專利名稱：超低功耗誤差放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及超低功耗誤差放大器電路，可用于模擬集成電路。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字電視、3G手機(jī)，便攜式電子產(chǎn)品MP3和數(shù)碼相機(jī)等消費類市場的擴(kuò)大，使市場對直流電源管理類芯片的性能要求越來越高，尤其是在功耗和體積方面。直流電源控制環(huán)路的核心部分之一是誤差放大器。傳統(tǒng)誤差放大器有兩個輸入端，其第一輸入端連接帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的參考電壓；其第二輸入端連接環(huán)路輸出信號經(jīng)過采樣電阻反饋的分壓信號，兩個輸入端的差值經(jīng)誤差放大器放大后，用于控制環(huán)路，保證環(huán)路輸出電壓 的穩(wěn)定。圖I給出了傳統(tǒng)的誤差放大器的具體實現(xiàn)示意圖。傳統(tǒng)誤差放大器包括電流源II、12，PMOS管Ml、M2，NMOS管M3、M4、M5和反饋電阻Rl、R2 ;其中PMOS管Ml與M2的源極相連構(gòu)成差分對，并連接到電流源Il ;PM0S管Ml和M2的柵極分別作為誤差放大器的正相輸入端和反相輸入端，該正相輸入端和反相輸入端分別連接V,ef和Vfb ;PM0S管Ml和M2的漏極分別和NMOS管M3和M4的漏極相連；NM0S管M3和M4的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)；NM0S管M5的柵極連接到PMOS管Ml的漏極；NM0S管M5的漏極作為誤差放大器的輸出端，輸出電壓Vqut ;誤差放大器的輸出端通過反饋電阻R1，R2連接到地，反饋電阻Rl與R2的公共端產(chǎn)生反饋電壓VFB;誤差放大器的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓VMf，其反相輸入端連接反饋電壓VFB，從而構(gòu)成負(fù)反饋；最終實現(xiàn)誤差放大器的輸出值穩(wěn)定。上述傳統(tǒng)誤差放大器，由于其正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓VMf，此基準(zhǔn)電壓VMf是由傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的，因此占用了很大的版圖面積，并且?guī)痘鶞?zhǔn)與誤差放大器均需要較大的偏置電流以提供合適的直流工作點，造成靜態(tài)功耗太大，電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，限制了其應(yīng)用范圍。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種超低功耗誤差放大器，以簡化電路結(jié)構(gòu)，減小版圖面積和靜態(tài)電流，從而節(jié)約成本，降低功耗。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，用于產(chǎn)生零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓值VMf，并輸出連接到電流鏡電路4 ；電壓負(fù)反饋電路2,用于將電流鏡電路4輸入的電壓信號Vl轉(zhuǎn)換成輸出電壓信號Vout,并通過電阻分壓，將其分壓信號輸出到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，使基準(zhǔn)電壓值VMf達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，維持環(huán)路輸出電壓信號Votjt穩(wěn)定；基準(zhǔn)啟動電路3，用于產(chǎn)生電壓啟動信號，其輸出信號連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，當(dāng)基準(zhǔn)建立起來后，基準(zhǔn)啟動電路3關(guān)閉，避免靜態(tài)電流的消耗；電流鏡電路4,用于將基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I輸出的電流轉(zhuǎn)換為電壓信號,并輸出電壓信號Vl到電壓負(fù)反饋電路2。上述超低功耗誤差放大器的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，包括NPN三極管Ql、Q2和電阻R1、R2 ；NPN三極管Ql與Q2的基極相連，作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I的輸入端，并與基準(zhǔn)電壓信號V,ef相連；其集電極分別與電流鏡電路4中的PMOS管Ml和M3相連；電阻Rl與R2跨接于NPN三極管Q2的發(fā)射極與地之間；其公共端與NPN三極管Ql的發(fā)射極相連；該NPN三極管Q2的有效發(fā)射區(qū)面積是NPN三極管Ql有效發(fā)射區(qū)面積的N倍，N>1。上述超低功耗誤差放大器的電壓負(fù)反饋電路2，包括PMOS管M8，分壓電阻R3、R4 ；所述PMOS管M8，其柵極作為輸入端，與電流鏡電路4輸出的Vl信號相連接；其源 極接電源電壓VDD ;其漏極與分壓電阻R3的一端相連，并作為誤差放大器的輸出端，輸出電
壓信號Votjt ；所述分壓電阻R3和R4，跨接于PMOS管M8的漏極和GND之間；其公共端作為電壓負(fù)反饋電路2的輸出端,該輸出端的電壓信號正比于電壓信號Vmjt,輸出反饋電壓信號。上述超低功耗誤差放大器的基準(zhǔn)啟動電路3，包括PMOS管M7 ;該P(yáng)MOS管M7的柵極與外部產(chǎn)生的偏置電壓信號VBIAS相連；其漏極接電源電壓VDD ;其源極作為輸出端，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的基極，輸出啟動電壓信號。作為第一優(yōu)選，上述超低功耗誤差放大器的電流鏡電路4，包括PMOS管M1、M2、M3、M4 和 NMOS 管 M5、M6 ；所述PMOS管Ml與M2，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;PM0S管Ml的漏極與柵極相連；PM0S管M2的漏極與NMOS管M6的漏極相連，并與輸出電壓信號Vl相連； 所述PMOS管M3與M4，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q2的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;其漏極分別與PMOS管M3的柵極和NMOS管M5的漏極相連；所述NMOS管M5與M6，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到M4的漏極；其源極共同連接到GND ;其漏極分別與NMOS管M5的柵極和PMOS管M2的漏極相連。作為第二優(yōu)選，上述超低功耗誤差放大器的電流鏡電路4，包括PMOS管Ml、M3 ;所述PMOS管Ml與M3，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;PM0S管Ml的漏極與柵極相連；PM0S管M3的漏極與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q2的集電極相連，并與輸出電壓信號Vl相連。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點本發(fā)明由于添加有基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，簡化了電路結(jié)構(gòu)，減小了版圖面積和靜態(tài)電流，從而節(jié)約成本，降低功耗。本發(fā)明由于添加有電壓反饋電路，保證基準(zhǔn)電壓值VMf達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，維持環(huán)路輸出電壓信號Votjt穩(wěn)定。


圖I為傳統(tǒng)誤差放大器的具體電路原理圖；圖2為本發(fā)明誤差放大器的結(jié)構(gòu)框圖；圖3為本發(fā)明的第一實例具體電路原理圖；圖4為本發(fā)明 的第二實例具體電路原理圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖及其實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。參照圖2，本發(fā)明的超低功耗誤差放大器包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I、電壓負(fù)反饋電路2、基準(zhǔn)啟動電路3、電流鏡電路4，其中基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I，用于產(chǎn)生零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓信號VMf，該基準(zhǔn)電壓信號Vref工作于直流模式，有效電壓信號幅度在伏級；該電路設(shè)有一個輸入端，一個輸出端；其中輸入端與電壓信號相連；輸出端分別輸出電流信號到電流鏡電路4 ；電壓負(fù)反饋電路2，用于產(chǎn)生誤差放大器環(huán)路輸出電壓信號Vott以及負(fù)反饋電壓信號，該電壓信號工作于交流模式，有效電壓信號幅度在微伏級，并通過負(fù)反饋機(jī)制使基準(zhǔn)電壓值Vraf達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,維持環(huán)路輸出電壓信號Votjt穩(wěn)定；該電路設(shè)有一個輸入端，兩個輸出端；其中輸入端與電流鏡電路4的輸出電壓信號Vl相連；第一輸出端輸出電壓信號Vraf到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I ;第二輸出端輸出電壓信號Votjt ；基準(zhǔn)啟動電路3，用于產(chǎn)生電壓啟動信號，并連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，使基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I擺脫簡并點并開始正常工作，當(dāng)基準(zhǔn)電壓VMf建立起來后，基準(zhǔn)啟動電路3停止工作，避免消耗靜態(tài)電流；該電路設(shè)有一個輸入端，一個輸出端；其中輸入端與外部產(chǎn)生的偏置電壓信號VBIAS相連；輸出端輸出啟動電壓信號到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I ;電流鏡電路4，用于將基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I輸出的電流信號通過電流鏡結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為電壓信號，并輸出電壓信號Vl到電壓負(fù)反饋電路2 ;該電路設(shè)有一個輸入端；一個輸出端；其中輸入端與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I輸出的電流信號相連；輸出端輸出電壓信號Vl到電壓負(fù)反饋電路2。針對圖2所示的原理框圖，本發(fā)明給出了具體電路結(jié)構(gòu)的如下實施例實施例I參照圖3，本發(fā)明的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1，包括NPN三極管Q1、Q2和電阻R1、R2 ；所述NPN三極管Ql與Q2，其基極相連，作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I的輸入端；其集電極作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I的輸出端，該輸出端分別與電流鏡電路4中的PMOS管Ml和M3相連；所述電阻Rl與R2，其跨接于NPN三極管Q2的發(fā)射極與地之間，它的公共端與NPN三極管Ql的發(fā)射極相連，且NPN三極管Q2的有效發(fā)射區(qū)面積是NPN三極管Ql有效發(fā)射區(qū)面積的N倍，N>1。本發(fā)明的電壓負(fù)反饋電路2,包括PMOS管M8,分壓電阻R3、R4 ；所述PMOS管M8，其柵極作為輸入端，并與電流鏡電路4的輸出電壓信號Vl相連；其源極接電源電壓VDD ;其漏極作為輸出端，并與分壓電阻R3 —端相連，用于輸出穩(wěn)定電壓信號Vott，當(dāng)輸出電壓信號Vtot增大時，基準(zhǔn)電壓信號Vref增大，流過基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的電流Il和NPN三極管Q2的電流12變大，由于NPN三極管Ql、Q2的比例關(guān)系，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的等效跨導(dǎo)GMl小于Q2的等效跨導(dǎo)GM2，因此NPN三極管Q2的電流12變化量Λ 12大于NPN三極管Ql的電流11電流變化量Λ 11，使得Vout減小，降低VMf，反之，當(dāng)輸出電壓Vtot減少時，可通過負(fù)反饋機(jī)制使Vtot增大，基準(zhǔn)電壓信號達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,實現(xiàn)輸出電壓Vtm穩(wěn)定；所述分壓電阻R3和R4，跨接于PMOS管M8的漏極和GND之間；其公共端作為輸出端，該電壓負(fù)反饋電路2的輸出端電壓信號正比于電壓信號Vtot，輸出反饋電壓信號。本發(fā)明的基準(zhǔn)啟動電路3，包括PMOS管M7 ;該P(yáng)MOS管M7的柵極作為輸入端，與外部產(chǎn)生的偏置電壓信號VBIAS相連，用于產(chǎn)生準(zhǔn)確的偏置電流，使基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q1、Q2兩條支路擺脫簡并點開始正常工作；其漏極接電源電壓VDD ;其源極作為輸出端，輸出電壓啟動信號，并與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的基極相連，當(dāng)基準(zhǔn)電壓建立起來后，NMOS管M7的柵源電壓Vgs小于其導(dǎo)通閾值電壓Vth，NM0S管M7停止工作，避免消耗靜態(tài)電流。本發(fā)明的電流鏡電路4，包括PMOS管Ml、M2、M3、M4和NMOS管M5、M6 ; 所述PMOS管Ml與M2，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并與PMOS管Ml的漏極相連；其源極共同連接到電源電壓VDD ；PM0S管Ml的漏極，作為輸入端輸入鏡像電流信號II，并與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的集電極相連；PM0S管M2的漏極，作為輸出端，并與NMOS管M6的漏極相連，輸出電壓信號Vl ；所述PMOS管M3與M4，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到PMOS管M3的漏極；其源極共同連接到電源電壓VDD ；PM0S管M3的漏極，作為輸入端輸入鏡像電流信號12，并與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q2的集電極相連；PM0S管M4的漏極與NMOS管M5的漏極相連；所述NMOS管M5與M6，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到M4的漏極；其源極共同連接到GND ;其漏極分別與NMOS管M5的柵極和PMOS管M2的漏極相連。實施例2參照圖4，本發(fā)明的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I、電壓負(fù)反饋電路2和基準(zhǔn)啟動電路3與實施例I相同。本發(fā)明的超低功耗誤差放大器的電流鏡電路4，包括PMOS管Ml、M3 ;所述PMOS管Ml與M3，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并與PMOS管Ml的漏極相連；其源極共同連接到電源電壓VDD ；PM0S管Ml的漏極與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql的集電極相連；PM0S管M3的漏極與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q2的集電極相連，輸出電壓信號VI。本發(fā)明的具體工作原理是參照圖3，在誤差放大器啟動階段，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q1、Q2基極電壓值很小，此時基準(zhǔn)啟動電路3中PMOS管M7的柵源電壓Ves大于導(dǎo)通閾值電壓VTH，PMOS管M7導(dǎo)通給NPN三極管Q1、Q2基極提供電流使其擺脫簡并偏置點，開始啟動工作。當(dāng)基準(zhǔn)電壓VMf建立起來后，PMOS管M7的柵源電壓Ves小于其導(dǎo)通閾值電壓Vth，基準(zhǔn)啟動電路3關(guān)閉，避免消耗靜態(tài)電流。當(dāng)基準(zhǔn)產(chǎn)生電路I中NPN三極管Ql、Q2的基極電壓V,ef建立起來后，NPN三極管Ql支路的電流Il通過PMOS管Ml鏡像給PMOS管M2，NPN三極管Q2支路的電流12通過PMOS管M3鏡像給PMOS管M4，PMOS管M4的電流通過NMOS管M5鏡像給NMOS管M6，使得流過NPN三極管Ql、Q2的電流II、12通過鏡像關(guān)系在PMOS管M2和NMOS管M6這條支路進(jìn)行電流比較，并把其電流信號轉(zhuǎn)換成電壓信號Vl，該電壓信號Vl輸出到電壓反饋電路2，經(jīng)PMOS管M8共源放大后得到輸出電壓Vott再通過電阻R3、R4分壓后得到反饋電壓，該反饋電壓連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路I中NPN三極管Q1、Q2的基極。當(dāng)輸出電壓Vqut增大時，NPN三極管Q1、Q2的基極電壓V,ef增大，流過NPN三極管Q1、Q2的電流II、12變大，由于NPN三極管Ql、Q2的個數(shù)比例關(guān)系，NPN三極管Ql的等效跨導(dǎo)GMl小于NPN三極管Q2的等效跨導(dǎo)GM2，因此NPN三極管Q2支路的電流變化量Λ 12大于NPN三極管Ql支路的電流變化量Δ II，使得輸出電壓Vqut減小，降低NPN三極管Ql、Q2的基極電壓V,ef。反之，當(dāng)輸出電壓Vout減小時，NPN三極管Ql、Q2的基極電壓Vref減小，流過NPN三極管Ql、Q2的電流II、12變小，由于NPN三極管Ql、Q2的個數(shù)比例關(guān)系，NPN三極管Ql的等效跨導(dǎo)GMl小于NPN三極管Q2的等效跨導(dǎo)GM2，因此NPN三極管Q2支路的電流變化量Λ 12大于NPN三極管Ql支路的電流變化量Λ II，使得輸出電壓Vqut增大，NPN三極管Q1、Q2的基極電壓V,ef增大。這樣通過負(fù)反饋機(jī)制使NPN三極管Q1、Q2的基極電壓VMf穩(wěn)定，維持輸出電壓Vqut穩(wěn)定，實現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓和誤差放大器的雙重功能。本發(fā)明所設(shè)計的超低功耗誤差放大器，在誤差放大器中添加基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，·實現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓和誤差放大器的雙重功能，簡化了電路結(jié)構(gòu)，極大的降低了靜態(tài)電流，并減小版圖面積，從而實現(xiàn)節(jié)約成本，降低功耗。以上僅是本發(fā)明的兩個最佳實例，不構(gòu)成對本發(fā)明的任何限制，顯然在本發(fā)明的構(gòu)思下，可以對其電路進(jìn)行不同的變更與改進(jìn)，但這些均在本發(fā)明的保護(hù)之列。
權(quán)利要求
1.一種超低功耗誤差放大器，其特征在于，包括 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)，用于產(chǎn)生零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓值VMf，并輸出到電流鏡電路(4)； 電壓負(fù)反饋電路(2)，用于將電流鏡電路(4)輸入的電壓信號Vl轉(zhuǎn)換成輸出電壓信號Vtot，并通過電阻分壓，將其分壓信號輸出到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)，使基準(zhǔn)電壓值VMf達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，維持環(huán)路輸出電壓信號Votjt穩(wěn)定； 基準(zhǔn)啟動電路(3)，用于產(chǎn)生電壓啟動信號，其輸出信號連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)，當(dāng)基準(zhǔn)建立起來后，基準(zhǔn)啟動電路(3 )關(guān)閉，避免靜態(tài)電流的消耗； 電流鏡電路(4 ),用于將基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)輸出的電流轉(zhuǎn)換為電壓信號，并輸出電壓信號Vl到電壓負(fù)反饋電路(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)，包括NPN三極管Ql、Q2和電阻Rl、R2 ; NPN三極管Ql與Q2的基極相連，作為基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)的輸入端，并與基準(zhǔn)電壓信號V,ef相連；其集電極分別與電流鏡電路(4)中的PMOS管Ml和M3相連； 電阻Rl與R2跨接于NPN三極管Q2的發(fā)射極與地之間；其公共端與NPN三極管Ql的發(fā)射極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于NPN三極管Q2的有效發(fā)射區(qū)面積是NPN三極管Ql有效發(fā)射區(qū)面積的N倍，N>1。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于電壓負(fù)反饋電路(2)，包括PMOS管M8，分壓電阻R3、R4 ； 所述PMOS管M8，其柵極作為輸入端，與電流鏡電路(4)相連接；其源極接電源電壓VDD ;其漏極與分壓電阻R3的一端相連,并作為誤差放大器的輸出端,輸出電壓信號Vqut ； 所述分壓電阻R3和R4，跨接于PMOS管M8的漏極和GND之間；其公共端作為輸出端，該電壓負(fù)反饋電路(2)的輸出端的電壓信號正比于輸出電壓信號Votjt,并輸出反饋電壓信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于基準(zhǔn)啟動電路(3)，包括PMOS管M7 ;該P(yáng)MOS管M7的柵極與外部產(chǎn)生的偏置電壓信號VBIAS相連；其漏極接電源電壓VDD ;其源極作為輸出端，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)中NPN三極管Ql的基極，輸出啟動電壓信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于電流鏡電路(4)，包括PMOS管 Ml、M2、M3、M4 和 NMOS 管 M5、M6 ； 所述PMOS管Ml與M2，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)中NPN三極管Ql的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;PM0S管Ml的漏極與柵極相連；PM0S管M2的漏極與NMOS管M6的漏極相連，并與輸出電壓信號Vl相連； 所述PMOS管M3與M4，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)中NPN三極管Q2的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;其漏極分別與PMOS管M3的柵極和NMOS管M5的漏極相連； 所述NMOS管M5與M6，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，并連接到M4的漏極；其源極共同連接到GND ;其漏極分別與NMOS管M5的柵極和PMOS管M2的漏極相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超低功耗誤差放大器，其特征在于電流鏡電路(4)，包括PMOS管 Ml、M2 ； 所述PMOS管Ml與M2，其兩者的柵極相連構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，連接到基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)中NPN三極管Ql的集電極；其源極共同連接到電源電壓VDD ;PM0S管Ml的漏極與柵極相連；PM0S管M2的漏極與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(I)中NPN三極管Q2的集電極相連，并與輸出電壓信號Vl相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超低功耗誤差放大器，主要解決在超低功耗應(yīng)用場合下常規(guī)基準(zhǔn)電壓源和誤差放大器靜態(tài)功耗大的問題。該誤差放大器包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)、電壓反饋電路(2)、基準(zhǔn)啟動電路(3)和電流鏡電路(4)?；鶞?zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)輸出鏡像電流信號，并經(jīng)過電流鏡電路(4)轉(zhuǎn)換為電壓信號V1，該電壓信號經(jīng)電壓負(fù)饋電路(2)得到反饋電壓信號，該反饋電壓信號連接基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路(1)，維持輸出電壓信號VOUT穩(wěn)定。本發(fā)明通過在誤差放大器內(nèi)添加基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，實現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓和誤差放大器的雙重功能，有效地縮減了電路結(jié)構(gòu)，減小了所需的版圖面積，降低了靜態(tài)功耗，提高了效率，可用于模擬集成電路中。
文檔編號H03F3/45GK102882482SQ20121038833
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者程軍, 王磊, 李佳佳, 孟慶達(dá) 申請人:西安三馀半導(dǎo)體有限公司