專利名稱：壓電振動(dòng)片、壓電元件以及壓電元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓電振動(dòng)片(piezoelectric vibrating pieces)及壓電元件(piezoelectric devices),包含位在連接部上、且具有大面積的引出電極,并且,本發(fā)明涉及一種壓電元件的制造方法。
背景技術(shù)：
已知的壓電振動(dòng)片包含激振單元(excitation unit),所述激振單元在預(yù)定振動(dòng)頻率進(jìn)行振動(dòng)。壓電振動(dòng)片例如是借由封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的支撐部件所固定及支撐，從而形成壓電元件。所述壓電元件例如是用以被安裝在印刷電路板上。壓電振動(dòng)片具有振動(dòng)特性會(huì)被應(yīng)力所改變的問(wèn)題，例如在封裝壓電振動(dòng)片時(shí)產(chǎn)生應(yīng)變。舉例而言，為了解決上述問(wèn)題，日本未審核專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)第5-226963號(hào)提出了 包含狹縫的壓電共振片(piezoelectric resonator piece)。所述狹縫是借由挖空產(chǎn)生主要振動(dòng)的振動(dòng)器的外周圍而形成。亦即，此公開(kāi)所揭示的壓電共振片包含振動(dòng)器、端部、以及一個(gè)用以連接振動(dòng)器與末端部的連接部。端部圍繞著振動(dòng)器。端部是借由具有例如支撐部件的封裝結(jié)構(gòu)所固定及支撐。在此公開(kāi)所揭示的壓電共振片中，借由支撐部件所支撐的部分與振動(dòng)器為機(jī)械地分離。如此，可防止在封裝壓電振動(dòng)片時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)變或類似的物理量傳遞到振動(dòng)器。除了在封裝壓電振動(dòng)片時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)變或類似的物理量以外，施加于印刷電路板的彎曲應(yīng)力亦被傳遞至壓電振動(dòng)片，因此，當(dāng)壓電元件安裝在印刷電路板時(shí)，壓電振動(dòng)片可能每時(shí)每刻都承受著應(yīng)力。借由形成一個(gè)具有狹窄寬度的連接部，可以減少這些應(yīng)力傳遞至振動(dòng)器。在此情況下，此薄的連接部提供了小面積以在連接部形成引出電極，從而產(chǎn)生使得引出電極的電阻增加的問(wèn)題。進(jìn)而，使得壓電振動(dòng)片的晶體阻抗(crystal impedance,Cl)數(shù)值增加。因此，如此處所揭示的，需要壓電振動(dòng)片及壓電元件，包含在連接部上具有大面積的引出電極。此外，亦需要所述壓電元件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
第一態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是接合至、并夾于蓋板與具有外部電極的基底板之間。壓電振動(dòng)片具有位于蓋板側(cè)的第一主表面以及位于基底板側(cè)的第二主表面。壓電振動(dòng)片包含具有矩形形狀的激振單元、第一激振電極、第二激振電極、框架部、一個(gè)連接部、第一引出電極、以及第二引出電極。激振單元包含第一邊以及第二邊。第一邊于第一方向進(jìn)行延伸。第二邊于與第一方向垂直的第二方向進(jìn)行延伸。第一激振電極是位于激振單元的第一主表面。第二激振電極是位于激振單元的第二主表面?？蚣懿堪谝唤雍媳砻婕暗诙雍媳砻妗５谝唤雍媳砻鏋榻雍现辽w板的表面。第二接合表面為接合至基底板的表面?？蚣懿繃@激振單元。一個(gè)連接部將激振單元的第一邊與框架部連接在一起。此一個(gè)連接部包含與兩個(gè)主表面平行的平面，及與所述平面相交的側(cè)面。第一引出電極通過(guò)連接部、而從第一激振電極引出至框架部的第二接合表面。第二引出電極通過(guò)連接部、而從第二激振電極引出至框架部的第二接合表面。第一引出電極是設(shè)置于連接部的側(cè)面的至少一部分，以使所述第一引出電極引出至框架部。根據(jù)第一態(tài)樣，第二態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是包含第一引出電極以及第二引出電極，其中，第一引出電極與第二引出電極在所述平面的相對(duì)方向、或在所述側(cè)面的相對(duì)方向?yàn)楸舜瞬恢丿B。根據(jù)第二態(tài)樣，第三態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是第一引出電極是設(shè)置于連接部的側(cè)面、第一主表面、及第二主表面，且第二引出電極是僅設(shè)置于連接部的第二主表面。根據(jù)第三態(tài)樣，第四態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是連接部的第二主表面上的第一引出電極在側(cè)面的相對(duì)方向的寬度、小于連接部的第二主表面上的第二引出電極在側(cè)面的相對(duì)方向的寬度。根據(jù)第一態(tài)樣至第三態(tài)樣的任何一個(gè)，第五態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是第一引出電極 具有從第一激振電極側(cè)的一端引出至另一端的第一長(zhǎng)度，所述另一端延伸至第二接合表面；且第二引出電極具有從第二激振電極側(cè)的一端引出至另一端的第二長(zhǎng)度，該另一端延伸至所述第二接合表面。第一長(zhǎng)度短于第二長(zhǎng)度，第一激振電極比第二激振電極還薄，且部分第一引出電極比第二引出電極還薄。根據(jù)第一態(tài)樣至第五態(tài)樣的任何一個(gè)，第六態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是第一引出電極是配置在框架部的第一接合表面，且連接部于蓋板側(cè)的第一引出電極與第二引出電極的總面積、小于連接部于基底板側(cè)的第一引出電極與第二引出電極的總面積。根據(jù)第一態(tài)樣至第六態(tài)樣的任何一個(gè)，第七態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是第一引出電極是設(shè)置于所述激振單元的所述第一邊的側(cè)面。根據(jù)第七態(tài)樣，第八態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是第一引出電極是設(shè)置于框架部的側(cè)面。所述側(cè)面與兩個(gè)接合表面相交。根據(jù)第五態(tài)樣，第九態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是在第一引出電極連接第一激振電極處的部分第一引出電極的寬度、大于在第二激振電極連接第二引出電極處的部分第二引出電極的寬度。根據(jù)第一態(tài)樣至第九態(tài)樣的任何一個(gè)，第十態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是連接部具有在平面的相對(duì)方向上的第一厚度。激振單元包含第一區(qū)域以及第二區(qū)域。第一區(qū)域包含第一邊的至少一部分。在平面的相對(duì)方向上、具有第一厚度的第一區(qū)域直接連接至連接部。第二區(qū)域，不同于第一區(qū)域，第二區(qū)域設(shè)置有第一激振電極與第二激振電極。第二區(qū)域在平面的相對(duì)方向的厚度、比第一區(qū)域在平面的相對(duì)方向的厚度還薄。根據(jù)第一態(tài)樣至第九態(tài)樣的任何一個(gè)，第十一態(tài)樣的壓電振動(dòng)片是連接部具有在平面的相對(duì)方向上的第一厚度。激振單元包含第一區(qū)域、第三區(qū)域以及第四區(qū)域。第一區(qū)域包含第一邊的至少一部分。在平面的相對(duì)方向上、具有第一厚度的第一區(qū)域直接連接至連接部。第三區(qū)域具有在平面的相對(duì)方向上的第二厚度。第一激振電極與第二激振電極是設(shè)置于第三區(qū)域。第四區(qū)域不同于第一區(qū)域與第三區(qū)域。第四區(qū)域具有在平面的相對(duì)方向上的第三厚度。第四區(qū)域是設(shè)置于第一區(qū)域與第三區(qū)域之間。第一厚度與第二厚度比第三厚度還厚。第十二樣態(tài)的壓電元件是，包含如第一樣態(tài)至第i^一樣態(tài)所述的任何一個(gè)的壓電振動(dòng)片、所述蓋板以及所述基底板。所述壓電振動(dòng)片是夾于蓋板與基底板之間。第十三樣態(tài)是壓電元件的制造方法。所述壓電元件的制造方法包含形成輪廓、形成電極、準(zhǔn)備蓋晶片、準(zhǔn)備基底晶片、接合第二主表面、調(diào)整振動(dòng)頻率、以及接合第一主表面。上述形成輪廓為形成多個(gè)壓電振動(dòng)片的輪廓于壓電晶片上。壓電晶片具有第一主表面及第二主表面。壓電晶片包含壓電材料。壓電振動(dòng)片包含激振單元、框架部以及連接部。激振單元是配置成以預(yù)定的振動(dòng)頻率進(jìn)行振動(dòng)?？蚣懿繃@激振單元。一個(gè)連接部將激振單元與框架部連接在一起。上述形成電極為形成多個(gè)電極。所述電極包含第一激振電極、第二激振電極、第一引出電極、以及第二引出電極。第一激振電極與第二激振電極分別設(shè)置于激振單元的第一主表面與第二主表面。第一引出電極具有通過(guò)連接部、而從第一激振電極側(cè)的一端引出至框架部的第二接合表面的另一端的第一長(zhǎng)度。第一引出電極是設(shè)置于連接部的側(cè)面的至少一部分。第二引出電極具有通過(guò)連接部、而從第二激振電極側(cè)的一端引出至框架部的第二接合表面的另一端的第二長(zhǎng)度。第二長(zhǎng)度長(zhǎng)于所述第一長(zhǎng)度。上述準(zhǔn)備蓋晶片為準(zhǔn)備包含多個(gè)蓋板的蓋晶片。上述準(zhǔn)備基底晶片為準(zhǔn)備包含多個(gè)基底板的基底晶片。上述接合第二主表面為通過(guò)密封材料接合壓電晶片的第二主表面至基底晶片。上述調(diào)整振動(dòng)頻率為借由在第一激振電極上進(jìn)行反向?yàn)R鍍，而調(diào)整激振單元的振動(dòng) 頻率。第一激振電極是設(shè)置于壓電晶片的第一主表面。上述接合第一主表面為通過(guò)密封材料接合壓電晶片的第一主表面至蓋晶片。借由本案的壓電振動(dòng)片、壓電元件、以及壓電元件的制造方法，使得具有大面積的引出電極形成于連接部上。如此一來(lái)，可防止晶體阻抗(Cl)數(shù)值的增加。


圖I為第一實(shí)施例的壓電元件100的立體爆炸透視圖。圖2為沿著圖I的剖線A-A的剖面圖。圖3A為壓電振動(dòng)片130的平面圖。圖3B為沿著圖3A的剖線B-B的剖面圖。圖4A為不具有電極的壓電振動(dòng)片130的平面圖。圖4B為沿著圖3A的剖線C-C的剖面圖。圖5顯示為壓電元件100的制造方法的流程圖。圖6A為具有壓電振動(dòng)片130的輪廓的壓電晶片W130的平面圖。圖6B為具有電極的壓電晶片W130的平面圖。圖7A為基底晶片W120的平面圖。圖7B為蓋晶片WllO的平面圖。圖8A為壓電晶片W130與基底晶片W120的局部剖面圖。圖8B為進(jìn)行反向?yàn)R鍍的壓電晶片W130與基底晶片W120的局部剖面圖。圖8C為壓電晶片W130、蓋晶片WllO以及基底晶片W120的局部剖面圖。圖9為第二實(shí)施例的壓電振動(dòng)片230的平面圖。圖IOA為第三實(shí)施例的壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。圖IOB為顯示了電極位于+Y'軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。圖IOC為顯示了電極位于-V軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。
圖IlA為壓電振動(dòng)片430的平面圖。圖IlB為沿著圖IlA的剖線E-E的剖面圖。圖12A為壓電振動(dòng)片530的平面圖。圖12B為沿著圖12A的剖線F-F的剖面圖。圖13A為壓電振動(dòng)片630的平面圖。圖13B為沿著圖13A的剖線G-G的剖面圖。圖13C為顯示了電極位于+Y^軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片630的局部平面圖。圖13D為顯示了電極位于-V軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片630的局部平面圖。圖14A為壓電振動(dòng)片730的平面圖。圖14B為沿著圖14A的剖線H-H的剖面圖。附圖標(biāo)記100:壓電元件 110:蓋板111、121:凹陷112、122:接合表面120 :基底板123:連接電極124 :安裝端子125:城堡形電極126 :城堡形部分126a :貫通槽130、230、330、430、530、630、730 :壓電振動(dòng)片131,631 :激振單元131a:第一區(qū)域131b :第二區(qū)域131c :第三區(qū)域131d:第四區(qū)域132 :框架部132a :第一接合表面132b :第二接合表面133 :連接部133a:連接部的+Z'軸側(cè)的側(cè)面133b :連接部的-Z'軸側(cè)的側(cè)面134a:第一激振電極134b :第二激振電極135a、235a、335a、435a、535a、635a、735a :第一引出電極135b、435b、535b、635b、735b :第二引出電極136 :貫穿孔138a :第一邊
138b :第二邊141 :密封材料142 :刻線143 :掩模 144:白色箭頭235 電極335、539a、539b、639a、639b、739a、739b、739c :側(cè)面電極WllO :蓋晶片Wl 20 :基底晶片W130:壓電晶片A-A、B-B、C_C、D_D、E_E、G_G、H-H :剖線HZ1、HZ2、L1、L2、L3、RZ I :寬度LX1、LZ1、RY1、RY2、WX1、WX2、WZ1、WZ2 :長(zhǎng)度S101、S102、S103、S104、S105、S106、S107、S108 :步驟T1、T2、T3:厚度
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的每一個(gè)實(shí)施例揭示如下，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明?？衫斫獾?，除非另有說(shuō)明，本揭示的保護(hù)范圍并非限定于所描述的實(shí)施例。依據(jù)第一實(shí)施例所配置的壓電元件100圖I為所述壓電元件100的立體爆炸透視圖。壓電元件100包含蓋板110 (lidplate)、基底板120 (base plate)以及壓電振動(dòng)片130。壓電振動(dòng)片130例如是采用AT切割石英晶體(AT-cut quartz-crystal)振動(dòng)片。此AT切割石英晶體振動(dòng)片具有主要表面(在Y-Z平面)，此主要表面相對(duì)于晶體座標(biāo)系(XYZ)的Y軸，以X軸為中心，從Z軸向Y軸方向傾斜35度15分。在下述說(shuō)明中，參照AT切割石英晶體振動(dòng)片的軸向而傾斜的新軸被標(biāo)記為Γ軸與V軸。因此，在壓電元件100的說(shuō)明中，壓電元件100的長(zhǎng)度方向作為X軸方向、壓電元件100的高度方向作為Γ軸方向、而垂直于X軸與V軸的方向則作為t軸方向。壓電振動(dòng)片130包含在預(yù)定振動(dòng)頻率進(jìn)行振動(dòng)且形成矩形形狀的激振單元131 (excitation unit)、圍繞激振單元131的框架部132 (framing portion)、以及將激振單元131與框架部132連接在一起的一個(gè)連接部133。連接部133以外、在激振單元131與框架部132之間的區(qū)域構(gòu)成在Y'軸方向上穿過(guò)壓電振動(dòng)片130的貫穿孔136。壓電振動(dòng)片130以第一接合表面132a接合至蓋板110，此第一接合表面132a為位于框架部132的+Y'軸側(cè)的表面。壓電振動(dòng)片130以第二接合表面132b接合至基底板120，此第二接合表面132b為位于框架部的-Y'軸側(cè)的表面。第一激振電極134a是形成于激振單元131的+Yi軸側(cè)的表面，而第二激振電極134b是形成于激振單元131的-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極135是經(jīng)由連接部133的位于—V軸側(cè)的側(cè)面133a，而從第一激振電極134a引出至框架部132的第二接合表面132b。第二引出電極135b是經(jīng)由連接部133位于-Y'軸側(cè)的表面，而從第二激振電極134b引出至框架部132的第二接合表面132b。
基底板120配置于壓電振動(dòng)片130的-Y'軸側(cè)?；装?20形成為矩形形狀，且具有在X軸方向的長(zhǎng)邊、與在Z'軸方向的短邊。一對(duì)安裝端子124 (mounting terminal)形成于基底板120的-Y'軸側(cè)的表面。安裝端子124被焊接并電性連接至印刷電路板或其他類似物，借此，可將壓電元件100安裝于印刷電路板或其他類似物。城堡形部分126 (castellation)形成于基底板120的四個(gè)角落的側(cè)面。城堡形電極125形成于各自的城堡形部分126。凹陷121 (recess)形成于基底板120的+Y'軸側(cè)的表面。接合表面122形成于所述凹陷121的周圍區(qū)域(peripheral area)。連接電極123形成于各自的城堡形部分126的周圍區(qū)域，所述城堡形部分126位于接合表面122的四個(gè)角落。這些連接電極123經(jīng)由形成于城堡形部分126的城堡形電極125， 而電性連接至安裝端子124。基底板120在其接合表面122，借由密封材料141 (請(qǐng)參考圖2)而將基底板120接合到壓電振動(dòng)片130中的框架部132的第二接合表面132b。連接電極123電性連接至壓電振動(dòng)片130的第一引出電極135a與第二引出電極135b。蓋板110配置于壓電振動(dòng)片130的+Y'軸側(cè)。凹陷111形成于蓋板110的-Y'軸側(cè)的表面，且于凹陷111的周圍區(qū)域形成接合表面112。蓋板110在其接合表面112，借由密封材料141 (請(qǐng)參考圖2)而將蓋板110接合到壓電振動(dòng)片130中的框架部132的第一接合表面132a。圖2為沿著圖I的剖線A-A的剖面圖。在壓電元件100中，蓋板110的接合表面112借由密封材料141，而接合至壓電振動(dòng)片130中的框架部132的第一接合表面132a。在壓電元件100中，基底板120的接合表面122借由密封材料141，而接合至框架部132的第二接合表面132b。當(dāng)壓電振動(dòng)片130與基底板120接合在一起，形成于框架部132的第二接合表面132b的第一引出電極135a與第二引出電極135b會(huì)電性連接至連接電極123，所述連接電極123形成于基底板120的接合表面122。據(jù)此，第一激振電極134a通過(guò)第一引出電極135a、連接電極123、以及城堡形電極125而電性連接至安裝端子124，且第二激振電極134b通過(guò)第二引出電極135b、連接電極123、以及城堡形電極125而電性連接至安裝端子 124。圖3A為壓電振動(dòng)片130的平面圖。壓電振動(dòng)片130包含形成矩形形狀的激振單元131、圍繞激振單元131的框架部132、以及將激振單元131與框架部132連接在一起的一個(gè)連接部133。激振單元131包含第一邊138a以及第二邊138b。第一邊138a為激振單元131的短邊、即位于激振單元131的-X軸側(cè)的邊。第二邊138b為激振單元131的長(zhǎng)邊，即位于激振單元131的W軸側(cè)及-V軸側(cè)的邊。連接部133連接到激振單元131的第一邊138a的中心、且于-X軸方向延伸以連接到框架部132。并且，連接部133以外、在激振單元131與框架部132之間的區(qū)域構(gòu)成在Γ軸方向上穿過(guò)壓電振動(dòng)片130的貫穿孔136。激振單元131被分割為第一區(qū)域131a以及第二區(qū)域131b。第一區(qū)域131a為直接連接至連接部133的區(qū)域。第二區(qū)域131b不同于第一區(qū)域131a的區(qū)域，且其上形成有第一激振電極134a與第二激振電極134b。在壓電振動(dòng)片130中，在Γ軸方向上、第一區(qū)域131a形成為比第二區(qū)域131b還厚。第一激振電極134a形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極135a通過(guò)第一區(qū)域131a、連接部133的+Y'軸側(cè)的表面、連接部133的+Z'軸側(cè)的側(cè)面133a、以及連接部133的-Y'軸側(cè)的表面，而從第一激振電極134a引出至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面的、位于-X軸側(cè)以及+Z'軸側(cè)的角落部分。并且，第二激振電極134b (請(qǐng)參見(jiàn)圖2)形成于激振單元131的-Y'軸側(cè)的表面。第二引出電極135b通過(guò)第一區(qū)域131a的表面、與連接部133的-V軸側(cè)的表面，而從第二激振電極134b引出至框架部132。第二引出電極135b更在框架部132的-Y'軸側(cè)的表面上，朝著-Z'軸方向延伸、且隨后朝著+X軸方向延伸。第二引出電極135b隨后被引出至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面上、位于+X軸側(cè)以及-Z'軸側(cè)的角落部分。由于第二引出電極135b被引出至框架部132的+X軸側(cè)，所以第二引出電極135形成為比第一引出電極135a還長(zhǎng)。圖3B為沿著圖3A的剖線B-B的剖面圖。圖3B顯示框架部132與連接部133在V -V平面中的剖面圖。第一引出電極135a從形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的第一激振電極134a而延伸。第一引出電極135a通過(guò)側(cè)面133a，而從連接部133的+Y'軸側(cè)的表面引出至連接部133的-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極135a在Z'軸方向上的寬度、分別在連接部133的+Y'軸側(cè)與-Y'軸側(cè)的表面上形成為寬度LI。第二引出電極135b從形成于激振單元131的-Y'軸側(cè)的表面的第二激振電極134b而延伸。第二引出電極135b通過(guò)連接部133的-Y'軸側(cè)的表面，而從激振單元131引出至框架部132。第二引出電極 135b形成有在連接部133上、于Zi軸方向中的寬度LI。假設(shè)連接部133的寬度于Zi軸方向中為寬度RZ1，則寬度RZl大于寬度LI的兩倍。第一引出電極135a以及第二引出電極135b形成于連接部133，以致于不會(huì)在Zi軸方向上或Γ軸方向上彼此面對(duì)面。圖4A為未形成電極的壓電振動(dòng)片130的平面圖。圖4A顯示形成有參考用的第一激振電極134a于其上的區(qū)域。此區(qū)域是被虛線圍繞。激振單元131的第一邊138a形成有長(zhǎng)度LZl，而第二邊138b形成有長(zhǎng)度LXl。在壓電振動(dòng)片130中，第一邊138a為激振單元131的短邊，而第二邊138b為激振單元131的長(zhǎng)邊。如此，長(zhǎng)度LZl比長(zhǎng)度LXl還短。假設(shè)在壓電振動(dòng)片130中，框架部132在X軸方向上的全長(zhǎng)為長(zhǎng)度WX1、框架部132在Zi軸方向上的全長(zhǎng)為長(zhǎng)度WZ1、框架部132在X軸方向上延伸于Z'軸方向的長(zhǎng)度為長(zhǎng)度WX2、且框架部132在Z'軸方向上延伸于X軸方向的長(zhǎng)度為長(zhǎng)度WZ2。在壓電振動(dòng)片130中，上述各自的長(zhǎng)度舉例如下。長(zhǎng)度LZl為I. O毫米(mm)、長(zhǎng)度LXl為I. 4毫米、長(zhǎng)度WXl為2. O毫米、長(zhǎng)度WX2為O. 2毫米、長(zhǎng)度WZl為I. 6毫米、且長(zhǎng)度WZ2為O. 2毫米。假設(shè)在壓電振動(dòng)片130中的連接部133在Z'軸方向上的長(zhǎng)度為寬度RZ1，使得壓電振動(dòng)片130例如是形成有O. 2毫米的寬度RZl。圖4B為沿著圖3A的剖線C-C的剖面圖。壓電振動(dòng)片130是形成為框架部132具有在V軸方向上的厚度Tl、連接部133與激振單元131的第一區(qū)域131a具有在Y'軸方向上的厚度T2、且激振單元131的第二區(qū)域131b具有在Y'軸方向上的厚度T3。在壓電振動(dòng)片130中，厚度Tl形成為比厚度T3還厚，而厚度T2則是等于或小于厚度Tl、且大于厚度T3。如此一來(lái)，壓電振動(dòng)片130是形成為例如是，厚度Tl為80微米(4111)，厚度12為70微米，且厚度T3為40微米。在壓電振動(dòng)片130中，如圖3B所顯示，第一引出電極135a以及第二引出電極135b形成于連接部133，以致于不會(huì)在Y'軸方向上與Zi軸方向上彼此面對(duì)面。這可降低在連接部133中的電容(capacitance)，并避免增加壓電振動(dòng)130的晶體阻抗(Cl)數(shù)值。壓電元件100的制造方法借由參照?qǐng)D5的流程圖，來(lái)說(shuō)明壓電元件100的制造方法。圖5顯示為壓電元件100的制造方法的流程圖。在步驟SlOl中，于壓電晶片W130 (piezoelectric wafer)上形成多個(gè)壓電振動(dòng)片130的輪廓。以壓電材料來(lái)制成壓電晶片W130。形成壓電振動(dòng)片130的輪廓的說(shuō)明如下。首先，于壓電晶片W130上形成金屬層以及光致抗蝕劑(photoresist)。然后，所述光致抗蝕劑被曝光且顯影，且移除上述金屬層，從而曝露出一部分的壓電晶片W130。然后，對(duì)壓電晶片W130的曝露區(qū)域進(jìn)行蝕刻。圖6A為形成有壓電振動(dòng)片130的輪廓(outline)的壓電晶片W 130的平面圖。于壓電晶片W130上、形成有多個(gè)壓電振動(dòng)片130的輪廓。于圖6A所顯示的壓電晶片W130上，刻線142 (scribe line)由兩點(diǎn)鏈線所顯示。沿著刻線142將晶片切割，使得晶片在后續(xù)步驟S108中得以被切成塊?？叹€142圍繞著每一個(gè)顯示于壓電晶片W130上的壓電振動(dòng)片130。在圖6A所顯示的壓電晶片W130中，借由蝕刻壓電晶片W130而形成激振單元131、連接部133以及貫穿孔136。在步驟S102中，于壓電晶片W130上形成多個(gè)電極。在步驟S102中，在形成于壓電晶片W130上的每一個(gè)壓電振動(dòng)片130,形成第一激振電極134a、第二激振電極134b、第一引出電極135a、以及第二引出電極135b。這些電極例如是借由在壓電晶片W130上形成 鉻(Cr)層、并在鉻層的表面上蒸發(fā)金(Au)層而形成。圖6B為形成有電極的壓電晶片W130的平面圖。圖6B所顯示的每一個(gè)壓電振動(dòng)片130皆具有第一激振電極134a、第一引出電極135a以及第二引出電極135b。通過(guò)掩模(mask)(未顯示)、借由蒸發(fā)鉻(Cr)層與金(Au)層，而在壓電晶片W130的+Y'軸側(cè)與-Y'軸側(cè)的表面上形成這些電極。在步驟S103中，準(zhǔn)備基底晶片W120(base wafer)。于基底晶片W120上形成多個(gè)基底板120。于基底晶片W120上，首先，借由蝕刻來(lái)形成的后續(xù)用以形成城堡形部分126的凹陷121與貫通槽126a(請(qǐng)參見(jiàn)圖7A)。然后，形成如連接電極123、城堡形電極125以及安裝端子124的電極。圖7A為基底晶片W120的平面圖。于圖7A中，刻線142是以兩點(diǎn)鏈線所顯示。形成于基底晶片W120上的各自的基底板120被刻線142所圍繞。再者，延伸于基底晶片W120的X軸方向的刻線142、與延伸于Zi軸方向的刻線142形成交叉點(diǎn)。于各自的交叉點(diǎn)，形成所述貫通槽126a。貫通槽126a于Y'軸方向穿過(guò)基底晶片W120、并在晶片切塊后形成所述城堡形部分126。于基底晶片W120上，首先，借由蝕刻形成凹陷121與貫通槽126a。然后，舉例而言，以鉻層和金層來(lái)形成安裝端子124、形成于貫通槽126a上的城堡形電極125、以及于+Y^軸側(cè)的貫通槽126a周圍的表面上的連接電極123。在步驟S104中，準(zhǔn)備蓋晶片W110(lid wafer)。于蓋晶片WllO上，形成多個(gè)蓋板110。借由蝕刻形成凹陷111，以形成于蓋晶片WllO上的各自的蓋板110。圖7B為蓋晶片WllO的平面圖。在圖7B中，以兩點(diǎn)鏈線表示刻線142。蓋晶片WllO上的各自的蓋板110被刻線142所圍繞。各自的蓋板110是借由蝕刻蓋晶片WllO的-Y'軸側(cè)的表面的凹陷111而形成。在步驟S105中，將壓電晶片W130與基底晶片W120接合在一起。于步驟S105中，舉例而言，于基底晶片W120的接合表面122上形成密封材料141 (請(qǐng)參見(jiàn)圖8A)，然后，將壓電晶片W130的第二接合表面132b接合至基底晶片W120的接合表面122。與此同時(shí)，第一引出電極135a與第二引出電極135b電性連接至連接電極123。圖8A為壓電晶片W130與基底晶片W120的局部剖面圖。圖8A顯示沿著圖6B與圖7A中各自的剖線D-D的剖面圖。以密封材料141，將基底晶片W120的接合表面122與壓電晶片W130的第二接合表面132b接合在一起。壓電晶片W130的第一引出電極135a以及二引出電極135b電性連接至基底晶片Wl20的連接電極123。在步驟S106中，調(diào)整激振單元131的振動(dòng)頻率。借由在第一激振電極134a上進(jìn)行反向?yàn)R鍍，以調(diào)整激振單元131的振動(dòng)頻率，第一激振電極134a上是形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面上。圖8B為進(jìn)行反向?yàn)R鍍的壓電晶片W130與基底晶片W120的局部剖面圖。圖8B顯示沿著圖6B與圖7A中各自的剖線D-D的剖面圖。借由反向?yàn)R鍍來(lái)使形成于激振單元131的+Y^軸側(cè)的表面上的第一激振電極134a變薄，以調(diào)整激振單元131的振動(dòng)頻率。在反向?yàn)R鍍的過(guò)程中，第一激振電極134a及其周圍區(qū)域以外的區(qū)域被掩膜143所覆蓋，并且，在電壓施加于激振單元131的同時(shí)，氣體離子將隨后與第一激振電極134a相撞，以使第一激振電極134a變薄。在圖SB中，以白色箭頭144顯示了氣體離子與第一激振電極134a相撞的方向。假設(shè)第一激振電極134a于進(jìn)行反向?yàn)R鍍前具有厚度RYl (請(qǐng)參見(jiàn)圖8A)，且激振單元 131的第一激振電極134a于反向?yàn)R鍍后具有厚度RY2。則厚度RY2比厚度RYl還薄。在第一激振電極134a于反向?yàn)R鍍前形成有與第二激振電極134b相同的厚度的情況下，第一激振電極134a于反向?yàn)R鍍后具有薄于第二激振電極134b的厚度的厚度。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，如果第一引出電極135a于反向?yàn)R鍍前形成有與第二引出電極135b相同的厚度，第一引出電極135a于反向?yàn)R鍍后，例如是由于掩模143的位移，而可以具有相較于第二引出電極135b薄的厚度。在步驟S107中，將壓電晶片W130與蓋晶片WllO接合在一起。在步驟S107中，舉例而言，于壓電晶片W130的第一接合表面132a上形成密封材料141 (請(qǐng)參見(jiàn)圖8C)，然后將壓電晶片W130的第一接合表面132a接合至蓋晶片WllO的接合表面。圖8C為壓電晶片W130、蓋晶片WllO以及基底晶片W120的局部剖面圖。圖8C顯示沿著圖6B、圖7A以及圖7B中各自的剖線D-D的剖面圖。借由密封材料141將蓋晶片WllO的接合表面112與壓電晶片W130的第一接合表面132a接合在一起。如此形成多個(gè)壓電元件100，在壓電元件100中具有相互接合的壓電晶片W130、蓋晶片WllO及基底晶片W120。在步驟S108中，將晶片切塊。在步驟S108中，沿著刻線142將相互接合的壓電晶片W130、蓋晶片WllO及基底晶片W120進(jìn)行切塊。借此，可將晶片切成多塊獨(dú)立的壓電元件100。在圖5所顯示的壓電元件100的制作方法的流程圖中，在步驟S106中，于第一激振電極134a上進(jìn)行反向?yàn)R鍍。在反向?yàn)R鍍的過(guò)程中，將掩模143放置在壓電晶片W130上方，且考慮到位移的因素，使掩模143具有大于第一激振電極134a的范圍的開(kāi)口。如此一來(lái)，形成于壓電振動(dòng)片130的+Y'軸側(cè)的引出電極可能會(huì)因反向?yàn)R鍍而變薄。在壓電振動(dòng)片130中，于+Y'軸側(cè)形成第一引出電極135a。第一引出電極135a形成有從第一激振電極134a引出至第二接合表面132b的較短的長(zhǎng)度，從而確保低的總電阻。這使得由于反向?yàn)R鍍而變薄的第一引出電極135a的電阻增加所造成的影響很小。并且，對(duì)于第一激振電極134a而言，第一引出電極135a是形成在+Y'軸側(cè)與-Y'軸側(cè)的表面上、及連接部133的側(cè)面133a上。反向?yàn)R鍍只影響形成于連接部133的+Y'軸側(cè)的表面上的一部分的第一引出電極135a。如此一來(lái)，反向?yàn)R鍍并不影響形成于連接部133的-Y'軸側(cè)的表面上與側(cè)面133a上的一部分的第一引出電極135a。有著從第二激振電極134b至第二接合表面132b的長(zhǎng)度的第二引出電極135b，具有高于第一引出電極135a的電阻的較高電阻。在壓電振動(dòng)片130的-Y'軸側(cè)的表面上形成第二引出電極135b，從而使其不受反向?yàn)R鍍影響。這可降低反向?yàn)R鍍?cè)趬弘娬駝?dòng)片130中的第一引出電極135a以及第二引出電極135b上的影響，從而避免增加壓電振動(dòng)片1302的晶體阻抗(Cl)數(shù)值。第二實(shí)施例壓電振動(dòng)片可具有借由反向?yàn)R鍍而變薄、且具有增加的電阻的第一引出電極。特別是，鄰近于第一激振電極而形成的第一引出電極可借由反向?yàn)R鍍而變薄。因此，鄰近于第一激振電極而形成的第一引出電極可具有大面積。以下將說(shuō)明壓電振動(dòng)片230，此壓電振動(dòng)片230包含第一引出電極，而此第一引出電極具有大面積、且鄰近于第一激振電極。在以下說(shuō)明中，圖9的壓電振動(dòng)片130的相對(duì)應(yīng)或相同構(gòu)件標(biāo)示以相同符號(hào)，因此省略關(guān)于這些構(gòu)件的說(shuō)明。壓電振動(dòng)片230的配置 圖9為壓電振動(dòng)片230的平面圖。壓電振動(dòng)片230包含激振單元131、框架部132以及連接部133。在壓電振動(dòng)片230中，第一激振電極134a形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面，第一引出電極235a從第一激振電極134a而引出。第一引出電極235a為結(jié)合第一引出電極135a(請(qǐng)參見(jiàn)圖3A)與電極235的引出電極。此電極235為位在激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面上的電極。此電極235形成于第一引出電極135a的+Zi軸側(cè)。電極235形成于第一激振電極134a與第一引出電極135a旁邊的區(qū)域中。電極235形成于在Y'軸方向上不與第二引出電極135b重疊的位置。寬度HZ I為第一引出電極235a與第一激振電極134a連接在一起之處的位置于Zi軸方向上的寬度。寬度HZ2為第二引出電極135b與第二激振電極134b連接在一起之處的位置于Z'軸方向上的寬度。所述寬度HZl大于所述寬度HZ2。在壓電振動(dòng)片中，反向?yàn)R鍍可以將鄰近于第一激振電極的第一引出電極的厚度變薄，從而增加第一引出電極的電阻。在壓電振動(dòng)片230中，由于第一引出電極235包含電極235,所以鄰近于第一激振電極134a的第一引出電極235具有大面積。如此一來(lái)，即使鄰近于第一激振電極134a的第一引出電極235a的厚度借由反向?yàn)R鍍而變薄，鄰近于第一激振電極134a的第一引出電極235a具有大面積。如此可避免增加第一引出電極235a的電阻。第三實(shí)施例在壓電振動(dòng)片中，在第一引出電極從位于+Y'軸側(cè)的表面引出至位于-Y'軸側(cè)的表面的情況下，第一引出電極穿過(guò)壓電振動(dòng)片的側(cè)面。然而，因?yàn)楹茈y在壓電振動(dòng)片的側(cè)面上形成厚的電極，第一引出電極可具有增加的電阻。如此一來(lái)，在壓電振動(dòng)片的側(cè)面的電極可形成有寬的寬度。以下將說(shuō)明包含第一引出電極的壓電振動(dòng)片，所述第一引出電極在壓電振動(dòng)片的側(cè)面上具有寬的寬度。壓電振動(dòng)片330的配置圖IOA為壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。壓電振動(dòng)片330包含激振單元131、框架部132以及連接部133。并且，在激振單元131中，第一激振電極134a與第二激振電極134b分別形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面與-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極335a與第二引出電極135b分別從第一激振電極134a與第二激振電極134b而引出。第一引出電極335a包含側(cè)面電極335。此側(cè)面電極335為以下的電極，形成于連接部133的+Z'軸側(cè)的側(cè)面133a上、在與側(cè)面133a相交的框架部132的側(cè)面上、以及在與側(cè)面133a相交的第一邊138a的側(cè)面上。側(cè)面電極335形成于連接部133的+Z'軸側(cè)中的貫穿孔136的側(cè)面上。圖IOB為顯示了多個(gè)電極于+Y'軸側(cè)的表面上的壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。圖IOB顯示壓電振動(dòng)片330于-X軸側(cè)的半平面圖。于+Y'軸側(cè)的表面上，第一引出電極335a從第一激振電極134a引出至連接部133的側(cè)面133a、第一邊138a、以及框架部132的連接至連接部133的側(cè)面。并且，第一引出電極335a只形成于壓電振動(dòng)片330的+Z'軸側(cè)的一半，因此可在V軸方向上不與第二引出電極135b重疊。形成于+Y'軸側(cè)的表面上的第一引出電極335a電性連接至側(cè)面電極335，并從位于+Y'軸側(cè)的表面引出至位于-Y'軸側(cè)的表面。圖IOC為顯示了多個(gè)電極于-V軸側(cè)的表面上的壓電振動(dòng)片330的局部平面圖。圖IOC顯示壓電振動(dòng)片330于-X軸側(cè)的半平面圖。在壓電振動(dòng)片330的-Y'軸側(cè)的表面上，第一引出電極335a從側(cè)面電極335引出至框架部132的-X軸側(cè)及+Z'軸側(cè)的角落部 分。第一引出電極335a是借由激振單元131的第一邊138a、與連接部133的側(cè)面133a接觸的邊、在框架部132中連接于連接部133的邊而引出。在壓電振動(dòng)片330中，第一引出電極335a借由側(cè)面電極335、而從位于+Y'軸側(cè)的表面引出至位于-Y'軸側(cè)的表面。側(cè)面電極335設(shè)置于連接部133的側(cè)面133a、第一邊138的側(cè)面、以及框架部132的側(cè)面上。側(cè)面電極335在X-Z'平面中具有長(zhǎng)的長(zhǎng)度。亦即，側(cè)面電極335形成有大的寬度，從而避免因側(cè)面電極335的厚度減少而造成第一引出電極335a的電阻增加。并且，如圖IOB所顯示，形成于壓電振動(dòng)片330的+Y'軸側(cè)的表面上的第一引出電極335a延伸至壓電振動(dòng)片330的+Z'軸側(cè)。如此一來(lái)，借由對(duì)位于+Y'軸側(cè)的表面上的第一引出電極335a延伸至+Z'軸方向或是-Z'軸方向進(jìn)行確認(rèn)，而能夠判斷此壓電振動(dòng)片330的表面是位于+Y'軸側(cè)的表面或位于-Y'軸側(cè)的表面。壓電振動(dòng)片430的配置圖IlA為壓電振動(dòng)片430的平面圖。壓電振動(dòng)片430包含激振單元131、框架部132以及連接部133。在激振單元131中，第一激振電極134a與第二激振電極134b分別形成于激振單元131的+Y^軸側(cè)的表面與-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極435a與第二引出電極435b分別從第一激振電極134a與第二激振電極134b而引出。第一引出電極435a從第一激振電極134a引出至位于+Y'軸側(cè)的表面上的側(cè)面電極335的周圍區(qū)域，然后，借由側(cè)面電極335而引出至位于-Y'軸側(cè)的表面。再者，第一引出電極435a更進(jìn)一步引出至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面上的、于-X軸側(cè)及+Z'軸側(cè)的角落部分。第二引出電極435b借由連接部133，而從第二激振電極134b形成至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面上的、于-X軸側(cè)及+Z'軸側(cè)的角落部分。圖IlB為沿著圖IlA的剖線E-E的剖面圖。在壓電振動(dòng)片430中，位于連接部133上的第一引出電極435a具有于+Yi軸側(cè)的表面的在Zi軸方向上的寬度L2，并且具有于-Y'軸側(cè)的表面的在Zi軸方向上的寬度L2。位于連接部133上的第二引出電極435b具有在Zi軸方向上的寬度L3，此寬度L3大于寬度L2。再者，在壓電振動(dòng)片430中，第一引出電極435a是唯一形成于連接部13的+Y'軸側(cè)的表面上的電極，而且第一引出電極435a與第二引出電極435b形成于-Y'軸側(cè)的表面。亦即，形成于連接部133的+Y'軸側(cè)的表面上的電極的面積小于連接部133的-Y'軸側(cè)的表面上的電極的面積。在壓電振動(dòng)片的連接部于Z'軸方向上形成有狹窄寬度的情況下，形成于連接部上的引出電極的面積也是較小。此時(shí)，壓電振動(dòng)片上所進(jìn)行的反向?yàn)R鍍會(huì)增加形成于連接部的+Y^軸側(cè)的表面上的引出電極的電阻。在壓電振動(dòng)片430中，形成于連接部133的+Yi軸側(cè)的表面上的電極形成有小的面積，因此不受反向?yàn)R鍍的影響。第一引出電極435a亦是形成于連接部133的側(cè)面上，從而確保第一引出電極435a于連接部133中的面積。壓電振動(dòng)片530的設(shè)置圖12A為壓電振動(dòng)片530的平面圖。壓電振動(dòng)片530包含激振單元131、框架部132以及連接部133。在激振單元131中，第一激振電極134a與第二激振電極134b分別形 成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面與-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極535a與第二引出電極535b分別從第一激振電極134a與第二激振電極134b而引出。第一引出電極535a在壓電振動(dòng)片530的+Y'軸側(cè)的表面上、從-X軸方向上的第一激振電極134a而延伸。然后，第一引出電極535a被引出至連接部133的+Z^軸側(cè)的邊、面對(duì)于框架部132中在+X軸方向上的貫穿孔136的邊、及面對(duì)于框架部132中在-V軸方向上的貫穿孔136的邊。再者，第一引出電極535a通過(guò)形成于貫穿孔136的側(cè)面上的側(cè)面電極539a、而被引出至位于-Y'軸側(cè)的表面，并且隨后延伸至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面上的、位于-X軸側(cè)及+Z'軸側(cè)的角落部分。側(cè)面電極539a形成于連接部133的+Z'軸側(cè)的側(cè)面133a。側(cè)面電極539a亦形成于連接部133的+Z'軸側(cè)、面對(duì)框架部132中在+X軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。側(cè)面電極539a亦形成在面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132中、在-Z^軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。第二引出電極535b從在-X軸方向上的第二激振電極134b而延伸，并且隨后通過(guò)連接部133而引出至框架部132。再者，第二引出電極535b沿著框架部132，而于-Z'軸方向上延伸、且再于+X軸方向上延伸。第二引出電極535b隨后形成至框架部132的-Y'軸側(cè)的表面的、位于+X軸側(cè)及-Z'軸側(cè)的角落部分。第二引出電極535b亦形成于側(cè)面電極539b、及壓電振動(dòng)片530的+Y'軸側(cè)的表面的側(cè)面電極539b的周圍區(qū)域上。側(cè)面電極539b形成于連接部133的-Z'軸側(cè)的側(cè)面133b上。側(cè)面電極539b亦形成在面對(duì)于在連接部133的-Z^軸側(cè)的框架部132中、在+X軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面上。側(cè)面電極539b亦形成在面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132中、在+Z^軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面上。側(cè)面電極539b亦形成于壓電振動(dòng)片530的+Y'軸側(cè)的表面上。于+Y'軸側(cè)的表面上的側(cè)面電極539b沿著連接部133的-Z'軸側(cè)的邊而形成。于+Y'軸側(cè)的表面上的側(cè)面電極539b亦沿著面對(duì)于在-Zi軸側(cè)的框架部132中、在+X軸方向上的貫穿孔136的邊而形成。于+Y'軸側(cè)的表面上的側(cè)面電極539b亦沿著面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132中、在—V軸方向上的貫穿孔136的邊而形成。圖12B為沿著圖12A的剖線F-F的剖面圖。第一引出電極535a與第二引出電極535b各自形成于連接部133的+Yi軸側(cè)的表面與-Y'軸側(cè)的表面，且分別形成于連接部133的側(cè)面133a與側(cè)面133b。第一引出電極535a與第二引出電極535b各自形成于框架部132的+Yi軸側(cè)的表面、框架部132的-Y'軸側(cè)的表面、以及框架部132的貫穿孔136側(cè)的側(cè)面上。再者，第一引出電極535a與第二引出電極535b于連接部133的Y'軸方向上彼此不重疊。
在壓電振動(dòng)片530中，第一引出電極535a與第二引出電極535b形成于連接部133的+Y^軸側(cè)的表面、-Y'軸側(cè)的表面、以及側(cè)面上。此形成第一引出電極535a與第二引出電極535b于連接部133的大面積。如此一來(lái)，即使連接部133具有在V軸方向上的小的寬度，也能使因引出電極的減少面積所造成的電阻增加的情形減到最少。壓電振動(dòng)片630的設(shè)置圖13A為壓電振動(dòng)片630的平面圖。壓電振動(dòng)片630包含激振單兀631、框架部132以及連接部133。激振單元631形成為矩形形狀、且包含第一邊138a與第二邊138b。激振單元631分隔成第一區(qū)域131a、第三區(qū)域131c以及第四區(qū)域131d。第一區(qū)域131a為直接連接至連接部133的區(qū)域。第三區(qū)域131c為形成有第一激振電極134a與第二激振電極134b的區(qū)域。第四區(qū)域131d為不同于第一區(qū)域131a與第三區(qū)域131c的區(qū)域，且第四區(qū)域131d形成于第一區(qū)域131a與第三區(qū)域131c之間。壓電振動(dòng)片630為臺(tái)面式壓電振動(dòng)片(mesa-type piezoelectric vibrating piece)。在壓電振動(dòng)片 630 中，形成有第一激振電極134a與第二激振電極134b的第三區(qū)域131c厚于在Γ軸方向圍繞著第三區(qū)域131c 的第四區(qū)域131d。并且，第一引出電極635a與第二引出電極635b分別從形成于激振單元631的第三區(qū)域131的第一激振電極134a與第二激振電極134b而引出至框架部132。圖13B為沿著圖13A的剖線G-G的剖面圖。例如，壓電振動(dòng)片630具有于激振單元631的第三區(qū)域131c的在Y'軸方向上的厚度T2、以及于第四區(qū)域131d的在Y'軸方向上的厚度T3。連接部133、框架部132及第一區(qū)域131a的在Y'軸方向上的厚度分別形成為相似于圖4B所顯示的壓電振動(dòng)片130的厚度T2、厚度Tl以及厚度T2。圖13C為顯示了多個(gè)電極位于+Y^軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片630的局部平面圖。圖13C顯不壓電振動(dòng)片630于-X軸側(cè)的半平面圖。第一引出電極635a從于+Y'軸側(cè)的表面的第一激振電極134a而引出。然后，于+Y'軸側(cè)的表面的第一引出電極635a沿著連接部133的側(cè)面133a而形成。于+Y'軸側(cè)的表面的第一引出電極635a亦沿著在連接部133的—V軸側(cè)中的第一邊138a、與在連接部133的—V軸側(cè)中于-X軸側(cè)的第二邊138b而形成。位于+Y'軸側(cè)的表面的第一引出電極635a亦沿著面對(duì)于在連接部133的+Z'軸側(cè)中、框架部132于+X軸側(cè)的貫穿孔136的側(cè)面而形成。位于+Y'軸側(cè)的表面上的第一引出電極635a亦沿著面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132、在-Zi軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面而形成。第二引出電極635b沿著連接部133的側(cè)面133b、在連接部133的-Z'軸側(cè)中的第一邊138a、以及在連接部133的-Z'軸側(cè)中于-X軸側(cè)的第二邊138b而形成。第二引出電極635b亦沿著面對(duì)于在連接部133的-Zi軸側(cè)中、框架部132于+X軸側(cè)的貫穿孔136的側(cè)面而形成。第二引出電極635b亦沿著面對(duì)于在-X軸的框架部132、于+Z'軸側(cè)的貫穿孔136的側(cè)面而形成。第二引出電極635b于是連接至側(cè)面電極639b。第一引出電極635a包含以下的部分，所述部分是形成于壓電振動(dòng)片630的+Y，軸側(cè)的表面、并通過(guò)形成于貫穿孔136的側(cè)面的側(cè)面電極639而引出至位于-Y'軸側(cè)的表面。側(cè)面電極639a形成于連接部的—V軸側(cè)133的側(cè)面133a、連接部133的—V軸側(cè)中的第一邊138a、以及連接部133的+Z^軸側(cè)中位于-X軸側(cè)的第二邊138b。側(cè)面電極639a亦形成在面對(duì)于在連接部133的+Z^軸側(cè)中、框架部132的在+X軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。側(cè)面電極639a亦形成在面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132、在-Z^軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。側(cè)面電極639b形成于連接部133的-V軸側(cè)的側(cè)面133b上。側(cè)面電極639b亦形成于連接部133的-V軸側(cè)中的第一邊138a以及連接部133的-V軸側(cè)中位于-X軸側(cè)的第二邊138b。側(cè)面電極639b亦形成在面對(duì)于在連接部133的-Z^軸側(cè)中、框架部132的在+X軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。側(cè)面電極639b亦形成在面對(duì)于在-X軸側(cè)的框架部132的在+V軸方向上的貫穿孔136的側(cè)面。圖13D為顯示了多個(gè)電極位于-V軸側(cè)的表面的壓電振動(dòng)片630的局部平面圖。圖13D顯示壓電振動(dòng)片630位于-X軸側(cè)的半平面圖。第一引出電極635a是于-Y'軸側(cè)的表面、從側(cè)面電極639a而引出至壓電振動(dòng)片630的-V軸側(cè)的表面的側(cè)面電極639a的周圍區(qū)域。再者，第一引出電極635a是引出至框架部132的-X軸側(cè)以及+Z'軸側(cè)的角落部分。第二引出電極635b在-X軸方向上由第二激振電極134b延伸、并引出至框架部132。第二引出電極635b然后在Z'軸方向以及+X軸方向上延伸，并且引出至框架部132的+X軸側(cè)以及-Z'軸側(cè)的角落部分。第二引出電極635b亦引出至位于-Y'軸側(cè)的表面的側(cè)面電極63%的周圍區(qū)域，并且通過(guò)側(cè)面電極63%電性連接至形成于Y'軸側(cè)的第二引出電極635b。
壓電振動(dòng)片630形成有大面積的側(cè)面電極。如此一來(lái)，即使連接部133形成有在V軸方向上的小的寬度，也能使因形成于連接部133的引出電極的減少面積所造成的電阻增加的情形減到最少。此亦可避免增加趨向于輕薄并具有高電阻的側(cè)面電極的電阻。壓電振動(dòng)片730的設(shè)置圖14A為壓電振動(dòng)片730的平面圖。壓電振動(dòng)片730包含激振單元131、框架部132以及連接部133。在激振單元131中，第一激振電極134a與第二激振電極134b分別形成于激振單元131的+Y'軸側(cè)的表面與-Y'軸側(cè)的表面。第一引出電極735a與第二引出電極735b分別從第一激振電極134a與第二激振電極134b而引出。第一引出電極735a從第一激振電極134a引出至面對(duì)于框架部132的貫穿孔136、且位于-X軸側(cè)以及+Z'軸側(cè)的角落部分。再者，第一引出電極735a通過(guò)形成于框架部132的側(cè)面的側(cè)面電極739c引出至位于-Y'軸側(cè)的表面。此側(cè)面包含面對(duì)于貫穿孔136s且位于-X軸側(cè)及+Z'軸側(cè)的角落部分。第一引出電極735a延伸至框架部132的位于+Z'軸側(cè)以及-X軸側(cè)的角落部分。第二引出電極735通過(guò)連接部133、而從第二激振電極134b延伸至框架部132。再者，第二引出電極735b在-Zi軸方向與+X軸方向上、沿著框架部132的-Y'軸側(cè)的表面而延伸。第二引出電極735b延伸至框架部132的位于+X軸側(cè)以及-Z'軸側(cè)的角落部分。第一引出電極735a與第二引出電極735b分別包含形成于連接部133的側(cè)面133a的側(cè)面電極739a、以及形成于連接部133的側(cè)面133b的側(cè)面電極739b。圖14B為沿著圖14A的剖線H-H的剖面圖。第一引出電極735a與第二引出電極735b分別包含位于連接部133的側(cè)面電極739a與側(cè)面電極739b。側(cè)面電極739a形成于連接部133的+Y'軸側(cè)的半個(gè)側(cè)面133a，而側(cè)面電極739b則形成于連接部133的-Y'軸側(cè)的半個(gè)側(cè)面133b。第一引出電極735a與第二引出電極735b于連接部133的Y'軸方向上或Z,軸方向上彼此不重疊。在壓電振動(dòng)片730中，形成于連接部133上的第一引出電極735a與第二引出電極735b是于連接部133的Y'軸方向上或Zi軸方向上彼此不重疊。如此一來(lái)，在壓電振動(dòng)片730中，第一引出電極735a與第二引出電極735b于連接部133將不產(chǎn)生電容。由于電極亦形成于連接部133的側(cè)面上，所以第一引出電極735與第二引出電極735b各自較佳地具有于連接部133的大面積。以上，已經(jīng)詳細(xì)描述了代表性的實(shí)施例。對(duì)于所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)，可對(duì)實(shí)施例進(jìn)行些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾。舉例而言，雖然只有說(shuō)明壓電振動(dòng)片630是臺(tái)面式壓電振動(dòng)片，然而，其他的壓電振動(dòng)片亦可形成為臺(tái)面式壓電振動(dòng)片。雖然在實(shí)施例中，壓電振動(dòng)片為AT-切割石英晶體振動(dòng)片，舉例而言，相似于AT切割石英晶體振動(dòng)片的BT-切割石英晶體振動(dòng)片亦可被采用，所述BT-切割石英晶體振動(dòng)片于厚度剪切振動(dòng)模式(thickness-shear vibration mode)下進(jìn)行振動(dòng)。再者，壓電振動(dòng)片基本上是應(yīng)用壓電材料，所述壓電材料不僅是包含石英晶體材料、亦可同時(shí)包含鉭 酸鋰(lithium tantalite)、銀酸鋰(lithium niobate)以及壓電陶瓷(piezoelectricceramic)。
權(quán)利要求
1.一種壓電振動(dòng)片，接合至、并夾于蓋板與具有外部電極的基底板之間，所述壓電振動(dòng)片具有位于所述蓋板側(cè)的第一主表面以及位于所述基底板側(cè)的第二主表面，其特征在于，所述壓電振動(dòng)片包括 激振單元，具有矩形形狀，所述激振單元包含第一邊以及第二邊，所述第一邊于第一方向進(jìn)行延伸，所述第二邊于與所述第一方向垂直的第二方向進(jìn)行延伸； 第一激振電極，位于所述激振單元的所述第一主表面； 第二激振電極，位于所述激振單元的所述第二主表面； 框架部，包含第一接合表面及第二接合表面，所述第一接合表面為接合至所述蓋板的 表面，所述第二接合表面為接合至所述基底板的表面，且所述框架部圍繞所述激振單元；一個(gè)連接部，將所述激振單元的所述第一邊與所述框架部連接在一起，且所述連接部包含與所述兩個(gè)主表面平行的平面，及與所述平面相交的側(cè)面； 第一引出電極，通過(guò)所述連接部、而從所述第一激振電極引出至所述框架部的所述第二接合表面；以及 第二引出電極，通過(guò)所述連接部、而從所述第二激振電極引出至所述框架部的所述第~■接合表面， 其中，所述第一引出電極是設(shè)置于所述連接部的所述側(cè)面的至少一部分，以使所述第一引出電極引出至所述框架部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極與所述第二引出電極在所述平面的相對(duì)方向、或在所述連接部的所述側(cè)面的相對(duì)方向?yàn)楸舜瞬恢丿B。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極是設(shè)置于所述連接部的所述側(cè)面、所述第一主表面、與第二主表面，且 所述第二引出電極是僅設(shè)置于所述連接部的所述第二主表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述連接部的所述第二主表面上的所述第一引出電極在所述側(cè)面的所述相對(duì)方向的寬度、小于所述連接部的所述第二主表面上的所述第二引出電極在所述側(cè)面的所述相對(duì)方向的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極具有由所述第一激振電極側(cè)的一端引出至另一端的第一長(zhǎng)度，所述另一端延伸至所述第二接合表面， 所述第二引出電極具有由所述第二激振電極側(cè)的一端引出至另一端的第二長(zhǎng)度，所述另一端延伸至所述第二接合表面， 所述第一長(zhǎng)度短于所述第二長(zhǎng)度， 所述第一激振電極比所述第二激振電極還薄，且 部分所述第一引出電極比所述第二引出電極還薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極是配置在所述框架部的所述第一接合表面，且 所述連接部于所述蓋板側(cè)的所述第一引出電極與所述第二引出電極的總面積、小于所述連接部于所述基底板側(cè)的所述第一引出電極與所述第二引出電極的總面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極是設(shè)置于所述激振單元的所述第一邊的側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述第一引出電極是設(shè)置于所述框架部的側(cè)面，且 所述側(cè)面與所述兩個(gè)接合表面相交。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 在所述第一引出電極連接所述第一激振電極處的部分所述第一引出電極的寬度、大于在所述第二激振電極連接所述第二引出電極處的部分所述第二引出電極的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述連接部具有在所述平面的相對(duì)方向上的第一厚度，且 所述激振單元包含 第一區(qū)域，包含所述第一邊的至少一部分，在所述平面的所述相對(duì)方向上、具有所述第一厚度的所述第一區(qū)域直接連接至所述連接部；以及 第二區(qū)域，不同于所述第一區(qū)域，所述第二區(qū)域設(shè)置有所述第一激振電極與所述第二激振電極，且 所述第二區(qū)域在所述平面的所述相對(duì)方向的厚度、比所述第一區(qū)域在所述平面的所述相對(duì)方向的厚度還薄。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片，其特征在于， 所述連接部具有在所述平面的所述相對(duì)方向上的第一厚度，且 所述激振單元包含 第一區(qū)域，包含所述第一邊的至少一部分，在所述平面的所述相對(duì)方向上、具有所述第一厚度的所述第一區(qū)域直接連接至所述連接部； 第三區(qū)域，具有在所述平面的所述相對(duì)方向上的第二厚度，所述第一激振電極與所述第二激振電極設(shè)置于所述第三區(qū)域；以及 第四區(qū)域，不同于所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域，所述第四區(qū)域具有在所述平面的所述相對(duì)方向上的第三厚度，所述第四區(qū)域設(shè)置于所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域之間， 其中，所述第一厚度與所述第二厚度比所述第三厚度還厚。
12.—種壓電元件，其特征在于包括 如權(quán)利要求I所述的壓電振動(dòng)片； 所述蓋板；以及 所述基底板， 其中，所述壓電振動(dòng)片夾于所述蓋板與所述基底板之間。
13.—種壓電元件的制造方法，其特征在于包括 形成多個(gè)壓電振動(dòng)片的輪廓于壓電晶片上，所述壓電晶片具有第一主表面及第二主表面，所述壓電晶片包含壓電材料，且所述壓電振動(dòng)片包含 激振單元,配置成以預(yù)定的振動(dòng)頻率進(jìn)行振動(dòng)； 框架部，圍繞所述激振單元；以及 一個(gè)連接部，將所述激振單元與所述框架部連接在一起；形成多個(gè)電極，所述電極包含 第一激振電極與第二激振電極，分別設(shè)置于所述激振單元的所述第一主表面與所述第二主表面； 第一引出電極，具有通過(guò)所述連接部、而從所述第一激振電極側(cè)的一端引出至所述框架部的所述第二接合表面的另一端的第一長(zhǎng)度，且所述第一引出電極設(shè)置于所述連接部的側(cè)面的至少一部分；以及 第二引出電極，具有通過(guò)所述連接部、而從所述第二激振電極側(cè)的一端引出至所述框架部的所述第二接合表面的另一端的第二長(zhǎng)度，且所述第二長(zhǎng)度長(zhǎng)于所述第一長(zhǎng)度；準(zhǔn)備包含多個(gè)蓋板的蓋晶片； 準(zhǔn)備包含多個(gè)基底板的基底晶片； 通過(guò)密封材料接合所述壓電晶片的所述第二主表面至所述基底晶片； 借由在所述第一激振電極上進(jìn)行反向?yàn)R鍍，而調(diào)整所述激振單元的振動(dòng)頻率，且所述第一激振電極設(shè)置于所述壓電晶片的所述第一主表面；以及 通過(guò)所述密封材料接合所述壓電晶片的所述第一主表面至所述蓋晶片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電振動(dòng)片、壓電元件及壓電元件的制造方法。壓電振動(dòng)片接合至、并夾于蓋板與具有外部電極的基底板之間。壓電振動(dòng)片具有位于蓋板側(cè)的第一主表面以及位于基底板側(cè)的第二主表面。壓電振動(dòng)片包含激振單元、第一激振電極、第二激振電極、框架部、一個(gè)連接部、第一引出電極以及第二引出電極。連接部包含與兩個(gè)主表面平行的平面，及與所述平面相交的側(cè)面。第一引出電極是通過(guò)所述連接部而引出。第二引出電極是通過(guò)所述連接部而引出。第一引出電極是設(shè)置于所述連接部的側(cè)面的至少一部分、以使第一引出電極被引出至所述框架部。
文檔編號(hào)H03H3/02GK102891659SQ20121024885
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者高橋岳寬, 水澤周一 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社