專利名稱：無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開關(guān)機(jī)電路，具體是指無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路。
背景技術(shù)：
普通的按鍵開關(guān)機(jī)電路，是按開機(jī)按鍵設(shè)備后即可立即開機(jī)，在次按鍵后，設(shè)備立即關(guān)機(jī)。而在一些電子產(chǎn)品設(shè)備中，特別是手持式設(shè)備，如手機(jī)等，都是采用的長(zhǎng)按鍵開關(guān)機(jī)控制電路例如手機(jī)的開關(guān)機(jī)，一般手機(jī)的開關(guān)機(jī)過程為開機(jī)時(shí)，需要按開關(guān)機(jī)鍵足夠長(zhǎng)的開關(guān)機(jī)鍵的動(dòng)作，只要按壓鍵的時(shí)間小于預(yù)先手機(jī)的時(shí)間，設(shè)備不會(huì)產(chǎn)生任何的開關(guān)機(jī)操作(即長(zhǎng)按鍵開關(guān)機(jī)就是按開關(guān)機(jī)時(shí)間足夠長(zhǎng)后設(shè)備才產(chǎn)生開機(jī)動(dòng)作)。這樣做的好處是防止多諸如手機(jī)等電子設(shè)備開關(guān)機(jī)鍵的無(wú)意按壓，導(dǎo)致放在包里或者口袋里的電子設(shè)備執(zhí)行錯(cuò)誤的開機(jī)或者關(guān)機(jī)動(dòng)作。對(duì)于諸如手機(jī)之類的手持電子產(chǎn)品，有這樣的開關(guān)機(jī)功能和特性的電路時(shí)必須的。實(shí)現(xiàn)防止誤觸發(fā)長(zhǎng)按鍵延伸開關(guān)機(jī)功能，一種簡(jiǎn)易的辦法是利用分立的原件如RC延時(shí)加上輔助電路實(shí)現(xiàn)，具有原理簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，設(shè)計(jì)方便，但是其延時(shí)精確度低，只能部分防止誤觸電路，采用專用的開關(guān)機(jī)芯片實(shí)現(xiàn)，可靠性高，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，但因其專業(yè)性，故價(jià)格較貴，普通市場(chǎng)不易采購(gòu)，業(yè)余制作或其他應(yīng)用實(shí)現(xiàn)不易。上述內(nèi)容為的是針對(duì)手觸發(fā)式的開關(guān)機(jī)電路，在許多無(wú)線通信，無(wú)線控制領(lǐng)域中，開關(guān)機(jī)電路常常采用的多數(shù)是自動(dòng)計(jì)時(shí)開關(guān)機(jī)設(shè)計(jì)。此自動(dòng)計(jì)時(shí)開關(guān)機(jī)電路，無(wú)需人工控制，可解決人力成本問題。但是在許多實(shí)時(shí)操控中，自動(dòng)開關(guān)機(jī)的方案不能作為采用的對(duì)象。基于實(shí)時(shí)控制的需求，因此，我們需要一種能針對(duì)RFID天線信號(hào)經(jīng)整流后的信號(hào)，通過此開關(guān)機(jī)電路，可以觸發(fā)系統(tǒng)的開關(guān)機(jī)信號(hào)，從而達(dá)到使用RFID的無(wú)線信號(hào)觸發(fā)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)的目的的開關(guān)機(jī)電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，能進(jìn)行無(wú)線信號(hào)觸發(fā)，無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方案如下無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路，主要由MOS管觸發(fā)電路、以及同時(shí)連接于MOS管觸發(fā)電路的開關(guān)機(jī)主處理芯片、VRTC電路、開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路構(gòu)成；所述MOS管觸發(fā)電路主要由一個(gè)NMOS管T9和一個(gè)PMOS管T8構(gòu)成，所述NMOS管T9的D極引腳和PMOS管T8的G極引腳連接；所述NMOS管T9的G極引腳與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路連接；所述PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路連接；所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片連接；所述NMOS管T9的S極引腳接地；所述開關(guān)機(jī)主處理芯片包括0N/0FF引腳，所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的0N/0FF引腳連接；所述PMOS管T8還并聯(lián)有上拉電阻R80，所述上拉電阻R80的兩端分別與PMOS管T8的S極引腳和G極引腳連接，所述上拉電阻R80采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，其上拉電阻R80的阻值為IM歐姆+/-1M歐姆5% ο所述PMOS管T8與NMOS管T9之間還串聯(lián)有限流電阻R34，所述限流電阻R34的兩端分別與PMOS管T8的G極引腳和NMOS管T9的D極引腳連接，所述PMOS管T8還串聯(lián)有 一個(gè)下拉電阻R35，所述下拉電阻R35的一端同時(shí)與PMOS管T8的D極引腳和0N/0FF引腳 連接，下拉電阻R35的另一端接地；下拉電阻R35采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R35的阻 值為IM歐姆+/-1M歐姆5%。
所述NMOS管T9還串聯(lián)有一個(gè)下拉電阻R79，所述下拉電阻R79的一端同時(shí)與開關(guān) 機(jī)信號(hào)輸入電路和NMOS管T9的G極引腳連接，下拉電阻R79的另一端接地；下拉電阻R79 采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R79的阻值為75K歐姆+/-75K歐姆5% ;所述下拉電阻R79 與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路之間還串聯(lián)有一個(gè)限流電阻R32。
所述限流電阻R34和限流電阻R32均為OR電阻。
所述PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路的連接線上還引出有一電源信號(hào)測(cè)試點(diǎn) TP_VRTC ;所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的連接線上還引出有一開關(guān)信號(hào) 測(cè)試點(diǎn) TP_0N/0FF。
為了優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，使得電路板體積變小，本發(fā)明中的上拉電阻R80、下拉電阻 R35、下拉電阻R79均采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)。
基于上述內(nèi)容，本發(fā)明的開關(guān)觸發(fā)原理為當(dāng)開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路輸入開關(guān)機(jī)信 號(hào)為高電平后，NMOS管T9的G極信號(hào)變化為高電平；此時(shí)NMOS管T9的S極與D極導(dǎo)通， 由于NMOS管T9的S極接地，因此三極管T9的D極被導(dǎo)通后接地，此時(shí)由于NMOS管T9的 D極接PMOS管T8的G極，因此，PMOS管T8的G極接地，固PMOS管T8被導(dǎo)通，使得接PMOS 管T8的D極與PMOS管T8的S極導(dǎo)通，因此PMOS管T8的開關(guān)機(jī)信號(hào)與PMOS管T8的開關(guān) 機(jī)電源信號(hào)被導(dǎo)通，PMOS管T8的S極連接的VRTC電路輸出開關(guān)機(jī)電源信號(hào)，PMOS管T8的 D極接收開關(guān)機(jī)信號(hào)。從而使系統(tǒng)的開關(guān)機(jī)信號(hào)被觸發(fā)，從而使系統(tǒng)開始開關(guān)機(jī)流程。電路 中使用的上拉電阻R80、下拉電阻R79和下拉電阻R35可分別保證了 PMOS管T8和NMOS管 T9在無(wú)信號(hào)輸入時(shí)的關(guān)斷狀態(tài)穩(wěn)定，而串入的限流電阻R34和限流電阻R32則保證信號(hào)電 流不會(huì)太大而對(duì)三極管造成損害。同時(shí)限流電阻R34和限流電阻R32配合上拉電阻R80、下 拉電阻R79和下拉電阻R35，可以調(diào)整輸入信號(hào)觸發(fā)開關(guān)機(jī)的門限電壓，保證開關(guān)機(jī)與讀寫 卡的操作同步。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于這種開關(guān)機(jī)電路，最大的創(chuàng)新是將以前必須使用物理按鍵來 實(shí)現(xiàn)的開關(guān)機(jī)功能，轉(zhuǎn)而由無(wú)線電路方式來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明電路與三極管電路相比，由于MOS 管是電壓驅(qū)動(dòng)器件，即只要輸入信號(hào)電壓達(dá)到設(shè)定閥值，即可驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)，而三極管是 電流驅(qū)動(dòng)器件，必須要輸入信號(hào)電流達(dá)到門限值，才能驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)。另外MOS管需要的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓較三極管比較高。這兩種設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于不同的場(chǎng)合，選用同封裝的三極管 與MOS管，在同一塊PCB上也可以實(shí)現(xiàn)兩種電路的調(diào)試試驗(yàn)，而不用采用兩種PCB設(shè)計(jì)。


圖1為本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一如圖1所示。
無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路，主要由MOS管觸發(fā)電路、以及同時(shí)連接于MOS管觸發(fā)電路的開關(guān)機(jī)主處理芯片、VRTC電路、開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路構(gòu)成。MOS管觸發(fā)電路主要由一個(gè)NMOS管T9和一個(gè)PMOS管T8構(gòu)成，所述NMOS管T9的D極引腳和PMOS管T8的G極引腳連接；所述NMOS管T9的G極引腳與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路連接；所述PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路連接；所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片連接；所述NMOS管T9的S極引腳接地。開關(guān)機(jī)主處理芯片包括0N/0FF引腳，所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的0N/0FF引腳連接。PMOS管T8還并聯(lián)有上拉電阻R80，所述上拉電阻R80的兩端分別與PMOS管T8的S極引腳和G極引腳連接。PMOS管T8與NMOS管T9之間還串聯(lián)有限流電阻R34，所述限流電阻R34的兩端分別與PMOS管T8的G極引腳和NMOS管T9的D極引腳連接，所述限流電阻R34為OR電阻。PMOS管T8還串聯(lián)有一個(gè)下拉電阻R35，所述下拉電阻R35的一端同時(shí)與PMOS管T8的D極引腳和0N/0FF引腳連接，下拉電阻R35的另一端接地。NMOS管T9還串聯(lián)有一個(gè)下拉電阻R79，所述下拉電阻R79的一端同時(shí)與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路和NMOS管T9的G極引腳連接，下拉電阻R79的另一端接地。下拉電阻R79與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路之間還串聯(lián)有一個(gè)限流電阻R32。限流電阻R32為OR電阻。PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路的連接線上還引出有一電源信號(hào)測(cè)試點(diǎn)TP_VRTC ;所述PMOS管Τ8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的連接線上還引出有一開關(guān)信號(hào)測(cè)試點(diǎn) TP_0N/0FF。當(dāng)高電平在開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路處輸入后，NMOS管T9和PMOS管T8均被導(dǎo)通。進(jìn)行開關(guān)機(jī)信號(hào)發(fā)送。開關(guān)機(jī)操作動(dòng)作進(jìn)行。同時(shí)，本發(fā)明為了測(cè)試方便。特在PMOS管T8的S極與VRTC電路的連接線上還引出有一電源信號(hào)測(cè)試點(diǎn)TP_VRTC ；以及PMOS管T8的D極與開關(guān)機(jī)主處理芯片的連接線上還引出有一開關(guān)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)TP_0N/0FF。方便后期的測(cè)試和校對(duì)。所述PMOS管T8還并聯(lián)有上拉電阻R80，所述上拉電阻R80的兩端分別與PMOS管T8的S極引腳和G極引腳連接，所述上拉電阻R80采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，其上拉電阻R80的阻值為IM歐姆+/-1M歐姆5%。下拉電阻R35采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R35的阻值為IM歐姆+/-1M歐姆
5% ο下拉電阻R79采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R79的阻值為75K歐姆+/-75K歐姆5% ο結(jié)合附圖、以及上述內(nèi)容的電路描述，當(dāng)開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路輸入開關(guān)機(jī)信號(hào)為高電平后，NMOS管T9的G極信號(hào)變化為高電平；此時(shí)NMOS管T9的S極與D極導(dǎo)通，由于NMOS管T9的S極接地，因此三極管T9的D極被導(dǎo)通后接地，此時(shí)由于NMOS管T9的D極接PMOS管T8的G極，因此，PMOS管T8的G極接地，固PMOS管T8被導(dǎo)通，使得接PMOS管T8的D極與PMOS管T8的S極導(dǎo)通，因此PMOS管T8的開關(guān)機(jī)信號(hào)與PMOS管T8的開關(guān)機(jī)電源信號(hào)被導(dǎo)通，PMOS管T8的S極連接的VRTC電路輸出開關(guān)機(jī)電源信號(hào)，PMOS管T8的D極接收開關(guān)機(jī)信號(hào)。從而使系統(tǒng)的開關(guān)機(jī)信號(hào)被觸發(fā)，從而使系統(tǒng)開始開關(guān)機(jī)流程。電路中使用的上拉電阻R80、下拉電阻R79和下拉電阻R35可分別保證了 PMOS管T8和NMOS管T9在無(wú)信號(hào)輸入時(shí)的關(guān)斷狀態(tài)穩(wěn)定，而串入的限流電阻R34和限流電阻R32則保證信號(hào)電流不會(huì)太大而對(duì)三極管造成損害。同時(shí)限流電阻R34和限流電阻R32配合上拉電阻R80、下拉電阻R79和下拉電阻R35，可以調(diào)整輸入信號(hào)觸發(fā)開關(guān)機(jī)的門限電壓，保證開關(guān)機(jī)與讀寫卡的操作同步。如上所述，則能很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路，其特征在于主要由MOS管觸發(fā)電路、以及同時(shí)連接于MOS管觸發(fā)電路的開關(guān)機(jī)主處理芯片、VRTC電路、開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路構(gòu)成；所述MOS管觸發(fā)電路主要由一個(gè)NMOS管T9和一個(gè)PMOS管T8構(gòu)成，所述NMOS管T9的D極引腳和PMOS管T8的G極引腳連接；所述NMOS管T9的G極引腳與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路連接；所述PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路連接；所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片連接；所述NMOS管T9的S極引腳接地；所述開關(guān)機(jī)主處理芯片包括0N/0FF引腳，所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的0N/0FF引腳連接；所述PMOS管T8還并聯(lián)有上拉電阻R80，所述上拉電阻R80的兩端分別與PMOS管T8的S極引腳和G極引腳連接，所述上拉電阻R80采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，其上拉電阻R80的阻值為IM歐姆+/-1M歐姆5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用兩個(gè)三極管的開關(guān)機(jī)電路，其特征在于所述PMOS管T8與NMOS管T9之間還串聯(lián)有限流電阻R34，所述限流電阻R34的兩端分別與PMOS管T8的G極引腳和NMOS管T9的D極引腳連接，所述PMOS管T8還串聯(lián)有一個(gè)下拉電阻R35，所述下拉電阻R35的一端同時(shí)與PMOS管T8的D極引腳和0N/0FF引腳連接，下拉電阻R35的另一端接地；下拉電阻R35采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R35的阻值為IM歐姆+/-1M歐姆5% ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用兩個(gè)三極管的開關(guān)機(jī)電路，其特征在于所述NMOS管T9還串聯(lián)有一個(gè)下拉電阻R79,所述下拉電阻R79的一端同時(shí)與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路和NMOS管T9的G極引腳連接，下拉電阻R79的另一端接地；下拉電阻R79采用0402的封裝標(biāo)準(zhǔn)，下拉電阻R79的阻值為75K歐姆+/-75K歐姆5% ;所述下拉電阻R79與開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路之間還串聯(lián)有一個(gè)限流電阻R32。
4.據(jù)權(quán)利要求3所述的采用兩個(gè)三極管的開關(guān)機(jī)電路，其特征在于所述限流電阻R34和限流電阻R32均為OR電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的采用兩個(gè)三極管的開關(guān)機(jī)電路，其特征在于所述PMOS管T8的S極引腳與VRTC電路的連接線上還引出有一電源信號(hào)測(cè)試點(diǎn)TP_VRTC ；所述PMOS管T8的D極引腳與開關(guān)機(jī)主處理芯片的連接線上還引出有一開關(guān)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)TP_0N/0FF。
全文摘要
本發(fā)明公開了無(wú)線信號(hào)觸發(fā)的開關(guān)機(jī)電路，主要由MOS管觸發(fā)電路、以及同時(shí)連接于MOS管觸發(fā)電路的開關(guān)機(jī)主處理芯片、VRTC電路、開關(guān)機(jī)信號(hào)輸入電路構(gòu)成。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于這種開關(guān)機(jī)電路，最大的創(chuàng)新是將以前必須使用物理按鍵來實(shí)現(xiàn)的開關(guān)機(jī)功能，轉(zhuǎn)而由無(wú)線電路方式來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明電路與三極管電路相比，由于MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)器件，即只要輸入信號(hào)電壓達(dá)到設(shè)定閥值，即可驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)，而三極管是電流驅(qū)動(dòng)器件，必須要輸入信號(hào)電流達(dá)到門限值，才能驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開關(guān)機(jī)。另外MOS管需要的驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓較三極管比較高。這兩種設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于不同的場(chǎng)合，選用同封裝的三極管與MOS管，在同一塊PCB上也可以實(shí)現(xiàn)兩種電路的調(diào)試試驗(yàn)，而不用采用兩種PCB設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)H03K17/94GK103051317SQ201210261178
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
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