專利名稱：高頻放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線通訊系統(tǒng)的放大器領(lǐng)域，特別是涉及一種高頻晶體管放大器。
背景技術(shù)：
在無線通訊系統(tǒng)中，發(fā)射電路中所用的放大器是含有與放大晶體管集電極相連接的諧振電路的高頻晶體管放大器。圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)所公開的一種發(fā)射電路高頻晶體管放大器，產(chǎn)生發(fā)射的中頻信號，高頻放大器對輸入的參考頻率信號進行放大并倍頻，所述諧振電路是調(diào)諧在參考頻率的二次諧波上。因此，在發(fā)射狀態(tài)下，放大信號中的二次諧波信號被有選擇地提取出來作為發(fā)射中頻信號輸出。但在發(fā)射電路截止狀態(tài)，即接收狀態(tài)下，由于開關(guān)晶體管的集電極和發(fā)射極之間存在駐留阻抗，以及放大晶體管基極-集電極結(jié)電容， 較高頻率的參考頻率信號不會被開關(guān)晶體管完全旁路，也不會完全地被放大晶體管截止， 結(jié)果仍被諧振電路選擇輸出，從而對接收電路產(chǎn)生干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種諧振電路中的線圈和電容之間串接有一二極管的高頻放大器，當發(fā)射電路處于截止工作狀態(tài)時，能夠?qū)⑿孤┻M接收電路中的參考頻率信號衰減到足夠低的電平。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種高頻放大器，包括放大晶體管、開關(guān)晶體管和諧振電路，所述開關(guān)晶體管有選擇地將所述放大晶體管的基極接地，所述諧振電路與所述放大晶體管的集電極相接，所述諧振電路包括線圈、電容和二極管，所述二極管接于所述線圈和電容之間。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述放大晶體管的基極接于一輸入信號端和開關(guān)晶體管的集電極上，放大晶體管的發(fā)射極由一發(fā)射極電阻和一旁路電容并聯(lián)接地，放大晶體管的集電極與一輸出信號端相接。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述輸入信號端接收來自一外部參考頻率發(fā)生器的參考頻率信號，所述輸出信號端將信號向第一混頻器輸出。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述放大晶體管的基極串接有基極偏置電阻。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述開關(guān)晶體管的基極接于一發(fā)射/接收開關(guān)端， 在高頻放大器發(fā)射/接收工作狀態(tài)下，外部電路的發(fā)射/接收開啟信號加于所述發(fā)射/接收開關(guān)端，使開關(guān)晶體管截止/開通，開關(guān)晶體管的發(fā)射極直接接地。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述諧振電路的線圈和二極管串聯(lián)接于輸出信號端和一電源端之間，電容接于輸出信號端和地之間。本發(fā)明的有益效果是與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明諧振電路的線圈和二極管串聯(lián)接于輸出信號端與電源端之間，當放大晶體管處于截止狀態(tài)時，二極管截止等效于一個小容量的電容器串接在諧振電路的線圈上，使諧振頻率變得大大高于預(yù)定的二次諧波頻率2f。， 由參考頻率發(fā)生器產(chǎn)生的參考頻率信號fc可以被諧振電路衰減至足夠低的電平，從而防止由參考頻率信號fe產(chǎn)生的發(fā)射中頻信號fit進入接收電路，達到防止對接收電路產(chǎn)生干擾的目的。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的高頻放大器的電路原理圖； 圖2是本發(fā)明實施例的電路原理附圖中各部件的標記如下Q1、放大晶體管，Q2、開關(guān)晶體管，RlU R12、基極偏置電阻， R9、發(fā)射極電阻，C10、旁路電容，L5、線圈，D7、二極管，C6、電容，3、輸入信號端，4、輸出信號端，8、諧振電路，13、電源端，15、發(fā)射/接收開關(guān)端。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例包括
如圖1所示，放大晶體管Ql的基極接于輸入信號端3和開關(guān)晶體管Q2的集電極上。放大晶體管Ql的發(fā)射極經(jīng)由發(fā)射極電阻R9和旁路電容ClO的并聯(lián)電路接地。放大晶體管Ql 的集電極與輸出信號端4通過由線圈L5和電容器C6組成的諧振電路8相連。開關(guān)晶體管 Q2的基極接于發(fā)射/接收開關(guān)端15，開關(guān)晶體管Q2的發(fā)射極直接接地。線圈L5的另一端與電源端13相接，電容器C6的另一端接地。如圖2所示，諧振電路8由線圈L5、電容器C6和二極管D7組成，其中線圈L5和二極管D7串聯(lián)接于輸出信號端4與電源端13之間，而電容器C6則接于輸出信號端4與地之間。輸入信號端3接收來自參考頻率發(fā)生器的參考頻率信號f。。當二極管D7導(dǎo)通時，諧振電路8的諧振頻率等于參考頻率信號的二次諧波2f。，從而該二次諧波信號2f?？梢酝ㄟ^輸出信號端4作為發(fā)射中頻信號fit而輸出。在發(fā)射工作狀態(tài)，具有近似等于地電位的發(fā)射開啟信號Tx加于發(fā)射\接收開關(guān)端 15，該發(fā)射開啟信號Tx使開關(guān)晶體管Q2截止；由基極偏置電阻Rll和R12所確定的基極偏置電壓加在放大晶體管Ql的基極，使放大晶體管Ql處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，來自輸入信號端 3的參考頻率信號被以共發(fā)射方式連接的放大晶體管Ql放大，此放大信號產(chǎn)生于放大晶體管Ql的集電極。在這種工作模式下，放大晶體管Ql的集電極電流流過二極管D7，使其導(dǎo)通，此時諧振電路8的諧振頻率等于參考頻率信號f的二次諧波頻率2f。。這樣只有放大后的參考頻率信號f的二次諧波2f。被諧振電路8有選擇地提取出來，而此提取出來的信號作為發(fā)射中頻信號fit通過輸出信號端4向第一混頻器輸出。在接受工作狀態(tài)，具有正電壓的接收開啟信號Rx加于發(fā)射\接收開關(guān)端15，使開關(guān)晶體管Q2導(dǎo)通，致使放大晶體管Ql的基極經(jīng)過處于導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)晶體管Q2而接地， 放大晶體管Ql被置于截止狀態(tài)，無法起到放大作用。由于開關(guān)晶體管Q2駐留阻抗的存在， 參考頻率信號f。不會完全被該開關(guān)晶體管Q2旁路掉，同時由于放大晶體管Ql基極-集電極結(jié)電容的存在，該信號f。也不會完全被該放大晶體管Ql截止掉，所以一部分參考頻率信號被傳送到放大晶體管Ql的集電極端。然而當放大晶體管Ql處于截止狀態(tài)時，諧振電路8的二極管D7中無集電極電流流過，使得該二極管處于截止狀態(tài)且等效于一個具有小電容量的電容，也就是說，有一個具有小電容量的電容器串接在諧振電路8中的線圈L5上，從而使諧振頻率變得大大高于預(yù)訂的二次諧波頻率2f。。在這種狀態(tài)下，出現(xiàn)在放大晶體管Ql集電極處的參考頻率信號f。以及任何具有接近二次諧波頻率2f。的信號，也就是接收中頻信號f^以及任何與之頻率相近的信號，均被諧振電路8衰減并去除。比較本發(fā)明的高頻放大器和現(xiàn)有技術(shù)的高頻放大器，在開關(guān)晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)下對二次諧波信號2f。進行測量，結(jié)果表明本發(fā)明電路的二次諧波信號約為_78dbm，而現(xiàn)有技術(shù)電路的二次諧波信號約為_60dbm。另外對開關(guān)晶體管Q2開關(guān)狀態(tài)間二次諧波信號2f。的抑制系數(shù)進行實測，其結(jié)果表明，本發(fā)明電路的系數(shù)約為60db，而現(xiàn)有技術(shù)電路的系數(shù)為39db。以上結(jié)果表明，本發(fā)明可明顯改善放大器的性能。在本發(fā)明中，諧振電路8的諧振頻率當其處于工作模式時被設(shè)定為參考頻率信號 fc的兩倍，其也可以等于參考頻率信號f。，或者也可以設(shè)置為某個大于2的整數(shù)與參考頻率信號f。的乘積。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高頻放大器，其特征在于，包括放大晶體管、開關(guān)晶體管和諧振電路，所述開關(guān)晶體管有選擇地將所述放大晶體管的基極接地，所述諧振電路與所述放大晶體管的集電極相接，所述諧振電路包括線圈、電容和二極管，所述二極管接于所述線圈和電容之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，所述放大晶體管的基極接于一輸入信號端和開關(guān)晶體管的集電極上，放大晶體管的發(fā)射極由一發(fā)射極電阻和一旁路電容并聯(lián)接地，放大晶體管的集電極與一輸出信號端相接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻放大器，其特征在于，所述輸入信號端接收來自一外部參考頻率發(fā)生器的參考頻率信號，所述輸出信號端將信號向第一混頻器輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻放大器，其特征在于，所述放大晶體管的基極串接有基極偏置電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，所述開關(guān)晶體管的基極接于一發(fā)射/接收開關(guān)端，在高頻放大器發(fā)射/接收工作狀態(tài)下，外部電路的發(fā)射/接收開啟信號加于所述發(fā)射/接收開關(guān)端，使開關(guān)晶體管截止/開通，開關(guān)晶體管的發(fā)射極直接接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻放大器，其特征在于，所述諧振電路的線圈和二極管串聯(lián)接于輸出信號端和一電源端之間，電容接于輸出信號端和地之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻放大器，包括放大晶體管、開關(guān)晶體管和諧振電路，所述開關(guān)晶體管有選擇地將所述放大晶體管的基極接地，所述諧振電路與所述放大晶體管的集電極相接，所述諧振電路包括線圈、電容和二極管，所述二極管接于所述線圈和電容之間。通過上述方式，當發(fā)射電路處于截止工作狀態(tài)時，本發(fā)明能夠?qū)⑿孤┻M接收電路中的參考頻率信號衰減到足夠低的電平，從而防止由參考頻率信號產(chǎn)生的發(fā)射中頻信號進入接收電路，達到防止對接收電路產(chǎn)生干擾的目的。
文檔編號H03F3/189GK102377392SQ20111033425
公開日2012年3月14日 申請日期2011年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月29日
發(fā)明者馬進 申請人:常熟市董浜鎮(zhèn)華進電器廠