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電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路的制作方法

文檔序號(hào):7523687閱讀:200來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于電子通訊技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種信號(hào)輸入電路,尤其涉及一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路。
背景技術(shù)
目前現(xiàn)有技術(shù)上使用的信號(hào)輸入電路,當(dāng)有效電平為高時(shí),必須要在電路上配備一個(gè)下拉電阻,而當(dāng)有效電平為低時(shí),必須在電路上配備一個(gè)上拉電阻。所以通常的做法是在管腳上同時(shí)配備一個(gè)上拉電阻和一個(gè)下拉電阻,然后根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)的不同情況決定焊接某個(gè)電阻,去除另一個(gè)電阻。以上方案的缺陷在于,現(xiàn)有信號(hào)輸入電路的現(xiàn)場(chǎng)靈活性很差,臨時(shí)需要修改時(shí),操作麻煩。且不同的高低有效會(huì)產(chǎn)生不同的BOM清單,對(duì)產(chǎn)品的管理和管控都帶來(lái)極大的麻煩。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,輸入管腳的高低有效可以通過(guò)程序中控制,只需要改變控制腳的輸出電平,即可設(shè)定輸入管腳為高有效還是低有效。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,所述信號(hào)輸入電路包括第一電阻、第二電阻、第一
開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān);所述第一電阻與第一開關(guān)串接作為第一支路,第二電阻與第二開關(guān)串接作為第二支路;所述第一支路與第二支路并聯(lián),所述第三開關(guān)與并聯(lián)的第一支路、第二支路串聯(lián)。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述第一電阻與第一開關(guān)之間設(shè)有第一二極管,所述第二電阻與第二開關(guān)之間設(shè)有第二二極管。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述第三開關(guān)為三極管。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述三極管的集電極連接第一支路、第二支路, 所述三極管的發(fā)射極接地。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述第一開關(guān)、第二開關(guān)為MOS管;所述第一開關(guān)為第一 MOS管,第二開關(guān)為第二 MOS管。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述第一 MOS管為P溝道MOS管;所述第一 MOS 管的基極連接所述第三開關(guān),漏極連接第一電阻,源極連接電源VCC。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案,所述第二 MOS管為N溝道MOS管;所述第二 MOS 管的基極連接所述第三開關(guān),漏極連接第二電阻,源極接地。本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,輸入管腳的高低有效可以通過(guò)程序中控制,只需要改變控制腳的輸出電平,即可設(shè)定輸入管腳為高有效還是低有效。本實(shí)用新型信號(hào)輸入電路現(xiàn)場(chǎng)修改方便。而且,針對(duì)不同的環(huán)境,硬件完全不用改動(dòng),只需要配置不同的軟件即可,方便產(chǎn)品的管控。

圖1為本實(shí)用新型信號(hào)輸入電路的電路示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例一本實(shí)用新型揭示了一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,用于方便的修改輸入管腳上的有效電平。設(shè)計(jì)中使用一路輸出管腳通過(guò)三極管電子開關(guān),控制兩個(gè)MOS管的不同狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)上拉和下拉電阻的不同有效狀態(tài),達(dá)到改變有效電平的目的。請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型信號(hào)輸入電路包括第一電阻11、第二電阻12、第一開關(guān) Q17、第二開關(guān)Q21、第三開關(guān)Q18。所述第一電阻11與第一開關(guān)Q17串接作為第一支路,第二電阻12與第二開關(guān)Q21 串接作為第二支路;所述第一支路與第二支路并聯(lián),所述第三開關(guān)Q18與并聯(lián)的第一支路、 第二支路串聯(lián)。此外,所述第一電阻11與第一開關(guān)Q17之間設(shè)有第一二極管21,所述第二電阻12 與第二開關(guān)Q21之間設(shè)有第二二極管22。所述第三開關(guān)Q18為三極管。所述三極管的集電極連接第一支路、第二支路,所述三極管的發(fā)射極接地。本實(shí)施例中,所述第一開關(guān)11、第二開關(guān)12均為MOS管;所述第一開關(guān)11為第一 MOS管,第二開關(guān)12為第二 MOS管。如圖所示,所述第一 MOS管為P溝道MOS管;所述第一 MOS管的基極連接所述第三開關(guān)Q18,漏極通過(guò)第一二極管21連接第一電阻11,源極連接電源VCC。所述第二 MOS管為 N溝道MOS管;所述第二 MOS管的基極通過(guò)第二二極管22連接所述第三開關(guān)Q18,漏極連接第二電阻12,源極接地。本實(shí)用新型電子設(shè)備信號(hào)輸入電路的工作過(guò)程為當(dāng)需要上拉電阻有效時(shí),控制端輸出高電平,第三開關(guān)Q18導(dǎo)通。使得第一開關(guān) Q17和第二開關(guān)Q21輸入低電平,第一開關(guān)Q17導(dǎo)通,第二開關(guān)Q21截止,最終使得輸入上半部分有效。這時(shí)就是設(shè)置的高配。反之當(dāng)需要下拉電阻有效時(shí),控制端輸出低電平,第三開關(guān)Q18截止。使得第一開關(guān)Q17和第二開關(guān)Q21輸入高電平,第二開關(guān)Q21導(dǎo)通,第一開關(guān)Q17截止,最終使得輸入下半部分有效。這時(shí)就是設(shè)置的低配。綜上所述,本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,輸入管腳的高低有效可以通過(guò)程序中控制,只需要改變控制腳的輸出電平,即可設(shè)定輸入管腳為高有效還是低有效。本實(shí)用新型信號(hào)輸入電路現(xiàn)場(chǎng)修改方便。而且,針對(duì)不同的環(huán)境,硬件完全不用改動(dòng), 只需要配置不同的軟件即可,方便產(chǎn)品的管控。這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的,并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的,對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是,在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下,本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例, 以及用其它組件、材料和部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下,可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。
權(quán)利要求1.一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于,所述信號(hào)輸入電路包括第一電阻、第二電阻、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān);所述第一電阻與第一開關(guān)串接作為第一支路,第二電阻與第二開關(guān)串接作為第二支路;所述第一支路與第二支路并聯(lián),所述第三開關(guān)與并聯(lián)的第一支路、第二支路串聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于所述第一電阻與第一開關(guān)之間設(shè)有第一二極管,所述第二電阻與第二開關(guān)之間設(shè)有第二二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于所述第三開關(guān)為三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于 所述三極管的集電極連接第一支路、第二支路,所述三極管的發(fā)射極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于所述第一開關(guān)、第二開關(guān)為MOS管;所述第一開關(guān)為第一 MOS管,第二開關(guān)為第二 MOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于 所述第一 MOS管為P溝道MOS管;所述第一 MOS管的基極連接所述第三開關(guān),漏極連接第一電阻,源極連接電源VCC。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,其特征在于 所述第二 MOS管為N溝道MOS管;所述第二 MOS管的基極連接所述第三開關(guān),漏極連接第二電阻,源極接地。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,所述信號(hào)輸入電路包括第一電阻、第二電阻、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān);所述第一電阻與第一開關(guān)串接作為第一支路,第二電阻與第二開關(guān)串接作為第二支路;所述第一支路與第二支路并聯(lián),所述第三開關(guān)與并聯(lián)的第一支路、第二支路串聯(lián)。本實(shí)用新型提出的電子設(shè)備的信號(hào)輸入電路,輸入管腳的高低有效可以通過(guò)程序中控制,只需要改變控制腳的輸出電平,即可設(shè)定輸入管腳為高有效還是低有效。本實(shí)用新型信號(hào)輸入電路現(xiàn)場(chǎng)修改方便。而且,針對(duì)不同的環(huán)境,硬件完全不用改動(dòng),只需要配置不同的軟件即可,方便產(chǎn)品的管控。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK202034964SQ20112008803
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者黃海平 申請(qǐng)人:上海安泊易電子科技有限公司
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