性連接至電子元件15 ;柵極G通過(guò)一第一電阻Rll電性連接至一 3. 3V電源。所述3. 3V電源還通過(guò)一第一電阻Rll電性連接至所述微處理器13與該MOSFET Qll的源極S之間。一 5V電源通過(guò)一第三電阻R15電性連接至所述電子元件15與MOSFET Qll的漏極之間。當(dāng)所述微處理器13與電子兀件15之間進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的傳輸時(shí),若微處理器13輸出位元I (高電平)，此時(shí)該MOSFET Qll的源極電壓與柵極電壓相等，MOSFET Qll截止，電子元件接收到的為5V常規(guī)電源電壓，為高電平(位元I);當(dāng)微處理器13輸出位元O (低電平)時(shí)，MOSFET Qll導(dǎo)通，輸入電子元件的電壓為低電平(位元O)。當(dāng)所述電子元件發(fā)送位元I (高電平)時(shí)，其輸出的電壓值為5V，此時(shí)MOSFET Qll截止，與第二電阻R13相連接的3. 3V電源輸出3. 3V電壓至微處理器13，微處理器13則接收高電平(位元I);當(dāng)所述電子元件發(fā)送位元O (低電平)時(shí)，MOSFET Qll導(dǎo)通，微處理器13接收到的電壓為低電平(位元O)。如此，通過(guò)所述電壓隔離電路即可實(shí)現(xiàn)所述電子元件發(fā)送5V的高電平，而所述微處理器接收3. 3V的高電平。在實(shí)際使用中，為了使微處理器具有喚醒(wake on)功能,所述3. 3V電源一般為
3.3V備用電源，也就是說(shuō)，在電子裝置系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)，該3. 3V備用電源仍然存在；而5V電源由于是常規(guī)電源，在系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)則為0V。此時(shí)，MOSFET Qll則會(huì)導(dǎo)通，3. 3V備用電源則會(huì)通過(guò)該MOSFET Qll輸出電流至所述電子元件15，不僅會(huì)造成電源的浪費(fèi)，也會(huì)造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提供一種在系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)，能對(duì)備用電源輸出進(jìn)行抑制的漏電抑制電路?！N漏電抑制電路，應(yīng)用于包括第一電子元件、第二電子元件、備用電源、常規(guī)電源及電壓隔離電路的電子裝置中，所述第一電子元件通過(guò)電壓隔離電路電性連接至所述第二電子元件，所述備用電源電性連接至所述第一電子元件及電壓隔離電路之間，所述漏電抑制電路包括電壓比較器及電子開(kāi)關(guān)，電壓比較器的正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至所述常規(guī)電源及備用電源，該電壓比較器的輸出端電性連接至所述電子開(kāi)關(guān)以控制該電子開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)，該電子開(kāi)關(guān)電性連接至所述電壓隔離電路與所述第二電子元件之間；當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出高電平使電子開(kāi)關(guān)閉合，當(dāng)系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出低電平使電子開(kāi)關(guān)斷開(kāi)以斷開(kāi)所述第二電子元件與所述電壓隔離電路及備用電源之間的電性連接。所述的漏電抑制電路通過(guò)設(shè)置所述電壓比較器來(lái)判斷電子裝置是否關(guān)機(jī)，并且在所述電子裝置關(guān)機(jī)時(shí)，通過(guò)所述電子開(kāi)關(guān)來(lái)斷開(kāi)所述第二電子元件與備用電源之間的電性連接，由此可有效防止備用電源在系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)仍有電流流至所述第二電子元件，節(jié)約了電能并且有效防止電子裝置系統(tǒng)不穩(wěn)的情況發(fā)生。



圖I是一現(xiàn)有電壓隔離電路的電路圖。圖2是具有本發(fā)明較佳實(shí)施方式漏電抑制電路的電子裝置的功能模塊圖。圖3是圖2所示電子裝置的電路圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
_電子裝置 |ιοο ￥處理器 3
電子元件_15_
漏電抑制電路 20 電壓比較器 21 —
龜子開(kāi)關(guān) 23
第一電子元件 30_
第二電子元件 40_
備用電源__
常規(guī)電源
電壓隔離電路 70 MOSFETο ΤΤοη
竟一電阻 Rll 第二電阻 Fl3 第三電阻R15
I 一上拉電阻 R71第二上拉電阻 1~73第三上拉電阻 R75NPN型三極管
二極管一D21 '
限流電阻 |R21 .
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明較佳實(shí)施方式的漏電抑制電路20應(yīng)用于包括第一電子元件30、第二電子元件40、備用電源50、常規(guī)電源60以及電壓隔離電路70的電子裝置100中。所述第一電子元件30通過(guò)所述電壓隔離電路70電性連接至所述第二電子元件40 ;所述備用電源50電性連接至所述第一電子元件30及電壓隔離電路70之間，所述常規(guī)電源60電性連接至所述第二電子元件40及電壓隔離電路70之間。所述電壓隔離電路70用于在該第一電子元件30與第二電子元件40進(jìn)行數(shù)字信號(hào)傳送時(shí)，隔離不同的電壓，從而使所述第一電子元件30及第二電子元件40分別獲得其額定的電壓值。請(qǐng)參閱圖3，在本較佳實(shí)施方式中，所述電壓隔離電路70為一 MOSFET Q71。該MOSFET Q71的源極S電性連接至第一電子元件30 ;漏極D電性連接至第二電子元件40 ;柵極G通過(guò)一第一上拉電阻R71電性連接至所述備用電源50。所述備用電源50還通過(guò)一第二上拉電阻R73電性連接至所述第一電子元件30與該MOSFET Q71的源極S之間。所述常規(guī)電源60通過(guò)一第三上拉電阻R75電性連接至所述第二電子元件40與所述MOSFET Q71的漏極D之間。所述常規(guī)電源60的電壓值大于所述備用電源50的電壓值。在本較佳實(shí)施方式中，所述常規(guī)電源60可以為5V電源；所述備用電源50為3. 3V電源。可以理解，當(dāng)備用電源50為3. 3V電源時(shí)，常規(guī)電源60還可以為12V電源；而當(dāng)備用電源50為5V電源時(shí)，常規(guī)電源60則為12V電源。所述漏電抑制電路20包括電壓比較器21及電子開(kāi)關(guān)23。所述電壓比較器21的 正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至所述常規(guī)電源60及備用電源50，該電壓比較器21的輸出端電性連接至所述電子開(kāi)關(guān)23以控制電子開(kāi)關(guān)23的閉合與斷開(kāi)。所述電壓比較器21的電源由所述備用電源50提供。所述電子開(kāi)關(guān)23還電性連接至所述第二電子元件40及電壓隔離電路70之間。在本較佳實(shí)施方式中，所述電子開(kāi)關(guān)23為NPN型三極管Q21(如圖3所示)。該NPN型三極管Q21的基極電性連接至所述電壓比較器21的輸出端；集電極電性連接至所述MOSFET Q71的漏極；發(fā)射極電性連接至所述第二電子元件40?？梢岳斫?，所述電子開(kāi)關(guān)23也可以為N溝道M0SFET，其柵極、源極和漏極分別對(duì)應(yīng)所述NPN型三極管Q21的基極、發(fā)射極和集電極。所述漏電抑制電路20還包括二極管D21及限流電阻R21。所述二極管D21的正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至所述電壓比較器21的輸出端及限流電阻R21。該限流電阻R21的另一端電性連接至所述NPN型三極管Q21的基極。由于所述NPN型三極管Q21的導(dǎo)通電壓一般為O. 7V左右，而二極管D21導(dǎo)通后其兩端電壓差也為O. 7V，因此所述二極管D21能防止雜訊對(duì)該NPN型三極管Q21的干擾。所述漏電抑制電路20在使用過(guò)程中，所述電子裝置100在開(kāi)機(jī)時(shí)，備用電源50及常規(guī)電源60均有電壓輸出，此時(shí)電壓比較器21輸出高電平至所述二極管D21，二極管D21正向?qū)ㄊ沟肗PN型三極管Q21導(dǎo)通，第二電子元件40即通過(guò)該NPN型三極管Q21電性連接至所述電壓隔離電路70及第一電子元件30，從而該第一電子元件30及第二電子元件40可通過(guò)該電壓隔離電路70進(jìn)行數(shù)字信號(hào)的傳送。而當(dāng)所述電子裝置100關(guān)機(jī)時(shí)，備用電源50有電壓輸出，而常規(guī)電源60無(wú)電壓輸出，此時(shí)電壓比較器21輸出低電平，二極管D21及NPN型三極管Q21均截止，此時(shí)即使所述MOSFET Q71導(dǎo)通，由于該NPN型三極管Q21是截止的，備用電源50也不會(huì)輸出電流至所述第二電子元件40。所述的漏電抑制電路20通過(guò)設(shè)置所述電壓比較器21來(lái)判斷電子裝置100是否關(guān)機(jī)，并且在所述電子裝置100關(guān)機(jī)時(shí)，通過(guò)所述電子開(kāi)關(guān)23來(lái)斷開(kāi)所述第二電子元件40與備用電源50之間的電性連接，由此可有效防止備用電源50在系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)仍有電流流至所述第二電子元件40，節(jié)約了電能并且有效防止電子裝置100系統(tǒng)不穩(wěn)的情況發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種漏電抑制電路，應(yīng)用于包括第一電子元件、第二電子元件、備用電源、常規(guī)電源及電壓隔離電路的電子裝置中，所述第一電子元件通過(guò)電壓隔離電路電性連接至所述第二電子元件，所述備用電源電性連接至所述第一電子元件及電壓隔離電路之間，其特征在于所述漏電抑制電路包括電壓比較器及電子開(kāi)關(guān)，電壓比較器的正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至所述常規(guī)電源及備用電源，該電壓比較器的輸出端電性連接至所述電子開(kāi)關(guān)以控制該電子開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)，該電子開(kāi)關(guān)電性連接至所述電壓隔離電路與所述第二電子元件之間；當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出高電平使電子開(kāi)關(guān)閉合，當(dāng)系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出低電平使電子開(kāi)關(guān)斷開(kāi)以斷開(kāi)所述第二電子元件與所述電壓隔離電路及備用電源之間的電性連接。
2.如權(quán)利要求I所述的漏電抑制電路，其特征在于所述電子開(kāi)關(guān)為三極管或者金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
3.如權(quán)利要求I或2所述的漏電抑制電路，其特征在于所述漏電抑制電路還包括二極管，所述二極管的正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至所述電壓比較器的輸出端及電子開(kāi)關(guān)，所述二極管用于防止雜訊對(duì)該電子開(kāi)關(guān)的干擾。
4.如權(quán)利要求3所述的漏電抑制電路，其特征在于所述漏電抑制電路還包括限流電阻，所述限流電阻電性連接至所述二極管與電子開(kāi)關(guān)之間。
5.如權(quán)利要求I或2所述的漏電抑制電路，其特征在于所述電壓比較器由所述備用電源供電。
全文摘要
一種漏電抑制電路，包括電壓比較器及電子開(kāi)關(guān)，電壓比較器的正相輸入端及反相輸入端分別電性連接至常規(guī)電源及備用電源，該電壓比較器的輸出端電性連接至所述電子開(kāi)關(guān)以控制該電子開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)，該電子開(kāi)關(guān)電性連接至電壓隔離電路與所述第二電子元件之間；當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出高電平使電子開(kāi)關(guān)閉合，當(dāng)系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)，所述電壓比較器輸出低電平使電子開(kāi)關(guān)斷開(kāi)以斷開(kāi)所述第二電子元件與所述電壓隔離電路及備用電源之間的電性連接。所述漏電抑制電路可在系統(tǒng)關(guān)機(jī)時(shí)防止備用電源輸出電流至所述第二電子元件，有效避免電能的浪費(fèi)。
文檔編號(hào)H03K17/16GK102761321SQ201110103778
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者侯全才 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司