專利名稱：彈性波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及彈性表面波(SAW Surface Acoustic Wave)裝置或壓電薄膜共振器(FBAR Film Bulk Acoustic Resonator)等彈性波裝置。
背景技術(shù)：
已知具有壓電基板、設(shè)于壓電基板的彈性波元件、密封彈性波元件的蓋體的彈性波裝置。在狹義的SAW裝置中，在壓電基板與蓋體之間為了使彈性波元件的振動(dòng)容易化而形成有收容彈性波元件的振動(dòng)空間。專利文獻(xiàn)I公開(kāi)了形成有兩個(gè)振動(dòng)空間的弾性波裝置。在壓電基板上還設(shè)有與弾性波元件連接的多個(gè)配線。多個(gè)配線中存在形成得比彈性波元件的厚度厚的部分。當(dāng)在這樣厚度比較厚的部分上層疊蓋體時(shí)，有可能容易產(chǎn)生基板與蓋體的間隙或發(fā)生蓋體從基板的剝落。因而，即便在配線上設(shè)有厚度厚的部分的情況下，也優(yōu)選提供能夠抑制蓋體從基板剝落或蓋體與基板產(chǎn)生間隙的可靠性高的弾性波裝置。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :國(guó)際公開(kāi)第2006/106831號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
作為本發(fā)明的ー實(shí)施方式的弾性波裝置具有基板；位于所述基板的主面的弾性波元件；位于所述主面且與所述彈性波元件連接的第一配線；位于所述第一配線上的絕緣體；位于所述絕緣體上，且至少具有一個(gè)經(jīng)由所述絕緣體而與所述第一配線立體交叉的立體配線部的第二配線；在與所述主面之間將所述彈性波元件及所述立體配線部密封的蓋體，在所述主面與所述蓋體之間配置有收容所述立體配線部的配線空間。根據(jù)由所述的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的弾性波裝置，即便在設(shè)有厚度比弾性波元件更厚的立體配線部的情況下，由于在壓電基板的主面與蓋體之間形成有收容立體配線部的配線空間，因此，蓋體不會(huì)層疊在厚度較厚的立體配線部上，從而能夠抑制蓋體從基板剝落或者基板與蓋體之間產(chǎn)生間隙。


圖I是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的外觀立體圖。圖2是將一部分切斷所示的圖I的SAW裝置的概略立體圖。 圖3是表示圖I的SAW裝置中的配線結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。圖4是圖3的IV-IV線的剖視圖。圖5(a)至圖5(d)是說(shuō)明圖I的SAW裝置的制造方法的、相當(dāng)于圖4的剖視圖。圖6(a)至圖6(c)是表示圖5(d)的后續(xù)的剖視圖。
圖7(a)至圖7(c)是表示圖6(c)的后續(xù)的剖視圖。圖8是第二實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的示意性俯視圖。圖9是第三實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的示意性俯視圖。圖10是第四實(shí)施方式所涉及的SAW裝置的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的弾性表面波裝置(SAW裝置)進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在以下的說(shuō)明中所采用的圖為示意性的圖，附圖中的尺寸比例等未必與現(xiàn)實(shí)的結(jié)構(gòu)一致。
另外，在第二實(shí)施方式以后，對(duì)于與已經(jīng)說(shuō)明的實(shí)施方式相同或類似的結(jié)構(gòu)，標(biāo)以與已經(jīng)說(shuō)明的實(shí)施方式相同的標(biāo)號(hào)，而省略說(shuō)明。對(duì)于標(biāo)號(hào)相同或類似的結(jié)構(gòu)，如“第一端子7A 第六端子7F”等那樣，標(biāo)以大寫字母的附加標(biāo)號(hào)。另外，在這種情況下，也存在僅僅稱為“端子7”等這樣省略名稱頭的編號(hào)及所述的附加標(biāo)號(hào)的情況。<第一實(shí)施方式>(SAW裝置的結(jié)構(gòu))圖I是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的SAW裝置I的外觀立體圖。SAff裝置I由所謂的晶片級(jí)封裝(WLP)形的SAW裝置構(gòu)成。SAW裝置I具有基板3、固定于基板3的蓋體5、從蓋體5露出的第一端子7A 第六端子7F。SAff裝置I經(jīng)由多個(gè)端子7中的任一個(gè)而輸入信號(hào)。所輸入的信號(hào)被SAW裝置I過(guò)濾。并且，SAW裝置I經(jīng)由多個(gè)端子7中的任一個(gè)將過(guò)濾后的信號(hào)輸出。SAW裝置I例如在如下?tīng)顟B(tài)下被安裝在使蓋體5側(cè)的面與未圖示的電路基板等的安裝面對(duì)置并載置于該安裝面的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂密封，由此將端子7連接于安裝面上的端子?；?由壓電基板構(gòu)成。具體而言，例如，基板3是鉭酸鋰單晶、鈮酸鋰單晶等的具有壓電性的長(zhǎng)方體狀的單晶基板。基板3具有第一主面3a和其背面?zhèn)鹊牡诙髅?b。基板3的平面形狀可適當(dāng)設(shè)定，例如是使規(guī)定方向(Y方向)為長(zhǎng)邊方向的矩形?；?的尺寸可適當(dāng)設(shè)定，例如是厚度為O. 2mm O. 5mm、一邊的長(zhǎng)度為O. 5mm 2mm。蓋體5設(shè)置成覆蓋第一主面3a。蓋體5的平面形狀例如與基板3的平面形狀相同，在本實(shí)施方式中是使Y方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的矩形狀。蓋體5例如具有與第一主面3a大致同等的面積，覆蓋第一主面3a的大致整個(gè)表面。多個(gè)端子7從蓋體5的上表面(與基板3相反側(cè)的面)露出。多個(gè)端子7的數(shù)量及配置位置基于SAW裝置I的內(nèi)部的電路的結(jié)構(gòu)而適當(dāng)設(shè)定。在本實(shí)施方式中，六個(gè)端子7沿著蓋體5的外周排列。圖2是將蓋體5的一部分切斷表示的SAW裝置I的立體圖。蓋體5具有層疊于第一主面3a的框部15 ;層疊于框部15的蓋部17。在框部15形成有多個(gè)開(kāi)ロ。通過(guò)該開(kāi)ロ由蓋部17閉塞，由此在第一主面3a與蓋體5之間形成有第一振動(dòng)空間51A、第二振動(dòng)空間51B、第一配線空間53A及第ニ配線空間53B?？虿?5由大致恒定厚度的層構(gòu)成。框部15的厚度(振動(dòng)空間51或配線空間53的高度)例如是幾μ m 30 μ m。蓋部17由大致恒定厚度的層構(gòu)成。蓋部17的厚度例如是幾μ m 30 μ m。框部15及蓋部17例如由感光性的樹(shù)脂形成。感光性的樹(shù)脂例如是通過(guò)丙烯基或者甲基丙烯基等的自由基聚合所固化而成的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯酸酯系的樹(shù)脂。框部15及蓋部17可以由相同的材料形成，也可以由互不相同的材料形成。在本申請(qǐng)中，為了便于說(shuō)明，明示出框部15和蓋部17的邊界線，但在現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)品中，框部15和蓋部17可以由相同材料形成而一體形成。端子7豎立設(shè)置在第一主面3a上，且經(jīng)由形成于蓋體5的貫通孔5h而露出在蓋體5的上表面。端子7具有被填充在貫通孔5h中的柱狀部7a ;從貫通孔5h露出的凸臺(tái)7b。凸臺(tái)7b具有層疊于蓋體5的上表面的凸緣。 圖3是表示基板3的第一主面3a中的配線結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。需要說(shuō)明的是，在圖3中由雙點(diǎn)劃線表示振動(dòng)空間51及配線空間53的范圍。在第一主面3a設(shè)有用于過(guò)濾信號(hào)的SAW共振器IOA及SAW過(guò)濾器IOB (以下,稱之為“SAW元件10”，往往對(duì)這些構(gòu)件不進(jìn)行區(qū)別)。SAW 共振器 IOA 例如具有IDT (InterDigital Transduce)電極 IlA ;配置在 IDT電極IlA的、弾性表面波的傳播方向(X方向)兩側(cè)上的兩個(gè)反射器12A。SAff過(guò)濾器IOB例如由縱向耦合雙模式SAW過(guò)濾器構(gòu)成。即，SAff過(guò)濾器IOB具有多個(gè)(例如五個(gè))IDT電極IlB ;配置在多個(gè)IDT電極IlB的、彈性表面波的傳播方向(X方向)兩側(cè)上的兩個(gè)反射器12B。IDT電極11由ー對(duì)電極構(gòu)成。該ー對(duì)電極具有沿彈性表面波的傳播方向(X方向)延伸的匯流條Ila和從匯流條Ila向與所述傳播方向正交的方向(Y方向)伸展的多個(gè)電極指11b，且配置成電極指Ilb相互嚙合。而且，圖3是示意圖，故電極指Ilb以比實(shí)際的數(shù)量少的數(shù)量示出。另外，在第一主面3a設(shè)有與第一端子7A 第六端子7F連接的第一焊盤13A 第六焊盤13F。焊盤13設(shè)置在端子7的正下方。進(jìn)而，在第一主面3a設(shè)有用于將SAW元件10及焊盤13相互連接的多個(gè)配線(27等)。配線結(jié)構(gòu)基于端子7或SAW元件10的位置及結(jié)構(gòu)等而形成適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。圖3例示出以下構(gòu)成的配線結(jié)構(gòu)。第四端子7D是被輸入信號(hào)的端子，其通過(guò)輸入側(cè)配線27而與SAW共振器IOA連接。SAW共振器IOA與SAW過(guò)濾器IOB通過(guò)三根中間配線29而相互連接。第三端子7C及第六端子7F是輸出信號(hào)的端子，其通過(guò)兩根輸出側(cè)配線31而與SAW過(guò)濾器IOB連接。第一端子7A、第二端子7B及第五端子7E例如是被賦予基準(zhǔn)電位的端子，相互連接且與SAW過(guò)濾器IOB連接。具體而言，第一端子7A與第二端子7B通過(guò)第一接地配線33a而連接。第二端子7B與第五端子7E通過(guò)第二接地配線33b而連接。第二接地配線33b在兩個(gè)部位分支，其分支部分與SAW過(guò)濾器IOB連接。另外，第二端子7B與第五端子7E通過(guò)第三接地配線33c而連接。第三接地配線33c在三個(gè)部位分支，其分支部分與SAW過(guò)濾器IOB連接。此處，多個(gè)中間配線29與第二接地配線33b經(jīng)由絕緣體21而立體交叉，構(gòu)成多個(gè)第一立體配線部39A。同樣地，多個(gè)輸出側(cè)配線31與第三接地配線33c經(jīng)由絕緣體21立體交叉，構(gòu)成多個(gè)第二立體配線部39B。立體配線部的厚度比SAW元件10的厚度大。多個(gè)第一立體配線部39A相對(duì)于SAW共振器IOA及SAW過(guò)濾器IOB位于彈性波的傳播方向的側(cè)方(Y方向)，且沿著傳播方向(X方向)設(shè)置多個(gè)。換而言之，多個(gè)第一立體配線部39A配置在相對(duì)于SAW共振器IOA的彈性波的傳播方向正交的方向側(cè)的SAW共振器IOA的旁邊。同樣地，多個(gè)第二立體配線部39B相對(duì)于SAW過(guò)濾器IOB位于彈性波的傳播方向的側(cè)方，且沿著傳播方向設(shè)置多個(gè)。振動(dòng)空間51收容SAW元件10但不收容立體配線部39。另外，配線空間53不收容SAW元件10但收容立體配線部39。即，振動(dòng)空間51與配線空間53被隔離。換而言之，SAff元件10及立體配線部39分別被收容在獨(dú)立的空間內(nèi)。
具體而言，第一振動(dòng)空間51A收容SAW共振器10A，第二振動(dòng)空間51B收容SAW過(guò)濾器10B。第一配線空間53A收容全部多個(gè)第一立體配線部39A，第二配線空間53B收容全部多個(gè)第二立體配線部39B。振動(dòng)空間51例如形成為將SAW的傳播方向(X方向)作為長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)方形狀。另外，振動(dòng)空間51形成為六邊形。配線空間53例如形成為將SAW的傳播方向(X方向)作為長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)方形狀。另外，配線空間53形成為長(zhǎng)圓(橢圓)。換而言之，配線空間53中長(zhǎng)邊方向的端部形成為半圓狀。第一振動(dòng)空間51A、第一配線空間53A、第二振動(dòng)空間51B及第ニ配線空間53B依次沿著與SAW的傳播方向正交的方向(Y方向、蓋體5的長(zhǎng)邊方向、各空間的短邊方向)排列。振動(dòng)空間51和配線空間53被介于兩空間之間的第一主分隔壁55A 第三主分隔壁55C(圖2)分隔，且被氣密遮斷。換而言之，振動(dòng)空間51及配線空間53被獨(dú)立密閉。主分隔壁55沿著SAW的傳播方向(X方向、蓋體5的短邊方向、各空間的長(zhǎng)邊方向)延伸。圖4是圖3的IV-IV線中的剖視圖。在第一主面3a上，依次層疊有第一導(dǎo)電層19、保護(hù)層25、絕緣體21及第ニ導(dǎo)電層23。第一導(dǎo)電層19是關(guān)于第一主面3a上的電路元件或配線等結(jié)構(gòu)的基本層。具體而言，第一導(dǎo)電層19構(gòu)成了 SAW元件10、焊盤13、輸入側(cè)配線27、中間配線29、輸出側(cè)配線31及第一接地配線33a。第一導(dǎo)電層19例如通過(guò)Al-Cu合金等Al合金來(lái)形成，其厚度例如為IOOnm 200nm。如上所述，絕緣體21是配置在立體交叉的配線間的結(jié)構(gòu)。絕緣體21例如通過(guò)感光性的樹(shù)脂(例如聚酰亞胺)來(lái)形成，其厚度例如為I μ m 3 μ m。第二導(dǎo)電層23是在被賦予不同電位的配線彼此不得不立體交叉的部位，經(jīng)由絕緣體21而層疊形成在第一導(dǎo)電層19以構(gòu)成配線的一部分的層。具體而言，第二導(dǎo)電層23構(gòu)成了第二接地配線33b及第三接地配線33c。第二導(dǎo)電層23例如通過(guò)金、鎳、鉻來(lái)形成。第二導(dǎo)電層23以在由絕緣體21產(chǎn)生的臺(tái)階的作用下而不斷線的方式例如形成為比第一導(dǎo)電層19厚，其厚度例如為I μ m 2 μ m。保護(hù)層25是有助于SAW元件10的氧化防止等的結(jié)構(gòu)。保護(hù)層25例如通過(guò)具有絕緣性的材料來(lái)形成。例如，保護(hù)層25通過(guò)氧化硅(SiO2等)、氮化硅、硅等來(lái)形成。保護(hù)層25的厚度例如為第一導(dǎo)電層19的厚度的1/10左右(IOnm 30nm)，或者為第一導(dǎo)電層19的厚度的同等以上(IOOnm 300nm)。(SAW裝置的制造方法)圖5(a) 圖7(c)是說(shuō)明SAW裝置I的制造方法的、相當(dāng)于圖4的剖視圖。制造エ序從圖5(a)至圖7(c)依次進(jìn)行。以下說(shuō)明的エ序在所謂的晶片エ藝中來(lái)實(shí)現(xiàn)。即，通過(guò)分割而將作為基板3的母基板作為對(duì)象，對(duì)其進(jìn)行薄膜形成或光刻法等，之后，通過(guò)切割而并行形成多個(gè)SAW裝置I。其中，在圖5(a) 圖7(c)中，僅圖示出與ー個(gè)SAW裝置I對(duì)應(yīng)的部分。另外，導(dǎo)電層或絕緣層等伴隨エ藝的進(jìn)行而形狀變化，但在變化的前后采用共同的標(biāo)號(hào)。如圖5(a)所示，首先，在基板3的第一主面3a上形成第一導(dǎo)電層19。具體而言，首先，通過(guò)派射法、蒸鍍法或CVD(Chemical Vapor Deposition)法等薄膜形成法,在第一主面3a上形成作為第一導(dǎo)電層19的金屬層。接著，通過(guò)采用了縮小投影曝光機(jī)(步進(jìn)曝光裝 置)和RIE(Reactive Ion Etching)裝置的光刻法等,對(duì)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖。通過(guò)構(gòu)圖而形成SAW元件10、焊盤13、輸入側(cè)配線27、中間配線29、輸出側(cè)配線31及第一接地配線33a。即，形成第一導(dǎo)電層19。若形成第一導(dǎo)電層19，則如圖5(b)所示，形成保護(hù)層25。具體而言，首先，通過(guò)CVD法或蒸鍍法等薄膜形成法來(lái)形成作為保護(hù)層25的薄膜。接著，以使第一導(dǎo)電層19中的構(gòu)成焊盤13的部分露出的方式，通過(guò)光刻法將薄膜的一部分除去。由此，形成保護(hù)層25。若形成保護(hù)層25，則如圖5 (C)所示，形成絕緣體21。具體而言，首先，通過(guò)CVD法或蒸鍍法等薄膜形成法來(lái)形成作為絕緣體21的薄膜。然后，保留作為立體配線部39的區(qū)域，通過(guò)光刻法將薄膜的一部分除去。若形成絕緣體21，則如圖5 (d)所示，形成第二導(dǎo)電層23。具體而言，與第一導(dǎo)電層19同樣地，進(jìn)行金屬層的形成及構(gòu)圖。由此，形成第二接地配線33b及第三接地配線33c。若形成第二導(dǎo)電層23，則如圖6(a)所示，形成作為框部15的薄膜。例如，通過(guò)貼附由感光性樹(shù)脂形成的膜來(lái)形成薄膜，或者通過(guò)與保護(hù)層25同樣的薄膜形成法來(lái)形成薄膜。若形成作為框部15的薄膜，則如圖6(b)所示，通過(guò)光刻法等將薄膜的一部分除去，而形成構(gòu)成振動(dòng)空間51及配線空間53的開(kāi)ロ及貫通孔5h的下部。S卩，由薄膜形成框部15。若形成框部15，則如圖6 (C)所示，形成作為蓋部17的薄膜。例如通過(guò)貼附感光性樹(shù)脂的膜來(lái)形成薄膜。然后，通過(guò)形成薄膜而將框部15的開(kāi)ロ閉塞，從而構(gòu)成振動(dòng)空間51及配線空間53。若形成作為蓋部17的薄膜，則如圖7(a)所示，通過(guò)光刻法等將薄膜的一部分除去，而形成貫通孔5h的上部。即，由薄膜形成蓋部17。若形成蓋部17，則如圖7(b)所示，依次形成鍍敷襯底層35及抗蝕層41。鍍敷襯底層35遍及蓋體5的上表面及貫通孔5h的內(nèi)部而形成。鍍敷襯底層35例如由將Ti與Cu層疊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，通過(guò)濺射法來(lái)形成?？刮g層41以在貫通孔5h及其周圍使鍍敷襯底層35露出的方式形成。需要說(shuō)明的是，例如，利用旋涂等形成感光性樹(shù)脂的薄膜，并利用光刻對(duì)該薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成抗蝕層41。
若形成抗蝕層41，則如圖7 (C)所示，通過(guò)電鍍處理在鍍敷襯底層35的露出部分析出金屬37。金屬37例如為Cu。金屬37析出得比蓋體5的上表面高。之后，將鍍敷襯底層35的由抗蝕層41被覆的部分及抗蝕層41除去。由此，形成包括鍍敷襯底層35及金屬37的端子7。需要說(shuō)明的是，在圖4中，省略了鍍敷襯底層35及金屬37的圖示。端子7的 從蓋體5的露出面也可以由鎳及金等來(lái)構(gòu)成。根據(jù)以上的實(shí)施方式，SAW裝置I具有基板3 ;設(shè)于基板3的第一主面3a的SAW元件10 ;設(shè)于第一主面3a，并與SAW元件10連接的第一配線(中間配線29及輸出側(cè)配線31);層疊于第一配線的絕緣體21 ;層疊于絕緣體21，并與第一配線構(gòu)成立體配線部39的第二配線(第二接地配線33b及第三接地配線33c);密封SAW元件10及立體配線部39的蓋體5。在第一主面3a與蓋體5之間形成有收容SAW元件10但不收容立體配線部39的振動(dòng)空間51和不收容SAW元件10但收容立體配線部39的配線空間53。因而，在形成有比較大的臺(tái)階的立體配線部39上不層疊蓋體5，可抑制蓋體5從第一主面3a的剝落或蓋體5與第一主面3a的間隙的產(chǎn)生。在僅考慮到蓋體5從第一主面3a的剝落的抑制效果或者蓋體5與第一主面3a的間隙的產(chǎn)生的抑制效果的情況下，也可以使配線空間和振動(dòng)空間一體化而將SAW元件10及立體配線部39收容在一個(gè)空間內(nèi)，不過(guò)，如實(shí)施方式所示的SAW裝置I那樣，只要將收容SAW元件10的振動(dòng)空間51和收容立體配線部39的配線空間53隔離且獨(dú)立地形成，就可減小各空間的平面的面積，抑制蓋部17的撓曲變形。另外，本申請(qǐng)發(fā)明者制作出將SAW元件10與立體配線部39收容在一個(gè)空間的SAW裝置和將它們收容在不同的空間的SAW裝置并進(jìn)行了電氣特性的比較，此時(shí)，確認(rèn)到將SAW元件10與立體配線部39收容在不同的空間的SAW裝置在電氣特性上優(yōu)越。如此電氣特性顯現(xiàn)出差別的原因在于，在立體配線部39的周邊，與第一主面3a上的其他位置相比，容易聚集氯 硫磺等腐蝕性物質(zhì)，在將SAW元件10與立體配線部39收容在相同的空間時(shí)，該腐蝕性物質(zhì)對(duì)SAW元件影響很大，相對(duì)于此，在將SAW元件10與立體配線部39收容在不同的空間且將這些空間隔離時(shí),將腐蝕性物質(zhì)關(guān)入配線空間53中，從而能夠抑制腐蝕性物質(zhì)對(duì)SAW元件10的影響。更具體而言，SAff元件10與配線相比形成為細(xì)微的圖案，SAff元件10的腐蝕與第ニ配線(第二接地配線33b及第三接地配線33c)的腐蝕相比，對(duì)SAW裝置I的電氣特性的影響大。因而，可認(rèn)為是，通過(guò)將腐蝕性物質(zhì)關(guān)入配線空間53，而使SAW元件10的腐蝕抑制優(yōu)先于第二配線的腐蝕抑制，從而使SAW裝置I的電氣特性穩(wěn)定化。綜上，優(yōu)選振動(dòng)空間51與配線空間53以氣密遮斷的方式隔離地形成。需要說(shuō)明的是，在立體配線部39的周邊，氯·硫磺等腐蝕性物質(zhì)容易聚集的理由并不明確，但是，例如可認(rèn)為原因是，對(duì)第二導(dǎo)電層23進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)的光致抗蝕劑(硫磺)因立體配線部39的臺(tái)階未被完全除去而殘留等。配線空間53在第一主面3a的俯視下形成為大致橢圓狀。尤其是，配線空間53的端部在主面3a的俯視下形成為大致半圓狀。換而言之，配線空間53的端部朝向外側(cè)呈凸?fàn)顝澢?。通過(guò)將配線空間53形成為這樣的形狀，從而在構(gòu)成配線空間的端部的蓋體5的內(nèi)壁難以產(chǎn)生應(yīng)カ集中，使蓋體5的強(qiáng)度變得更高。振動(dòng)空間51形成為將SAW的傳播方向(X方向)作為長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)方形狀，立體配線部39及配線空間53相對(duì)于振動(dòng)空間51設(shè)置在傳播方向的側(cè)方(Y方向)。因而，空間整體的配置不會(huì)偏向單向而是均等化。其結(jié)果是，在蓋部17中，特定的方向的強(qiáng)度極端變低的情況得到抑制。
需要說(shuō)明的是，在以上的實(shí)施方式中，SAW裝置I是本發(fā)明的彈性波裝置的一例，SAff元件10是本發(fā)明的弾性波元件的一例，中間配線29及輸出側(cè)配線31是本發(fā)明的第一配線的一例，第二接地配線33b及第三接地配線33c是本發(fā)明的第二配線的一例。
<第二實(shí)施方式>圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的SAW裝置101的配線結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖(與圖3相當(dāng)?shù)膱D)。需要說(shuō)明的是，SAW裝置101的框部115的平面形狀與由基板3的外緣及振動(dòng)空間及配線空間的外緣(雙點(diǎn)劃線)所表示的形狀大致相同。對(duì)此，圖8中也標(biāo)以框部115的標(biāo)號(hào)。SAW裝置101僅框部115的形狀與第一實(shí)施方式的SAW裝置I不同。具體而言，在SAW裝置101中，對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一立體配線部39A的每ー個(gè)而設(shè)有第一配線空間153A。多個(gè)第一配線空間153A被沿著與傳播方向(X方向)交叉(正交)的方向延伸的第一副分隔壁157A分隔開(kāi)。同樣地，對(duì)應(yīng)于多個(gè)第二立體配線部39B的每ー個(gè)而設(shè)有第二配線空間153B，多個(gè)第二配線空間153B被沿著與傳播方向交叉(正交)的方向延伸的第二副分隔壁157B分隔開(kāi)。需要說(shuō)明的是，配線空間153的平面形狀例如是矩形。需要說(shuō)明的是，矩形也可以是角部被倒角。根據(jù)以上的第二實(shí)施方式，可獲得與第一實(shí)施方式同樣的效果。即，能夠適宜密封設(shè)有立體交叉部的基板。進(jìn)而，在SAW裝置101中，立體配線部39相對(duì)于SAW元件10位于彈性波的傳播方向的側(cè)方(Y方向)，且沿著傳播方向(X方向)設(shè)置多個(gè)。配線空間153對(duì)應(yīng)于多個(gè)立體配線部39的每ー個(gè)而設(shè)置。振動(dòng)空間51與多個(gè)配線空間153被沿著傳播方向(X方向)延伸的主分隔壁155分隔開(kāi)。多個(gè)第一配線空間153A被沿著與傳播方向交叉的方向延伸的副分隔壁157分隔開(kāi)。因而，副分隔壁157設(shè)置在將SAW元件10沿著SAW的傳播方向分割那樣的位置上。這樣的副分隔壁157設(shè)置在SAW元件10上(振動(dòng)空間51)時(shí)，會(huì)阻礙SAW的傳播。并且，通過(guò)副分隔壁157使SAW的傳播方向上的蓋部17的支承點(diǎn)增多，強(qiáng)度得到有效地提高。<第三實(shí)施方式>圖9是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的SAW裝置201的配線結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖(與圖3相當(dāng)?shù)膱D)。需要說(shuō)明的是，圖9中與圖8同樣地也標(biāo)以框部215的標(biāo)號(hào)。在SAW裝置201中，在第一立體配線部239A，中間配線229及第ニ接地配線233b沿著相對(duì)于SAW的傳播方向(X方向)傾斜的方向延伸。同樣地，在第二立體配線部239B，輸出側(cè)配線231及第三接地配線233c沿著相對(duì)于SAW的傳播方向傾斜的方向延伸。與第二實(shí)施方式同樣地，對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一立體配線部239A的每ー個(gè)而設(shè)有第一配線空間253A。多個(gè)第一配線空間253A的內(nèi)壁沿著中間配線229及第ニ接地配線233b所延伸的方向延伸。即，內(nèi)壁相對(duì)于SAW的傳播方向(X方向)傾斜。需要說(shuō)明的是，由此，在第一主分隔壁255A形成有厚壁部與薄壁部。另外，第一副分隔壁257A相對(duì)于SAW的傳播方向(X方向)傾斜地延伸。
與第一實(shí)施方式同樣地，第二配線空間253B收容全部多個(gè)第二立體配線部239B。第二配線空間253B的內(nèi)壁沿著輸出側(cè)配線231及第三接地配線233c所延伸的方向延伸。SP，內(nèi)壁相對(duì)于SAW的傳播方向(X方向)傾斜。需要說(shuō)明的是，由此，在第二主分隔壁255B形成有厚壁部與薄壁部。根據(jù)以上的第三實(shí)施方式，可獲得與第一實(shí)施方式同樣的效果。即，能夠適宜密封設(shè)有立體交叉部的基板。進(jìn)而，在立體配線部239中，配線沿著相對(duì)于SAW的傳播方向(X方向)傾斜的方向延伸，構(gòu)成配線空間253的內(nèi)壁沿著該傾斜方向形成。因而，能夠使向SAW的傳播方向傾斜的方向上的蓋體5的強(qiáng)度得到提高等。需要說(shuō)明的是，構(gòu)成配線空間253的內(nèi)壁并不一定要相對(duì)于所述傾斜方向平行形成，也可以沿著從相對(duì)于所述傾斜方向平行的方向稍微偏離的方向來(lái)形成。振動(dòng)空間大多形成為具有與SAW的傳播方向平行的邊的大致矩形。在這種情況下，向傳播方向傾斜的方向成為振動(dòng)空間的矩形的對(duì)角線，而使蓋部17的支承點(diǎn)間的距離變長(zhǎng)。不過(guò)，根據(jù)第二實(shí)施方式，能夠使這樣的方向上的強(qiáng)度提高，進(jìn)而可適宜提高 作為整體的強(qiáng)度。另外，振動(dòng)空間與配線空間接近的部分變少，因此，還具有使由于兩者之間的主分隔壁的剝落而將振動(dòng)空間與配線空間連通的可能性變低這樣的優(yōu)點(diǎn)?！吹谒膶?shí)施方式〉圖10是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的SAW裝置301的剖視圖(與圖4相當(dāng)?shù)膱D)。SAff裝置301僅在蓋體5的上表面設(shè)有金屬層343這一方面與第一實(shí)施方式不同。金屬層343設(shè)置在與振動(dòng)空間51重疊且與配線空間53不重疊的范圍內(nèi)。需要說(shuō)明的是，金屬層343優(yōu)選形成為與振動(dòng)空間51的整體重疊。金屬層343雖未特別圖示，但其擴(kuò)展至與基準(zhǔn)電位連接的端子7 (本實(shí)施方式中為第一端子7A、第二端子7B及第五端子7E)的位置處，而與這些端子7連接。金屬層343例如由Cu構(gòu)成，且能夠借助與形成端子7相同的エ藝通過(guò)鍍敷來(lái)制作。換而言之，金屬層343可以由鍍敷襯底層35及金屬37構(gòu)成。金屬層343的厚度例如為 I μ m 50 μ m0根據(jù)以上的第四實(shí)施方式，除了第一實(shí)施方式的效果以外，還獲得由金屬層343引起的蓋部17的撓曲變形的抑制效果。金屬層343與比配線空間53更要求氣密性的振動(dòng)空間51重疊且不與配線空間53重疊，故能夠以較小的面積來(lái)有效地增強(qiáng)強(qiáng)度。其結(jié)果是，例如能夠容易地確保端子7的凸臺(tái)7b的面積大等。另外，在由樹(shù)脂等傳遞模制SAW裝置301的情況下等，當(dāng)對(duì)蓋部17施加較大的壓カ時(shí)，蓋部17中的未設(shè)有金屬層343的配線空間53上的部分比設(shè)有金屬層343的振動(dòng)空間51上的部分更容易撓曲。這樣，通過(guò)使蓋部17的配線空間53上的部分撓曲，配線空間53被一定程度地壓潰。于是，也可期待抑制如下情況對(duì)于位于配線空間53的旁邊的振動(dòng)空間51施加來(lái)自橫方向的壓力，而使振動(dòng)空間51中蓋體5與基板3之間的氣壓變高，從而使蓋部17在振動(dòng)空間51上撓曲。需要說(shuō)明的是，即便配線空間53撓曲，對(duì)SAW裝置301的特性也幾乎沒(méi)有影響。本發(fā)明并不局限于以上的實(shí)施方式及變形例，可以以各種各樣的方式來(lái)實(shí)施。弾性波裝置不限定于狹義的SAW裝置。例如，弾性波裝置也可以是壓電薄膜共振器。另外，例如，弾性波裝置也可以是彈性界面波裝置(包含在廣義的SAW裝置中)。換而言之，也可以不設(shè)置振動(dòng)空間。需要說(shuō)明的是，在這種情況下，用于傳播弾性界面波的壓電基板上的介質(zhì)層、或該介質(zhì)層及其上根據(jù)需要所層疊的吸音層也可以視為本申請(qǐng)發(fā)明的蓋體或者蓋體的一部分。另外，實(shí)施方式記載的配線空間的各種形狀在未設(shè)有振動(dòng)空間的情況下顯然也可以采用。廣義的SAW裝置不局限于所謂的雙重模制型，也可以是階梯型等。在弾性波裝置中，可以省略保護(hù)層25，相反，也可以形成其他的適當(dāng)層等。例如，也可以設(shè)有介于焊盤13與端子7之間的連接強(qiáng)化層、形成在框部15和蓋部17之間的導(dǎo)電層、層疊在基板的與蓋體相反側(cè)的主面上的電極或保護(hù)層。振動(dòng)空間與配線空間可以不氣密遮斷。例如，也可以在將振動(dòng)空間與配線空間分隔的主分隔壁的一部分上設(shè)置連通孔。在這種情況下，既可獲得強(qiáng)度增強(qiáng)的效果，又能夠ー定程度地抑制腐蝕性物質(zhì)向振動(dòng)空間的移動(dòng)。金屬層不只是設(shè)置成與振動(dòng)空間重疊，也可以設(shè)置成與配線空間整體重疊。另外，金屬層也可以不與被賦予基準(zhǔn)電位的端子連接，而是形成為電氣性浮動(dòng)狀態(tài)。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I……弾性表面波裝置(弾性波裝置)、3……基板、3a……第一主面(主面)、5…… 蓋體、11……SAW元件、21……絕緣體、29……中間配線(第一配線)、33b……第二接地配線、39……立體配線部、51……振動(dòng)空間、53……配線空間。
權(quán)利要求
1.一種彈性波裝置，具有 基板； 位于所述基板的主面的彈性波元件； 位于所述主面且與所述彈性波元件連接的第一配線； 位于所述第一配線上的絕緣體； 位于所述絕緣體上，且至少具有一個(gè)經(jīng)由所述絕緣體而與所述第一配線立體交叉的立體配線部的第二配線； 在與所述主面之間將所述彈性波元件及所述立體配線部密封的蓋體， 在所述主面與所述蓋體之間配置有收容所述立體配線部的配線空間。
2.如權(quán)利要求I所述的彈性波裝置，其中， 在所述主面與所述蓋體之間還配置有收容所述彈性波元件的振動(dòng)空間。
3.如權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述振動(dòng)空間與所述配線空間被隔離。
4.如權(quán)利要求2或3所述的彈性波裝置，其中， 所述振動(dòng)空間形成為將彈性波的傳播方向作為長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)方形狀， 所述立體配線部及所述配線空間相對(duì)于所述振動(dòng)空間位于所述彈性波的傳播路的側(cè)方。
5.如權(quán)利要求2 4中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中， 所述立體配線部相對(duì)于所述彈性波元件位于彈性波的傳播路的側(cè)方，且沿著所述傳播路設(shè)置多個(gè)， 對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)立體配線部的每一個(gè)而設(shè)置有所述配線空間， 所述彈性波裝置還具有以將所述振動(dòng)空間與所述多個(gè)配線空間分隔的方式介于兩空間之間，且沿著所述傳播方向延伸的主分隔壁；以將所述多個(gè)配線空間分隔的方式介于配線空間彼此之間，且沿著與所述傳播方向交叉的方向延伸的副分隔壁。
6.如權(quán)利要求2 5中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中， 在所述立體配線部中，所述第一配線及所述第二配線沿著相對(duì)于彈性波的傳播方向傾斜的方向延伸， 構(gòu)成所述配線空間的內(nèi)壁沿著所述傾斜的方向形成。
7.如權(quán)利要求2 6中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中， 還具有金屬層，該金屬層位于所述蓋體上，且在俯視下設(shè)置在與所述振動(dòng)空間重疊且與所述配線空間不重疊的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中， 所述配線空間的端部在所述主面的俯視下朝向外側(cè)呈凸?fàn)顝澢?br> 全文摘要
SAW裝置(1)具有基板(3)；設(shè)于基板(3)的第一主面(3a)的SAW元件(10)；設(shè)于第一主面(3a)且與SAW元件(10)連接的第一配線(中間配線(29)及輸出側(cè)配線(31))；層疊于第一配線的絕緣體(21)；層疊于絕緣體(21)并與第一配線構(gòu)成立體配線部(39)的第二配線(第二接地配線(33b)及第三接地配線(33c))；密封SAW元件(10)及立體配線部(39)的蓋體(5)。在第一主面(3a)與蓋體(5)之間形成有不收容SAW元件(10)但收容立體配線部(39)的配線空間(53)。
文檔編號(hào)H03H9/145GK102652394SQ201180004898
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者仲井剛, 落合博昭, 西井潤(rùn)彌 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社