專利名稱：晶體振子和晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在其面內(nèi)具有X軸的正負的朝向(正負方向)相互不同的振動區(qū)域的晶體振子(石英振子)和包含該晶體振子的晶體振蕩器。
背景技術(shù)：
振蕩電路等的電子部件所使用的晶體振子，具有振蕩頻率相應(yīng)于溫度發(fā)生變化的頻率溫度特性。該頻率溫度特性因構(gòu)成晶體振子的晶體片(石英片)的切斷角度和厚度等不同，在每個晶體振子不同。因此，進行了各種無論環(huán)境溫度如何均獲得穩(wěn)定的頻率輸出的研究。例如，進行了如下研究，即，在共用的晶體片上形成兩個相互成對的激勵電極組來構(gòu)成第一晶體振子、第二晶體振子，運算第一晶體振子、第二晶體振子的輸出的差量，并利用其輸出。這樣，由共用 的晶體片構(gòu)成的第一晶體振子和第二晶體振子同樣受到周圍溫度的影響，因此，上述差量的頻率輸出能夠抑制上述周圍溫度的影響。但是，像這樣運算頻率的差量，裝置的構(gòu)成變得復(fù)雜。但是，在同一晶體片形成多個振動區(qū)域的情況下，需要以抑制一振動區(qū)域?qū)α硪徽駝訁^(qū)域造成的影響的方式構(gòu)成晶體片。例如，在專利文獻I中，在晶體片上形成有凹部，利用該凹部劃分有相互的振動區(qū)域。但是，該水晶片難以解決如下課題，即，被凹部劃分的區(qū)域均被AT切割，因此，獲得上述的裝置構(gòu)成簡單的振蕩裝置。另外，在專利文獻2中記載有如下技術(shù)，即，通過對被AT切割的晶體片的周緣部照射激光，使結(jié)晶軸的正負反轉(zhuǎn)，由此將晶體片進行雙晶化。但是，照射有激光的上述周緣部構(gòu)成作為支承不振動且作為被AT切割的區(qū)域的中央部的區(qū)域，不能解決上述的問題。傳感器使用的晶體振蕩器。基于由溫度傳感器檢測的溫度來控制振蕩輸出，但要求能夠以更簡單的構(gòu)成獲得穩(wěn)定的振蕩的晶體振蕩器?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻I :日本特開2007 - 108170專利文獻2 :日本特開2003 — 69374號公報(段落0011)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供一種在具有多個振動區(qū)域的晶體振子中，能夠抑制一振動區(qū)域?qū)α硪徽駝訁^(qū)域造成的影響并且構(gòu)成簡單的結(jié)構(gòu)的晶體振蕩器的技術(shù)。還提供一種在晶體振蕩器中以簡單的構(gòu)成獲得穩(wěn)定的振蕩輸出的技術(shù)。本發(fā)明的晶體振子的特征在于，其具備設(shè)置于晶體片上的第一振動區(qū)域；第二振動區(qū)域，其設(shè)置于所述晶體片上，該第二振動區(qū)域的厚度和X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域不同；和激勵電極，其分別設(shè)置于第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域，用于使各振動區(qū)域獨立振動。作為本發(fā)明的晶體振子的具體的方式，例如為如下方式。
(I)在所述晶體片，在第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域之間形成有凹部。(2)第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域中的一方為被AT切割而成的區(qū)域。本發(fā)明的晶體振蕩器的特征在于，其包含所述晶體振子。作為該晶體振蕩器的具體的方式，例如具備控制單元，其基于第二振動區(qū)域的振蕩頻率來控制用于使第一振動區(qū)域振蕩的控制電壓，從而控制該第一振動區(qū)域的振蕩頻率。另外，本發(fā)明的晶體振蕩器的特征在于，其具備設(shè)置于晶體片上的第一振動區(qū)域；第二振動區(qū)域，其設(shè)置于所述晶體片，X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域不同；激勵電極，其分別設(shè)置于第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域，用于使各振動區(qū)域獨自振動；用于使第一振動區(qū)域振蕩的第一振蕩電路；用于使第二振動區(qū)域振蕩的第二振蕩電路；和控制單元，其基于第二振動區(qū)域的振蕩頻率來推定所述晶體片的溫度，并基于推定的該溫度來控制來自第一振蕩電路的振蕩頻率。
該晶體振蕩器的具體的方式，例如為如下方式。(3)在所述晶體片，在與第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域不同的區(qū)域設(shè)置有濾波器形成區(qū)域，該構(gòu)成被輸入來自第一振蕩電路的信號的濾波器。(4)所述第一振動區(qū)域和所述濾波器形成區(qū)域通過第二振動區(qū)域被劃分。(5)所述激勵電極以遍及(跨)第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域的方式形成。本發(fā)明的晶體振子以X軸的正負反轉(zhuǎn)、分別獨立振動的各區(qū)域的厚度相互不同的方式形成。因此，能夠抑制第一振動區(qū)域的振動對第二振動區(qū)域的振動造成的影響，另外，在各振動區(qū)域置于大致相同的溫度氣氛中的狀態(tài)下，能夠從一振動區(qū)域和另一振動區(qū)域取出相對于規(guī)定的溫度變化以相互不同的大小進行變化的振蕩頻率。因此，能夠基于相對于溫度引起頻率明顯變化的一振動區(qū)域的振蕩頻率，來控制另一振動區(qū)域的振蕩。由此，也可以不運算來自各區(qū)域的振蕩頻率的差量，因此，能夠抑制由該晶體振子構(gòu)成的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化和成本上升。另外，本發(fā)明的晶體振蕩器，基于設(shè)置在晶體片上的第二振動區(qū)域的振動，來推定所述晶體片的溫度，控制X軸的正負的朝向與第二振動區(qū)域反轉(zhuǎn)的第一振動區(qū)域的振蕩頻率。因此，能夠抑制裝置的成本，獲得穩(wěn)定的輸出。


圖I是第一實施方式的晶體振子的平面圖和縱剖側(cè)視圖。圖2是表示上述晶體振子的制造方法的工序圖。圖3是表示上述晶體振子的其它制造方法的說明圖。圖4是包含上述晶體振子的溫度補償振蕩器的電路圖。圖5是表示形成上述晶體片的AT切割區(qū)域的溫度特性的曲線圖。圖6式表示控制電壓和振蕩頻率的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示形成上述晶體片的一個區(qū)域的溫度特性的曲線圖。圖8是第二實施方式的晶體振子的平面圖和縱剖側(cè)視圖。圖9是包含上述晶體振子的溫度補償振蕩器的電路圖。圖10是包含第三實施方式的晶體振子的溫度補償振蕩器的結(jié)構(gòu)圖。圖11是構(gòu)成第四實施方式的晶體振蕩器的晶體振子的平面圖。
圖12是上述晶體振子的縱剖側(cè)視圖。圖13是表示作為比較例的TCXO的溫度特性的曲線圖。圖14是表示第四實施方式的TCXO的溫度特性的曲線圖。圖15是構(gòu)成第五實施方式的TCXO的晶體振子的平面圖。圖16是上述晶體振子的縱剖側(cè)視圖。圖17是上述第五實施方式的TCXO的電路圖。圖18是上述TCXO的晶體振子的等效電路圖。
圖19是表示第五實施方式的TCXO的溫度特性的曲線圖。圖20是表示第三實施方式的TCXO的溫度特性的曲線圖。圖21是用于構(gòu)成第六實施方式的TCXO的晶體振子的平面圖。圖22是上述晶體振子的縱剖側(cè)視圖。圖23是上述第六實施方式的TCXO的電路圖。圖24是上述TCXO的晶體振子的等效電路圖。圖25是表示上述TCXO的溫度特性的曲線圖。圖26是用于構(gòu)成第七實施方式的TCXO的晶體振子的平面圖。圖27是上述晶體振子的縱剖側(cè)視圖。圖28是上述第七實施方式的TCXO的電路圖。附圖標記說明1、1A、1B、9A、9B、9C 晶體振子11,91 晶體片12第一振動區(qū)域13第二振動區(qū)域14、15 凹部16、17激勵電極22AT切割區(qū)域23DT切割區(qū)域3、100、110、120溫度補償晶體振蕩器(TCXO)41主振蕩部51輔助振蕩部61控制電壓供給部
具體實施例方式(第一實施方式)參照附圖對本發(fā)明第一實施方式的晶體振子進行說明。圖I (a) (b)是晶體振子I的平面圖、側(cè)視圖。該晶體振子I具備矩形狀的晶體片11，沿該晶體片11的長度方向分別形成有第一振動區(qū)域12、第二振動區(qū)域13。第一振動區(qū)域12的正面和背面與Z'軸和X軸平行，其中，V軸為從X軸的+方向觀看在逆時針方向上相對于作為晶體的結(jié)晶軸的Z軸傾斜約35°的軸。即，第一振動區(qū)域12為被AT切割而成的區(qū)域。第二振動區(qū)域13以如下方式構(gòu)成，即，其正面和背面與上述Z'軸和上述X軸平行，該X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域12的X軸的正負的朝向相反。即，該晶體片11構(gòu)成為電雙晶。而且，第二振動區(qū)域13大致作為被DT切割而成的區(qū)域構(gòu)成。另外，如圖1(b)所示，與第二振動區(qū)域13相比，第一振動區(qū)域12其厚度形成為較小。在晶體片11的正面和背面，以劃分第一振動區(qū)域12與第二振動區(qū)域13的方式分別形成有凹部14、15。各凹部14、15沿晶體片11的寬度方向形成條紋狀且相互相對。另夕卜，在第一振動區(qū)域12的正面和背面，形成有用于激勵第一振動區(qū)域12的激勵電極16A、16B，這些激勵電極16A、16B相互相對地形成。與第一振動區(qū)域12相同，在第二振動區(qū)域13的正面和背面，相互相對地設(shè)置有激勵電極 17A、17B。通過這些激勵電極16、17，第一振動區(qū)域12、第二振動區(qū)域13相互獨立振動。以從各激勵電極16 (16A、16B)、17 (17A、17B)朝向晶體片11的端部引出的方式形成有電極18。電極18具有用于將激勵電極16、17與振蕩電路連接的導(dǎo)電路徑的作用。為了方便，在圖I (b)中省略該引出電極18的圖示。接著，參照表示晶體片的側(cè)面變化的情況的圖2，對上述晶體振子的制造方法進行說明。圖2 (a)表示被AT切割而成的矩形狀的晶體片21。在該圖2 (a)所示的狀態(tài)下，晶體片21為單晶。作為該晶體片21的尺寸，例如，長度為5mm、寬度為2mm、厚度為O. 06mm。在該晶體片21上利用蝕刻形成凹部14，將晶體片21劃分為第一振動區(qū)域12、第二振動區(qū)域13 (圖2 (b))。接著，利用未圖示的激光照射部對第二振動區(qū)域13照射二氧化碳激光，第二振動區(qū)域13被加熱。圖2 (b)的箭頭表示該激光。通過該激光照射，第二振動區(qū)域13被加熱，該第二振動區(qū)域13的X軸的正負反轉(zhuǎn)，如上所述，第二振動區(qū)域13大致為被DT切割而成的區(qū)域(為了方便，作為DT切割區(qū)域進行說明)，晶體片21變化為作為雙晶的晶體片11 (圖2 (C))。在圖2 (C) 圖2 (e)中，對這樣結(jié)晶軸反轉(zhuǎn)的區(qū)域標注多個點進行標示。這樣，通過在激光照射前形成凹部14，能夠防止X軸的正負反轉(zhuǎn)的區(qū)域波及到第一振動區(qū)域12，對此，發(fā)明人通過實驗進行了確認。符號22表示AT切割區(qū)域，符號23表示DT切割區(qū)域。在該第一實施方式中，AT切割區(qū)域22為第一振動區(qū)域12，DT切割區(qū)域23為第二振動區(qū)域13。接著，將晶體片11浸潰到蝕刻液中。由于晶體的各向異性，與第二振動區(qū)域13的正面和背面相比，第一振動區(qū)域12的正面和背面的蝕刻速度快。因此，如圖2 (c)所示，第一振動區(qū)域12的厚度比第二振動區(qū)域13的厚度大。另外，與第一振動區(qū)域12和第二振動區(qū)域13的各正面和背面相比，第一振動區(qū)域12和第二振動區(qū)域13的分界部分的蝕刻速度快。因此，凹部14的深度變大，并且在晶體片11的背面形成凹部15 (圖2(d))。這樣，在對晶體片11進行過蝕刻后，在晶體片11的正面和背面形成金屬膜，對該金屬膜進行蝕刻，形成激勵電極16、17和引出電極18 (圖2 (e))。在該晶體振子I中，在被AT切割而成的區(qū)域即第一振動區(qū)域12和被DT切割而成的第二振動區(qū)域13之間，這些振動區(qū)域12、13的厚度相互不同，在這些振動區(qū)域12、13之間形成有階差，能夠抑制一振動區(qū)域的彈性波傳播到另一振動區(qū)域，因此，能夠抑制一振動區(qū)域的振動對另一振動區(qū)域的振動造成的影響。因此，如后文所述，在將該晶體振子I裝入晶體振蕩器時，能夠從各振動區(qū)域取出穩(wěn)定的輸出頻率。還有，該晶體振子I形成有凹部
14、15。利用該凹部14、15，還能夠抑制彈性波的傳輸，進一步可靠地抑制一振動區(qū)域的振動對另一振動區(qū)域的振動造成的影響。但是，圖3 (a) (b)分別為晶體片21的平面圖、縱剖側(cè)視圖。在上述例子中，當(dāng)照射激光形成雙晶時，在晶體片21上形成凹部14，但在該凹部14還含有圖3 (a) (b)所示的貫通孔24。該貫通孔24在晶體片21的寬度方向形成為線狀。發(fā)明人確認即使形成這種貫通孔24并對第二振動區(qū)域13照射激光，在第二振動區(qū)域13中也會引起X軸的正負反轉(zhuǎn)，在第一振動區(qū)域12中不會引起X軸的正負反轉(zhuǎn)。即，以劃分振動區(qū)域的方式在晶體片上形成凹部，由此，能夠高精度地控制使X軸的正負反轉(zhuǎn)的區(qū)域的大小。另外，不限于這樣照射激光而使X軸的正負反轉(zhuǎn)，例如，也可以通過用金屬膜覆蓋晶體片，并對晶體片進行加熱，由此，使被金屬膜覆蓋的部位的X軸的正負反轉(zhuǎn)。(第一實施方式的TCX0)接著，參照圖4的電路結(jié)構(gòu)圖對使用上述的晶體振子I構(gòu)成的溫度補償晶體振蕩器(TCXO :Temperature Compensated crystal 0scillator)3 進行說明。如上所述，晶體振 子I具備獨立振動的兩個振動區(qū)域，因此，在該說明中，為了方便，將晶體振子I看作兩個晶體振子進行說明。將包含第一振動區(qū)域12 (AT切割區(qū)域22)的晶體振子設(shè)為1A，將包含第二振動區(qū)域13 (DT切割區(qū)域23)的晶體振子設(shè)為1B。該TCX03具備主振蕩部41，其用于向外部輸出設(shè)定頻率&的信號；輔助振蕩部51，其用于使溫度補償用的信號振蕩；控制電壓供給部61，其設(shè)置于這些主振蕩部41和輔助振蕩部51之間，用于基于從輔助振蕩部51輸出的溫度補償用的信號，算出向主振蕩部41輸入的控制電壓V。。在圖4中，50為輔助振蕩部51的控制電壓Vltl的輸入端，40為TCX03的輸出端。主振蕩部41具備晶體振子IA和與該晶體振子IA連接的主振蕩電路42。輔助振蕩部51具備晶體振子IB和與該晶體振子IB連接的輔助振蕩電路52。上述的主振蕩部41的前段側(cè)(輸入側(cè))與已述的控制電壓供給部61連接，以從該控制電壓供給部61經(jīng)由變?nèi)荻O管43向主振蕩部41施加控制電壓V。。該控制電壓供給部61的構(gòu)成為，如(I)式所示，從主振蕩部41的基準電壓Vtl減去溫度補償電壓AV (根據(jù)AV符號的取值，也可以稱為相力口)，由此，生成上述的控制電壓\。Vc=V0 — AV…(I)該基準電壓Vtl是在基準溫度Ttl例如29°C，從主振蕩部41輸出設(shè)定頻率&時的控制電壓。另外，溫度補償電壓AV如下顯示。S卩，控制電壓V和振蕩頻率f存在正比關(guān)系，因此，AV如(2)式所示來表示。另外，在使用AT切割的晶體片以厚度滑動振動模式振蕩的情況下，(3)式成立，因此，Λ V作為(4)式來表示。另外，T是在后述的溫度推定部63檢測的溫度Δ f = f — f^。α η β i和Y i是該主振蕩部41固有的常數(shù)。AV=V0 ( Af / f0)... (2)Δ f / f0= a j (Τ — T0) 3 + β! (Τ — T0) + Y j ... (3)AV=V0 Ca1 (T-T0)3+ (T-T0)+ Y1) ...(4)V10是從輸入端50經(jīng)由變?nèi)荻O管53施加到DT切割區(qū)域23的控制電壓?？刂齐妷汗┙o部61具備頻率檢測部62，其由用于根據(jù)從輔助振蕩部51輸入的頻率信號測量振蕩頻率f的例如頻率計數(shù)器等構(gòu)成；溫度推定部63，其基于在該頻率檢測部62測量的振蕩頻率f推定溫度T ;補償電壓運算部64，其用于基于在溫度推定部63推定的溫度T運算已述的補償電壓Λ V ;和加法部65，其用于將控制電壓V。輸出到主振蕩部41，控制電壓V。為從基準電壓Vtl減去在補償電壓運算部64運算的補償電壓AV的電壓。另外，根據(jù)將補償電壓AV的符號確定為正還是負，加法部65的運算確定為(％— AV)還是(Vtl+ Λ V)，在該實施方式中，將在之前的(4)式中求得的Λ V作為補償電壓進行處理，因此，表現(xiàn)為(Vtl —Δ V)。總之，根據(jù)頻率溫度特性，僅利用振蕩頻率f從設(shè)定頻率&變動的量、Δ V補償Vtl的運算即可。在溫度推定部63存儲有輔助振蕩部51的頻率溫度特性，基于該溫度特性和輔助振蕩部51的振蕩頻率f (預(yù)先設(shè)定&和Ttl),求得TCX03周圍的溫度T。另外，補償電壓運算部64例如具備作為主振蕩部41的溫度特性的三次函數(shù)發(fā)生器，利用已經(jīng)敘述的(4)式和溫度T求得補償電壓Λ V。接著，對TCX03的作用進行說明。在主振蕩部41，將從在基準溫度Ttl例如29°C輸出設(shè)定頻率fo的基準電壓Vtl減去后述的溫度補償電壓AV的電壓V。，經(jīng)由變?nèi)荻O管43供給到主振蕩電路42，主振蕩電路42以頻率f進行振蕩。此時,在晶體振子IA例如為溫度T1 (T1 > TciX控制電壓V為基準電壓Vtl的情況下，如圖5所示，在該主振蕩部41振蕩的·頻率f，從與基準溫度Ttl對應(yīng)的設(shè)定頻率&沿著作為溫度特性曲線的三次曲線偏離與溫度T1對應(yīng)的頻率f\。但是，如上述，供給到主振蕩部41的控制電壓V。成為利用溫度補償電壓Λ V補償基準電壓Vtl的值，因此，從輸出端40輸出設(shè)定頻率如下在控制電壓供給部61計算這種溫度補償電壓Λ V。如上所述，主振蕩部41的振蕩頻率f，如圖6所示，與控制電壓V成正比。因此，在控制電壓供給部61中，為了補償頻率和設(shè)定頻率&的差量即△ f，以將控制電壓V僅提高與Af相當(dāng)?shù)难a償電壓AV的方式進行控制。補償電壓AV通過將溫度T1代入上述(4)式溫度T而求得。溫度T1如下基于輔助振蕩部51的振蕩頻率f被算出。即，通過對輸入端50輸入控制電壓Vltl，輔助振蕩部51進行振蕩。下面，TiciS基準溫度例如29°C，f1(l是將基準電壓V10作為控制電壓供給到輔助振蕩電路52時獲得的頻率。該輔助振蕩部51的振蕩為上述DT切割區(qū)域23 (晶體振子1B)的振蕩。在此，已知在被DT切割而成的晶體片中，溫度T和頻率偏差(頻率變化率)f / f10的關(guān)系近似為2次函數(shù)，但在通常使用TCX03的范圍例如0°C 30°C的范圍中，如圖7所示，大致為正比關(guān)系，在溫度T和來自輔助振蕩部51的振蕩頻率f之間，(5)式的關(guān)系成立。f = f10 ( α2 (T - T10) + β2...(5)頻率檢測部62使用上述振蕩頻率f和該(5)式推定溫度Τ。這樣，溫度T和振蕩頻率f成為正比關(guān)系，頻率f相對于溫度T明顯變化。另外，相對于溫度T的變化，振蕩頻率f比較陡地變化，因此，在該TCX03中，能夠靈敏度高地檢測溫度變化。其中，α 2、β 2為預(yù)先設(shè)定的輔助振蕩部51固有的常數(shù)，在各種各樣的值的控制電壓V中不同，因此，輸入上述的輸入端50的控制電壓V成為與求得這些常數(shù)時相同的電壓例如V1(l。補償電壓運算部64基于這樣求得的溫度T和已述的(5)式，算出補償電壓M。由此,主振蕩部41的振蕩頻率f要盡可能高于Λ f，通過成為溫度T，消除振蕩頻率f要盡可能消除低于Λ f的作用，因此，從輸出端40輸出的振蕩頻率f維持在設(shè)定頻率4。在這種TCX03中，通過使用上述的晶體振子1，從主振蕩部41和輔助振蕩部51獲得穩(wěn)定的輸出，將來自輔助振蕩部51的輸出作為控制電壓來控制主振蕩部41的輸出。因此，即使不運算各晶體振子1A、1B的輸出的差量，也能夠獲得穩(wěn)定的輸出，因此，能夠抑制裝置的大型化或制造成本變高。(第二實施方式)對其它的TCX070進行說明。圖8 (a) (b)是該TCX070所使用的晶體振子7的平面圖和縱剖側(cè)視圖。該晶體振子7與晶體振子I同樣由AT切割區(qū)域22和DT切割區(qū)域23構(gòu)成，但在AT切割區(qū)域22中形成有激勵電極71A、71B和激勵電極72A、72B，這些激勵電極71 (71A、71B)、激勵電極72 (72A、72B)的周圍分別獨立地進行振動。將利用激勵電極71進行振動的區(qū)域設(shè)為73，將利用激勵電極72進行振動的區(qū)域設(shè)為74。為了在振動區(qū)域73、74之間抑制彼此振動的影響，激勵電極71、72之間的尺寸I設(shè)定為例如1mm。為了使從各振動區(qū)域73、74輸出的頻率稍微錯開，激勵電極71、72的厚度相互不同。
圖9是TCX070的電路圖。對于晶體振子7，各振動區(qū)域獨立振動，因此，為了方便，對作為包含3個晶體振子的振動區(qū)域進行說明。將由振動區(qū)域73構(gòu)成的晶體振子設(shè)為7A，將由振動區(qū)域74構(gòu)成的晶體振子設(shè)為7B。由振動區(qū)域13構(gòu)成的晶體振子與TCX03同樣設(shè)為1B。在該TCX070中取出來自晶體振子7A的輸出(設(shè)為f21)和來自晶體振子7B的輸出(設(shè)為f22)的差量f21 - f22。晶體振子7A、7B由相同的晶體片11構(gòu)成，因此被放置在大致相同的溫度環(huán)境中，但由于晶體振子7A、7B的位置不同，溫度稍微不同，因此，f21 - f22相對于周圍溫度的變化，稍微進行變動。該TCX070的目的在于，抑制該變動，使其更小。在該例子中，與TCX03相同，基于晶體振子IB的輸出，檢測各晶體振子的周圍溫度T，根據(jù)該溫度，利用對于晶體振子7A、7B分別設(shè)置的補償電壓運算部64A、64B，按照上述
(4)式運算M。在(4)式中，各補償電壓運算部64A、64B使用的α p ^和Y i各常數(shù)是晶體振子7A、7B固有的值。在TCX070中，對于與在TCX03中說明的結(jié)構(gòu)同樣構(gòu)成的部分，標注相同的附圖標記并省略說明。TCX070的控制電壓供給部76是與TCX03的控制電壓供給部61相當(dāng)?shù)牟课唬缟纤?，具備補償電壓運算部64A、64B，輸出來自溫度推定部63的信號。在該補償電壓運算部64A、64B中，與TCX03的補償電壓運算部同樣利用(4)式運算Λ V，但使用根據(jù)晶體振子7A、7B分別設(shè)定的各個固有的常數(shù)(11、01和Y1，進行AV的運算。另外，補償電壓運算部64A、64B與對于各晶體振子7A、7B設(shè)置的加法部65連接，在各加法部65運算控制電壓Vc。該控制電壓Vc經(jīng)由變?nèi)荻O管43輸出到與晶體振子7A、7B分別連接的振蕩電路77A、77B，并以f21、f22分別成為穩(wěn)定的輸出的方式來控制。將從圖中補償電壓運算部64A、64B輸出的各AV設(shè)為Λ VI、Λ V2，將施加于振蕩電路77A、77B的控制電壓 Vc 分別設(shè)為 Vcl、Vc2。Vcl = VO — AVI, Vc2 = VO - M2。在振蕩電路77A、77B的后段，設(shè)置有加法部77，運算上述的晶體振子7A的輸出f21與晶體振子7B的輸出f22的差量f21 — f22，并輸出到輸出端40。在該例子中，振動區(qū)域73、74的振動和振動區(qū)域13的振動的分離性也高，各振動區(qū)域穩(wěn)定地進行振蕩。而且，如上所述方式，基于來自振動區(qū)域13的振蕩頻率f，f21、f22以抑制各自對溫度的影響的方式來控制，另外，通過運算該差量，因溫度不同而引起的各晶體振子的變化量被消除，因此，能夠獲得具有比該TCX070更高的穩(wěn)定性的輸出。
(第三實施方式)作為TCX0，也可以構(gòu)成為圖10所示的TCX080。以與晶體振子1、7的不同點為中心，對該TCX080使用的晶體振子8進行說明。在該例子中，與第一實施方式相同，第一振動區(qū)域12為AT切割區(qū)域22，第二振動區(qū)域13為DT切割區(qū)域23。在AT切割區(qū)域22的表面設(shè)置有激勵電極8IA和隔著激勵電極8IA的電極8IB、81C，這些電極8IA 8IC沿Z'軸方向排列。電極81B、81C利用導(dǎo)電路徑相互連接，構(gòu)成同電位。在AT切割區(qū)域22的背面，以與這些激勵電極81A、81B、81C相對的方式設(shè)置有接地的激勵電極81D。通過設(shè)定為這種電極配置，來控制AT切割區(qū)域22的正面和背面的電荷的分布，抑制輸出信號中的噪聲。另外，激勵電極81D也可以按照與各電極81A 81C相對并且相互分離的方式被分割。電極81B、81C與接地的可變電容器82連接。調(diào)整該可變電容器82的容量，使基準溫度Ttl的設(shè)定頻率L與希望的值一致。但是，TCXO因老化相對于溫度的頻率特性發(fā)生變動，該TCX080也同樣會引起其的變動。但是，如該TCX080的方式，在晶體片的正面和背面設(shè)置電極，將一個電極組與振蕩電路連接，將另一組與可調(diào)節(jié)該可變電容器等的振蕩頻率的元件連接，由此，用曲線圖表示頻率特性相對于上述溫度的變化時，抑制該曲線以基準溫 度Ttl的設(shè)定頻率&為中心進行旋轉(zhuǎn)的方式變動。而且，由于上述老化和可變電容器82的容量的變更等，該上述曲線以在維持其形狀的狀態(tài)下向頻率高的一方或低的一方偏離的方式變動。即，對于因老化引起的頻率特性的變動，不需要(4)式的各常數(shù)αι、^和^的再設(shè)定，如上所述，只要利用可變電容器82進行設(shè)定頻率&的調(diào)節(jié)即可。因此，在TCX080中，對因老化引起的上述頻率特性的變動，能夠容易地進行修正。在該TCX080中，與已經(jīng)敘述的各TCXO相同，根據(jù)溫度從補償電壓運算部64輸出控制電壓Δ V,與該控制電壓Δ V對應(yīng)的電壓例如與第一實施方式相同，VO — Δν被從加法部65輸出，并施加到變?nèi)荻O管43，該變?nèi)荻O管43的容量變化。因此，來自主振蕩電路42的輸出維持為設(shè)定頻率此外，圖中83為主振蕩電路42的電壓供給端子。在該TCX080中，也與第一實施方式相同，從各振動區(qū)域獲得穩(wěn)定的輸出，因此，能夠使TCX080的輸出穩(wěn)定。在上述的各實施方式中，由被AT切割而成的區(qū)域和被DT切割而成的區(qū)域構(gòu)成晶體片，但例如也可以使用被Y切割而成的區(qū)域代替被DT切割而成的區(qū)域，只要X軸的正負反轉(zhuǎn)即可。另外，也可以使用BT切割的區(qū)域代替AT切割的區(qū)域。另外，也可以代替通過熱處理變更晶體片的規(guī)定區(qū)域的極性，而將各個極性不同的晶體片通過硅氧烷鍵合等進行接合，形成雙晶。(第四實施方式)對第四實施方式進行說明。該第四實施方式為第一實施方式的TCX03的變形例，除晶體振子的結(jié)構(gòu)不同以外，是與上述TCX03同樣的結(jié)構(gòu)。圖11、圖12分別表示該晶體振子9Α、9Β的上表面、縱剖側(cè)面。對與第一實施方式同樣構(gòu)成的部位標注相同的附圖標記，并省略說明。作為與晶體振子1Α、1Β的不同點，使用晶體片91代替晶體片21。該晶體片91形成為，作為AT切割區(qū)域的第一振動區(qū)域12和相對于上述AT切割區(qū)域、X軸的正負反轉(zhuǎn)的第二振動區(qū)域13，成為相互相同的厚度。由振動區(qū)域12、13分別構(gòu)成晶體振子9Α、9Β。另夕卜，在晶體片91在振動區(qū)域12、13之間未形成凹部14、15。該晶體片91以如下方式制造，即，對例如被AT切割而成的晶體片11的一部分供給約600°C的熱，使結(jié)晶軸的正負反轉(zhuǎn)，且如上所述具有振動區(qū)域12、13。而且，在圖4所示的TCX03中，分別使用9A代替晶體振子1A，使用9B代替1B，構(gòu)成TCX03。這樣構(gòu)成TCX03也能夠獲得上述的效果。但是，在上述的TCX03中，將使用了晶體振子9B的輔助振蕩部51的振蕩輸出作為溫度傳感器。作為溫度傳感器，考慮使用含有熱敏電阻的溫度補償電路代替像這樣使用輔助振蕩部51。即，在TCX03中，設(shè)置上述溫度補償電路代替輔助振蕩部51。而且，由于溫度變化引起的上述熱敏電阻的電阻值的變化，來自上述溫度補償電路的輸出發(fā)生變化，因此，考慮調(diào)節(jié)變?nèi)荻O管43的容量成分，構(gòu)成運算補償電壓的TCX0。說明TCX03相對于這種 TCXO (參照TCX0)的優(yōu)點。在使用上述溫度補償電路的情況下，該溫度補償電路設(shè)置于遠離用于取出參照TCXO的振蕩輸出的晶體振子IA的部位。因此，有時熱敏電阻的檢測溫度偏離晶體振子IA的溫度或溫度補償電路的輸出變化比晶體振子IA的溫度變化慢，因此，參照TCXO的輸出的穩(wěn)定性有可能降低。但是，在上述的TCX03中，上述溫度傳感器使用與構(gòu)成晶體振子9A的晶體片91相同的晶體片91形成。即，構(gòu)成溫度傳感器的晶體振子9B與上述晶體振子9A鄰接，因此，相對于晶體振子9A的溫度變化，晶體振子9B的輸出以高精度隨動，抑制溫度傳感器的檢測溫度與晶體振子9A的實際溫度的偏差、和輔助振蕩部51的輸出變化比晶體振子9A的溫度變化的延遲。因此，能夠以高精度控制晶體振子9A的振蕩輸出，能夠抑制該振蕩輸出的穩(wěn)定性的降低。另外，在TCX03中，連接晶體振子9B的振蕩電路52相對于溫度的輸出的分辨率為例如1/109°C以上。即，通過10_9°c以下的溫度變化，振蕩電路52的輸出頻率變動。與此相對，通過使用了上述熱敏電阻的溫度補償電路，能夠使輸出根據(jù)10_6°C左右的溫度變化而變化，但使分辨率達到其以上在技術(shù)上比較困難。即，與上述溫度補償電路的輸出的分辨率相t匕，振蕩電路52的輸出的分辨率能夠更高，因此，與參照TCXO相比，TCX03能夠提高輸出的穩(wěn)定性。另外，TCX03利用由共用的晶體片91形成的晶體振子9A、9B構(gòu)成，因此，能夠抑制裝置的零件數(shù)量，并且實現(xiàn)裝置的小型化。還能夠抑制制造成本的上升。此外，在與MCXO(Microcomputer Compensate Crystal Oscillator)相比的情況下，TCX03 也具有能夠防止這種大型化、零件數(shù)量的增加、電路的復(fù)雜化的優(yōu)點。但是，由標稱頻率(制造商指定的中心頻率)為38. 4MHz，其一邊為2. 0_、另一邊為5. Omm的矩形的被AT切割而成的晶體片11，以上述方式形成晶體片91，用該晶體片91制作晶體振子9A、9B。晶體振子9A的振蕩頻率常數(shù)約為晶體振子9B的振蕩頻率常數(shù)的63%，確認相互的振動區(qū)域12、13的彈性結(jié)合小。另外，該結(jié)晶軸的正負被反轉(zhuǎn)的第二振動區(qū)域13，通過反轉(zhuǎn)結(jié)晶軸的正負，其厚度不會變化為第一振動區(qū)域12的厚度，但其彈性常數(shù)產(chǎn)生變化。這樣，在振動區(qū)域12、13中，由于彈性常數(shù)相互不同，預(yù)計熱反應(yīng)速度即在溫度變化后直到頻率變化的時間(響應(yīng)速度)相互不同，但實驗結(jié)果確認，不能檢測響應(yīng)速度的差，該差為能夠忽視的程度?？傊?，也因如此，在TCX03中，相對于溫度能夠高精度地控制頻率。此夕卜，通過反轉(zhuǎn)結(jié)晶軸的正負，振動區(qū)域的頻率溫度特性發(fā)生變化。振動區(qū)域13成為溫度每變化I °C，輸出頻率就變化30ppm的溫度特性。圖13表示上述的參照TCXO的溫度特性的曲線圖，圖14表示TCX03的溫度特性的曲線圖。各曲線圖的橫軸均表示TCXO的周圍的溫度(單位°c)，縱軸均表示頻率偏差(單位ppm)。TCX03的一方抑制因溫度引起的頻率偏差的變動。(第五實施方式)對作為第五實施方式的TCX0100進行說明。圖15表示構(gòu)成該TCX0100的晶體振子9A 9C的上表面，圖16表不上述晶體振子9A 9C的側(cè)面。與第四實施方式不同，沿該晶體片91的Z'方向，在I張晶體片91上順次形成有第一振動區(qū)域12、第二的振動區(qū)域13、第一振動區(qū)域12，這些振動區(qū)域12、13、12分別構(gòu)成晶體振子9八、98、9(。晶體振子9C與晶體振子9A同樣構(gòu)成。兩個第一振動區(qū)域12、12通過第二振動區(qū)域13被劃分，這些第一振動區(qū)域12、12之間的彈性的結(jié)合被抑制。因此，即使兩個第一振動區(qū)域12、12的特性相同，也能夠作為獨 立的晶體振子9A、9C進行處理。通過模擬，本發(fā)明人確認在第一振動區(qū)域12、12之間不會引起上述彈性結(jié)合。圖17表示TCX0100的構(gòu)成。當(dāng)說明該TCX0100的概況時，其構(gòu)成為，在第四實施方式的TCX03的后段設(shè)置有由晶體振子9C構(gòu)成的濾波器電路101，從設(shè)置于該濾波器電路90的后段的輸出端40取出輸出。振蕩電路42、52為含有晶體管的科耳皮茲振蕩電路。對這樣設(shè)置濾波器電路的原因進行說明。與晶體振子的振動波形對應(yīng)的電壓波形為正弦波，但該正弦波在通過上述振蕩電路部分時，波形雜亂。即，從振蕩電路42輸出的電壓波形產(chǎn)生變形。上述濾波器電路101具有對波形進行整形，以消除該變形，并輸出純度高的正弦波(雜亂被抑制的正弦波)的作用。與振蕩輸出的正弦波的純度低的情況相比，振蕩輸出的正弦波的純度高的情況下的噪聲少。但是認為，為了抑制相位噪聲，適當(dāng)選定振蕩電路的負載容量，能夠使TCXO的驅(qū)動電流盡可能低。但是，擔(dān)心這些對應(yīng)會使裝置的制造成本上升，使裝置大型化。通過設(shè)置濾波器電路101，能夠抑制這種成本的上升和裝置的大型化。該濾波器電路101具備電容器102、103、晶體振子9C和電容器104的串聯(lián)電路。另外，在電容器103和晶體振子9C的串聯(lián)電路的兩端，分別連接電阻105、106的各一端，這些電阻105、106的另一端側(cè)接地。電容器102為了切割直流而設(shè)置，電容器103、104和電阻105、106構(gòu)成作為使目標頻率以外的頻率信號衰減的濾波器。與晶體振子9C并聯(lián)地設(shè)置有電感器107。圖18表示晶體振子9C的等效電路，LI為等效串聯(lián)電感，Cl為等效串聯(lián)電容，Rl為等效串聯(lián)電阻，CO為并聯(lián)電容。感應(yīng)器107設(shè)定為與并聯(lián)電容CO—起在作為目標振蕩頻率(設(shè)為f0)中引起并聯(lián)共振的值。即，將感應(yīng)器107的感應(yīng)系數(shù)的值設(shè)為L時，以下式成立的方式設(shè)定L?！?=1 / (2π · Vr (L · CO))等效串聯(lián)電容Cl比并聯(lián)電容CO小，因此，利用CO和L能夠引起并聯(lián)共振。對該TCX0100的動作進行說明。與圖4的TCX03相同，根據(jù)晶體振子9Β的溫度，經(jīng)由變?nèi)荻O管43，從控制電壓供給部61向振蕩電路42施加控制電壓V。，晶體振子9Α以與該控制電壓V。對應(yīng)的頻率振蕩，并從振蕩電路42輸出頻率信號。其中，控制電壓供給部61在各圖中省略，但其具備有A / D變換器和D / A變換器。將包含上述晶體振子9Β的輔助振蕩部51的輸出利用A / D變換器進行數(shù)字變換，控制電壓供給部61基于該輸出算出的輸出利用D / A變換器進行模擬變換并施加于變?nèi)荻O管43。
如上所述，從晶體振子9A輸出的正弦波通過振蕩電路42而產(chǎn)生變形。晶體振子當(dāng)被激勵時輸出正弦波，因此產(chǎn)生變形的上述正弦波通過波形整形用的晶體振子9C，由此，消除該變形。另外，波形整形用的晶體振子9C的并聯(lián)電容CO與感應(yīng)器107 —起引起并聯(lián)共振，因此，阻止作為目標的頻率(f0)信號通過并聯(lián)電容CO側(cè)。因此，該頻率信號大部分通過機械的振動部分，因此，阻止該頻率信號所含有的噪聲通過，相位噪聲降低。在TCX0100中，這樣能夠降低相位噪聲，除此之外，也能夠獲得與TCX03同樣的效果。另外，在構(gòu)成的晶體片91上形成有用于構(gòu)成濾波器的晶體振子9C ;用于獲得振蕩輸出的晶體振子9A ;和用于構(gòu)成溫度傳感器的晶體振子9B，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型化。進行了調(diào)查TCX0100和TCX03的輸出的相位噪聲特性的實驗。圖19表示TCX0100的相位噪聲特性的曲線圖，圖20表示TCX03的相位噪聲特性的曲 線圖。橫軸表示各TCXO的中心頻率的偏差量(offset :偏置單位Hz)、縱軸表不與中心頻率的輸出的差量、即相位噪聲(單位dBc / Hz)。當(dāng)比較偏置小的I IOHz附近的各特性時，TCXO100的相位噪聲低。因此，表示通過設(shè)置濾波器電路90，能夠降低相位噪聲，能夠提高Q值。(第六實施方式)作為第六實施方式的TCX0110與TCX0100同樣具備濾波器，但該濾波器作為MCF(Monolithic Crystal Filters :單片晶體濾波器)構(gòu)成。當(dāng)說明設(shè)置MCF的原因時,例如在構(gòu)成裝入TCXO的PLL裝置等并基于該TCXO的輸出數(shù)字信號的情況下，比較遠離TCXO的主振動的頻率中，相位噪聲等級高時，上述數(shù)字信號的脈沖波形變得雜亂。通過設(shè)置MCF，能夠使上述相位噪聲降低。圖21、圖22分別表示TCX0110中所使用的晶體片91的俯視圖、側(cè)視圖。作為與第四實施方式的不同點，在晶體片91形成有MCF111，代替晶體振子9C。MCFlll與晶體振子9C同樣具備第一振動區(qū)域12，但電極的結(jié)構(gòu)不同。在其表面?zhèn)?，沿Z'方向隔開間隔地設(shè)置有電極112、113。另外，在背面?zhèn)?，沿Zi方向隔開間隔地設(shè)置有電極114、115。電極112、114相互相對，電極113、115相互相對。電極112為濾波器的輸入電極，電極114為濾波器的輸出電極，電極113、115為接地用電極。與已述的各激勵電極相同，從電極112 115向晶體片91的緣部，延伸有用于與保持晶體片91的保持器(未圖示)連接的引出電極18。圖23表示TCXOl 10的構(gòu)成。在振蕩電路42的后段側(cè)設(shè)置MCF111，MCF111的后段與輸出端40連接，取出相位噪聲被消除的輸出。利用第二振動區(qū)域13從構(gòu)成晶體振子9A的第一振動區(qū)域12劃分有構(gòu)成MCFlll的第一振動區(qū)域(濾波器形成區(qū)域)12，因此，這些振動區(qū)域12之間的彈性的結(jié)合被抑制。因此，抑制消除相位噪聲的特性產(chǎn)生惡化。另外，與晶體振子9C相同，MCFlll形成于構(gòu)成晶體振子9A、9B的晶體片91，因此，與第四實施方式相同，能夠防止裝置的大型化和制造成本的增加。進行了調(diào)查TCX0110和TCX03的輸出的相位噪聲特性的實驗。圖24與圖19相同，是表示TCXOl 10的相位噪聲特性的曲線圖，圖25與圖20相同，是表示TCX03的相位噪聲特性的曲線圖。當(dāng)比較這些圖24、25的曲線圖時，偏置頻率從I到100000Hz附近的相位噪聲等級大致相同，但當(dāng)在100000Hz以上時，TCX0110的相位噪聲等級低。因此，設(shè)置MCFl 11的效果被顯現(xiàn)。上述的第四 第六實施方式中的晶體片91的振動區(qū)域12、13相互為相同的厚度，但也可以與第一 第三實施方式同樣設(shè)為相互不同的厚度。另外，也可以形成劃分振動區(qū)域12、13的凹部14、15。另外，對于第I 第2實施方式的各TCXO所使用的水晶片11的各振動區(qū)域，也可以與第4 第5實施方式的水晶片91的各振動區(qū)域相同，相互為相同厚度。而且，在振動區(qū)域之間也可以不形成有凹部14、15。(第七實施方式)接著，對第七實施方式的TCX0120進行說明。圖26、27表示該TCX0120所使用的晶體振子9A、9B。作為與第四 第六實施方式的不同點，不在晶體片91的正面和背面設(shè)置有激勵電極16A、16B、17A、17B，取而代之，設(shè)置有激勵電極121、122。激勵電極121,122以相互相對并遍及(跨)振動區(qū)域12、13的方式形成。第一振動區(qū)域12的頻率常數(shù)為例如約I. 67MHz ·ι πι，第二振動區(qū)域13的頻率常數(shù)為約2· 45ΜΗζ ·πιπι。振動區(qū)域12、13的厚度相互相同。圖28表示TCX0120。該TCX0120與TCX03大致同樣構(gòu)成，因此，當(dāng)以不同點為中心 進行說明時，在晶體振子9Α、9Β和振蕩電路42、52之間設(shè)置有開關(guān)123，激勵電極122與振蕩電路42或52任一個連接。激勵電極121與振蕩電路42、52連接。即，利用開關(guān)123，晶體振子9Α、9Β的任一方與振蕩電路42、52連接，但開關(guān)123以高速切換，晶體振子9Α、9Β實質(zhì)上同時振蕩。圖中124、124是設(shè)置于激勵電極121和振蕩電路42、52之間的濾波器。如上所述，頻率常數(shù)的差在振動區(qū)域12、13之間比較大，因此，這樣即使振動區(qū)域12,13實質(zhì)上同時振蕩，也可抑制一個區(qū)域的振動影響另一個區(qū)域的振動。因此，能夠獲得與第一和第四實施方式的TCX03同樣的效果。但是，振動區(qū)域12、13不能通過目視進行相互識別，另外，即使通過其它的光學(xué)性的檢測方法也不能檢測。通過介電常數(shù)的測定或X射線檢查能夠識別這些區(qū)域，但這些檢查中存在需要比較長的時間的缺點。特別是，檢查小型化進展的晶體片的X射線檢查裝置是昂貴的裝置。但是，在該實施方式中，通過以遍及(跨越)振動區(qū)域12、13的方式形成激勵電極，不需要特定振動區(qū)域12、13的邊界。因此，與特定振動區(qū)域12、13的邊界并在各振動區(qū)域分別形成激勵電極相比，具有裝置的制造容易，制造成本也被抑制的優(yōu)點。如該實施方式，進行了確認形成晶體振子時的各振蕩輸出的實驗。準備Z'方向上的長度、方向上的長度分別為5mm、2. 5mm的矩形狀的被AT切割而成的晶體片91。該晶體片91的基本波振動模式下的振蕩為26MHz。對該晶體片91進行加熱處理，形成振動區(qū)域13。接著，在晶體片91上形成激勵電極121、122。在各激勵電極121、122的Cr (鉻)膜的上層側(cè)疊層構(gòu)成有Au (金)膜。Au膜的厚度約為lOOnm。激勵電極121、122為縱橫均
I.8mm的矩形狀，為了引起垂直電場激勵，因此如上述方式相對。振蕩電路42、52為科耳皮茲振蕩電路，負荷電容為7pF。將振蕩電路42、52與激勵電極121、122連接，調(diào)查來自各振蕩電路42、52的輸出頻率。其結(jié)果，來自振蕩電路42的輸出頻率為27. 104452MHz，來自振蕩電路52的輸出頻率為55. 755391MHz，它們的差約為28MHz。由此，彼此振蕩頻率差別很大。因此確認，以一個區(qū)域的振動不會影響另一個區(qū)域的振動的方式進行振動。能夠按照具有上述實驗中的晶體片91大小和電極的大小等各種參數(shù)的方式制造TCX0120。激勵電極引起的能量封閉的原理，即使在該實施方式的晶體振子9A、9B中也成立，也可以以能夠封閉適當(dāng)?shù)哪芰康姆绞?，適當(dāng)調(diào)節(jié)激勵電極的面積。不限于基本波振動模式，也可以在高次諧波振動模式下使各振動區(qū)域振蕩。該第七實施方式的晶體振子9A、9B也能夠適用于其它的各實施方式中。但是，在各實施方式中，振蕩電路42、52由科耳皮茲振蕩電路構(gòu)成，但也能夠使用皮爾斯(Pierce)、克萊普(Clapp)、巴特勒(Butler)等任意的振蕩電路。另外，作為晶體振蕩器(振蕩裝置)，例示了 TCXO的構(gòu)成例，例如也能夠作為OCXCKOven Controlled crystalOscillator :恒溫晶體振蕩器)構(gòu)成。具體地講，其內(nèi)部包含構(gòu)成上述的各晶體振子的晶體片，構(gòu)成能夠利用加熱器調(diào)節(jié)其內(nèi)部溫度的烤箱(oven)。設(shè)置對向上述加熱器供給的電力進行調(diào)整的電力調(diào)整部，代替TCXO的補償電壓運算部。而且，與TCX03等相同，頻率檢測部對晶體振子IB (9B)的振蕩輸出進行頻率檢測，溫度推定部基于上述頻率推定烤箱內(nèi)的溫度，按照該推定溫度，由上述電力調(diào)節(jié)部控制對加熱器的電力，將烤箱內(nèi)的溫度維持在設(shè)定溫度。另外，作為在振蕩電路42的后段設(shè)置的濾波器，不限于上述的MCFlll或濾波器電路101，也可以利用晶體片11 (91)構(gòu)成SAW濾波器。另外，也可以在振蕩電路42的后段設(shè)置電介質(zhì)濾波器。另外，也可以在振蕩電路42和MCFlll或與濾波器電路101之間設(shè)置放大器或緩沖電路，也可以在MCFlll和濾波器電路101進行這些放大器和緩沖電路的電子噪聲的除去。另外，各振動區(qū)域12、13和各激勵電極16、17的面積可以相互相同，也可以相互 不同。
權(quán)利要求
1.一種晶體振子，其特征在于，具備 設(shè)置于晶體片上的第一振動區(qū)域； 第二振動區(qū)域，其設(shè)置于所述晶體片上，該第二振動區(qū)域的厚度和X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域不同；和 激勵電極，其分別設(shè)置于第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域，用于使各振動區(qū)域獨立振動。
2.如權(quán)利要求I所述的晶體振子，其特征在于 在所述晶體片在第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域之間形成有凹部。
3.如權(quán)利要求I所述的晶體振子，其特征在于 第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域中的一方為被AT切割而成的區(qū)域。
4.一種晶體振蕩器，其特征在于 包含權(quán)利要求I所述的晶體振子。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體振蕩器，其特征在于，具備 控制單元，其通過基于第二振動區(qū)域的振蕩頻率來控制用于使第一振動區(qū)域振蕩的控制電壓，從而控制該第一振動區(qū)域的振蕩頻率。
6.一種晶體振蕩器，其特征在于，具備 設(shè)置于晶體片的第一振動區(qū)域； 第二振動區(qū)域，其設(shè)置于所述晶體片上，X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域不同； 激勵電極，其分別設(shè)置于第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域，用于使各振動區(qū)域獨立振動； 用于使第一振動區(qū)域振蕩的第一振蕩電路； 用于使第二振動區(qū)域振蕩的第二振蕩電路；和 控制單元，其基于第二振動區(qū)域的振蕩頻率來推定所述晶體片的溫度，并基于推定的該溫度來控制來自第一振蕩電路的振蕩頻率。
7.如權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于 在所述晶體片，在與第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域不同的區(qū)域設(shè)置有濾波器形成區(qū)域，該濾波器形成區(qū)域構(gòu)成被輸入來自第一振蕩電路的信號的濾波器。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體振蕩器，其特征在于 所述第一振動區(qū)域和所述濾波器形成區(qū)域通過第二振動區(qū)域被劃分。
9.如權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于 所述激勵電極以遍及第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在具有多個振動區(qū)域的晶體振子中，能夠抑制一振動區(qū)域?qū)α硪徽駝訁^(qū)域造成的影響并且構(gòu)成簡單的結(jié)構(gòu)的晶體振蕩器的技術(shù)，其中，晶體振子構(gòu)成為，具備設(shè)置于晶體片上的第一振動區(qū)域；第二振動區(qū)域，其設(shè)置于所述晶體片上，該第二振動區(qū)域的厚度和X軸的正負的朝向與第一振動區(qū)域；激勵電極，其分別設(shè)置于第一振動區(qū)域和第二振動區(qū)域，并用于使各振動區(qū)域獨立振動。能夠從一振動區(qū)域和另一振動區(qū)域分別取出相對于溫度變化以相互不同的大小進行變化的頻率，因此，能夠基于相對于溫度引起頻率明顯變化的一振動區(qū)域的振蕩頻率，來控制來自另一振動區(qū)域的振蕩頻率。由此，能夠抑制晶體振蕩器的復(fù)雜化。
文檔編號H03H3/02GK102904544SQ201210265520
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者小山光明, 加賀見俊彥, 松元健, 武藤猛, 石川學(xué), 佐藤信一 申請人:日本電波工業(yè)株式會社