技術(shù)特征：
1.用于多個(gè)處理器的半導(dǎo)體器件基板，包括：具有前側(cè)表面和后側(cè)表面的第一芯部；構(gòu)建在所述第一芯部的前側(cè)表面和后側(cè)表面上的層疊芯部基板，其中，所述層疊芯部基板包括前側(cè)區(qū)段和后側(cè)區(qū)段，且其中所述后側(cè)區(qū)段包括整體的電感器線圈；其中，所述第一芯部包括鍍覆通孔(PTH)以及與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的前側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤和后側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤，其中，所述鍍覆通孔(PTH)是正圓柱形的鍍覆通孔(PTH)，且其中所述鍍覆通孔(PTH)是空芯的鍍覆通孔(PTH)；其中，所述層疊芯部基板在所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段中均包括錐形過孔，所述錐形過孔暴露出所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤且包括接觸所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤的前側(cè)錐形接觸部和后側(cè)錐形接觸部，且所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段均包括耦合到所述前側(cè)錐形過孔和所述后側(cè)錐形過孔的錐形過孔導(dǎo)電焊盤；其中，所述前側(cè)區(qū)段包括用于所述多個(gè)處理器的耦合部，且其中，至少一個(gè)耦合部傳送來自所述整體的電感器線圈的、被電感器改變了的電流。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括至少三個(gè)層疊層，且其中，所述至少三個(gè)層疊層中的兩個(gè)層被并聯(lián)在一起。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層比所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目少。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層與所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目相等。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層比所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目多。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層與所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目相等；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有大于1的、高度相對于寬度的高寬比。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有等于1的、高度相對于寬度的高寬比。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有小于1的、高度相對于寬度的高寬比。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，其中，所述第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是后側(cè)焊盤堆疊的一部分，其中，所述互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是互補(bǔ)的后側(cè)焊盤堆疊的一部分，且其中，所述整體的電感器線圈具有一高度相對于寬度的高寬比，該高寬比是從大于1、等于1和小于1三者中選出的。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述基板的高度在從650微米(μm)至1400μm的范圍內(nèi)。15.用于多個(gè)處理器的半導(dǎo)體器件基板，包括：具有前側(cè)表面和后側(cè)表面的第一芯部；構(gòu)建在所述第一芯部的前側(cè)表面和后側(cè)表面上的層疊芯部基板，其中，所述層疊芯部基板包括前側(cè)區(qū)段和后側(cè)區(qū)段，且其中所述后側(cè)區(qū)段包括整體的電感器線圈；其中，所述第一芯部包括鍍覆通孔(PTH)以及與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的前側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤和后側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤，其中，所述鍍覆通孔(PTH)是正圓柱形的鍍覆通孔(PTH)，且其中所述鍍覆通孔(PTH)是空芯的鍍覆通孔(PTH)；其中，所述層疊芯部基板在所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段中均包括錐形過孔，所述錐形過孔暴露出所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤且包括接觸所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤的前側(cè)錐形接觸部和后側(cè)錐形接觸部，且所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段均包括耦合到所述前側(cè)錐形過孔和所述后側(cè)錐形過孔的錐形過孔導(dǎo)電焊盤；其中，所述后側(cè)區(qū)段包括至少三個(gè)層疊層，且其中，所述至少三個(gè)層疊層中的兩個(gè)層被并聯(lián)在一起。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括用于所述多個(gè)處理器的耦合部，且其中，至少一個(gè)耦合部傳送來自所述整體的電感器線圈的、被電感器改變了的電流。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層比所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目少。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層與所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目相等。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層比所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目多。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層與所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目相等；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，進(jìn)一步包括：其中，所述前側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括兩個(gè)層疊芯部層；并且其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有大于1的、高度相對于寬度的高寬比。25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有等于1的、高度相對于寬度的高寬比。26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有小于1的、高度相對于寬度的高寬比。27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，其中，所述第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是后側(cè)焊盤堆疊的一部分，其中，所述互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是互補(bǔ)的后側(cè)焊盤堆疊的一部分，且其中，所述整體的電感器線圈具有一高度相對于寬度的高寬比，該高寬比是從大于1、等于1和小于1三者中選出的。28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述基板的高度在從650微米(μm)至1400μm的范圍內(nèi)。29.用于多個(gè)處理器的半導(dǎo)體器件基板，包括：具有前側(cè)表面和后側(cè)表面的第一芯部；構(gòu)建在所述第一芯部的前側(cè)表面和后側(cè)表面上的層疊芯部基板，其中，所述層疊芯部基板包括前側(cè)區(qū)段和后側(cè)區(qū)段，且其中所述后側(cè)區(qū)段包括整體的電感器線圈；其中，所述第一芯部包括鍍覆通孔(PTH)以及與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的前側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤和后側(cè)鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤，其中，所述鍍覆通孔(PTH)是正圓柱形的鍍覆通孔(PTH)，且其中所述鍍覆通孔(PTH)是空芯的鍍覆通孔(PTH)；其中，所述層疊芯部基板在所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段中均包括錐形過孔，所述錐形過孔暴露出所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤且包括接觸所述鍍覆通孔(PTH)導(dǎo)電焊盤的前側(cè)錐形接觸部和后側(cè)錐形接觸部，且所述前側(cè)區(qū)段和所述后側(cè)區(qū)段中的每一個(gè)區(qū)段均包括耦合到所述前側(cè)錐形過孔和所述后側(cè)錐形過孔的錐形過孔導(dǎo)電焊盤；其中，所述前側(cè)區(qū)段包括第一多個(gè)層疊芯部層，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括第二多個(gè)層疊芯部層，且其中，所述第一多個(gè)層疊芯部層比所述第二多個(gè)層疊芯部層的數(shù)目少。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述前側(cè)區(qū)段包括用于所述多個(gè)處理器的耦合部，且其中，至少一個(gè)耦合部傳送來自所述整體的電感器線圈的、被電感器改變了的電流。31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述后側(cè)區(qū)段包括至少三個(gè)層疊層，且其中，所述至少三個(gè)層疊層中的兩個(gè)層被并聯(lián)在一起。32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤。33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有大于1的、高度相對于寬度的高寬比。34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有等于1的、高度相對于寬度的高寬比。35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且其中，所述整體的電感器線圈具有小于1的、高度相對于寬度的高寬比。36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與所述鍍覆通孔(PTH)接觸的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，且另外其中，所述整體的電感器線圈包括具有模擬新月形狀且與互補(bǔ)的鍍覆通孔(PTH)接觸的互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤，其中，所述第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是后側(cè)焊盤堆疊的一部分，其中，所述互補(bǔ)的第一后側(cè)通孔導(dǎo)電焊盤是互補(bǔ)的后側(cè)焊盤堆疊的一部分，且其中，所述整體的電感器線圈具有一高度相對于寬度的高寬比，該高寬比是從大于1、等于1和小于1三者中選出的。37.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件基板，其中，所述基板的高度在從650微米(μm)至1400μm的范圍內(nèi)。