專利名稱：一種高電位諧波發(fā)生電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及信號發(fā)生電路，特別是涉及一種高電位諧波發(fā)生電路。
背景技術：
現(xiàn)有市場銷售的高電位治療儀一般不包括諧波發(fā)生電路，這必將影響高電位治療儀的治療效果及療效時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是彌補上述現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種高電位諧波發(fā)生電路，用于改善高電位治療儀的治療效果及療效時間。本發(fā)明的技術問題通過以下技術方案予以解決。這種高電位諧波發(fā)生電路，是正弦波波形上疊加諧波的諧波發(fā)生電路，包括諧波及波形疊加主回路以及電源電路，所述電源電路包括初級線圈與市電連接的同步控制變壓器和與所述同步控制變壓器次級線圈并聯(lián)的市電整流濾波穩(wěn)壓電路。這種高電位諧波發(fā)生電路的特點是所述諧波及波形疊加主回路包括由電感、電容及可控硅組成的串聯(lián)諧振支路，且電感的一端即所述串聯(lián)諧振支路的一端與同步控制變壓器的初級線圈的一端連接，可控硅的一端即所述串聯(lián)諧振支路的另一端與同步控制變壓器的初級線圈的另一端連接，還與高電位輸出變壓器的初級線圈的一端連接，電容與電感的連接點與高電位輸出變壓器的初級線圈的另一端連接，所述串聯(lián)諧振支路利用可控硅維持電流特性自動關斷每一次諧振持續(xù)過程。設有微處理器芯片及其外圍的同步中斷信號產(chǎn)生電路、基準時間振蕩電路、復位電路，所述微處理器芯片的中斷腳與所述同步中斷信號產(chǎn)生電路的輸出端連接，所述微處理器芯片的基準時間腳與所述基準時間振蕩電路的輸出端連接，所述微處理器芯片的復位腳與所述復位電路的輸出端連接。本發(fā)明的技術問題通過以下進一步的技術方案予以解決。所述同步中斷信號產(chǎn)生電路包括同步控制變壓器的次級降壓線圈、三極管型光電耦合器，以及發(fā)光二極管側(cè)的直流限流電阻和光敏三極管的集電極電阻，所述光電耦合器在市電交流電的正半周時間導通，次級降壓線圈將市電220V降壓到12V，以保證同步中斷信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的可控硅觸發(fā)脈沖延時起始點與市電過零點同步。采用三極管型光電耦合器可以提高中斷信號產(chǎn)生電路及微處理器芯片的抗干擾能力。所述可控硅是設有控制端為光電耦合隔離元件的可控硅，采用控制端為光電耦合隔離元件的可控硅可以提高微處理器芯片和諧波及波形疊加主回路抗干擾能力。還設有可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路，所述可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路的輸入端與所述微處理器芯片的一輸出端連接，所述可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路的輸出端經(jīng)串聯(lián)電阻限流后與所述可控硅的控制端連接。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術對比的有益效果是本發(fā)明的電路簡單，可靠性高，利用可控硅維持電流特性自動關斷每一次諧振持續(xù)過程，市電每周期內(nèi)可產(chǎn)生多次諧振，每次諧振產(chǎn)生的時間也可任意設置。用于高電位治療設備可顯著改善其治療效果及療效時間。


圖I是本發(fā)明具體實施方式
的電路組成方框圖；圖2是本發(fā)明具體實施方式
的電路圖。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施方式
并對照附圖對本發(fā)明進行說明。一種如圖1、2所示的用于高電位治療設備的高電位諧波發(fā)生電路，是正弦波波形上疊加諧波的諧波發(fā)生電路，包括諧波及波形疊加主回路I以及電源電路，電源電路包括同步控制變壓器T2和與同步控制變壓器T2次級線圈并聯(lián)的市電整流濾波穩(wěn)壓電路2。諧波及波形疊加主回路I包括由電感LI、電容C5及可控硅U4組成的串聯(lián)諧振支路，且電感LI的一端即串聯(lián)諧振支路的一端與同步控制變壓器T2的初級線圈的一端連接， 可控硅U4的一端即串聯(lián)諧振支路的另一端與同步控制變壓器T2的初級線圈的另一端連接，還與高電位輸出變壓器Tl的初級線圈的一端連接，電容C5與電感LI的連接點與高電位輸出變壓器Tl的初級線圈的另一端連接；串聯(lián)諧振支路利用可控硅U4維持電流特性自動關斷每一次諧振持續(xù)過程，可控娃U4米用型號為M0C3052M設有控制端為光電稱合隔離元件的可控硅，其維持電流為220微安。采用控制端為光電耦合隔離元件的可控硅U4可以提高微處理器芯片和諧波及波形疊加主回路的抗干擾能力。還設有型號為8052的單片機微處理器芯片4及其外圍的同步中斷信號產(chǎn)生電路 5、基準時間振蕩電路6和復位電路7，微處理器芯片4采用型號為8052的單片機芯片Ul， 其中斷腳39與同步中斷信號產(chǎn)生電路5的輸出端連接，基準時間腳14、15與基準時間振蕩電路6的輸出端連接，復位腳4與復位電路7的輸出端連接。同步中斷信號產(chǎn)生電路5包括同步控制變壓器T2的次級降壓線圈、三極管型光電耦合器U2，以及發(fā)光二極管側(cè)的直流限流電阻R3和光敏三極管的集電極電阻R4，光電耦合器U2在市電交流電的正半周時間導通，用于向微處理器芯片4提供中斷請求信號。同步控制變壓器T2的次級降壓線圈將市電220V降壓到12V，以保證同步中斷信號產(chǎn)生電路5產(chǎn)生的可控硅觸發(fā)脈沖延時起始點與市電過零點同步。采用三極管型光電耦合器U2可以提高微處理器芯片及同步中斷信號產(chǎn)生電路的抗干擾能力?；鶞蕰r間振蕩電路6包括具體振蕩器Xl、濾波電容C2和濾波電容C3，用于向微處理器芯片4提供基準時間。復位電路7包括復位電阻和濾波電容Cl，用于向微處理器芯片4提供復位信號。還相應設有采用型號為ULN2003的單片集成驅(qū)動芯片U3的可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路3，其輸入端與單片機芯片Ul的輸出腳19連接，輸出端經(jīng)串聯(lián)電阻R5限流后與可控硅 U4的控制端即發(fā)光二極管的陰極連接。市電經(jīng)同步控制變壓器T2降壓后，同步中斷信號產(chǎn)生電路5的三極管型光電耦合器U2檢測到市電過零點并產(chǎn)生同步中斷脈沖信號，單片機芯片Ul的中斷腳39檢測到同步中斷請求后，執(zhí)行中斷延時程序或直接計數(shù)延時，根據(jù)需求設定的延時時間結(jié)束時單片機芯片Ul的輸出腳19發(fā)出脈沖信號經(jīng)單片集成驅(qū)動芯片U3放大形成與市電同步的可控硅 U4的觸發(fā)脈沖信號，單片機芯片Ul在一個市電周期內(nèi)根據(jù)需求可以軟件設定觸發(fā)脈沖序列的數(shù)量以及每個脈沖間的時間間隔，以產(chǎn)生不同的觸發(fā)脈沖或觸發(fā)脈沖序列，即可實現(xiàn)在同一市電周期內(nèi)產(chǎn)生不同延時的觸發(fā)脈沖已達到諧振在不同的時間點上發(fā)生，控制諧波及波形疊加主回路I的串聯(lián)諧振支路在同一周期內(nèi)不同時間點發(fā)生諧振或者發(fā)生多次諧振，在高電位輸出變壓器Tl初級線圈得到疊加不同諧波的正弦波，以顯著改善高電位治療設備的治療效果及療效時間。 以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為屬于本發(fā)明由所提交的權利要求書確定的專利保護范圍。
權利要求
1.一種高電位諧波發(fā)生電路，包括諧波及波形疊加主回路以及電源電路，所述電源電路包括初級線圈與市電連接的同步控制變壓器和與所述同步控制變壓器次級線圈并聯(lián)的市電整流濾波穩(wěn)壓電路，其特征在于所述諧波及波形疊加主回路包括由電感、電容及可控硅組成的串聯(lián)諧振支路，且電感的一端即所述串聯(lián)諧振支路的一端與同步控制變壓器的初級線圈的一端連接，可控硅的一端即所述串聯(lián)諧振支路的另一端與同步控制變壓器的初級線圈的另一端連接，還與高電位輸出變壓器的初級線圈的一端連接，電容與電感的連接點與高電位輸出變壓器的初級線圈的另一端連接，所述串聯(lián)諧振支路利用可控硅維持電流特性自動關斷每一次諧振持續(xù)過設有微處理器芯片及其外圍的同步中斷信號產(chǎn)生電路、基準時間振蕩電路、復位電路， 所述微處理器芯片的中斷腳與所述同步中斷信號產(chǎn)生電路的輸出端連接，所述微處理器芯片的基準時間腳與所述基準時間振蕩電路的輸出端連接，所述微處理器芯片的復位腳與所述復位電路的輸出端連接。
2.如權利要求I所述的高電位諧波發(fā)生電路，其特征在于所述同步中斷信號產(chǎn)生電路包括同步控制變壓器的次級降壓線圈、三極管型光電耦合器，以及發(fā)光二極管側(cè)的直流限流電阻和光敏三極管的集電極電阻，所述光電耦合器在市電交流電的正半周時間導通。
3.如權利要求I或2所述的高電位諧波發(fā)生電路，其特征在于所述可控硅是設有控制端為光電耦合隔離元件的可控硅。
4.如權利要求3所述的高電位諧波發(fā)生電路，其特征在于設有可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路，所述可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路的輸入端與所述微處理器芯片的一輸出端連接，所述可控硅觸發(fā)脈沖驅(qū)動電路的輸出端經(jīng)串聯(lián)電阻限流后與所述可控硅的控制端連接。
全文摘要
一種高電位諧波發(fā)生電路，包括諧波及波形疊加主回路以及電源電路，諧波及波形疊加主回路包括由電感、電容及可控硅組成的串聯(lián)諧振支路，且電感的一端即所述串聯(lián)諧振支路的一端與同步控制變壓器初級線圈的一端連接，可控硅的一端即所述串聯(lián)諧振支路的另一端與同步控制變壓器初級線圈的另一端連接，還與高電位輸出變壓器初級線圈的一端連接，電容與電感的連接點與高電位輸出變壓器的初級線圈的另一端連接，設有微處理器芯片及其外圍同步中斷信號產(chǎn)生電路。電路簡單，可靠性高，利用可控硅維持電流特性自動關斷每一次諧振持續(xù)過程，市電每周期內(nèi)可產(chǎn)生多次諧振，每次諧振產(chǎn)生的時間也可任意設置。用于高電位治療設備可顯著改善其治療效果及療效時間。
文檔編號H03K3/02GK102594301SQ20121001367
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權日2012年1月16日
發(fā)明者薛軍, 賈月超 申請人:深圳市艾爾曼醫(yī)療電子儀器有限公司