印刷電路板是利用諸如銅等導(dǎo)電材料在絕緣襯底上印刷電路線圖案而形成的。所述印刷電路板是指還未在其上安裝電子部件的板子。也就是說，所述印刷電路板是指這樣一種電路板，其中，在平板上限定了安裝位置以安裝各種類型的電子器件，并且在該平板上固定印刷了電路圖案以使所述電子器件相互連接。

背景技術(shù)：
所述印刷電路板(PCB)可以分成單層PCB和多層PCB，例如積層板。積層板(即多層PCB)是一層接一層地制造出的，并對多層PCB的質(zhì)量進(jìn)行評估以提高多層PCB的產(chǎn)率。此外，使互聯(lián)線精確連接以制造出高密度和小尺寸的PCB。根據(jù)積層工序，通過層中形成的通孔在層間形成互聯(lián)線以使各層相互連接。取代機(jī)械鉆孔，采用激光工藝來形成微尺寸的通孔。圖1是截面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層PCB。參照圖1，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層PCB10包括芯部絕緣層1、形成在芯部絕緣層1的上和下的內(nèi)部電路圖案層3和4、將內(nèi)部電路圖案層3和4掩埋的上部和下部絕緣層5和6、以及分別形成在上部和下部絕緣層5和6上的外部電路圖案層7和8。在芯部絕緣層1以及上部和下部絕緣層5和6中形成導(dǎo)電通孔線2和導(dǎo)電通孔，從而使內(nèi)部電路圖案層3和4與外部電路圖案層7和8電連接。通過形成偶數(shù)個電路圖案層(圖1示出了四層)，能夠制造出具有上述現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的多層PCB10。在設(shè)置了絕緣層之后，通過鉆孔或激光工藝使作為外層的兩層相互電連接。然而，因為電路圖案層的數(shù)量限為偶數(shù)個，所以襯底厚度會增加，使得多層PCB10不適用于便攜式電子設(shè)備或者具有輕薄結(jié)構(gòu)的襯底，例如半導(dǎo)體芯片。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
技術(shù)問題本實施例提供了一種具有新結(jié)構(gòu)的印刷電路板及其制造方法。本實施例提供了一種包括奇數(shù)個電路層的印刷電路板及其制造方法。技術(shù)方案根據(jù)所述實施例的印刷電路板包括：芯部絕緣層、至少一個穿過芯部絕緣層形成的通孔線、埋入芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層、以及位于芯部絕緣層頂面或底面上的外部電路層，其中，所述通孔線包括第一部、位于第一部之下的第二部以及位于第一部與第二部之間的第三部，該第三部包括與第一部和第二部不同的金屬。根據(jù)該實施例的制造印刷電路板的方法包括以下步驟：制備具有層疊結(jié)構(gòu)的金屬襯底，該層疊結(jié)構(gòu)包括第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層；通過刻蝕所述金屬襯底的第一金屬層形成通孔線的第一部；通過所述刻蝕金屬襯底的第二金屬層在所述通孔線的第一部之下形成連接部和內(nèi)部電路層；通過刻蝕所述金屬襯底的第三金屬層在所述連接部之下形成所述通孔線的第二部；形成絕緣層以埋入所述通孔線；以及在所述絕緣層的頂面或底面形成外部電路層。有益效果根據(jù)該實施例，內(nèi)部電路層和通孔線是同時形成的，使得工序步驟可以減少。此外，因為所述印刷電路板包括奇數(shù)個電路層，所以所述印刷電路板可以具有輕薄的結(jié)構(gòu)。此外，通孔線被埋入多層印刷電路板的絕緣層中，使得散熱功能得到改善。因為沒有采用電鍍方法來形成所述通孔線，所以制造成本能夠降低。此外，利用包括不同類型金屬層的金屬襯底來形成通孔線，因此能夠防止金屬襯底在制造過程中彎曲。附圖說明圖1是截面圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的印刷電路板；圖2是截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的印刷電路板；圖3-15是截面圖，說明了圖2所示的印刷電路板的制造過程；圖16是截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的印刷電路板；圖17是截面圖，示出了根據(jù)第三實施例的印刷電路板；圖18-30是截面圖，說明了圖17所示的印刷電路板的制造過程；以及圖31是截面圖，示出了根據(jù)第四實施例的印刷電路板。具體實施方式公開了一種印刷電路板及其制造方法。該印刷電路板包括芯部絕緣層、穿過芯部絕緣層形成的至少一個通孔線、埋入芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層、以及位于芯部絕緣層頂面或底面上的外部電路層。所述通孔線包括第一部、位于第一部之下的第二部以及位于第一部與第二部之間的第三部，并且該第三部包括與第一部和第二部的金屬不同的金屬。所述內(nèi)部電路層和通孔線同時形成，使得工序步驟減少。因為提供奇數(shù)個電路層，所以該印刷電路板具有輕、薄的結(jié)構(gòu)。下文中，將參照附圖具體描述各個實施例，使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地實現(xiàn)各個實施例。然而，所述實施例可以具有各種修改而不受限制。在以下描述中，當(dāng)一個部分被稱作包括某個部件時，除非文中明確指出，否則該部分不排除其他部件的存在，可能進(jìn)一步包括另一部件。為了方便或清楚，附圖中所示的各層的厚度和尺寸可以被放大、省略或示意畫出。此外，元件尺寸并不完全反映真實尺寸。在以下的描述中，類似的部件用類似的附圖標(biāo)記表示。在實施例的說明中，可以理解，當(dāng)某層(或膜)、某區(qū)域或某板被稱作是位于另一層(或膜)、另一區(qū)域或另一板之上或之下時，其可以直接或間接地位于另一層(或膜)、區(qū)域或板之上，或者也可以存在一個或多個中間層。根據(jù)實施例，通過刻蝕工序同時形成通孔線和內(nèi)部電路層，使得能夠在不使用電鍍方法的情況下形成包括奇數(shù)個電路層的多層印刷電路板(PCB)。下文中，將參照圖2-15描述根據(jù)實施例的PCB。圖2是截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的PCB。參照圖2，根據(jù)本實施例的PCB100包括形成第一絕緣層120和第二絕緣層125的芯部絕緣層、形成在芯部絕緣層中的通孔線115、形成在芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層111以及分別形成在第一和第二絕緣層120和125上的第一和第二外部電路層131、135和145。第一絕緣層120形成在第二絕緣層125上，并且在第一絕緣層120和第二絕緣層125之間可以存在附加的絕緣層(未示出)。第一絕緣層120和第二絕緣層125可以包括熱固性聚合物襯底、熱塑性聚合物襯底、陶瓷襯底或者有機(jī)/無機(jī)復(fù)合襯底。第一絕緣層120和第二絕緣層125可以包括聚合物樹脂，例如環(huán)氧絕緣樹脂，或者聚酰亞胺樹脂。此外，可以利用包含固體成分(例如玻璃纖維)的樹脂來形成第一絕緣層120和第二絕緣層125?？梢岳孟嗤牧蟻硇纬傻谝唤^緣層120和第二絕緣層125。第一絕緣層120和第二絕緣層125的厚度分別可以在30μm至80μm的范圍內(nèi)。具有第一絕緣層120和第二絕緣層125的層疊結(jié)構(gòu)的芯部絕緣層的厚度在60μm至160μm范圍內(nèi)，優(yōu)選的是，在60μm至140μm范圍內(nèi)。通孔線115和內(nèi)部電路層111形成在芯部絕緣層中。通孔線115是穿過第一絕緣層120和第二絕緣層125形成的導(dǎo)電通孔線。通孔線115在第一絕緣層120與第二絕緣層125之間的邊界處具有最大寬度d1。每個通孔線115的寬度隨著其接近第一絕緣層120和第二絕緣層125的頂面而逐漸變窄。因此，每個通孔線115的與第一絕緣層120和第二絕緣層125頂面相交的部分具有最小寬度d2，使得通孔線115具有六邊形截面形狀。通孔線115的寬度d1和d2在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。通孔線115是導(dǎo)電通孔線并且可以利用含Cu合金形成。通孔線115包括埋入第一絕緣層120中并且由含Cu合金形成的第一部115a、在第一部115a下方埋入第二絕緣層125中并且由與第一部115a相同的合金形成的第二部115b、以及介于第一部115a與第二部115b之間并且由不同于第一部115a和第二部115b的合金形成的第三部115c。第三部115c形成在通孔線115的中心處，并且第三部115c的底面或者第二阻擋層115e的底面可以具有通孔線115的最大寬度d1?？梢岳煤琋i、Fe、Co、Mo或Cr的合金來形成第三部115c。第三部115c相對于第一部115a和第二部115b具有刻蝕選擇性。第一部115a和第二部115b的厚度在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第三部115c的厚度在5μm至70μm的范圍內(nèi)。內(nèi)部電路層111形成在第二絕緣層125上。內(nèi)部電路層111的電路圖案的厚度在5μm至30μm的范圍內(nèi)，而寬度約為50μm或更小，優(yōu)選為30μm，使得能夠形成微圖案。內(nèi)部電路層111具有矩形截面形狀。內(nèi)部電路層111利用與通孔線115的第三部115c相同的材料形成。包括與通孔線115相連的通孔墊135和145以及電路圖案131的外部電路層131、135和145分別形成在第一絕緣層120和第二絕緣層125的頂面和底面上。外部電路層131、135和145分為形成在芯部絕緣層上的第一外部電路層131和135以及形成在芯部絕緣層下方的第二外部電路層145。外部電路層131、135和145可以形成線/間為30/30的微圖案。為此，沉積厚度在6μm至30μm范圍內(nèi)的銅層，然后刻蝕該銅層以形成外部電路層131、135和145。盡管已經(jīng)描述了外部電路層131、135和145以單層形式形成在芯部絕緣層之上和之下，但本實施例不限于此。例如，在形成用于掩埋第一絕緣層120和第二絕緣層125上的外部電路層131、135和145的上部絕緣層之后，可以在該上部絕緣層上形成電路層，以形成多層PCB。如上所述，因為內(nèi)部電路層111掩埋在本實施例所述的PCB100的芯部絕緣層中，所以可以形成2n+1(n為正整數(shù))個電路層。此外，在芯部絕緣層的基礎(chǔ)上，絕緣層的數(shù)量與電路層的數(shù)量相同，使得PCB能夠防止在一個方向上彎曲。因此，可以在不增加絕緣層數(shù)量的情況下形成奇數(shù)個電路層。此外，因為包括導(dǎo)電材料的通孔線115形成在芯部絕緣層中，所以可以改善散熱效率。下文中，將參照圖3－15描述制造圖2的PCB的方法。首先，如圖3所示制備導(dǎo)電金屬襯底110?？梢岳密堉撇螂娊獠问降暮珻u合金來形成導(dǎo)電金屬襯底110。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格，導(dǎo)電金屬襯底110可以具有不同的厚度。導(dǎo)電金屬襯底110具有第一金屬層110a、第二金屬層110b和第三金屬層110c的層疊結(jié)構(gòu)?？梢岳煤珻u合金形成第一金屬層110a和第三金屬層110c，并且可以利用相對于第一金屬層110a和第三金屬層110c具有刻蝕選擇性的金屬形成位于第一金屬層110a和第三金屬層110c之間的第二金屬層110b。可以利用含Ni、Fe、Co、Mo或Cr的合金形成第二金屬層110b。此外，第一金屬層110a和第三金屬層110c的厚度可以在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第二金屬層110b的厚度可以在5μm至70μm的范圍內(nèi)。根據(jù)本實施例，金屬襯底110的厚度優(yōu)選在80μm至170μm范圍內(nèi)?？梢酝ㄟ^諸如酸洗或沖洗等表面處理工藝來處理金屬襯底110的表面。然后，如圖4所示，將光刻膠膜116附著于金屬襯底110的頂面上。光刻膠膜116形成刻蝕圖案以刻蝕金屬襯底110。光刻膠膜116的厚度可在15μm至30μm范圍內(nèi)變化，并且可以采用UV曝光型光刻膠膜以及LDI曝光型光刻膠膜。此后，如圖5所示，對光刻膠膜116進(jìn)行曝光和顯影工序，以形成光刻膠圖案(未示出)，并且利用該光刻膠圖案作為掩?？涛g金屬襯底110，由此形成通孔線115的第一部115a。然后，利用諸如氯化銅和氯化鐵等濕法刻蝕溶液來濕法刻蝕一部分金屬襯底110，以形成通孔線115的第一部115a。由于第一金屬層110a與第二金屬層110b之間的刻蝕選擇性，當(dāng)形成第一部115a時僅刻蝕第一金屬層110a。如圖5所示，在刻蝕了通孔線115的第一部115a之后，利用NaOH稀溶液使光刻膠圖案剝離。接著，如圖6所示，在第一部115a以及第二金屬層110b的露出的前表面上形成光刻膠膜117。為了利用第二金屬層110b形成內(nèi)部電路層111，對形成在第二金屬層110b上的一部分光刻膠膜117進(jìn)行曝光和顯影工序，以形成如圖7所示的光刻膠圖案118，并且利用光刻膠膜118作為掩模選擇性刻蝕第二金屬層110b，由此形成內(nèi)部電路層111以及通孔線115的第三部115c。由于第一金屬層110a與第二金屬層110b之間的刻蝕選擇性，當(dāng)形成通孔線的第三部115c時，第一部115a可以用作刻蝕掩模。當(dāng)?shù)诙饘賹?10b之下的第三金屬層110c露出時，停止刻蝕工序并且形成內(nèi)部電路層111。內(nèi)部電路層111具有矩形截面形狀。此后，如圖8所示，形成該第一絕緣層120，使得通孔線115的第一部115a和第三部115c以及內(nèi)部電路層111能夠埋入第一絕緣層120?？梢岳镁哂泄腆w成分(諸如玻璃纖維)或者不具有固體成分的熱固性樹脂或熱塑性樹脂來形成第一絕緣層120。第一絕緣層120的厚度可以在大約30μm至大約80μm范圍內(nèi)。然后，在第一絕緣層120上形成銅箔層130。銅箔層130是用作第一外部電路層131和135的基體的金屬層，并且其厚度在6μm至30μm范圍內(nèi)，使得能夠形成30/30μm的線/間。優(yōu)選的是，銅箔層130的厚度在6μm至20μm范圍內(nèi)，使得能夠形成15/15μm或更小的線/間?？梢岳肅CL(覆銅板)形成第一絕緣層120和銅箔層130。然后，如圖9所示，分別在銅箔層130上和金屬襯底110下形成光刻膠膜136。在金屬襯底110下方形成的光刻膠膜136用作基體，以形成用于形成通孔線115的第二部115b以及內(nèi)部電路層111的光刻膠圖案。此外，在銅箔層130上形成的光刻膠膜136用作基體，以在金屬襯底110下形成光刻膠圖案，以及用作保護(hù)膜，以在金屬襯底110的刻蝕工序中保護(hù)銅箔層130。因此，可以用保護(hù)膜或者保護(hù)性有機(jī)層來取代形成在銅箔層130上的光刻膠膜136，并可以省略掉該光刻膠膜。此后，如圖10所示，對金屬襯底110下形成的光刻膠膜136顯影，以形成光刻膠圖案，并且利用該光刻膠圖案作為掩?？涛g金屬襯底110，由此在通孔線115的第一部115a下形成第二部115b。按照這種方式，通過刻蝕工序?qū)⑼拙€115的上部和下部分成第一到第三部115a、115b和115c，使得通孔線115具有六邊形截面，其中通孔線115的中心具有最大寬度d1，并且寬度從通孔線115的中心向外部變窄。當(dāng)形成了通孔線115的第二部115b時，將光刻膠圖案剝離。然后，如圖11所示，沉積第二絕緣層125，使得通孔線115的第一部115a能夠埋入第二絕緣層125中，并且在第二絕緣層125上沉積銅箔層140。第二絕緣層125和銅箔層140的材料和厚度可以與第一絕緣層120和形成在第一絕緣層120上的銅箔層130相同。然后，如圖12所示，將光刻膠膜146分別附著于銅箔層130和140上。光刻膠膜146可以具有在15μm至30μm范圍內(nèi)變化的厚度，并且可以采用UV曝光型光刻膠膜和LDI曝光型光刻膠膜。然后，如圖13所示，對光刻膠膜146進(jìn)行曝光和顯影工序，使得在銅箔層130和140上分別形成光刻膠圖案148。此后，利用光刻膠圖案148作為掩?？涛g銅箔層130和140，由此形成如圖14所示的墊135和145以及電路圖案131。墊135和145以及電路圖案131可以構(gòu)成形成在第一絕緣層120上的第一外部電路層131和135以及第二外部電路層145。第一外部電路層131和135包括與通孔線115的第一部115a相連的上部墊135以及包括與上部墊135的銅箔層130為同一銅箔層130的上部電路圖案131。第二外部電路層145包括與通孔線115的第二部115b相連的下部墊145以及包括與下部墊145的銅箔層140為同一銅箔層140的下部電路圖案(未示出)。最終，如圖15所示，將外部電路層131、135和145的電路圖案131掩埋，并且形成覆蓋層150以使墊135和145露出。按照這種方式，與通過在絕緣層鉆孔形成通孔以及通過掩埋通孔形成通孔線的現(xiàn)有技術(shù)不同，本實施例在刻蝕金屬襯底110形成通孔線115之后形成掩埋通孔線115的絕緣層120和125，從而減少制造成本。此外，因為利用與通孔線115相同的金屬襯底來形成內(nèi)部電路層111，所以能夠減少制造步驟。盡管已經(jīng)描述了通過刻蝕銅箔層形成外部電路層131、135和145，但是本實施例不限于此。例如，可以通過相對于光刻膠實施電鍍工序來形成外部電路層131、135和145。下文中，將參照圖16描述根據(jù)第二實施例的PCB。參照圖16，根據(jù)第二實施例的PCB200包括形成第一絕緣層120和第二絕緣層125的芯部絕緣層、形成在芯部絕緣層中的通孔線115、形成在芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層112、以及分別形成在第一絕緣層120和第二絕緣層125上的第一和第二外部電路層131、135和145。第一絕緣層120形成在第二絕緣層125上，并且在第一絕緣層120與第二絕緣層125之間可能存在其他絕緣層?？梢岳冒ü腆w成分(諸如玻璃纖維)的樹脂形成第一絕緣層120和第二絕緣層125?？梢岳孟嗤牧闲纬傻谝唤^緣層120和第二絕緣層125。第一絕緣層120和第二絕緣層125具有層疊結(jié)構(gòu)以形成芯部絕緣層。該芯部絕緣層的厚度可以在大約60μm至大約140μm的范圍內(nèi)。通孔線115和內(nèi)部電路層112形成在芯部絕緣層中。通孔線115是穿過第一絕緣層120和第二絕緣層125形成的導(dǎo)電通孔線。通孔線115在第一絕緣層120與第二絕緣層125之間的邊界處具有最大寬度d1。每個通孔線115的寬度隨著其接近第一絕緣層120和第二絕緣層125的頂面而逐漸變窄。因此，通孔線115具有六邊形截面形狀。通孔線115的寬度d1和d2在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。通孔線115是導(dǎo)電通孔線并且可以利用含Cu合金形成。通孔線115包括埋入第一絕緣層120中并且由含Cu合金形成的第一部115a、在第一部115a下方埋入第二絕緣層125中并且由與第一部115a相同的合金形成的第二部115b、以及介于第一部115a與第二部115b之間且由不同于第一部115a和第二部115b的合金形成的第三部115c。第三部115c形成在通孔線115的中心處，并且第三部115c的底面可以具有通孔線115的最大寬度d1。第三部115c可以利用含Ni、Fe、Co、Mo或Cr的合金來形成，并且可以相對于第一部115a和第二部115b具有刻蝕選擇性。第一部115a和第二部115b的厚度在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第三部115c的厚度在5μm至70μm的范圍內(nèi)。內(nèi)部電路層112具有矩形截面形狀或者六邊形截面形狀。內(nèi)部電路層112的寬度為大約60μm或更小，優(yōu)選為50μm，使得能夠形成微圖案。利用與通孔線115的第三部115c相同的材料形成內(nèi)部電路層112。包括與通孔線115相連的通孔線墊135和145以及電路圖案131的外部電路層131、135和145分別形成在第一絕緣層120和第二絕緣層125的頂面和底面上。外部電路層131、135和145形成在第一絕緣層120和第二絕緣層125的表面上，以及內(nèi)部電路層112形成在第二絕緣層125上。可以通過沉積銅箔層，然后刻蝕該銅箔層來形成外部電路層131、135和145。在圖16所示的PCB200中，內(nèi)部電路層112的電路圖案具有矩形截面形狀，其相對于第一絕緣層120與第二絕緣層125之間的邊界對稱形成，類似于通孔線115。埋入第一絕緣層120中的區(qū)域包括與通孔線115的第三部115c相同的材料，并且埋入第二絕緣層125中的區(qū)域包括與通孔線115的第三部115c相同的材料。可以利用圖3-15中所示的制造方法來形成圖16所示的內(nèi)部電路層112。在圖9和10所示的工序中，當(dāng)形成通孔線115的第二部115b時，可以同時形成內(nèi)部電路層112的要埋入第二絕緣層125中的區(qū)域。如上所述，由于內(nèi)部電路層112埋在本實施例所述的PCB200的芯部絕緣層中，所以可以形成2n+1(n為正整數(shù))個電路層。此外，在芯部絕緣層的基礎(chǔ)上，絕緣層的數(shù)量與電路層的數(shù)量相同，使得可以防止PCB在一個方向上彎曲。因此，可以在不增加絕緣層數(shù)量的情況下形成奇數(shù)個電路層。此外，因為包括導(dǎo)電材料的通孔線115形成在芯部絕緣層中，所以能夠改善散熱效率。此外，利用異質(zhì)金屬(heterometal)形成金屬襯底的中間層，使得能夠防止金屬襯底在制造過程中彎曲。下文中，將參照圖17-30描述根據(jù)第三實施例的PCB。圖17是截面圖，示出了根據(jù)第三實施例的PCB。參照圖17，根據(jù)本實施例的PCB300包括形成第一絕緣層320和第二絕緣層325的芯部絕緣層、形成在該芯部絕緣層中的通孔線315、形成在該芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層311、以及分別形成在第一絕緣層320和第二絕緣層325上的第一和第二外部電路層331、335和345。第一絕緣層320形成在第二絕緣層325上，并且在第一絕緣層320與第二絕緣層325之間可以存在其他絕緣層(未示出)。第一絕緣層320和第二絕緣層325可以包括熱固性聚合物襯底、熱塑性聚合物襯底、陶瓷襯底或者有機(jī)/無機(jī)復(fù)合襯底。第一絕緣層320和第二絕緣層325可以包括聚合物樹脂，例如環(huán)氧絕緣樹脂，或者聚酰亞胺樹脂。此外，可以利用包括固體成分(諸如玻璃纖維)的樹脂形成第一絕緣層320和第二絕緣層325。可以利用相同材料形成第一絕緣層320和第二絕緣層325。第一絕緣層320和第二絕緣層325的厚度可以分別在大約30μm至大約80μm的范圍內(nèi)。具有第一絕緣層320和第二絕緣層325的層疊結(jié)構(gòu)的芯部絕緣層的厚度在大約60μm至大約160μm的范圍內(nèi)，優(yōu)選的是在大約60μm至大約140μm的范圍內(nèi)。通孔線315和內(nèi)部電路層311形成在芯部絕緣層中。通孔線315是穿過第一絕緣層320和第二絕緣層325形成的導(dǎo)電通孔線。通孔線315在第一絕緣層320與第二絕緣層325之間的邊界處具有最大寬度d1。每個通孔線315的寬度隨著其接近第一絕緣層320和第二絕緣層325的頂面而逐漸變窄。因此，每個通孔線315的與第一絕緣層320和第二絕緣層325頂面相交的部分具有最小的寬度d2，使得通孔線315具有六邊形截面形狀。通孔線315的寬度d1和d2在大約20μm至大約300μm的范圍內(nèi)。通孔線315是導(dǎo)電通孔線并且可以利用含Cu合金形成。通孔線315包括埋入第一絕緣層320中并且由含Cu合金形成的第一部315a、在第一部315a下方埋入第二絕緣層325中并且由與第一部315a相同的合金形成的第二部315b、以及介于第一部315a與第二部315b之間并且由不同于第一部315a和第二部315b的合金形成的第三部315c。第三部315c形成在通孔線315的中心處，并且第三部315c的底面可以具有通孔線315的最大寬度d1。第三部315c可以利用含Ni、Fe、Co、Mo或Cr的合金來形成，并且相對于第一部315a和第二部315b具有刻蝕選擇性。第一部315a和第二部315b的厚度在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第三部315c的厚度在5μm至70μm的范圍內(nèi)。內(nèi)部電路層311形成在第二絕緣層325上。內(nèi)部電路層311的電路圖案的厚度在6μm至30μm范圍內(nèi)，其寬度為大約50μm或更小，優(yōu)選的是30μm，使得能夠形成微圖案。內(nèi)部電路層311具有矩形截面形狀。利用與通孔線315的第三部315c相同的材料形成內(nèi)部電路層311。與通孔線315相連的通孔線墊335和345以及用于形成電路圖案331的圖案凹槽321和326分別形成在第一絕緣層320和第二絕緣層325的頂面和底面上。在填充圖案凹槽321和326的同時能夠形成外部電路層331、335和345。外部電路層331、335和345分為第一外部電路層331和335以及第二外部電路層345，第一外部電路層331和335用于填充在第一絕緣層320(其為芯部絕緣層的上層)上形成的圖案凹槽321和326，第二外部電路層345用于填充在第二絕緣層325(其為芯部絕緣層的下層)底面上形成的圖案凹槽321和326。外部電路層331、335和345可以制備為如圖2所示的單層。此外，外部電路層331、335和345可以制備為包括下種層(lowerseedlayer)和上鍍層(upperplatinglayer)的多層。通過化學(xué)鍍、濺射等方法沿著圖案凹槽321和326的側(cè)面和底面淺淺地形成所述種層。此外，可以利用含Cu、Ni、Pd或Cr的合金形成所述種層。通過電鍍工序在所述種層上形成鍍層。利用含Cu、Ag、Au、Ni或Pd的合金形成該鍍層，并且使其填充在圖案凹槽321和326中。形成在第一絕緣層320和第二絕緣層325中的圖案凹槽321和326根據(jù)其制造方法可以具有矩形截面形狀或者彎曲的截面形狀。優(yōu)選的是，圖案凹槽321和326具有U形截面形狀。盡管描述了在芯部絕緣層上和下形成單層形式的外部電路層331、335和345，但是本實施例不限于此。例如，在第一絕緣層320和第二絕緣層325上分別形成了覆蓋外部電路層331、335和345的上絕緣層之后，可以在該上絕緣層上形成電路層，以形成多層PCB。如上所述，因為內(nèi)部電路層311掩埋在本實施例所述的PCB300的芯部絕緣層中，所以可以形成2n+1(n為正整數(shù))個電路層。此外，在芯部絕緣層的基礎(chǔ)上，絕緣層的數(shù)量與電路層的數(shù)量相同，使得能夠防止PCB在一個方向上彎曲。因此，能夠在不增加絕緣層數(shù)量的情況下形成奇數(shù)個電路層。此外，因為包括導(dǎo)電材料的通孔線315形成在芯部絕緣層中，所以能夠改善散熱效率。此外，在絕緣層中形成凹槽之后可以通過鍍工序形成外部電路層。在這種情況下，能夠形成微圖案。下文中，將參照圖18-30描述制造圖17的PCB的方法。首先，如圖18所示，制備導(dǎo)電金屬襯底310?？梢岳密堉撇螂娊獠问降暮珻u合金來形成導(dǎo)電金屬襯底310。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格，導(dǎo)電金屬襯底310可以具有不同的厚度。導(dǎo)電金屬襯底310具有第一金屬層310a、第二金屬層310b和第三金屬層310c的層疊結(jié)構(gòu)?？梢岳煤珻u合金形成第一金屬層310a和第三金屬層310c?？梢岳孟鄬τ诘谝唤饘賹?10a和第三金屬層310c具有刻蝕選擇性的金屬形成位于第一金屬層310a與第三金屬層310c之間的第二金屬層310b。可以利用含Ni、Fe、Co、Mo或Cr的合金形成第二金屬層310b。第一金屬層310a和第二金屬層310b的厚度可以在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第二金屬層310b的厚度可以在5μm至70μm的范圍內(nèi)。根據(jù)本實施例，金屬襯底310的厚度優(yōu)選在80μm至170μm范圍內(nèi)?？梢酝ㄟ^諸如酸洗或沖洗等表面處理工序來處理金屬襯底310的表面。然后，如圖19所示，將光刻膠膜316附著于金屬襯底310的頂面上。光刻膠膜316形成刻蝕圖案以刻蝕金屬襯底310。光刻膠膜316的厚度可在15μm至30μm范圍內(nèi)變化，并且可以采用UV曝光型光刻膠膜以及LDI曝光型光刻膠膜。此后，如圖20所示，對光刻膠膜316進(jìn)行曝光和顯影工序，以形成光刻膠圖案(未示出)，并且利用該光刻膠圖案作為掩模刻蝕金屬襯底310，由此形成通孔線315的第一部315a。然后，利用諸如氯化銅和氯化鐵等濕法刻蝕溶液濕法刻蝕一部分金屬襯底310，以形成通孔線315的第一部315a。由于第一金屬層310a與第二金屬層310b之間的刻蝕選擇性，當(dāng)形成第一部315a時僅刻蝕第一金屬層310a。在刻蝕了通孔線315的第一部315a以及內(nèi)部電路層311之后，利用NaOH稀溶液使光刻膠圖案剝離。接著，如圖21所示，在第一部315a以及第二金屬層310b的露出的前表面上形成光刻膠膜317。為了利用第二金屬層310b形成內(nèi)部電路層311，對形成在第二金屬層310b上的一部分光刻膠膜317進(jìn)行曝光和顯影工序，以形成如圖22所示的光刻膠圖案318，并且利用光刻膠膜318作為掩模選擇性刻蝕第二金屬層310b，由此形成內(nèi)部電路層311以及通孔線315的第三部。由于第一金屬層310a與第二金屬層310b之間的刻蝕選擇性，通孔線315的第一部315a可以用作第三部315c的刻蝕掩模。當(dāng)形成在第二金屬層310b下的第三金屬層310c露出時，停止刻蝕工序并且內(nèi)部電路層311形成。內(nèi)部電路層311具有矩形截面形狀。此后，如圖23所示，形成第一絕緣層320，使得通孔線315的第一部315a和第三部315c以及內(nèi)部電路層311可以埋入第一絕緣層320中?？梢岳镁哂泄腆w成分(諸如玻璃纖維)或者不具有固體成分的熱固性樹脂或熱塑性樹脂來形成第一絕緣層320。第一絕緣層320的厚度可以在大約30μm至大約80μm范圍內(nèi)。然后，如圖24所示，分別在第一絕緣層320上和金屬襯底310下形成光刻膠膜336。形成在金屬襯底310下的光刻膠膜336用作基體，以形成用于形成通孔線315的第二部315b和內(nèi)部電路層311的光刻膠圖案。此外，形成在第一絕緣層320上的光刻膠膜336用作在金屬襯底310下形成光刻膠圖案的基體以及在金屬襯底310的刻蝕工序中保護(hù)上層的保護(hù)膜。因此，可以省略掉形成在第一絕緣層320上的光刻膠膜336。此后，如圖25所示，對金屬襯底310下形成的光刻膠膜336顯影以形成光刻膠圖案，并且利用該光刻膠圖案作為掩模來刻蝕金屬襯底310，從而在通孔線315的第一部315a下形成第二部315b。按照這種方式，通過刻蝕工序?qū)⑼拙€315的上部和下部分成第一部315a、第二部315b和第三部315c，使得通孔線315具有六邊形截面形狀，其中通孔線315的中心具有最大寬度d1，并且寬度從通孔線315的中心向外部變窄。當(dāng)形成了通孔線315的第二部315b時，使光刻膠圖案剝離。然后，如圖26所示，沉積第二絕緣層325，使得通孔線315的第二部315b能被埋入第二絕緣層325中。然后，如圖27所示，在第一絕緣層和第二絕緣層的表面上形成圖案凹槽321和326。圖案凹槽321和326可以包括用于露出通孔線的通孔線墊凹槽和用于埋入電路圖案的電路圖案凹槽。為了在第一絕緣層和第二絕緣層中形成圖案凹槽321和326，可以使用需要使用圖案掩模的準(zhǔn)分子激光器或者無需使用圖案掩模的UV-YAG激光器。如果使用準(zhǔn)分子激光器，則可以利用XeCl(308nm)、Krf(248nm)和ArF(193nm)之一。如果在第一絕緣層和第二絕緣層中形成圖案凹槽321和326，則圖案凹槽321和326根據(jù)電路的線/間以及振動深度具有V形截面形狀或者矩形截面形狀。相反，如果使用UV-YAG激光器，則圖案凹槽321和326具有彎曲的截面形狀。優(yōu)選的是，圖案凹槽321和326具有U形截面形狀。此后，如圖28所示，形成鍍層330和340以填充圖案凹槽321和326。具體而言，通過化學(xué)鍍工序在第一絕緣層320和第二絕緣層325的整個表面上形成種層。在利用Cu通過化學(xué)鍍工序形成種層之前，可以實施預(yù)處理工序，例如清洗工序、軟刻蝕工序、預(yù)催化工序、催化處理工序或者加速工序。同時，可以實施濺射工序來取代化學(xué)鍍工序。根據(jù)濺射工序，由等離子體產(chǎn)生的氣體的離子顆粒(例如Ar+)與銅靶撞擊，從而在絕緣層320和325上形成銅金屬層。此外，可以利用Ni-Pd合金或者Ni-Cr合金取代銅，通過化學(xué)鍍工序或者濺射工序形成種層。然后，在種層上實施電鍍工序，以在第一絕緣層320和第二絕緣層325的整個區(qū)域上形成導(dǎo)電鍍層330和340，使得圖案凹槽321和326可以填充有鍍層330和340?？梢岳煤珻u、Ag、Au、Ni或Pd的合金來形成鍍層330和340。優(yōu)選的是，鍍含銅合金。為了形成鍍層330和340，將襯底浸沒在Cu鍍槽中，并且利用直流整流器或者脈沖整流器來實施電鍍工序。根據(jù)電鍍工序，計算電鍍面積，并且將電流施加到直流整流器或者脈沖整流器以萃取金屬。如上所述，通過化學(xué)鍍工序或者電鍍工序可以獲得圖28所示的鍍層330和340。相反，可以通過相對于導(dǎo)電金屬實施無電極電鍍工序來填充圖案凹槽321和326。然后，如圖29所示，完全去除鍍層330和340以及種層，直到第一絕緣層320和第二絕緣層325的表面露出為止。因此，僅在圖案凹槽321和326中形成了外部電路層331、335和345。通過閃蝕(flashetching)工序可以去除鍍層330和340。如果所要去除的鍍層330和340的厚度過大，則可以在閃蝕工序之前實施半刻蝕工序。最后，如圖30所示，埋入外部電路層331、335和345的電路圖案331，并且形成覆蓋層350以露出墊335和345。按照這種方式，與通過在絕緣層鉆孔來形成通孔并且通過掩埋該通孔來形成通孔線的現(xiàn)有技術(shù)不同，本實施例通過刻蝕金屬襯底310形成通孔線315之后形成掩埋通孔線315的絕緣層320和325，由此降低了制造成本。此外，因為利用與通孔線315相同的金屬襯底來形成內(nèi)部電路層311，所以能夠減少制造步驟。下文中，將參照圖31描述根據(jù)第四實施例的PCB。參照圖31，根據(jù)第四實施例的PCB400包括形成第一絕緣層420和第二絕緣層425的芯部絕緣層、形成在該芯部絕緣層中的通孔線415、形成在該芯部絕緣層中的內(nèi)部電路層412、以及分別形成在第一絕緣層420和第二絕緣層425上的第一和第二外部電路層431、435和445。第一絕緣層420形成在第二絕緣層425上，并且在第一絕緣層420與第二絕緣層425之間可以存在其他絕緣層?？梢岳冒ㄖT如玻璃纖維等固體成分的樹脂形成第一絕緣層420和第二絕緣層425?？梢岳孟嗤牧闲纬傻谝唤^緣層420和第二絕緣層425。第一絕緣層420和第二絕緣層425具有層疊結(jié)構(gòu)以形成芯部絕緣層。芯部絕緣層的厚度可以在大約60μm至大約140μm的范圍內(nèi)。在芯部絕緣層中形成通孔線415和內(nèi)部電路層412。通孔線415是穿過第一絕緣層420和第二絕緣層425形成的導(dǎo)電通孔線。通孔線415在第一絕緣層420與第二絕緣層425之間的邊界處具有最大寬度。每個通孔線415的寬度隨著其接近第一絕緣層420和第二絕緣層425的頂面而逐漸變窄。因此，通孔線415具有六邊形截面形狀。通孔線415的寬度d1和d2在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。通孔線415是導(dǎo)電通孔線并且可以利用含Cu合金形成。通孔線415包括埋入第一絕緣層420中并且由含Cu合金形成的第一部415a、在第一部415a下方埋入第二絕緣層425中并且由與第一部415a相同的合金形成的第二部415b、以及介于第一部415a與第二部415b之間且由不同于第一部415a和第二部415b的合金形成的第三部415c。第三部415c形成在通孔線415的中心處，并且第三部415c的底面可以具有通孔線415的最大寬度d1。第三部415c可以利用含Ni、Fe、Co、Mo或Cr的合金來形成，并且相對于第一部415a和第二部415b可以具有刻蝕選擇性。第一部415a和第二部415b的厚度在20μm至70μm的范圍內(nèi)，第三部415c的厚度在5μm至70μm的范圍內(nèi)。內(nèi)部電路層412具有矩形截面形狀。內(nèi)部電路層412的寬度為大約60μm或更小，優(yōu)選為50μm或更小，使得能夠形成微圖案。利用與通孔線415的第三部415c相同的材料形成內(nèi)部電路層412。在第一絕緣層420和第二絕緣層425的頂面和底面上分別形成與通孔線415相連的通孔線墊435和445以及用來形成電路圖案431的圖案凹槽421和426。在填充圖案凹槽421和426的同時可以形成外部電路層431、435和445。外部電路層431、435和445可以分為第一外部電路層431和435以及第二外部電路層445，第一外部電路層431和435用于填充在第一絕緣層420(其為芯部絕緣層的上層)上形成的圖案凹槽421和426，第二外部電路層445用于填充在第二絕緣層425(其為芯部絕緣層的下層)的底面上形成的圖案凹槽421和426。外部電路層431、435和445可以制備為如圖2所示的單層。此外，外部電路層431、435和445可以制備為包括下種層和上鍍層的多層。通過化學(xué)鍍、濺射等方法沿著圖案凹槽421和426的側(cè)面和底面淺淺地形成種層。此外，可以利用含Cu、Ni、Pd或Cr的合金形成該種層。通過電鍍工序在種層上形成鍍層。利用含Cu、Ag、Au、Ni或Pd的合金形成該鍍層，并且使其填充在圖案凹槽421和426中。形成在第一絕緣層420和第二絕緣層425中的圖案凹槽421和426根據(jù)其制造方法可以具有矩形截面形狀或者彎曲的截面形狀。優(yōu)選的是，圖案凹槽421和426具有U形截面形狀。在圖31所示的PCB400中，內(nèi)部電路層412的電路圖案具有多邊形截面形狀，其相對于第一絕緣層420與第二絕緣層425之間的邊界對稱形成，類似于通孔線415。優(yōu)選的是，內(nèi)部電路層412的電路圖案具有矩形截面形狀或者六邊形截面形狀。具體而言，內(nèi)部電路層412的一部分被埋入第一絕緣層420中，并且內(nèi)部電路層412的其他部分被埋入第二絕緣層425中。通過圖18-30所示的制造方法，可以形成圖31所示的內(nèi)部電路層412。如上所述，因為內(nèi)部電路層412被埋入本實施例所述的PCB400的芯部絕緣層中，所以可以形成2n+1(n為正整數(shù))個電路層。此外，在芯部絕緣層的基礎(chǔ)上，絕緣層的數(shù)量與電路層的數(shù)量相同，使得能夠防止PCB在一個方向上彎曲。因此，可以在不增加絕緣層數(shù)量的情況下形成奇數(shù)個電路層。此外，因為包括導(dǎo)電材料的通孔線415形成在芯部絕緣層中，所以能夠改善散熱效率。此外，利用異質(zhì)金屬形成金屬襯底的中間層，于是，能夠防止金屬襯底在制造過程中彎曲。盡管參照多個示例性實施例描述了具體的實施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出許多其他的落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)的修改和實施例。更特別的是，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)可以對組成部件和/或主題組合設(shè)置進(jìn)行各種變化和修改。除了組成部件和/或設(shè)置的變化和修改之外，替換使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是顯而易見的。