專利名稱：諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種諧振器結(jié)構(gòu)，具體地涉及一種MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))諧振器，并且涉及制造這種諧振器的方法。
背景技術(shù)：
電子設(shè)備中的定時(shí)基準(zhǔn)已經(jīng)以機(jī)械方式實(shí)現(xiàn)了很長(zhǎng)時(shí)間。振蕩器封裝中的石英晶體諧振器出現(xiàn)在許多應(yīng)用中。石英晶體諧振的高品質(zhì)因子和低溫度漂移意味著它們具有較高的穩(wěn)定性，因此可以選擇石英晶體諧振器作為電子設(shè)備中的定時(shí)基準(zhǔn)。另一方面，MEMS諧振器是利用可操作地設(shè)置在襯底上的微型部件構(gòu)成的器件。 MEMS諧振器典型地通過使用光刻和其他微制造技術(shù)來構(gòu)建，以生產(chǎn)例如傳感器和致動(dòng)器。 微機(jī)械諧振器通常形成于集成電路所使用類型的硅襯底上，并且可以使用CMOS技術(shù)來制造。近來已經(jīng)開發(fā)MEMS諧振器，目的在于代替定時(shí)市場(chǎng)中的石英。這些諧振器具有與極端形成因子相結(jié)合的高Q因子(是頻率選擇性的量度)。傳統(tǒng)石英振蕩器封裝的典型尺寸以毫米為單位，而包括諧振器并驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的MEMS振蕩器可以利用薄膜技術(shù)來制造， 使得其厚度小于100 μ m。然而，MEMS諧振器的有益形成因子單獨(dú)地并不足以使其成為大多數(shù)定時(shí)基準(zhǔn)應(yīng)用的候選。這是因?yàn)镸EMS諧振器的諧振頻率是依賴于溫度的。這意味著諧振頻率在工作溫度范圍內(nèi)不是恒定的。盡管存在影響諧振器頻率的溫度依賴性的許多因素，硅(最常用于形成諧振器的材料)的溫度依賴彈性模量(或者楊氏模量)極大地決定了諧振器的溫度系數(shù)。當(dāng)諧振器由硅形成時(shí)，沿<100>方向的楊氏模量的標(biāo)稱值連同硅的負(fù)溫度依賴性一起是眾所周知的。這意味著對(duì)于室溫下給定的幾何結(jié)構(gòu)，可以精確地預(yù)測(cè)僅沿<100>方向振動(dòng)的振蕩器的頻率。因?yàn)闂钍夏Ａ康呢?fù)溫度系數(shù)(TC)，諧振器的頻率也具有負(fù)的Tc。為了克服具有負(fù)溫度系數(shù)的MEMS諧振器的諧振頻率的溫度依賴性的問題，已知的是使用被動(dòng)溫度補(bǔ)償技術(shù)。一種這樣的被動(dòng)溫度補(bǔ)償技術(shù)是向這種諧振器添加正溫度系數(shù)的材料。通過向諧振器添加這種材料，總溫度系數(shù)可以變得幾乎不為負(fù)，并且在特定容限下可以將其減小為零。在這種情況下，諧振器的頻率將變得與溫度無關(guān)。已知二氧化硅擁有正溫度系數(shù)，并且已知用二氧化硅外皮(coat)來涂覆由硅形成的諧振器，以便補(bǔ)償諧振頻率的依賴性。一種已知的方法包括在懸置的硅諧振器周圍涂覆二氧化硅外皮的步驟。將這種方法稱作全局氧化，因?yàn)閷⒅C振器的整個(gè)表面(頂部區(qū)域、底部區(qū)域和側(cè)壁)上的所有硅按照實(shí)質(zhì)上相同的速率被轉(zhuǎn)換為二氧化硅。另一種已知的方法被稱作局部氧化，其中只將一部分硅諧振器轉(zhuǎn)換或者替換為二
氧化硅。已知僅由硅形成的諧振器表現(xiàn)出諧振頻率的30ppm/K的負(fù)溫度漂移。這意味著在 100°C的范圍上，頻率將變化3000ppm。該_30ppm/K值稱作諧振器的線性溫度系數(shù)(TC)。
在由硅形成的諧振器已經(jīng)涂覆了二氧化硅層之后，線性溫度系數(shù)與生長(zhǎng)的氧化層厚度具有近似的線性關(guān)系。對(duì)于任一個(gè)這種諧振器，將存在導(dǎo)致線性TC為零的氧化層厚度。這引起諧振器的頻率實(shí)質(zhì)上不再隨溫度變化，因此總是溫度無關(guān)的。然而，諧振器的頻率將依賴于其他因素和環(huán)境溫度。這意味著如果將頻率相對(duì)于溫度的變化減小到較小的值，使得TC近似為零，那么仍然不能產(chǎn)生彼此之間具有正好相同諧振頻率的諧振器的晶片，因?yàn)榻o定諧振器的絕對(duì)頻率還依賴于氧化層的厚度。對(duì)于 300nm的氧化物厚度，忽略溫度引起的任何波動(dòng)，相對(duì)于未氧化諧振器的頻率的頻率變化在 lOOOOOppm以上。因此可以看出，氧化物厚度變化引起的對(duì)頻率的影響遠(yuǎn)大于100°溫度范圍上的頻率變化。因?yàn)轭l率高度依賴于氧化物厚度，在具有較厚氧化物的MEMS諧振器中存在較大的頻率展開并不令人驚奇。換句話說，盡管氧化層可以減小諧振器的TC，但是諧振器的頻率仍然隨著所述層厚度的變化而變化。通常使用熱氧化工藝涂覆二氧化硅。這種工藝具有百分之幾的相對(duì)誤差。例如， 對(duì)于300nm的預(yù)期氧化層厚度，所述層實(shí)際上將具有至308nm之間的厚度，意味著存在5%的相對(duì)誤差。這意味著所得到的諧振器絕對(duì)頻率可以具有落在每百萬數(shù)千部分范圍內(nèi)的展開。這樣的范圍對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來說太大。諧振器的頻率也依賴于已知是△的光刻/刻蝕變化，因?yàn)閺椈沙?shù)和質(zhì)量塊分別對(duì)于諧振器的彈簧和質(zhì)量塊區(qū)域的幾何變化敏感。如本領(lǐng)域眾所周知的，光刻技術(shù)可以用于定義具有MEMS諧振器中所要求類型的極小幾何結(jié)構(gòu)的特征。這些特征可以通過以下步驟來形成利用光敏材料的薄層來涂覆襯底(典型地，是硅)；使用已知的曝光技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)移到光敏層上；然后將圖案刻蝕到所述光敏層以去除曝光的部分，露出下面襯底的相應(yīng)部分。然后可以處理襯底的這些曝光部分。 可以重復(fù)這種工藝以產(chǎn)生所需要的其他層。與這種技術(shù)相關(guān)聯(lián)的問題是可能會(huì)發(fā)生光敏材料的欠曝光或者過曝光。這可能引起圖案的不完全轉(zhuǎn)移，或者結(jié)構(gòu)的曝光部分的不精確線寬。曝光區(qū)域的后續(xù)物理或化學(xué)刻蝕頁易受到變化的影響，例如由于刻蝕化學(xué)試劑的成分變化、刻蝕腔室壓力、氣流速率等等導(dǎo)致的變化。這些變化都可以導(dǎo)致幾何變化。這里“ Δ ”用于表示由于光刻和刻蝕期間的工藝變化導(dǎo)致的相對(duì)于諧振器的標(biāo)稱幾何結(jié)構(gòu)的一維變化。假設(shè)這些變化是“非局部的”并且是各向同性的。因此，“ Δ ”對(duì)于單個(gè)器件中所有的區(qū)域都是相同的，或者換句話說，如果所述彈簧比期望的窄lOnm，那么質(zhì)量塊比預(yù)期的短IOnm并且窄lOnm。這種假設(shè)是合理的，基于相同假設(shè)的無展開設(shè)計(jì)已經(jīng)證明用于減小頻率展開。絕對(duì)諧振頻率對(duì)于氧化物厚度t。x的變化和/或刻蝕后幾何結(jié)構(gòu)Δ非常敏感，以至于最佳受控的工藝可以導(dǎo)致不可接受的頻率展開。可以影響諧振器頻率的另一種工藝變化是形成諧振器的襯底的厚度。典型地，對(duì)于由硅形成的絕緣體上硅(SOI)，襯底的厚度Tsra可以在約3%的范圍內(nèi)變化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出了一種制造MEMS諧振器的方法，所述MEMS諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數(shù)，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數(shù)，至少在諧振器的工作條件內(nèi)，第二溫度系數(shù)的符號(hào)與第一溫度系數(shù)的符號(hào)相反，所述方法包括以下步驟由第一材料形成所述諧振器；以及將第二材料涂覆至所述諧振器；以及通過所述諧振器的幾何結(jié)構(gòu)來控制涂覆到所述諧振器的第二材料的量。通過本發(fā)明，可以最優(yōu)化MEMS諧振器的形狀或者幾何結(jié)構(gòu)，從而減小由溫度和工藝變化產(chǎn)生的諧振頻率的變化。具體地影響MEMS諧振器的諧振頻率的兩個(gè)工藝變化是第二材料的厚度t。x和刻蝕后幾何變化(Δ)。這是與已知技術(shù)情況的鮮明對(duì)比，在已知技術(shù)中通過氧化條件來指示氧化物生長(zhǎng)的量。例如，可以通過將第二材料沉積或者生長(zhǎng)到形成質(zhì)量塊區(qū)域的第一材料上或第一材料中來將所述第二材料涂覆到所述諧振器上。控制涂覆到諧振器的第二材料的量的步驟可以包括產(chǎn)生其中生長(zhǎng)第二材料的有限空間。因?yàn)榭臻g受限，第二材料的生長(zhǎng)也受限。由于如上所述限制了第二材料的事實(shí)，減小了諧振器對(duì)于第二材料厚度變化的總敏感性，下面將更加詳細(xì)地進(jìn)行描述。產(chǎn)生其中可以生長(zhǎng)第二材料的有限空間的步驟可以包括在第一材料中產(chǎn)生多個(gè)孔或者凹陷的步驟?？梢酝ㄟ^例如圖案化之類的任何便利方式來形成所述孔。所述孔可以具有任意便利的尺寸，但是優(yōu)選地所述尺寸足夠小，使得在沉積/生長(zhǎng)第二材料的工藝期間可以用第二材料完全充滿所述孔。最大孔尺寸由第二材料的厚度確定，進(jìn)而由實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償?shù)囊髞碓O(shè)置所述第二材料的厚度?？涛g之前的孔半徑rh。le —般小于(t。x/l. 1)，以便用第二材料填充所述孔。第二材料厚度的實(shí)際上限是 2 μ m,結(jié)果是rh。le < 1. 8 μ m。最小孔尺寸由用于形成諧振器的光刻和刻蝕工藝的能力來確定。在非常薄的第一材料層的限制情況下，所述孔可以具有rh。le < 50nm的最小半徑。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，孔分別具有rh。le = 330nm的半徑。所述諧振器可以包括梁區(qū)域和質(zhì)量塊區(qū)域。所述梁區(qū)域也可以被稱作彈簧，并且可以將所述梁的寬度定義為是彈簧寬度Ws_ng。然而應(yīng)該理解的是，實(shí)際上在不能夠區(qū)分梁區(qū)域結(jié)束以及質(zhì)量塊區(qū)域開始的地方，上述是非常困難的。控制涂覆至諧振器的第二材料的量的步驟可以包括通過適當(dāng)?shù)囟ㄎ凰隹讈砜刂仆扛仓林C振器的質(zhì)量塊區(qū)域的第二材料的量的步驟。該步驟可以通過適當(dāng)?shù)囟ㄎ凰隹讈韺?shí)現(xiàn)，如下文中將更加詳細(xì)地描述的。因?yàn)闆]有清楚地限定出梁區(qū)域和質(zhì)量塊區(qū)域，可以使用多種不同的方法來適當(dāng)?shù)囟ㄎ豢?，例如有限元分析和試?yàn)和誤差/迭代過程。
在本發(fā)明的備選實(shí)施例中，控制涂覆至諧振器的第二材料的量的步驟包括在第一材料中生長(zhǎng)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的步驟，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括細(xì)絲；氧化所述細(xì)絲，使得所述細(xì)絲由第二材料構(gòu)成。第一材料可以包括硅，并且第二材料可以包括二氧化硅(SiO2)。在第一材料包括硅、且第二材料包括二氧化硅的本發(fā)明實(shí)施例中，可以對(duì)由硅形成的細(xì)絲進(jìn)行氧化以形成二氧化硅。由于細(xì)絲的尺寸與細(xì)絲周圍的空間相比非常小，因此所述氧化工藝會(huì)因可用于氧化的有限量的硅而受限。本發(fā)明的該實(shí)施例與本發(fā)明的上述實(shí)施例的類似之處在于可以將細(xì)絲結(jié)構(gòu)看作是限制孔，所述限制孔比分離所述孔的那部分諧振器大得多。根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的總體結(jié)構(gòu)可以看作是與濾網(wǎng)結(jié)構(gòu)類似。在本發(fā)明的實(shí)施例中，其中控制涂覆至諧振器的第二材料的量的步驟包括在諧振器的第一材料中產(chǎn)生多個(gè)孔，以及第一材料由硅形成，第二材料由二氧化硅形成，可以將第二材料涂覆至諧振器，使得所述諧振器經(jīng)過氧化工藝，從而在硅上生長(zhǎng)二氧化硅。在如上所述的本發(fā)明的任意實(shí)施例中，在硅上生長(zhǎng)二氧化硅的工藝會(huì)消耗硅，如上所述如果限制了可用的硅，則也將限制二氧化硅層的生長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出了一種諧振器，所述諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數(shù)，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數(shù)，至少在諧振器的工作條件內(nèi)，第二溫度系數(shù)的符號(hào)與第一溫度系數(shù)的符號(hào)相反，所述諧振器包括控制器，用于根據(jù)所述諧振器的形狀來控制所述諧振器中第二材料的量。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述控制器包括在諧振器中形成的一個(gè)或多個(gè)孔或者凹陷。所述第二材料可以沉積到所述一個(gè)或多個(gè)孔中，并且可以在所述孔內(nèi)生長(zhǎng)。這意味著第二材料的生長(zhǎng)受到一個(gè)或多個(gè)孔的尺寸的限制。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述控制器包括網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括細(xì)絲。在這種諧振器中，所述諧振器可以經(jīng)歷氧化工藝，在氧化工藝期間將形成細(xì)絲的材料從第一材料轉(zhuǎn)換為第二材料。根據(jù)本發(fā)明第二方面的諧振器可以包括一個(gè)或多個(gè)梁區(qū)域以及一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量塊區(qū)域。如上所述，沒有清楚地限定這些區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明第二方面的諧振器可以由包括硅的第一材料和包括二氧化硅的第二材料形成。


現(xiàn)在將參考附圖只作為示例進(jìn)一步描述本發(fā)明，其中圖IA至圖IF是已知MEMS諧振器的示意圖，所述MEMS諧振器由用SiA涂層涂覆的SOI襯底形成，示出了制造這種已知諧振器的步驟；圖2是示出了圖1所示類型的諧振器對(duì)于SW2層厚度(t。x)變化的歸一化一階敏感性的示意圖；圖3是示出了圖1所示類型的諧振器對(duì)于光刻/刻蝕(Δ )變化的歸一化一階敏感性的示意圖4是示出了圖1所示類型的諧振器對(duì)于t。x和Δ變化的最優(yōu)(最小)敏感性的線的示意圖；圖5是示出了圖1所示類型的諧振器對(duì)于SOI厚度(Tsoi)變化的歸一化一階敏感性的示意圖；圖6Α至圖6F是示出了根據(jù)使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的本發(fā)明實(shí)施例的諧振器的示意圖；圖7是示出了具有各種孔覆蓋的圖6所示類型諧振器對(duì)于、和Δ變化的最優(yōu) (最小)敏感性的線的示意圖；圖8是示出了具有50%孔覆蓋和各種孔半徑(r θ )的圖6所示類型諧振器對(duì)于 、和Δ變化的最優(yōu)(最小)敏感性的線的示意圖；圖9是對(duì)于圖1所示類型的已知諧振器的最優(yōu)諧振器幾何結(jié)構(gòu)的頻率展開對(duì)工藝變量(通過1西格瑪值進(jìn)行歸一化)的蒙塔卡羅仿真；圖10是對(duì)于根據(jù)本發(fā)明制造的圖6所示類型的諧振器的最優(yōu)諧振器幾何結(jié)構(gòu)的頻率展開對(duì)工藝變量(通過1西格瑪值進(jìn)行歸一化)的蒙塔卡羅仿真；圖IlA至圖IlF是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例制造諧振器所要求步驟的示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖IA至圖1F，示意性地示出了已知的諧振器10和制造諧振器10的方法。圖IA是制造諧振器10的第一階段的截面表示，以及圖IB是圖IA的結(jié)構(gòu)的平面圖，其中虛線表示獲得圖IA所示截面圖的位置。圖IC和圖ID是示出了制造諧振器10的另一階段的示意圖，其中圖ID上的虛線示出了獲得圖IC的截面示意圖的位置。圖IE和圖IF示出了完整的已知諧振器10，其中圖IF的虛線示出了獲得圖IE的截面示意圖的位置。為了形成已知的諧振器10，將氧化層12沉積到硅襯底14上。在氧化層12上，沉積第二硅層16，已知所述第二硅層是SOI (絕緣體上硅)層。將二氧化硅硬掩模18沉積到SOI層16上。然后使用已知的曝光技術(shù)進(jìn)行SOI層的圖案化，以便產(chǎn)生溝道20。在圖IC和圖ID所示的階段中，釋放刻蝕以去除Si02。這不但去除了 SiO2硬掩模 18，而且去除了氧化層12的一部分。最后如圖IE和IF所示，所述結(jié)構(gòu)經(jīng)歷氧化工藝，使得將二氧化硅層22沉積到硅層16的所有暴露表面上，以在硅層16周圍形成外皮。結(jié)果是得到了包括質(zhì)量塊區(qū)域?qū)蛷椈蓞^(qū)域沈的MEMS諧振器10，在該實(shí)施例中質(zhì)量塊區(qū)域M和彈簧區(qū)域26形成長(zhǎng)度可延伸的梁諧振器，所述長(zhǎng)度可延伸的梁諧振器包括第一材料和第二材料，在這種情況下第一材料是硅，第二材料是二氧化硅。如本領(lǐng)域已知的，硅具有負(fù)的溫度系數(shù)，而二氧化硅具有正的溫度系數(shù)。通過向硅襯底添加二氧化硅層， 諧振器的總溫度系數(shù)可以變得幾乎不為負(fù)，并且在特定容限下可以減小為零。然而如上所述，所述諧振器仍然受到工藝變化的影響，具體地涉及如上所定義的
7氧化層厚度t。x的變化以及光刻/刻蝕變化Δ。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到可以使用簡(jiǎn)化的模型(剛體+無質(zhì)量塊彈簧)，以便能夠設(shè)計(jì)諧振器，其中使由于諧振器的幾何結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的諧振器對(duì)于光刻、干法刻蝕和熱氧化期間的工藝變化的敏感性最小化。然而應(yīng)該理解的是，可以使用其他模型來實(shí)現(xiàn)MEMS諧振器的最優(yōu)幾何結(jié)構(gòu)。這種諧振器的諧振頻率可以由以下等式給出
權(quán)利要求
1.一種制造MEMS諧振器的方法，所述MEMS諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數(shù)，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數(shù)，至少在諧振器的工作條件內(nèi)，第二溫度系數(shù)的符號(hào)與第一溫度系數(shù)的符號(hào)相反，所述方法包括以下步驟由第一材料形成諧振器；將第二材料涂覆至諧振器；以及通過諧振器的幾何結(jié)構(gòu)來控制涂覆到諧振器的第二材料的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將第二材料涂覆至諧振器的步驟包括在第一材料上生長(zhǎng)第二材料的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中控制涂覆到諧振器的第二材料的量的步驟包括產(chǎn)生其中生長(zhǎng)第二材料的有限空間的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中產(chǎn)生其中生長(zhǎng)第二材料的有限空間的步驟包括 在第一材料中產(chǎn)生多個(gè)孔或凹陷的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中產(chǎn)生多個(gè)孔或凹陷的步驟包括圖案化諧振器的步驟。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中諧振器包括梁區(qū)域和質(zhì)量塊區(qū)域，控制涂覆諧振器的第二材料的量的步驟包括控制涂覆至諧振器的質(zhì)量塊區(qū)域的第二材料的量的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中控制涂覆至諧振器的第二材料的量的步驟包括 在質(zhì)量塊區(qū)域中的第一材料中生長(zhǎng)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的步驟，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)包括細(xì)絲；以及處理所述細(xì)絲，使得所述細(xì)絲由第二材料形成。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中第一材料包括硅，第二材料包括二氧化硅，將第二材料涂覆至諧振器的步驟包括對(duì)第一材料進(jìn)行氧化，從而在第一材料上生長(zhǎng)第二材料。
9.一種諧振器，所述諧振器由第一材料和第二材料形成，所述第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數(shù)，所述第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數(shù)，至少在諧振器的工作條件內(nèi)，第二溫度系數(shù)的符號(hào)與第一溫度系數(shù)的符號(hào)相反，其中諧振器包括梁區(qū)域和質(zhì)量塊區(qū)域，并且質(zhì)量塊區(qū)域包括用于控制質(zhì)量塊區(qū)域中第二材料的量的控制器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的諧振器，其中控制器包括在諧振器的質(zhì)量塊區(qū)域中形成的一個(gè)或多個(gè)孔或凹陷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的諧振器，其中控制器包括由細(xì)絲形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的諧振器，其中第一材料包括硅，第二材料包括二氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制造MEMS諧振器的方法，MEMS諧振器由第一材料和第二材料構(gòu)成，第一材料具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數(shù)，第二材料具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數(shù)，至少在諧振器的工作條件內(nèi)，第二溫度系數(shù)的符號(hào)與第一溫度系數(shù)的符號(hào)相反，所述方法包括以下步驟由第一材料形成諧振器；以及將第二材料涂覆至諧振器；以及通過諧振器的幾何結(jié)構(gòu)來控制涂覆到諧振器的第二材料的量。
文檔編號(hào)H03H3/013GK102315827SQ20111018144
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月2日
發(fā)明者羅伯特·蘭德 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司