專利名稱：天線共用器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多個濾波器的天線共用器。
背景技術(shù)：
近年，W-CDMA(WidebandCode Division Multiple Access :寬帶碼分多址接入)等進行收發(fā)同時通信的通信方式的便攜式電話急速普及。隨之，雙工器等天線共用器的需要也不斷增加。另外，作為構(gòu)成天線共用器的構(gòu)成的元件，小型化、低背化以及批量生產(chǎn)性方面優(yōu)良的、SAW (Surface Acoustic Wave ;表面彈性波)兀件、邊界波(Boundary ElasticWave)元件、或者、BAW (Bulk Acoustic Wave ;體彈性波)元件等成為主流。 一般而言，天線共用器為了對發(fā)送頻帶的信號和與其高頻側(cè)鄰接的接收頻帶的信號進行分頻，具有2個濾波器(發(fā)送濾波器和接收濾波器)。特別地，作為發(fā)送濾波器，采用了將串聯(lián)共振器與并聯(lián)共振器梯子狀地連接的梯型濾波器。例如，3GPP(第三代合作伙伴計劃)所規(guī)定的頻段(band) 2中的、發(fā)送頻帶與接收頻帶的間隔(交叉頻帶)是20MHz (若以相對頻帶寬度來表現(xiàn)，則是I. 06%)。該間隔與現(xiàn)有的天線共用器所經(jīng)常使用的、作為頻段5的交叉頻帶的20MHz (相對頻帶寬度2. 36% )比較則非常窄。為此，為了與該窄的交叉頻帶對應(yīng)來確保陡峭性，提出了對發(fā)送濾波器的共振器的IDT(Inter Digital Transducer :叉指式換能器)實施加權(quán)的技術(shù)(例如,參照專利文獻I)。另外，在梯型濾波器中，還提出了各種使共振器的主要彈性波的傳播角不同的技術(shù)(例如，參照專利文獻2以及專利文獻3)。然而，專利文獻I是以窄帶化為目的，并沒有公開對像頻段2那樣，頻帶寬度為60MHz的寬帶的天線共用器進行實現(xiàn)的手段。即，在專利文獻I中所記載的天線共用器的發(fā)送濾波器中，存在如下課題若為了充分確保接收頻帶中的衰減而提高陡峭性，則發(fā)送頻帶寬度反而變窄，寬的發(fā)送通過頻帶中的損失會變大。特別地，頻段2中的發(fā)送接收通過頻帶在相對頻帶寬度上寬3. 2%，要以這么寬的發(fā)送通過頻帶來保證小的損失則非常困難。認為今后除了頻段2，還在頻段3以及頻段8等中，需要能兼顧寬帶的低損耗特性和陡峭的衰減特性的天線共用器。然而，在現(xiàn)有公知的技術(shù)中，存在若想要以寬帶來實現(xiàn)低損耗特性，則不能得到充分的陡峭性這樣的課題。先行技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特表2001-500697號公報專利文獻2 :日本特開平7-283688號公報專利文獻3 :日本國際公開第2005/060094號

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的課題而提出，其目的在于，在天線共用器中，兼顧交叉頻帶中的陡峭性和通過頻帶中的低損耗特性。本發(fā)明的天線共用器構(gòu)成為具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器，其中，第I濾波器具有壓電體、形成于壓電體之上的保護膜、以及形成于壓電體和保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含所述電極的多個共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器，梯型濾波器具有多個串聯(lián)共振器，多個串聯(lián)共振器包含反共振頻率最低的串聯(lián)共振器、以及反共振頻率最低的串聯(lián)共振器以外的其他的共振器，使反共振頻率最低的串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與其他的共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得反共振頻率最低的串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比其他的共振器的機電耦合系數(shù)小。另外，本發(fā)明的天線共用器是具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器的天線共用器。第2濾波器具有壓電體、形成于壓電體之上的保護膜、以及形成于壓電體和保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含電極的共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器。梯型濾波器具有多個并聯(lián)共振器，多個并聯(lián)共振器包含共振頻率最高的并聯(lián)共振器、以及共振頻率最高的并聯(lián)共振器以外的其他的共振器，構(gòu)成為使共振頻率最高的并聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與其他的共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得共振頻率最高的并聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比其他的共振器的機電耦合系數(shù)小。進而，本發(fā)明的天線共用器是具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比所述第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器的天線共用器。第I濾波器具有壓電體、形成于壓電體之上的保護膜、以及形成于壓電體和保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含電極的多個共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器。梯型濾波器具有多個串聯(lián)共振器，多個串聯(lián)共振器包含一個串聯(lián)共振器、以及反共振頻率比一個串聯(lián)共振器高的其他的串聯(lián)共振器，構(gòu)成為使一個串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與其他的串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得一個串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比其他的串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)小。


圖I是本發(fā)明的第I實施方式中的、天線共用器的電路示意圖。圖2是本發(fā)明的第I實施方式所涉及的、天線共用器中的第I濾波器的示意截面圖。圖3是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的、機電耦合系數(shù)的圖。圖4是表示構(gòu)成本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的、各串聯(lián)共振器的反共振頻率、靜電電容、傳播角V以及機電耦合系數(shù)的圖。圖5是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的通過特 性的圖。圖6是在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體為歐拉角(0°，-87. 5°，0° )的鈮酸鋰系的情況下的其他的共振器群的頻率特性圖。圖7是在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體為歐拉角(0°，-90°，0° )的鈮酸鋰系的情況下的其他的共振器群的頻率特性圖。圖8A是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。圖SB是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的共振的Q值(Qs)的圖。圖SC是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的反共振的Q值(Qa)的圖。 圖9A是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。圖9B是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的共振的Q值(Qs)的圖。圖9C是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使保護膜的膜厚變化時的、快速橫波的反共振的Q值(Qa)的圖。圖IOA是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=-9°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOB是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=-6°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOC是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=-3°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOD是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為￠=0°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOE是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=+3°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOF是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=+6°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IOG是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為小=+9°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlA是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V = _9。的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlB是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V =-6°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlC是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V =-3°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlD是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V = 0°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlE是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V =+3°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。
圖IlF是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V =+6°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖IlG是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，設(shè)為V =+9°的情況下的導(dǎo)納特性的圖。圖12A是在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，將壓電體設(shè)為歐拉角(7°，-87. 5° ,8.4° )的鈮酸鋰、將電極設(shè)為膜厚0.03 X的銅、將保護膜設(shè)為其上表面為平坦的膜厚0. 35 A的氧化硅的情況下的其他的共振器群的導(dǎo)納特性圖。圖12B是在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，將壓電體設(shè)為歐拉角(9°，-87. 5° ,10. 7° )的鈮酸鋰時的導(dǎo)納特性圖。圖13是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的歐拉角O，0，V)中的、小和V的優(yōu)選范圍的圖。 圖14是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，使壓電體的歐拉角(小，9，V)中的V從V = I. 193 而上下進行變化的情況下的其他的共振器群的瑞利波(Rayleigh wave)的Q值的圖。圖15是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體的歐拉角($，0 , ￥)中的V從V = -2(j5的關(guān)系而上下進行變化的情況下的、其他的共振器群的快速橫波的Q值的圖。圖16是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體的歐拉角(￠, 0，V)中的0進行變化的情況下的其他的共振器群的瑞利波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。圖17是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體的歐拉角(￠, 0，V)中的0進行變化的情況下的其他的共振器群的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。圖18是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體的歐拉角(小，0，V)中的小按照V = I. 193 的關(guān)系進行變化的情況下的、其他的共振器群的瑞利波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。圖19是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的壓電體的歐拉角(小，0，V)中的小按照V = I. 193 進行變化的情況下的、其他的共振器群的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。圖20是本發(fā)明的第2實施方式中的天線共用器的電路示意圖。圖21是本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器的示意截面圖。圖22A是在本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，將壓電體設(shè)為歐拉角(7°，-87. 5° ,8.4° )的鈮酸鋰、將電極設(shè)為膜厚0.08 X的鋁、將保護膜設(shè)為其上表面具有高度T = 0.08 X的凸部的膜厚0.35 X的氧化硅的情況下的其他的共振器群的導(dǎo)納特性圖。圖22B是在本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器中，將壓電體設(shè)為歐拉角(9°，-87. 5° ,10. 7° )的鈮酸鋰時的導(dǎo)納特性圖。圖23A是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23B是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23C是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23D是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23E是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。 圖23F是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23G是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖23H是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器的第I濾波器的制造方法的一例的圖。圖24是本發(fā)明的第3實施方式中的天線共用器的電路示意圖。
具體實施例方式(第I實施方式)以下，參照附圖來說明本發(fā)明的第I實施方式。圖I是本發(fā)明的第I實施方式中的天線共用器I的電路示意圖。本實施方式中的天線共用器I具備分別與天線端子2連接的、作為發(fā)送濾波器的第I濾波器3以及作為接收濾波器的第2濾波器4。另外，天線共用器I為了確保第I濾波器3與第2濾波器4的隔離，具有連接于第I濾波器3與第2濾波器4之間的移相器10。天線共用器I例如是頻段2用的天線共用器，第I濾波器3使1850MHz 1910MHz的第I頻帶(發(fā)送頻帶)的信號通過，第2濾波器4使比第I頻帶高的1930MHz 1990MHz的第2頻帶(接收頻帶)的信號通過。在此，詳述第I濾波器3以及第2濾波器4的電路構(gòu)成。第I濾波器3具備輸入端子5 ；以及從該輸入端子5向著天線端子2依次串聯(lián)連接的第I串聯(lián)共振器6、第2串聯(lián)共振器7、第3串聯(lián)共振器8和第4串聯(lián)共振器9。第I濾波器3還具備在第I串聯(lián)共振器6與第2串聯(lián)共振器7之間所并聯(lián)地接地連接的第I并聯(lián)共振器11、在第2串聯(lián)共振器7與第3串聯(lián)共振器8之間所并聯(lián)地接地連接的第2并聯(lián)共振器12、以及在第3串聯(lián)共振器8與第4串聯(lián)共振器9之間所并聯(lián)地接地連接的第3并聯(lián)共振器13。第2濾波器4在天線端子2與輸出端子18之間具備從天線端子2側(cè)起依次所串聯(lián)連接的第5串聯(lián)共振器14、第6串聯(lián)共振器15、第7串聯(lián)共振器16以及第8串聯(lián)共振器17。第2濾波器4還具備在第5串聯(lián)共振器14與第6串聯(lián)共振器15之間所并聯(lián)地接地連接的第4并聯(lián)共振器19、在第6串聯(lián)共振器15與第7串聯(lián)共振器16之間所并聯(lián)地接地連接的第5并聯(lián)共振器20、在第7串聯(lián)共振器16與第8串聯(lián)共振器17之間所并聯(lián)地接地連接的第6并聯(lián)共振器21、以及在第8串聯(lián)共振器17與輸出端子18之間所并聯(lián)地接地連接的第7并聯(lián)共振器22。此外，第2濾波器4可以是具備多重模式彈性波濾波器(未圖示)的構(gòu)成。 圖2是本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的、第I濾波器3的示意截面圖。第I濾波器3具有壓電體23 ;形成于壓電體23上的保護膜24 ;形成于壓電體23和保護膜24之間、使波長入的例如由SH(Shear Horizontal ;水平剪切)波組成的主要彈性波激發(fā)的IDT(Inter-Digital Transducer ;叉指換能器)即電極25。壓電體23、保護膜24以及電極25構(gòu)成了上述的各共振器。電極25是梳形的電極，例如由鋁、銅、銀、金、鈦、鎢、鑰、鉬或者鉻組成的單質(zhì)金屬、以這些金屬為主成分的合金、或者這些金屬的層疊物構(gòu)成。此外，從批量生產(chǎn)性或低損耗化的觀點出發(fā)，將由該電極25的(電極指寬度/間距)表征的金屬比(占空比)優(yōu)選設(shè)為0. 45以上且小于0.6。壓電體23是由鈮酸鋰(LiNbO3)、鉭酸鋰(LiTaO3)等構(gòu)成的壓電單晶基板。特別地，在壓電體23為鈮酸鋰(LiNbO3)系的情況下，基于后述的理由，期望第3串聯(lián)共振器8、第4串聯(lián)共振器9、第I并聯(lián)共振器11、第2并聯(lián)共振器12以及第3并聯(lián)共振器13中的壓電體 23 的歐拉角(小，0 , ￥)滿足-100° ( 0 ( -60。、1. 193 ￠-2° 彡 V 彡 I. 193 ￠+2°、￥彡-2 4-3°、-2 ￠+3° ( ￥的關(guān)系。此外，9分別是壓電體23的切割角，V是第3串聯(lián)共振器8、第4串聯(lián)共振器9、第I并聯(lián)共振器11、第2并聯(lián)共振器12以及第3并聯(lián)共振器13的主要彈性波的傳播角。此外，由于鈮酸鋰系的壓電體23是三方晶系的晶體，因此歐拉角滿足如下關(guān)系。((J) , 0 , V) = (60+ (J) , - 0 , V)= (60-<j5, - 9 ,180-￥)= (4), 180+ 0 ,180-￥)= O，0，180+V)保護膜24例如由氧化硅(SiO2)膜構(gòu)成。保護膜24具有與壓電體23相反的溫度特性。在保護膜24由氧化硅構(gòu)成的情況下，通過將其膜厚設(shè)為比給定膜厚厚，能使第I濾波器3的頻率溫度特性得以提高。此時，在由鈮酸鋰構(gòu)成的壓電體23的、第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7以外的、第3串聯(lián)共振器8、第4串聯(lián)共振器9、第I并聯(lián)共振器11、第2并聯(lián)共振器12以及第3并聯(lián)共振器13中，使其歐拉角，0，HO進行變化。具體而言，將和V設(shè)為給定角度以上，且使其一定程度地按照V = L 1934)的關(guān)系而變化。由此，能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。關(guān)于該不需要雜波的抑制作用將后述。圖3是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的機電耦合系數(shù)的圖。在圖3的例子中，壓電體23是歐拉角(6°，-87. 5°，)的鈮酸鋰，電極25是膜厚0. 12 A的鋁，將保護膜24設(shè)為電極25的電極指上方的其上表面具有凸部的由膜厚0.35 X的氧化硅構(gòu)成的膜。圖3示出了在使傳播角V進行變化的情況下的主要彈性波的機電耦合系數(shù)。機電耦合系數(shù)示出了以V =7.4°時的值而歸一化后的值。此外，該凸部的高度比0.03 X高且為電極25的高度以下，將凸部的頂部的寬度設(shè)為比電極25的電極指的寬度小。
此外，在本說明書中，保護膜24的膜厚是指，壓電體23與保護膜24相接的部分(未形成電極25的部分)中的、從壓電體23與保護膜24的邊界面起到保護膜24的上表面為止的距離。如圖3所示，若使用本實施方式中的第I濾波器3，則通過使傳播角￥變化，能對主要彈性波的機電耦合系數(shù)進行控制。此外，第I濾波器3中的主要彈性波的機電耦合系數(shù)在傳播角V =0°的情況下示出最大值9.6%。接下來，作為第I濾波器3的一例，說明將壓電體23設(shè)為歐拉角(6°，-87. 5°，7.4° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0.12 X的鋁、將保護膜24設(shè)為電極25的電極指上 方的其上表面具有凸部的膜厚0.35 X的氧化硅的情況。圖4是表示構(gòu)成本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的、各串聯(lián)共振器的反共振頻率、靜電電容、傳播角V以及機電耦合系數(shù)的圖。如圖4所示，第2串聯(lián)共振器7的反共振頻率比其他的串聯(lián)共振器即第I串聯(lián)共振器6、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的反共振頻率低。將包含該第2串聯(lián)共振器7在內(nèi)的、第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的機電耦合系數(shù)設(shè)為比其他的第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的機電耦合系數(shù)小。為此，使第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的主要彈性波的傳播角V不同于第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的主要彈性波的傳播角V。此外，在本實施方式中，說明了使壓電體23的歐拉角中的、第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的傳播角V相對于其他的第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的傳播角V發(fā)生了變化的第I濾波器3，但本發(fā)明不限于此。例如，可以將多個串聯(lián)共振器中的反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7的機電耦合系數(shù)設(shè)為比作為其他的共振器的第I串聯(lián)共振器6、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的機電耦合系數(shù)小。在此情況下，使反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7的主要彈性波的傳播角V、與作為其他的共振器的第I串聯(lián)共振器6、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的主要彈性波的傳播角V不同即可。圖5是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的通過特性的圖。圖5中，使本實施方式的第I濾波器3的通過特性、與使第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的傳播角V相對于第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的傳播角￥不變化的濾波器的通過特性進行對比來顯示。如圖5所示，通過將第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的傳播角設(shè)為比第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的傳播角大，能使在第I濾波器3的通過頻帶的高頻側(cè)(虛線包圍的部分)的斜率特性陡峭。如上所述，本實施方式中的天線共用器I的第I濾波器3是具有按照在壓電體23之上覆蓋電極25的方式而形成的保護膜24的構(gòu)成。通過設(shè)為這樣的構(gòu)成，通過使各串聯(lián)共振器中的主要彈性波的傳播角V(傳播方向)變化，能寬范圍地控制各串聯(lián)共振器的主要彈性波的機電耦合系數(shù)。進而，在第I濾波器3中，通過將對陡峭性影響較大的、反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7的機電耦合系數(shù)設(shè)為比其他的共振器小，能使交叉頻帶中的陡峭性得以提高。另外，通過將對陡峭性影響小的、反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7以外的串聯(lián)共振器(記為其他的串聯(lián)共振器)，即，本實施方式中為反共振頻率較高的第3串聯(lián)共振器8的機電耦合系數(shù)確保得較大，能拓寬通過頻帶寬度，能在寬的發(fā)送通過頻帶中抑制損失。即，根據(jù)本實施方式的天線共用器1，能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和發(fā)送通過頻帶中的低損失化。此外，如圖4所示，優(yōu)選在第I濾波器3中所含的多個串聯(lián)共振器中，將反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7的靜電電容設(shè)為最大。這是為了，由于在對靜電電容大的共振器進行串聯(lián)連接的情況下 的通過損耗小，因此在使傳播角變化時，不帶來濾波器的通過頻帶的高頻側(cè)的損耗劣化地得到陡峭的斜率特性。此外，關(guān)于使傳播角變化的串聯(lián)共振器(在本實施方式中，第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7)中的壓電體23的歐拉角中的傳播角V，可以不必滿足上述的特定范圍(￥<-20-3°，-20+3° < V的關(guān)系)。這是由于，使傳播角變化的串聯(lián)共振器的反共振頻率低，因此，不需要雜波對通過特性造成的影響度低。即，在第I濾波器3中，將不使傳播角變化的其他的串聯(lián)共振器，本實施方式中為第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9中的壓電體23的歐拉角V設(shè)定為上述的特定范圍即可。由此，即使將使傳播角變化的串聯(lián)共振器，例如第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7中的壓電體23的歐拉角V設(shè)為上述的特定范圍外，也不僅能抑制不需要雜波，還能使交叉頻帶中的陡峭性得以提高。此外，針對多個串聯(lián)共振器中的、反共振頻率最低的第2串聯(lián)共振器7以外的任意的串聯(lián)共振器(一個串聯(lián)共振器)、以及反共振頻率比一個串聯(lián)共振器高的其他的串聯(lián)共振器，可以使機電耦合系數(shù)不同。例如，在圖4的例子中，使第I串聯(lián)共振器6的機電耦合系數(shù)、與反共振頻率比第I串聯(lián)共振器6高的第3串聯(lián)共振器8的機電耦合系數(shù)不同。即，使第I串聯(lián)共振器6的主要彈性波的傳播角V與第3串聯(lián)共振器8的主要彈性波的傳播角V不同，使得第I串聯(lián)共振器6的機電耦合系數(shù)比第3串聯(lián)共振器8的機電耦合系數(shù)小。由此，能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和發(fā)送通過頻帶中的低損失化。根據(jù)本實施方式中的第I濾波器3，在將使傳播角變化的串聯(lián)共振器設(shè)為第I串聯(lián)共振器6以及第2串聯(lián)共振器7的情況下，通過將作為這些串聯(lián)共振器以外的共振器的、第3串聯(lián)共振器8、第4串聯(lián)共振器9、第I并聯(lián)共振器11、第2并聯(lián)共振器12以及第3并聯(lián)共振器13 (以下記為其他的共振器群38)中的壓電體23的歐拉角設(shè)為特定范圍，能抑制不需要雜波。針對該作用進行說明。圖6是在本發(fā)明的第I實施方式中的天線共用器I所涉及的第I濾波器3的壓電體23是歐拉角(0°，-87. 5°，0° )的鈮酸鋰系的情況下的其他的共振器群38的頻率特性圖，圖7是在為歐拉角(0°，-90°，0° )的鈮酸鋰系的情況下的其他的共振器群38的頻率特性圖。此外，圖6以及圖7中，縱軸示出了針對匹配值的歸一化導(dǎo)納，橫軸示出了針對在其他的共振器群38中產(chǎn)生的、慢速的橫波(音速4024m/s)的一半的頻率的歸一化頻率。這在其他的特性圖中也相同。此外，在圖6所示的例子中，第I濾波器3的電極25是膜厚0. 03 A的銅，保護膜24是上表面平坦且膜厚0. 35 X的氧化硅。另外，在圖7所示的例子中，第I濾波器的電極25是膜厚0. 08 A的鋁，保護膜24是在電極25的電極指上方的上表面具有凸部的膜厚0.35 X的氧化硅。此外，該凸部的高度高于0.03 X且為電極25的高度以下，將凸部的頂部的寬度設(shè)為比電極25的電極指的寬度小。如圖6以及圖7所示，若為了提高其他的共振器群38的溫度特性而將由氧化硅構(gòu)成的保護膜24的膜厚例如設(shè)為0. 35 X，則在共振頻率的約I. 2倍附近中，產(chǎn)生不需要雜波26、27。且認為在其他的共振器群38中產(chǎn)生的快速橫波是產(chǎn)生該不需要雜波的原因。此夕卜，將在其他的共振器群38中產(chǎn)生的橫波中音速最快的橫波記為快速橫波，且將在其他的共振器群38中產(chǎn)生的橫波中音速最慢的橫波記為慢速的橫波。接下來，說明在第I濾波器3中將壓電體23設(shè)為歐拉角(0°，-87.5°，0° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0. 03 A的銅、將保護膜24設(shè)為其上表面為平坦的氧化硅，并使其膜厚變化時的特性變化。圖8A是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中，使保護膜24的膜厚變化時的、快速橫波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖，圖SB是表示快速橫波的共振的Q值(Qs)的圖，圖8C是表示快速橫波的反共振的Q值(Qa)的圖。如圖8B所示，若將保護膜24的膜厚設(shè)為比0. 27 A (表示波長入的27%。下同)厚，則快速橫波的共振的Q值變大。另外，如圖8C所示，若將保護膜24的膜厚設(shè)為比0. 34 A厚，則快速橫波的反共振的Q值也變大。接下來，說明在第I濾波器3中將壓電體23設(shè)為歐拉角(0°，-90°，0° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0. 08 A的鋁，將保護膜24設(shè)為電極25的電極指上方的其上表面具有上述的凸部的氧化硅，并使其膜厚變化時的特性變化。圖9A是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中，在使保護膜24的膜厚變化時的、快速橫波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖，圖9B是表示快速橫波的共振的Q值(Qs)的圖，圖9C是表示快速橫波的反共振的Q值(Qa)的圖。如圖9B所示，若將保護膜24的膜厚設(shè)為比0. 2入厚，則快速橫波的共振的Q值變大。另外，如圖9C所示，若將保護膜24的膜厚設(shè)為比0.27X厚，則快速橫波的反共振的Q值也變大?，F(xiàn)有技術(shù)中，存在產(chǎn)生基于該快速橫波的不需要雜波從而使應(yīng)用了共振器的濾波器、或者天線共用器的特性質(zhì)量劣化的課題。在此，說明為了抑制基于該快速橫波的不需要雜波而使壓電體23的歐拉角(小，0，F(xiàn))中的小與V變化的例子。圖IOA 圖IOG是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中使0進行變化的情況下的導(dǎo)納特性的圖，圖IlA 圖IlG是表示在使V進行變化的情況下的導(dǎo)納特性的圖。此外，在圖IOA 圖IOG以及圖IlA 圖IlG中，le+°2以上、以及l(fā)e_°2以下的情況下的導(dǎo)納特性未圖示。圖IOA 圖IOG以及圖IlA 圖IlG是在壓電體23為歐拉角(0°，-90°，0° )的鈮酸鋰、電極25為膜厚0. 08 A的鋁、保護膜24由電極25的電極指上方的其上表面具有上述的凸部的膜厚0. 35 A的氧化硅構(gòu)成的情況下的特性圖。在圖IOA 圖IOG以及圖IlA 圖IlG各自的上部，示出了壓電體23的歐拉角(小，0，V)。例如，如圖IOA 圖10G、以及圖IlA 圖IlG所示，無論是在使小變化的情 況下，還是在使V變化的情況下，均能抑制不需要雜波。然而，在這些情況下，反而在從共振頻率起稍低的頻帶，會產(chǎn)生不同的不需要雜波。認為該不需要雜波是基于瑞利波的不需要雜波。為此，在第I濾波器3中的保護膜24的膜厚比0. 27 A大的情況下，進行了不僅抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生還抑制基于快速橫波的不需要雜波的探討。具體而言，將天線共用器I中的第I濾波器3設(shè)為具備如下的構(gòu)成歐拉角(小，0，V)的鈮酸鋰系的壓電體23 ;設(shè)于壓電體23之上且使波長入的主要彈性波進行激發(fā)的電極25 ;以及按照覆蓋電極25的方式設(shè)于壓電體23之上且比0. 27入厚的保護膜24。在此基礎(chǔ)上，使壓電體23的歐拉角按照滿足-100° ( 9 ^ -60°、I. 193 ￠-2° 彡 V 彡 I. 193 ￠+2°、V 彡-2 ￠-3°、-2 ￠+3° 彡 ￥ 的方式構(gòu)成。如此,將壓電體23的歐拉角(￠, 0 , ￥)中的和V設(shè)為給定角度以上，且使其在一定程度上按照V = L 193 的關(guān)系變化。由此，能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。
此外，如圖8A所示，優(yōu)選將保護膜24的膜厚的上限設(shè)為0. 5 A以使快速橫波的機電耦合系數(shù)成為給定等級以下。圖12A是在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中，將壓電體23設(shè)為歐拉角(7°，-87. 5° ,8.4° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0. 03入的銅、將保護膜24設(shè)為其上表面為平坦的膜厚0. 35 A的氧化硅的情況下的其他的共振器群38的特性圖，圖12B是將壓電體23設(shè)為歐拉角(9°，-87. 5° ,10. 7° )的鈮酸鋰時的特性圖。如圖12A以及圖12B所示，根據(jù)這樣構(gòu)成的第I濾波器3中的其他的共振器群38，能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。圖13是表示本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3的歐拉角(小，0 , ￥)中的4)和V的優(yōu)選范圍的圖。圖13中，以斜線示出了由鈮酸鋰系構(gòu)成的壓電體23的歐拉角(，0，V)中的小和V的優(yōu)選范圍。該例中，不僅設(shè)-100° ( 0 ^-60°，將保護膜24的膜厚設(shè)定為比0.27入厚，而且將電極25設(shè)為歸一化膜厚0. 03 A的銅。圖13所示的V = L 193 的直線是表示在基于瑞利波的不需要雜波被最大抑制的情況下的$與V的關(guān)系的線。通過以該線為中心，將V的范圍設(shè)為±2度以內(nèi)，SPI. 193 4-2° < V < I. 193 4+2°的范圍，能抑制基于瑞利波的不需要雜波。圖14是表示在本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3中，使壓電體23的歐拉角(小，0，V)中的V根據(jù)V = I. 193 而上下變化的情況下的其他的共振器群38的瑞利波的Q值的圖。此外，縱軸表示瑞利波的Q值(Qs)，橫軸表示根據(jù)￥的V = I. 193 的關(guān)系的變化量A V。如圖14所示，在壓電體23的歐拉角(小，0，￥)中的V為從V = I. 193 0起±2度的范圍中，能將其他的共振器群38的瑞利波的Q值抑制為給定等級以下。回到圖13，滿足V = -20的關(guān)系的直線，是表示在基于快速橫波的不需要雜波最大產(chǎn)生的情況下的$與V的關(guān)系的線。通過以該線為中心，將V設(shè)為±3度以上的范圍，S卩，￥ <-24-3°，-24+3° ( V的范圍，將抑制基于快速橫波的不需要雜波。圖15是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(小，0，￥)中的V根據(jù)V = -2(j5的關(guān)系而上下變化的情況下的、其他的共振器群38的快速橫波的Q值的圖。圖15中，示出了使壓電體23的歐拉角(小，0，F(xiàn))中的 v 根據(jù) v = -2(t 而上下變化、且設(shè) ￠=0°，0. 5°，1° ,1. 5°，2° ,2. 5°時的快速橫波的Q值。如圖15所示，在壓電體23的歐拉角(<K 0，V)中的V為從V =-2<j5+3°起±3度以上的范圍中，其他的共振器群38的快速橫波的Q值被抑制為給定等級以下。圖16是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(￠, 9 , ￥)中的0變化的情況下的其他的共振器群38的瑞利波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。如圖16所示，為了將瑞利波的機電耦合系數(shù)抑制為0.01以下，需要使壓電體23的歐拉角(<K 0，￥)中的0滿足-100° ( 9彡-60°的關(guān)系。圖17是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角($，0，￥)中的0變化的情況下的其他的共振器群38的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。此外，歸一化耦合系數(shù)是以0 =-90°時的機電耦合系數(shù)的值來對機電耦合系數(shù)的值進行歸一化而得到的值。如圖17所示，在壓電體23的歐拉角((K 0，V)中的0為包含上述的-100° ( 0彡-60°的范圍的-110° ( 9彡-60°的范圍中，SH波的機電耦合系數(shù)(k2)成為給定值以上的值。圖18是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I中的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(<K 9 , ￥)中的小按照V=I. 193 的關(guān)系而變化的情況下的、其他的共振器群38的瑞利波的機電耦合系數(shù)(k2)的圖。如圖18所示，在$ ( 20°的范圍中，能將瑞利波的機電耦合系數(shù)抑制為比上述的0.01更低的、約0. 002以下。關(guān)于，在使壓電體23的歐拉角沿負方向旋轉(zhuǎn)的情況下也能得到同樣的結(jié)果。即，在上述的條件中，優(yōu)選使第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(小，0，V)中的小滿足I小I ( 20°的關(guān)系。由此，能進一步抑制瑞利波的機電耦合系數(shù)。圖19是表示在使本發(fā)明的第I實施方式所涉及的天線共用器I的第I濾波器3的壓電體23的歐拉角(￠, 0，nr)中的小按照V=I. 193 而變化的情況下的、其他的共振器群38的SH波的歸一化耦合系數(shù)的圖。圖19中，關(guān)于是使壓電體23的歐拉角沿正方向旋轉(zhuǎn)的情況，但關(guān)于0，在使壓電體23的歐拉角沿負方向旋轉(zhuǎn)的情況下也能得到同樣的結(jié)果。如圖19所示，從作為主要彈性波的SH波的觀點出發(fā)，通過使壓電體23的歐拉角(小，0，F(xiàn))中的小滿足I小I ( 20°的關(guān)系，能得到給定值以上的SH波的機電耦合系數(shù)。此外，在本實施方式中，針對使用具有上述的給定范圍的歐拉角的鈮酸鋰作為壓電體23的情況進行了說明，但本發(fā)明的天線共用器不局限于該例。例如，還能使用具有上述規(guī)定范圍外的歐拉角的鈮酸鋰或鉭酸鋰。另外，關(guān)于上述的主要彈性波，能應(yīng)用在壓電體23的表面進行傳播的彈性表面波以及彈性邊界波的兩者。例如，在將保護膜24的膜厚設(shè)為\以上時，主要彈性波成為彈性邊界波。 此外，在本實施方式中，使用將第2串聯(lián)共振器7的反共振頻率設(shè)為比第I串聯(lián)共振器6、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的反共振頻率低的例子來進行了說明。然而，本發(fā)明不局限于該例。例如，可以將配置在離輸入端子5最近的第I串聯(lián)共振器6的反共振頻率設(shè)為比第2串聯(lián)共振器7、第3串聯(lián)共振器8以及第4串聯(lián)共振器9的反共振頻率低。根據(jù)該構(gòu)成，能最大限度地拓寬離輸入端子5側(cè)最近的第I串聯(lián)共振器6的電極指的寬度，因此能提高耐功率性優(yōu)良的天線共用器I。(第2實施方式)接下來，說明本發(fā)明的第2實施方式。圖20是本發(fā)明的第2實施方式中的天線共用器51的電路示意圖。圖21是本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器51中的第I濾波器53的示意截面圖。本實施方式中的天線共用器51與圖I所示的天線共用器I同樣，具備第I濾波器53以及第2濾波器4。此外，只要不特別說明，設(shè)第I濾波器53的構(gòu)成與第I實施方式的第I濾波器3同樣。 本實施方式中的第I濾波器53具備具有歐拉角(￠, 0，HO的鈮酸鋰系的壓電體23、設(shè)于壓電體23之上且使波長\的主要彈性波進行激發(fā)的電極25、以及按照覆蓋該電極25的方式設(shè)于壓電體23之上且膜厚比0. 2 A厚的保護膜24。保護膜24是，在與電極25的電極指的延伸方向正交的方向的截面上，在電極25的電極指的上方具有凸部28的構(gòu)成。該凸部28的頂部29的寬度比電極25的電極指的寬度小。壓電體23的歐拉角滿足-100°彡0彡-60°、1.193小-2°彡V彡1.193小+2°、￥ < -2 4>-3°、-2 4>+3° < ￥ 的關(guān)系。如圖21所示的構(gòu)成，在保護膜24具有凸部28的情況下，基于快速橫波的不需要雜波尤其成問題。為此，為了提高第I濾波器53的頻率溫度特性，例如假設(shè)由氧化硅組成的保護膜24的膜厚比0. 2 A厚的情況。若在該情況下，也將壓電體23的歐拉角((^，0，￥)中的和V設(shè)為給定角度以上,且在一定程度上依照V = I. 193 4)而變化,則能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。圖22A是在本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波器53中，將壓電體23設(shè)為歐拉角(7°，-87.5° ,8.4° )的鈮酸鋰、將電極25設(shè)為膜厚0. 08入的鋁、將保護膜24設(shè)為其上表面具有高度T = 0. 08 X的凸部28的膜厚0. 35 A的氧化硅的情況下的其他的共振器群38的特性圖，圖22B是將壓電體23設(shè)為歐拉角(9°，-87. 5°，10.7° )的鈮酸鋰時的特性圖。如圖22A以及圖22B所示，根據(jù)本實施方式的第I濾波器53，能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近的不需要雜波。此外，保護膜24的凸部28從其凸部28的頂部29起到最下部30為止優(yōu)選具有呈向下凸的曲線的形狀。在此情況下，將以該向下凸的曲線或其延長線、與平行于包含頂部29在內(nèi)的壓電體23的上表面的直線相交的點之間的距離所定義的、頂部29的寬度L設(shè)為比電極25的電極指的寬度小。由此，凸部28中的保護膜24的質(zhì)量附加連續(xù)且緩慢地變化。其結(jié)果是，既能抑制產(chǎn)生因保護膜24的形狀而引起的不需要的反射，又能提高第I濾波器53的電氣特性。此外，優(yōu)選將凸部28的頂部29的寬度進一步設(shè)為電極25的電極指寬度的1/2以下。另外，優(yōu)選使頂部29的中心位置與電極指的中心位置的上方實質(zhì)上一致。由此，電極指上的反射率根據(jù)質(zhì)量附加效應(yīng)而進一步提高，從而能使第I濾波器53的電氣特性得以提聞。
進而，優(yōu)選在將凸部28的高度設(shè)為T、且將電極25的膜厚設(shè)為h時，滿足0. 03入<T^h的關(guān)系。這是由于，討論從保護膜24的凸部28的最下部30起到頂部29為止的高度T與電氣特性的關(guān)系,若將T設(shè)為大于0. 03 A ,則相對于將保護膜24的表面設(shè)為平坦時，能顯見反射率有大的提高。另一方面，若將高度T設(shè)為比電極25的膜厚h高，則在制造時(后述)，需要進一步追加用于制作保護膜24的新的工序，故制造方法繁瑣，因此優(yōu)選將高度T設(shè)為膜厚h以下。在此，說明在本發(fā)明的第2實施方式中的第I濾波器53的制造方法。圖23A 圖23H是表示本發(fā)明的第2實施方式所涉及的天線共用器中的第I濾波 器53的制造方法的一例的圖。首先，如圖23A所示，在壓電體31的上表面，通過對Al或者Al合金進行蒸鍍或者濺鍍等方法，來使至少成為電極以及反射器的任一個的電極膜32成膜。然后，如圖23B所示，在電極膜32的上表面形成光刻膠膜33。進而，如圖23C所示，使用曝光/顯影技術(shù)等來對光刻膠膜33進行加工以使其成為期望的形狀。然后，如圖23D所示，在使用干蝕刻技術(shù)等將電極膜32加工為IDT電極或反射器等的期望的形狀后，去除光刻膠膜33。接下來，如圖23E所示，通過按照覆蓋電極膜32的方式來對氧化硅進行蒸鍍或者濺鍍等的方法，來形成保護膜34。此時，作為在保護膜34得到上述的凸部28的方法，能使用在對壓電體31側(cè)施加偏壓的同時通過濺射來進行成膜的所謂的偏壓濺射法。通過對氧化硅的靶材進行濺射來在壓電體31上沉積保護膜34的同時，通過施加偏壓，來對壓電體31上的保護膜34的一部分進行濺射。也就是，通過在使保護膜34沉積的同時去掉一部分，能控制保護膜34的形狀。作為控制保護膜34的形狀的手段，可以在使保護膜34沉積的中途使施加到壓電體31的偏壓與濺射功率的比率變化，或者在成膜的初期不對壓電體31施加偏壓地成膜，而從中途起與成膜同時地施加偏壓。此時，還對壓電體31的溫度進行管理。接下來，如圖23F所示，在保護膜34的表面形成光刻膠膜35。然后，如圖23G所示，使用曝光/顯影技術(shù)等來將光刻膠膜35加工成期望的形狀。接下來，如圖23H所示，使用干蝕刻技術(shù)等來清除用于取出電信號的襯墊36的部分等的不需要保護膜34部分的保護膜34，其后去除光刻膠膜35。然后，通過切割來進行分割，能得到具有第I濾波器53的天線共用器51。如上所述，通過使用偏壓濺射法，在適當(dāng)?shù)某赡l件下對保護膜34進行成膜，能得到期望的形狀。本實施方式中的第I濾波器53的其他的共振器群的特性與圖13至圖19所示的第I實施方式中的第I濾波器3的其他的共振器群38的特性同樣。例如，假設(shè)為了提高第I濾波器53的頻率溫度特性而將例如由氧化硅構(gòu)成的保護膜34的膜厚設(shè)為比0. 2入厚的情況。在此情況下，若將壓電體31的歐拉角(￠, 0，V)中的小和V設(shè)為給定角度以上、且一定程度地按照V=L 193(^變化，則能在抑制基于瑞利波的不需要雜波的產(chǎn)生的同時，抑制在產(chǎn)生快速橫波的頻帶附近中的不需要雜波。(第3實施方式)
接下來，說明本發(fā)明的第3實施方式。圖24是本發(fā)明的第3實施方式中的天線共用器61的電路示意圖。在本實施方式中，關(guān)于天線共用器61的第2濾波器54，應(yīng)用在第I實施方式以及第2實施方式中說明的第I濾波器3、53的構(gòu)成。具體而言，將第2濾波器54中的第4并聯(lián)共振器19的共振頻率設(shè)為比其他的并聯(lián)共振器，具體而言，第5并聯(lián)共振器20、第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的共振頻率高。而且，將第4并聯(lián)共振器19的機電耦合系數(shù)設(shè)為比第5并聯(lián)共振器20、第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的機電耦合系數(shù)小。故而，使第4并聯(lián)共振器19的主要彈性波的傳播角V相對于第5并聯(lián)共振器20、第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的主要彈性波的傳播角V而不同。
此外，關(guān)于本發(fā)明的第3實施方式中的天線共用器61的第2濾波器54的壓電體23、保護膜24、電極25等的構(gòu)成，只要不作特別的說明，就與第I實施方式以及第2實施方式中的天線共用器1、51的第I濾波器3、53的構(gòu)成同樣。此外,在本實施方式中，關(guān)于第2濾波器54的第4并聯(lián)共振器19,作為使壓電體23的歐拉角中的傳播角￥變化來進行說明，但本發(fā)明不局限于該例?？梢圆粌H使第4并聯(lián)共振器19，還使其他的各并聯(lián)共振器的傳播角變化。例如，可以將并聯(lián)共振器中的、共振頻率最高的第4并聯(lián)共振器19、以及第5并聯(lián)共振器20的機電耦合系數(shù)設(shè)為比其他的并聯(lián)共振器也就是第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的機電耦合系數(shù)小。在此情況下，將第4并聯(lián)共振器19以及第5并聯(lián)共振器20的主要彈性波的傳播角V設(shè)為與作為其他的共振器的第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的主要彈性波的傳播角V不同的構(gòu)成即可。根據(jù)本實施方式的天線共用器61所涉及的接收濾波器54，通過將第4并聯(lián)共振器19的傳播角V設(shè)為比作為其他的并聯(lián)共振器的第5并聯(lián)共振器20、第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的傳播角V大，能使第2濾波器54的通過頻帶的高頻側(cè)的斜率特性陡峭。另外，如上所述，天線共用器61的第2濾波器54也與第I實施方式中的說明同樣，是具有按照在壓電體23之上覆蓋電極25的方式所形成的保護膜24的構(gòu)成。由此，通過使共振器中的主要彈性波的傳播角V (傳播方向)變化，能將共振器的主要彈性波的機電耦合系數(shù)控制得較大。根據(jù)本實施方式所涉及的天線共用器61中的第2濾波器54，通過將對陡峭性影響大的、共振頻率最高的第4并聯(lián)共振器19的機電耦合系數(shù)設(shè)為比其他的并聯(lián)共振器小，能使交叉頻帶中的陡峭性得以提高。另外，通過將對陡峭性的影響小的、共振頻率較高的其他的并聯(lián)共振器，即第5并聯(lián)共振器20、第6并聯(lián)共振器21以及第7并聯(lián)共振器22的機電耦合系數(shù)設(shè)為比第4并聯(lián)共振器19的機電耦合系數(shù)大，能使通過頻帶寬度變寬，從而能抑制寬的發(fā)送通過頻帶中的損失。即，根據(jù)本實施方式的天線共用器61，能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和接收通過頻帶中的低損失化。進而，也可以構(gòu)成為在多個并聯(lián)共振器中的共振頻率最高的第4并聯(lián)共振器19以外的并聯(lián)共振器之間，例如在第5并聯(lián)共振器20、與共振頻率比第5并聯(lián)共振器20低的并聯(lián)共振器例如第6并聯(lián)共振器21之間來比較機電耦合系數(shù)，并使第5并聯(lián)共振器20的機電耦合系數(shù)比第6并聯(lián)共振器21的機電耦合系數(shù)小。也就是，可以使第5并聯(lián)共振器20的主要彈性波的傳播角Ψ與第6并聯(lián)共振器21的主要彈性波的傳播角Ψ不同。由此，能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和接收通過頻帶中的低損失化。此外，通過將本實施方式的天線共用器61中的發(fā)送濾波器的構(gòu)成設(shè)為與在第I實施方式以及第2實施方式中說明的發(fā)送濾波器3、53同樣的構(gòu)成，能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和發(fā)送接收通過頻帶中的低損失化。然而，本實施方式的天線共用器61不局限于此例，還能使用各種公知的梯型濾波器來作為發(fā)送濾波器。工業(yè)實用性如上所述，本發(fā)明的天線共用器具有能兼顧交叉頻帶中的陡峭性和通過頻帶中的低損失化的效果，能應(yīng)用于便攜式電話等電子設(shè)備。標號說明1，51，61天線共用器2天線端子3，53第I濾波器4，54第2濾波器5輸入端子
6第I串聯(lián)共振器7第2串聯(lián)共振器8第3串聯(lián)共振器9第4串聯(lián)共振器10移相器11第I并聯(lián)共振器12第2并聯(lián)共振器13第3并聯(lián)共振器14第5串聯(lián)共振器15第6串聯(lián)共振器16第7串聯(lián)共振器17第8串聯(lián)共振器18輸出端子19第4并聯(lián)共振器20第5并聯(lián)共振器21第6并聯(lián)共振器22第7并聯(lián)共振器23，31 壓電體24，34 保護膜25 電極28 凸部29 頂部
30最下部32電極膜33，35光刻膠膜
36 襯墊38其他的共振器群
權(quán)利要求
1.一種天線共用器，具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比所述第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器，其中， 所述第I濾波器具有壓電體、形成于所述壓電體之上的保護膜、以及形成于所述壓電體和所述保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含所述電極的多個共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器， 所述梯型濾波器具有多個串聯(lián)共振器， 所述多個串聯(lián)共振器包含反共振頻率最低的串聯(lián)共振器、以及所述反共振頻率最低的串聯(lián)共振器以外的其他的共振器， 使所述反共振頻率最低的串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與所述其他的共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得所述反共振頻率最低的串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比所述其他的共振器的機電耦合系數(shù)小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線共用器，其中， 所述第I濾波器中所含的所述多個串聯(lián)共振器中的、所述反共振頻率最低的串聯(lián)共振器的靜電電容比所述其他的共振器的靜電電容大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線共用器，其中， 所述第I濾波器是發(fā)送濾波器， 所述反共振頻率最低的串聯(lián)共振器是所述第I濾波器的所述多個串聯(lián)共振器中的、配置在離所述第I濾波器的輸入端子最近的串聯(lián)共振器。
4.一種天線共用器，具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比所述第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器，其中， 所述第2濾波器具有壓電體、形成于所述壓電體之上的保護膜、以及形成于所述壓電體和所述保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含所述電極的共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器， 所述梯型濾波器具有多個并聯(lián)共振器， 所述多個并聯(lián)共振器包含共振頻率最高的并聯(lián)共振器、以及所述共振頻率最高的并聯(lián)共振器以外的其他的共振器， 使所述共振頻率最高的并聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與所述其他的共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得所述共振頻率最高的并聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比所述其他的共振器的機電耦合系數(shù)小。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或4所述的天線共用器，其中， 所述保護膜由氧化硅膜構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或4所述的天線共用器，其中， 所述壓電體是具有歐拉角(￠, 0，HO的鈮酸鋰系， 所述保護膜的膜厚比0.27入厚，入是主要彈性波的波長， 所述其他的共振器中的所述歐拉角滿足 -100。( 0 ( -60。、I.193<j5-2° ≤ V ≤ I. 193<j5+2°、 ￥≤-2 ￠-3°以及-2 ￠+3° ( ￥中的任一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或4所述的天線共用器，其中，所述壓電體是具有歐拉角(￠, 0，HO的鈮酸鋰系， 所述保護膜的膜厚比0.2X厚，\是主要彈性波的波長，在與所述電極的電極指的延伸方向正交的方向的截面上，在所述電極的電極指的上方具有凸部， 所述凸部的頂部的寬度比所述電極的電極指的寬度小， 所述其他的共振器中的所述歐拉角滿足 -100?！?0 ≤-60。、I.193<j5-2° ≤ V ≤I. 193<j5+2°、 ￥≤-2 ￠-3°以及-2 ￠+3° ( ￥中的任一者。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線共用器，其中， 所述其他的共振器中的所述歐拉角滿足-20° < <20°的關(guān)系。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線共用器，其中， 所述其他的共振器中的所述歐拉角滿足-20° < <20°的關(guān)系。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線共用器，其中， 所述保護膜在所述截面上從所述凸部的頂部起到最下部為止具有向下凸的曲線形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線共用器，其中， 所述凸部的頂部的寬度為所述電極的電極指寬度的1/2以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線共用器，其中， 所述凸部的頂部的中心位置與所述電極指的中心位置的上方實質(zhì)上一致。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線共用器，其中， 在將所述凸部的高度設(shè)為T、且所述電極的膜厚設(shè)為h時，滿足0. 03 X <T^h的關(guān)系。
14.一種天線共用器，具有使第I頻帶的信號通過的第I濾波器、以及使比所述第I頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器，其中， 所述第I濾波器具有壓電體、形成于所述壓電體之上的保護膜、以及形成于所述壓電體和所述保護膜之間且使主要彈性波激發(fā)的電極，并具備使包含所述電極的多個共振器串聯(lián)以及并聯(lián)連接而形成的梯型濾波器， 所述梯型濾波器具有多個串聯(lián)共振器， 所述多個串聯(lián)共振器包含一個串聯(lián)共振器、以及反共振頻率比所述一個串聯(lián)共振器高的其他的串聯(lián)共振器， 使所述一個串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角與所述其他的串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得所述一個串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)比所述其他的串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)小。
全文摘要
提供一種天線共用器，是具有使第1頻帶的信號通過的第1濾波器(3)、以及使比第1頻帶高的第2頻帶的信號通過的第2濾波器(4)的天線共用器(1)，第1濾波器(3)包含反共振頻率最低的串聯(lián)共振器(7)、以及其他的串聯(lián)共振器。且使反共振頻率最低的串聯(lián)共振器(7)的主要彈性波的傳播角與其他的串聯(lián)共振器的主要彈性波的傳播角不同，以使得反共振頻率最低的串聯(lián)共振器(7)的機電耦合系數(shù)比其他的串聯(lián)共振器的機電耦合系數(shù)小。
文檔編號H03H9/64GK102652395SQ20118000484
公開日2012年8月29日 申請日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月22日
發(fā)明者中村弘幸, 藤原城二, 鶴成哲也 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社