專利名稱：具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于光纖前置放大器的高速相位分裂電路，該相位分裂電路應(yīng)用了具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂放大器，來(lái)提高前置放大器的工作頻率。
背景技術(shù)：
光纖通信是以光為信息載體，光纖作為傳輸媒介的一種通信傳輸方式，具有帶寬高、損耗低、受外界電磁干擾小等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為了網(wǎng)絡(luò)通信的主要形式。光收發(fā)模塊是光纖接入網(wǎng)的核心器件，主要由接收模塊和發(fā)射模塊兩部分組成。其中發(fā)射模塊主要由激光驅(qū)動(dòng)電路和激光二極管(LD)兩部分組成，激光二極管將用戶發(fā)出的電信號(hào)轉(zhuǎn)變成光信號(hào)發(fā)射出去，驅(qū)動(dòng)電路為激光二極管提供驅(qū)動(dòng)電流以確定輸出功率和速度。接收模塊主要由光電二極管(ro)、前置放大器和限幅放大器等幾部分組成，光電二極管接收網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓?信號(hào)并將之轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)，前置放大器將這個(gè)電流信號(hào)放大為電壓信號(hào)。限幅放大器對(duì)前置放大器的輸出信號(hào)進(jìn)一步放大，變成滿足用戶幅度要求的數(shù)字信號(hào)。前置放大器和光電二極管工作基本原理如圖I所示，其中光電二極管接收網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓庑盘?hào)，并將這個(gè)光信號(hào)轉(zhuǎn)變成與之對(duì)應(yīng)的電流信號(hào)Iin輸入到前置放大器。圖I中的Cd是光電二極管的等效寄生電容，虛線框中部分是前置放大器。前置放大器主要由跨阻放大器和相位分裂電路兩部分組成?？缱璺糯笃饔煞糯笃鰽和反饋電阻Rf共同構(gòu)成，將輸入的電流信號(hào)轉(zhuǎn)變成單端的電壓信號(hào)I tia輸出。但是單端的輸出信號(hào)很容易受到電源擾動(dòng)以及噪聲的影響，導(dǎo)致對(duì)輸出信號(hào)的誤判。為此，目前工業(yè)上廣泛應(yīng)用的前置放大器都在跨阻放大器的后面引入了相位分裂電路，將跨阻放大器輸出的單端信號(hào)轉(zhuǎn)變成差分的形式，以提高信號(hào)對(duì)于電源和共模電壓變化的抑制能力。一般情況下，相位分裂電路僅將輸入的單端信號(hào)轉(zhuǎn)變成具有180度相位差的差分信號(hào)，基本不會(huì)影響到前置放大器的增益和工作頻率。即前置放大器的增益和帶寬等重要指標(biāo)由跨阻放大器的增益和光電二極管的寄生電容等參數(shù)來(lái)確定。因此，跨阻放大器帶寬成為了限制整體前置放大器工作頻率的主要瓶頸。傳統(tǒng)光纖前置放大器中的相位分裂電路，一般是通過(guò)將輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)低通濾波器以獲得其共模電壓。但是這個(gè)低通濾波器的電容都很大，以獲得較低的截止頻率，這需要較多的芯片面積，而且該低通濾波器的響應(yīng)時(shí)間也會(huì)較長(zhǎng)。因此，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)相位分裂放大器的兩端共模電壓不精確相等的情況，導(dǎo)致共模電壓出現(xiàn)失調(diào)或者兩路差分信號(hào)相位出現(xiàn)偏移。同時(shí)也有其它一些解決方案，例如中國(guó)專利“高速相位分裂電路”，其公開(kāi)號(hào)為CN101626232，
公開(kāi)日期為2010年I月13日，提出了一種高速的相位分裂電路，其相位分裂電路由相位分裂放大器和有損積分器等部分構(gòu)成，其有損積分器輸入信號(hào)來(lái)自相位分裂放大器的輸出，以產(chǎn)生相位分裂放大器輸入端的共模電壓，相位分裂放大器將輸入的單端信號(hào)與有損積分器輸出的共模電壓的差值進(jìn)行放大，得到具有180度相位差的差分信號(hào)。但是，該方案存在以下幾個(gè)不足之處首先，該相位分裂電路不具備頻率擴(kuò)展功能，無(wú)法提高整個(gè)前置放大器的工作頻率。其次，該有損積分器需要一個(gè)線性電阻與積分電容并聯(lián)，這在很大程度上提高了芯片的面積并降低了該放大器的低頻增益。第三，在有損積分器的同相輸入端加入了補(bǔ)償電阻，以補(bǔ)償其同相和反相端的電流差。但是由于加工過(guò)程隨機(jī)失配的存在，補(bǔ)償電阻無(wú)法實(shí)現(xiàn)與有損積分器的線性電阻精確相等，這會(huì)導(dǎo)致有損積分器的輸出共模電壓出現(xiàn)偏差，使得相位分裂放大器的輸出差分信號(hào)出現(xiàn)明顯的直流偏差，對(duì)后級(jí)電路產(chǎn)生不必要的直流失調(diào)，導(dǎo)致光接收模塊出現(xiàn)誤判。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是為了解決現(xiàn)有相位分裂電路中的跨阻放大器帶寬對(duì)前置放大器工作頻率的限制，提出了一種具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路，該相位分裂電路可以提高前置放大器的工作頻率。本發(fā)明所述具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，它包括第一 PMOS晶體管Ml、電阻R1、電阻R2、相位分裂放大器和積分器，相位分裂放大器由第一放大器Al和第二放大器A2級(jí)聯(lián)組成，積分器由第三放大器A3、電阻R3、電阻R4和電容Cl組成，電阻Rl的一端接電源VDD !，電阻Rl的另一端同時(shí)連接第一 PMOS晶體管Ml的源極和第一放大器Al的同相輸入端VIP，第一 PMOS晶體管Ml的柵極作為跨阻放大器輸出信號(hào)V0_TIA接收端，第一 PMOS晶體管Ml的漏極連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接 GND !；第一放大器Al的反相輸入端VIN連接第三放大器A3的輸出端VCM,第二放大器A2的反相輸出端VON連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接第三放大器A3的同相輸入端，第二放大器A2的同相輸出端VOP連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接第三放大器A3的反相輸入端，電容Cl連接在第三放大器A3的反相輸入端和輸出端之間。第一放大器Al包括第一 NMOS晶體管麗1_A1、第二 NMOS晶體管麗2_AI、第三NMOS晶體管MN3_A1、第四NMOS晶體管MN4_A1、第五NMOS晶體管MN5_A1、第六NMOS晶體管MN6_Al、電阻 RB_A1、電阻 RS1_A1、電阻 RS2_A1 和電阻 RCM_A1，電阻RB_A1的一端連接電源VDD !，電阻RB_A1的另一端連接第六NMOS晶體管MN6_A1的柵極及其漏極的公共端，第六NMOS晶體管MN6_A1的源極連接GND !；電阻RCM_A1的一端連接電源VDD !，電阻RCM_A1的另一端連接第三匪OS晶體管MN3_A1和第四NMOS晶體管MN4_A1的漏極公共端；第三NMOS晶體管麗3_A1的柵極連接電阻RS1_A1的一端，電阻RS1_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端；第三NMOS晶體管麗3_A1的源極和第一 NMOS晶體管麗1_A1的漏極的連接公共端作為第一放大器Al的同相輸出端VOPl ;第一 NMOS晶體管麗1_A1的柵極作為第一放大器Al的反相輸入端VIN，第一 NMOS晶體管麗1_A1和第二 NMOS晶體管麗2_A1的源極公共端連接第五NMOS晶體管麗5_A1的漏極，第五NMOS晶體管麗5_A1的柵極作為第一放大器Al尾電流偏置電壓輸入端，第五NMOS晶體管MN5_A1的源極連接GND !；第二 NMOS晶體管MN2_A1的漏極和第四NMOS晶體管MN4_A1的源極的連接公共端作為第一放大器Al的反相輸出端V0N1，第二 NMOS晶體管麗2_A1的柵極作為第一放大器、Al的同相輸入端VIP ；第四NMOS晶體管MN4_A1的柵極連接電阻RS2_A1的一端，電阻RS2_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端。第二放大器A2包括第七NMOS晶體管麗1_A2、第八NMOS晶體管麗2_A2、第九NMOS晶體管MN3_A2、第二 PMOS晶體管MP 1_A2、第三PMOS晶體管MP2_A2、電阻RL 1_A2、電阻RL2_A2、電阻 RC_A2、電容 CL1_A2 和電容 CL2_A2，電阻RC_A2的一端連接電源VDD !，電阻RC_A2的另一端連接第二 PMOS晶體管MP1_A2和第三PMOS晶體管MP2_A2的源極公共端，電容CL1_A2連接在第二 PMOS晶體管MP1_A2的源極和柵極 之間，電阻RL1_A2連接在第二 PMOS晶體管MP1_A2的漏極和柵極之間，電容CL2_A2連接在第三PMOS晶體管MP2_A2的源極和柵極之間，電阻RL2_A2連接在第三PMOS晶體管MP2_A2的漏極和柵極之間，第二 PMOS晶體管MP1_A2的漏極和第七NMOS晶體管麗1_A2的漏極連接公共端作為第二放大器A2的同相輸出端V0P，第七NMOS晶體管MN1_A2的柵極作為第二放大器A2的反相輸入端VIN2 ；第三PMOS晶體管MP2_A2的漏極與第八NMOS晶體管麗2_A2的漏極連接公共端作為第二放大器A2的反相輸出端V0N，第八NMOS晶體管MN2_A2的柵極作為第二放大器A2的同相輸入端VIP2 ；第七NMOS晶體管MN1_A2的源極和第八NMOS晶體管MN2_A2的源極連接，第七NMOS晶體管麗1_A2的源極還與第九NMOS晶體管麗3_A2的漏極連接，第九NMOS晶體管麗3_A2的柵極作為第二放大器A2的尾電流偏置電壓輸入端；第九NMOS晶體管MN3_A2的源極連接GND !。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明設(shè)計(jì)了具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路，其主要由相位分裂放大器和積分器兩部分組成，其中該相位分裂放大器由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的具有頻率擴(kuò)展功能的放大器組成，可以擴(kuò)展相位分裂電路的工作帶寬，進(jìn)而提高了整個(gè)前置放大器的工作頻率。與未應(yīng)用頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路相比，該頻帶擴(kuò)展功能是通過(guò)片上的MOS晶體管、電阻和電容等元件形成的有源電感，其電感的大小可以通過(guò)對(duì)于片上的電阻和電容大小的調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的具體效果已經(jīng)通過(guò)電路仿真最壞情況下電路仿真結(jié)果驗(yàn)證。加工過(guò)程的晶體管閾值電壓變化可以在仿真中由工藝角(Process Corner)變化來(lái)體現(xiàn)，典型情況下(typical)晶體管的閾值電壓偏差為零，一般叫做TT情況。當(dāng)晶體管導(dǎo)通變快時(shí)，所有晶體管的閾值電壓都減小，這是工藝角的FF模式，其閾值電壓較典型情況下減小20%左右；反之則為SS模式，其閾值電壓較典型情況增加20%左右。加工過(guò)程工藝參數(shù)變化會(huì)對(duì)晶體管的閾值電壓、電子遷移率等因素產(chǎn)生影響，這也會(huì)顯著影響到跨阻放大器的_3dB帶寬。表I給出了在工藝角變化情況下，未應(yīng)用具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路和應(yīng)用了具有頻帶擴(kuò)展功能相位分裂電路等良種情況下前置放大器的_3dB帶寬比較。從表I可以看出，當(dāng)加工過(guò)程的FF情況發(fā)生時(shí)，前置放大器的帶寬最低，只有I. 63GHz，應(yīng)用了具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路后，前置放大器的帶寬則達(dá)到了 2. 336GHz，其帶寬改善了 706MHz。當(dāng)加工過(guò)程的TT情況發(fā)生時(shí)，前置放大器的帶寬為I. 981GHz，應(yīng)用了具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路后，前置放大器的帶寬為2. 423GHz，帶寬改善達(dá)到了 442MHz。而在SS情況下，該具有頻率擴(kuò)展功能的相位分裂電路的帶寬改善只有276MHz。表I的結(jié)果表明，該具有頻率擴(kuò)展功能的相位分裂電路可以顯著提高前置放大器的工作帶寬，并降低了不同工藝角情況下帶寬的變化率。表I工藝角變化情況下前置放大器的帶寬改善
未應(yīng)用具有頻帶擴(kuò)展應(yīng)用具有頻帶擴(kuò)展功能帶寬改
功能相位分裂電路的-MB 相位分裂電路后的-3dB帶寬善
帶寬 1-1'1.63011/2.336GHz706MHz
TT1.981GHz2.423GHz442MHz
SS2.216GHz2.492GHz276MHz


圖I是背景技術(shù)前置放大器和光電二極管的工作原理框圖；圖2是具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路原理圖；圖3相位分裂放大器中具有頻帶擴(kuò)展功能的放大器Al電路結(jié)構(gòu)圖；圖4相位分裂放大器中具有頻帶擴(kuò)展功能的放大器A2電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式具體實(shí)施方式
一下面結(jié)合圖2說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，它包括第一 PMOS晶體管Ml、電阻Rl、電阻R2、相位分裂放大器和積分器，相位分裂放大器由第一放大器Al和第二放大器A2級(jí)聯(lián)組成，積分器由第三放大器A3、電阻R3、電阻R4和電容Cl組成，電阻Rl的一端接電源VDD !，電阻Rl的另一端同時(shí)連接第一 PMOS晶體管Ml的源極和第一放大器Al的同相輸入端VIP，第一 PMOS晶體管Ml的柵極作為跨阻放大器輸出信號(hào)V0_TIA接收端，第一 PMOS晶體管Ml的漏極連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接 GND !；第一放大器Al的反相輸入端VIN連接第三放大器A3的輸出端VCM,第二放大器A2的反相輸出端VON連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接第三放大器A3的同相輸入端，第二放大器A2的同相輸出端VOP連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接第三放大器A3的反相輸入端，
電容Cl連接在第三放大器A3的反相輸入端和輸出端之間。第一 PMOS晶體管Ml形成源極跟隨器，第一 PMOS晶體管Ml的輸入信號(hào)為跨阻放大器的輸出信號(hào)V0_TIA,第一 PMOS晶體管Ml的輸出信號(hào)傳輸?shù)较辔环至逊糯笃?相位分裂放大器由兩個(gè)具有頻帶擴(kuò)展功能的放大器Al和A2級(jí)聯(lián)組成，第二放大器A2的(也是相位分裂放大器的)同相輸出端VOP和反相輸出端VON主要有兩個(gè)功能第一、前置放大器的后級(jí)電路提供輸入電壓；第二、兩者的共模電壓差傳輸?shù)椒e分器的輸入端。積分器將對(duì)VOP和VON兩者的共模電壓差進(jìn)行放大，根據(jù)放大結(jié)果對(duì)相位分裂放大器反相輸入端VIP的共模電壓進(jìn)行調(diào)整，確保相位分裂放大器的同相輸入端VIN的共模電壓與VIP相等，實(shí)現(xiàn)相位分裂放大電路的功能。電路實(shí)現(xiàn)方式 一種具有頻帶擴(kuò)展功能的相位分裂電路，由一個(gè)源極跟隨器連接一個(gè)相位分裂放大器，相位分裂放大器連接一個(gè)積分器；其源極跟隨器，對(duì)跨阻放大器輸出的信號(hào)進(jìn)行電平移位；其相位分裂放大器，將輸入的單端信號(hào)轉(zhuǎn)換成雙端差分信號(hào)，并具有頻帶擴(kuò)展功能；其積分器，兩個(gè)輸入端分別接在相位分裂放大器的輸出端上，輸出端接在相位分裂放大器的反相輸入端上，為相位分裂放大器提供共模電壓。所述的相位分裂放大器由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的全差分放大器組成，為具有頻帶擴(kuò)展功能的放大器。
具體實(shí)施方式
二 下面結(jié)合圖3說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式是對(duì)實(shí)施方式一的進(jìn)一步說(shuō)明，第一放大器Al包括第一 NMOS晶體管麗1_A1、第二 NMOS晶體管麗2_A1、第三NMOS晶體管MN3_A1、第四NMOS晶體管MN4_A1、第五NMOS晶體管MN5_A1、第六NMOS晶體管MN6_A1、電阻 RB_A1、電阻 RS1_A1、電阻 RS2_A1 和電阻 RCM_A1，電阻RB_A1的一端連接電源VDD !，電阻RB_A1的另一端連接第六NMOS晶體管MN6_A1的柵極及其漏極的公共端，第六NMOS晶體管MN6_A1的源極連接GND !；電阻RCM_AI的一端連接電源VDD !，電阻RCM_AI的另一端連接第三匪OS晶體管MN3_A1和第四NMOS晶體管MN4_A1的漏極公共端；第三NMOS晶體管麗3_A1的柵極連接電阻RS1_A1的一端，電阻RS1_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端；第三NMOS晶體管麗3_A1的源極和第一 NMOS晶體管麗1_A1的漏極的連接公共端作為第一放大器Al的同相輸出端VOPl ;第一 NMOS晶體管麗1_A1的柵極作為第一放大器Al的反相輸入端VIN，第一 NMOS晶體管麗1_A1和第二 NMOS晶體管麗2_A1的源極公共端連接第五NMOS晶體管麗5_A1的漏極，第五NMOS晶體管麗5_A1的柵極作為第一放大器Al尾電流偏置電壓輸入端，第五NMOS晶體管MN5_A1的源極連接GND !；第二 NMOS晶體管MN2_A1的漏極和第四NMOS晶體管MN4_A1的源極的連接公共端作為第一放大器Al的反相輸出端V0N1，第二 NMOS晶體管麗2_A1的柵極作為第一放大器Al的同相輸入端VIP ；第四NMOS晶體管MN4_A1的柵極連接電阻RS2_A1的一端，電阻RS2_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端。圖3中的電阻RB_A1與第六晶體管MN6_A1形成了偏置電路,產(chǎn)生一個(gè)偏置電壓VB2，其電壓大小可以表示為VB2 = VGSw6 A1 = VDD-I*RRB A1(I)公式⑴中，VGSw6 A1為第六晶體管MN6_A1的柵極_源極之間電壓，Reb ai為電阻RB_A1的阻值。偏置電壓VB2為第三NMOS晶體管麗3_A1和第四NMOS晶體管MN4_A1提供柵極偏置電壓。第一 NMOS晶體管麗1_A1、第二 NMOS晶體管麗2_A1、第三NMOS晶體管麗3_A1、第四NMOS晶體管MN4_A1和第五NMOS晶體管MN5_A1形成了第一放大器Al的主體結(jié)構(gòu)，其中第五NMOS晶體管麗5_A1柵極由VBl驅(qū)動(dòng)，為第一放大器Al提供偏置電流。第一 NMOS晶體管MN1_A1的柵極與第一放大器Al的反相輸入端VIN相連，第二 NMOS MN2_A1和同相輸入端VIP相連，形成第一放大器Al的差分對(duì)管。第三NMOS晶體管麗3_A1和第四NMOS晶體管MN4_A1形成了，其源極通過(guò)電阻RS1_A1和電阻RS2_A1連接在偏置電壓VB2上。由第三NMOS晶體管麗3_A1和其源極電阻RS1_A1形成了一個(gè)有源電感，其阻抗可以表示為
權(quán)利要求
1.具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，其特征在于，它包括第一PMOS晶體管(Ml)、電阻R1、電阻R2、相位分裂放大器和積分器， 相位分裂放大器由第一放大器(Al)和第二放大器(A2)級(jí)聯(lián)組成， 積分器由第三放大器(A3)、電阻R3、電阻R4和電容Cl組成， 電阻Rl的一端接電源VDD !，電阻Rl的另一端同時(shí)連接第一 PMOS晶體管(Ml)的源極和第一放大器(Al)的同相輸入端VIP，第一 PMOS晶體管(Ml)的柵極作為跨阻放大器輸出信號(hào)V0_TIA接收端，第一 PMOS晶體管(Ml)的漏極連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接GND !； 第一放大器(Al)的反相輸入端VIN連接第三放大器(A3)的輸出端VCM, 第二放大器(A2)的反相輸出端VON連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端連接第三放大器(A3)的同相輸入端， 第二放大器(A2)的同相輸出端VOP連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接第三放大器(A3)的反相輸入端， 電容Cl連接在第三放大器(A3)的反相輸入端和輸出端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，其特征在于，第一放大器(Al)包括第一 NMOS晶體管(MN1_A1)、第二 NMOS晶體管(MN2_A1)、第三NMOS晶體管(MN3_A1)、第四NMOS晶體管(MN4_A1)、第五NMOS晶體管(MN5_A1)、第六NMOS晶體管(MN6_Al)、電阻 RB_A1、電阻 RS1_A1、電阻 RS2_A1 和電阻 RCM_A1， 電阻RB_A1的一端連接電源VDD !，電阻RB_A1的另一端連接第六NMOS晶體管(MN6_Al)的柵極及其漏極的公共端，第六NMOS晶體管(MN6_A1)的源極連接GND !； 電阻RCM_AI的一端連接電源VDD !，電阻RCM_AI的另一端連接第三NMOS晶體管(MN3_Al)和第四NMOS晶體管(MN4_A1)的漏極公共端； 第三NMOS晶體管(MN3_A1)的柵極連接電阻RS1_A1的一端，電阻RS1_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端； 第三NMOS晶體管(MN3_A1)的源極和第一 NMOS晶體管(MN1_A1)的漏極連接公共端作為第一放大器(Al)的同相輸出端VOPl ;第一 NMOS晶體管(MN1_A1)的柵極作為第一放大器(Al)的反相輸入端VIN，第一 NMOS晶體管(MN1_A1)和第二 NMOS晶體管(MN2_A1)的源極公共端連接第五NMOS晶體管(MN5_A1)的漏極，第五NMOS晶體管(MN5_A1)的柵極作為第一放大器(Al)尾電流偏置電壓輸入端，第五NMOS晶體管(MN5_A1)的源極連接GND !；第二 NMOS晶體管(MN2_A1)的漏極和第四NMOS晶體管(MN4_A1)的源極的連接公共端作為第一放大器(Al)的反相輸出端VONl，第二 NMOS晶體管(MN2_A1)的柵極作為第一放大器(Al)的同相輸入端VIP; 第四NMOS晶體管(MN4_A1)的柵極連接電阻RS2_A1的一端，電阻RS2_A1的另一端連接電阻RB_A1的另一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，其特征在于，第二放大器(A2)包括第七NMOS晶體管(MN1_A2)、第八NMOS晶體管(MN2_A2)、第九NMOS晶體管(MN3_A2)、第二 PMOS晶體管(MP1_A2)、第三PMOS晶體管(MP2_A2)、電阻RL1_A2、電阻RL2_A2、電阻 RC_A2、電容 CL1_A2 和電容 CL2_A2， 電阻RC_A2的一端連接電源VDD !，電阻RC_A2的另一端連接第二 PMOS晶體管(MP 1_A2)和第三PMOS晶體管(MP2_A2)的源極公共端， 電容CL1_A2連接在第二 PMOS晶體管(MP1_A2)的源極和柵極之間，電阻RL1_A2連接在第二 PMOS晶體管(MP1_A2)的漏極和柵極之間， 電容CL2_A2連接在第三PMOS晶體管(MP2_A2)的源極和柵極之間，電阻RL2_A2連接在第三PMOS晶體管(MP2_A2)的漏極和柵極之間， 第二 PMOS晶體管(MP1_A2)的漏極和第七NMOS晶體管(MN1_A2)的漏極連接公共端作為第二放大器(A2)的同相輸出端V0P，第七NMOS晶體管(MN1_A2)的柵極作為第二放大器(A2)的反相輸入端VIN2 ； 第三PMOS晶體管(MP2_A2)的漏極與第八NMOS晶體管(MN2_A2)的漏極連接公共端作為第二放大器(A2)的反相輸出端V0N，第八NMOS晶體管(MN2_A2)的柵極作為第二放大器(A2)的同相輸入端VIP2 ； 第七NMOS晶體管(MN1_A2)的源極和第八NMOS晶體管(MN2_A2)的源極連接，第七NMOS晶體管(MN1_A2)的源極還與第九NMOS晶體管(MN3_A2)的漏極連接， 第九NMOS晶體管(MN3_A2)的柵極作為第二放大器(A2)的尾電流偏置電壓輸入端； 第九NMOS晶體管(MN3_A2)的源極連接GND !。
全文摘要
具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，屬于通信電路領(lǐng)域，本發(fā)明為解決解決現(xiàn)有相位分裂電路中的跨阻放大器帶寬對(duì)前置放大器工作頻率的限制。本發(fā)明所述具有頻帶擴(kuò)展功能的高速相位分裂電路，它包括第一PMOS晶體管M1、電阻R1、電阻R2、相位分裂放大器和積分器，相位分裂放大器由第一放大器A1和第二放大器A2級(jí)聯(lián)組成，積分器由第三放大器A3、電阻R3、電阻R4和電容C1組成，第一PMOS晶體管M1的源極通過(guò)電阻R1連接電源，其漏極通過(guò)電阻R2接地，其源極還連接A1的正相輸入端；A2的兩個(gè)輸出端分別連接積分器的兩個(gè)輸入端，積分器的輸出端連接A1的反相輸入端。
文檔編號(hào)H03F1/42GK102723916SQ20121021350
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月26日
發(fā)明者張遠(yuǎn)燚, 李博陽(yáng), 李景虎 申請(qǐng)人:福建一丁芯光通信科技有限公司