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一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān)的制作方法

文檔序號(hào):7524228閱讀:286來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種脈沖電子開關(guān),尤其是涉及一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān)。
背景技術(shù)
脈沖電子開關(guān)要求電壓幅值比較高,大約在4. 5kV以上,六千以下,開關(guān)頻率比較高,最高開關(guān)頻率在2MHz,上升沿僅5nS,普通機(jī)械開關(guān)或者電磁開關(guān)達(dá)到電壓和頻率要求,必須采用半導(dǎo)體開關(guān)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種無(wú)使用疲勞,可實(shí)現(xiàn)永久無(wú)衰減快速通斷的高壓高頻脈沖電子開關(guān)。本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,包括CMOS管電路和驅(qū)動(dòng)電路,所述的CMOS管電路與驅(qū)動(dòng)電路連接。所述的CMOS管電路由多個(gè)CMOS管組并聯(lián)而成,每個(gè)CMOS管組由多個(gè)CMOS管串聯(lián)而成。所述的多個(gè)CMOS管組為4 10個(gè)CMOS管組,所述的多個(gè)CMOS管為10 20個(gè) CMOS 管。所述的驅(qū)動(dòng)電路包括逆變電路和倍壓電路,所述的逆變電路連接倍壓電路,所述的倍壓電路的輸出端連接CMOS管電路。所述的CMOS管的耐壓為500V。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了高頻高壓脈沖電子開關(guān)的快速通斷,而且波形一致性比較好,成本低,沒(méi)有使用疲勞問(wèn)題,可以實(shí)現(xiàn)永久無(wú)衰減快速通斷。

圖1為本實(shí)用新型的電路示意圖;圖2為CMOS管電路連接方式的原理示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例如圖1所示,一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),包括CMOS管電路2和驅(qū)動(dòng)電路1, CMOS管電路1由5個(gè)CMOS管組并聯(lián)而成,每個(gè)CMOS管組均由10個(gè)CMOS管串聯(lián)而成。每個(gè)CMOS管的耐壓為500V,則每個(gè)CMOS管組的總體耐壓在5000V左右,每個(gè)CMOS管同時(shí)驅(qū)動(dòng),可以解決耐高壓的問(wèn)題。然后5組CMOS管組并聯(lián)組成CMOS管電路,達(dá)到提高脈沖電流的要求。驅(qū)動(dòng)電路1包括逆變電路11和倍壓電路12,逆變電路11連接倍壓電路12,倍壓
3電路12的輸出端連接CMOS管電路2中每個(gè)CMOS管的柵極,倍壓電路12采用互感原理,在驅(qū)動(dòng)CMOS管的同時(shí),可以起到高壓隔離和保護(hù)電路的作用。 低壓電源首先通過(guò)逆變電路11升壓,然后再經(jīng)過(guò)倍壓電路12進(jìn)一步升壓,并輸出高壓驅(qū)動(dòng)方波,驅(qū)動(dòng)CMOS管電路2,使CMOS管同時(shí)導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)永久無(wú)衰減快速通斷。
權(quán)利要求1.一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,包括CMOS管電路和驅(qū)動(dòng)電路,所述的CMOS管電路與驅(qū)動(dòng)電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,所述的CMOS 管電路由多個(gè)CMOS管組并聯(lián)而成,每個(gè)CMOS管組由多個(gè)CMOS管串聯(lián)而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,所述的多個(gè) CMOS管組為4 10個(gè)CMOS管組,所述的多個(gè)CMOS管為10 20個(gè)CMOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,所述的驅(qū)動(dòng)電路包括逆變電路和倍壓電路,所述的逆變電路連接倍壓電路,所述的倍壓電路的輸出端連接CMOS管電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,所述的 CMOS管的耐壓為500V。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高速高壓高頻脈沖電子開關(guān),其特征在于,包括CMOS管電路和驅(qū)動(dòng)電路,所述的CMOS管電路與驅(qū)動(dòng)電路連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型沒(méi)有使用疲勞,可以實(shí)現(xiàn)永久無(wú)衰減快速通斷。
文檔編號(hào)H03K17/687GK202218209SQ201120299709
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者毛文斌, 趙健, 顧建軍 申請(qǐng)人:上海普銳馬電子有限公司
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