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多電源復(fù)位電路的制作方法

文檔序號(hào):7523936閱讀:281來源:國(guó)知局
專利名稱:多電源復(fù)位電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種多電源復(fù)位電路。
背景技術(shù)
在電子領(lǐng)域,復(fù)位電路是一種不可缺少的電路。在絕大多數(shù)的電路設(shè)計(jì)中都包含的復(fù)位電路的設(shè)計(jì)。低電平復(fù)位電路中應(yīng)用的最普通的是一種阻容復(fù)位電路,它具有簡(jiǎn)單, 廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn)。但是,該電路的波形比較遲緩,一致性差,而且無法判斷電壓是否穩(wěn)定。同時(shí)無法實(shí)現(xiàn)在電源切換時(shí)輸出復(fù)位信號(hào),所以在電能表領(lǐng)域無法使用這種簡(jiǎn)單的復(fù)位電路為 MCU提供復(fù)位信號(hào)。
發(fā)明內(nèi)容為克服普通復(fù)位電路無法直接用于電能表的缺點(diǎn),本實(shí)用新型提供了一種能直接應(yīng)用于電能表,安全可靠,成本合適的多電源復(fù)位電路。多電源復(fù)位電路,包括電壓檢測(cè)芯片,為所述的電壓檢測(cè)芯片供電的第一工作電源,所述的電壓檢測(cè)芯片的輸出端與三極管的基極連接,所述的電壓檢測(cè)芯片與三極管基極之間設(shè)有第二電容,所述的三極管的發(fā)射極接地,所述的三極管的集電極與第二工作電源連接,所述的三極管的集電極與發(fā)射極之間設(shè)有第三電容,所述的三極管的基極和發(fā)射極之間設(shè)有第三電阻;所述的第二電容的遠(yuǎn)離三極管的一端與第二電阻連接,所述的第二電阻的另一端與第三電阻連接。進(jìn)一步,所述的電壓檢測(cè)芯片與第一電容并聯(lián)。進(jìn)一步,所述的電壓檢測(cè)芯片與第二電容之間設(shè)有第一電阻,所述的第二工作電源與所述的三極管集電極之間設(shè)有第四電阻。本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思是當(dāng)電壓檢測(cè)芯片所檢測(cè)的電源為低電平時(shí),芯片輸出引腳接NPN三極管基極,這樣導(dǎo)致三極管截止,從而三極管集電極所在復(fù)位信號(hào)被另一電源上拉保持高電平。而當(dāng)電壓檢測(cè)芯片所檢測(cè)的電源大于芯片的檢測(cè)電壓時(shí),芯片輸出引腳輸出高電平,通過電容的充放電,使得三極管在某一時(shí)間先導(dǎo)通后截止,這樣就使得復(fù)位信號(hào)在某一時(shí)間先拉低后升高,從而引起MCU復(fù)位。本實(shí)用新型特別適用于在電源切換時(shí)需要產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)的電子設(shè)計(jì)中,如電能表設(shè)計(jì)。本實(shí)用新型具有工作穩(wěn)定,成本低廉,且應(yīng)用范圍廣的優(yōu)點(diǎn)。

圖1是本實(shí)用新型的示意圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖,進(jìn)一步說明本實(shí)用新型[0012]多電源復(fù)位電路,包括電壓檢測(cè)芯片IC1,為所述的電壓檢測(cè)芯片ICl供電的第一工作電源VCC,所述的電壓檢測(cè)芯片ICl的輸出端與三極管Ql的基極連接,所述的電壓檢測(cè)芯片ICl與三極管Ql基極之間設(shè)有第二電容C2,所述的三極管Ql的發(fā)射極接地,所述的三極管Ql的集電極與第二工作電源VCCPU連接,所述的三極管Ql的集電極與發(fā)射極之間設(shè)有第三電容C3,所述的三極管Ql的基極和發(fā)射極之間設(shè)有第三電阻R3 ;所述的第二電容C2的遠(yuǎn)離三極管Ql的一端與第二電阻R2連接,所述的第二電阻 R2的另一端與第三電阻R3連接。所述的電壓檢測(cè)芯片ICl與第一電容Cl并聯(lián)。所述的電壓檢測(cè)芯片ICl與第二電容C2之間設(shè)有第一電阻R1,所述的第二工作電源VCCPU與所述的三極管Ql集電極之間設(shè)有第四電阻R4。本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思是當(dāng)電壓檢測(cè)芯片ICl所檢測(cè)的電源VCC為低電平時(shí),芯片輸出引腳OUT接NPN三極管Ql基極,這樣導(dǎo)致三極管Ql截止,從而三極管Ql集電極所在復(fù)位信號(hào)RST被另一電源VCCPU上拉保持高電平。而當(dāng)電壓檢測(cè)芯片ICl所檢測(cè)的電源 VCC大于芯片的檢測(cè)電壓時(shí),芯片輸出引腳OUT輸出高電平,通過電容C2的充放電,使得三極管Ql在某一時(shí)間先導(dǎo)通后截止,這樣就使得復(fù)位信號(hào)RST在某一時(shí)間先拉低后升高,從而引起MCU復(fù)位。本實(shí)用新型具有工作穩(wěn)定,成本低廉,且應(yīng)用范圍廣的優(yōu)點(diǎn)。本說明書實(shí)施例所述的內(nèi)容僅僅是對(duì)實(shí)用新型構(gòu)思的實(shí)現(xiàn)形式的列舉,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不應(yīng)當(dāng)被視為僅限于實(shí)施例所陳述的具體形式,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍也及于本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型構(gòu)思所能夠想到的等同技術(shù)手段。
權(quán)利要求1.多電源復(fù)位電路,其特征在于包括電壓檢測(cè)芯片,為所述的電壓檢測(cè)芯片供電的第一工作電源,所述的電壓檢測(cè)芯片的輸出端與三極管的基極連接,所述的電壓檢測(cè)芯片與三極管基極之間設(shè)有第二電容,所述的三極管的發(fā)射極接地,所述的三極管的集電極與第二工作電源連接,所述的三極管的集電極與發(fā)射極之間設(shè)有第三電容,所述的三極管的基極和發(fā)射極之間設(shè)有第三電阻;所述的第二電容的遠(yuǎn)離三極管的一端與第二電阻連接,所述的第二電阻的另一端與第三電阻連接。
2.如權(quán)利要求1所述的多電源復(fù)位電路,其特征在于所述的電壓檢測(cè)芯片與第一電容并聯(lián)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多電源復(fù)位電路,其特征在于所述的電壓檢測(cè)芯片與第二電容之間設(shè)有第一電阻,所述的第二工作電源與所述的三極管集電極之間設(shè)有第四電阻。
專利摘要多電源復(fù)位電路,包括電壓檢測(cè)芯片,為所述的電壓檢測(cè)芯片供電的第一工作電源,所述的電壓檢測(cè)芯片的輸出端與三極管的基極連接,所述的電壓檢測(cè)芯片與三極管基極之間設(shè)有第二電容,所述的三極管的發(fā)射極接地,所述的三極管的集電極與第二工作電源連接,所述的三極管的集電極與發(fā)射極之間設(shè)有第三電容,所述的三極管的基極和發(fā)射極之間設(shè)有第三電阻;所述的第二電容的遠(yuǎn)離三極管的一端與第二電阻連接,所述的第二電阻的另一端與第三電阻連接。本實(shí)用新型具有工作穩(wěn)定,成本低廉,且應(yīng)用范圍廣的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/22GK202168052SQ20112020191
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者丁敏華, 劉崢嶸, 姜干才, 楊光, 高宜華 申請(qǐng)人:杭州炬華科技股份有限公司
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