專利名稱：一種放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電路，尤其是涉及一種放大電路。
背景技術(shù)：
放大電路在電子學(xué)的領(lǐng)域中非常常見(jiàn)，其實(shí)質(zhì)是用能量比較小的輸入信號(hào)來(lái)控制另一個(gè)能源，使輸出端的負(fù)載上得到功率比較大的信號(hào)。放大電路的基本形式有三種共發(fā)射極放大電路，共基極放大電路和共集電極放大電路，通過(guò)這三種基本形式的組合，形成了多種放大器?，F(xiàn)在使用最廣的是以晶體管(雙極型晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管)放大電路為基礎(chǔ)的集成放大器。由于材料和晶體管參數(shù)的限制，此種放大電路能夠驅(qū)動(dòng)的電壓低，并且功率小，不能滿足客戶需求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種可以實(shí)現(xiàn)多種波形的放大，而且還可以驅(qū)動(dòng)大功率的用電器的放大電路。本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種放大電路，其特征在于，該放大電路包括晶體管Q2、比較器、信號(hào)發(fā)生器、電壓采樣模塊、電阻R1、電阻R2及CMOS管 Ql ；所述的晶體管Q2的集電極與電源Us連接，晶體管Q2的發(fā)射極接地，晶體管Q2的基極與比較器的輸出端連接；所述的比較器的一個(gè)輸入端與電壓采樣模塊連接，另一個(gè)輸入端與信號(hào)發(fā)生器連接；所述的CMOS管Ql的柵極通過(guò)電阻Rl與電源Us連接，漏極連接直流電源，源極依次連接電阻R2、電壓采樣模塊后接地。所述的晶體管Q2為NPN型三極管。所述的CMOS 管 Ql 為 IRFP264CM0S 管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型由于CMOS管子響應(yīng)速度比較快，可以實(shí)現(xiàn)任意波形的放大，特別是EMC行業(yè)中關(guān)于直流電源方面的一些波形都可以實(shí)現(xiàn)，而且還可以驅(qū)動(dòng)大功率的用電器。

圖1為本實(shí)用新型的電路示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例如圖1所示，一種放大電路，該放大電路包括晶體管Q2、比較器D、信號(hào)發(fā)生器A、電壓采樣模塊B、電阻R1、電阻R2及CMOS管Q1。晶體管Q2的集電極與電源Us連接，晶體管 Q2的發(fā)射極接地，晶體管Q2的基極與比較器的輸出端連接。比較器的一個(gè)輸入端與電壓采樣模塊連接，另一個(gè)輸入端與信號(hào)發(fā)生器連接。CMOS管Ql的柵極通過(guò)電阻Rl與電源化連接，漏極連接直流電源C，源極依次連接電阻R2、電壓采樣模塊后接地。晶體管Q2為NPN 型三極管。CMOS管Ql為IRFP264CM0S管。本實(shí)用新型的工作原理如下電壓采樣模塊采樣得到的反饋電壓與信號(hào)發(fā)生器傳來(lái)的給定電壓進(jìn)行比較，來(lái)控制晶體管Q2的通斷，然后通過(guò)Q2的導(dǎo)通或截止來(lái)控制CMOS 管Ql的狀態(tài)，從而控制電壓輸出。波形輸出可以根據(jù)信號(hào)發(fā)生器的輸出給定來(lái)控制，這樣可以實(shí)現(xiàn)小信號(hào)的放大。此處的小信號(hào)是EMC中專用波形。放大的原理是基于電路的穩(wěn)定性實(shí)現(xiàn)的，是一種有源放大電路。當(dāng)信號(hào)發(fā)生器發(fā)出小信號(hào)和電壓采樣模塊采樣的電壓相同時(shí)電路處于穩(wěn)定，所以可以通過(guò)控制信號(hào)發(fā)生器發(fā)出的小信號(hào)的幅度，輸出一些特殊的波形。這樣小信號(hào)的電壓有變化導(dǎo)致比較器的電路有變化，可以控制晶體管Q2的通斷，進(jìn)而控制高壓輸出Ql的通斷，這樣輸出端得電壓的到控制，完成小信號(hào)放大。當(dāng)用于大功率時(shí)，可以根據(jù)電流的大小來(lái)確定并聯(lián)的CMOS管的數(shù)量。
權(quán)利要求1.一種放大電路，其特征在于，該放大電路包括晶體管Q2、比較器、信號(hào)發(fā)生器、電壓采樣模塊、電阻R1、電阻R2及CMOS管Ql 所述的晶體管Q2的集電極與電源Us連接，晶體管Q2的發(fā)射極接地，晶體管Q2的基極與比較器的輸出端連接；所述的比較器的一個(gè)輸入端與電壓采樣模塊連接，另一個(gè)輸入端與信號(hào)發(fā)生器連接；所述的CMOS管Ql的柵極通過(guò)電阻 Rl與電源Us連接，漏極連接直流電源，源極依次連接電阻R2、電壓采樣模塊后接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種放大電路，其特征在于，所述的晶體管Q2為NPN型三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種放大電路，其特征在于，所述的CMOS管Ql為 IRFP264CM0S 管。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種放大電路，該放大電路包括晶體管Q2、比較器、信號(hào)發(fā)生器、電壓采樣模塊、電阻R1、電阻R2及CMOS管Q1；所述的晶體管Q2的集電極與電源Us連接，晶體管Q2的發(fā)射極接地，晶體管Q2的基極與比較器的輸出端連接；所述的比較器的一個(gè)輸入端與電壓采樣模塊連接，另一個(gè)輸入端與信號(hào)發(fā)生器連接；所述的CMOS管Q1的柵極通過(guò)電阻R1與電源Us連接，漏極連接直流電源，源極依次連接電阻R2、電壓采樣模塊后接地。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有可以實(shí)現(xiàn)多種波形的放大，而且還可以驅(qū)動(dòng)大功率的用電器等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03F3/21GK202218195SQ201120295930
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者毛文斌, 顧建軍 申請(qǐng)人:上海普銳馬電子有限公司