一種igbt模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，包括IGBT模塊、MCU、第一光耦和驅(qū)動模塊，MCU與第一光耦之間連接有第一電阻，驅(qū)動模塊與IGBT模塊之間連接有門極驅(qū)動電阻，在第一光耦與驅(qū)動模塊之間具有積分電路，積分電路包括積分電路等效電阻和第一電容，通過改變積分電路等效電阻的阻值，調(diào)節(jié)積分電路的時間常數(shù)，實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻的等效調(diào)節(jié)。本發(fā)明的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路能夠?qū)﹂T極驅(qū)動電阻的等效阻值進行調(diào)節(jié)，無需人工更改門極驅(qū)動電阻就能驅(qū)動不同功率的IGBT模塊，優(yōu)化了IGBT模塊的工作狀態(tài)。
【專利說明】—種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路設(shè)計【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是 80 年代中期問世的一種復(fù)合型電力電子器件，從結(jié)構(gòu)上說，相當(dāng)于一個由MOSFET (Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效晶體管)驅(qū)動的厚基區(qū)的BJT (Bipolar Junction Transistor，雙極結(jié)型晶體管)，IGBT既有MOSFET的快速響應(yīng)、高輸入阻抗、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單的特性，也具備BJT的電流密度高、通態(tài)壓降低，耐壓高的特性，被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。
[0003]目前，常用的IGBT模塊的驅(qū)動有EXB841、A316J、M57962等電路，這些電路都采用光耦隔離驅(qū)動，如圖1所示，圖中Ul為MCU (Micro Control Unit，微控制單元)，U2為高速光電耦合器件，三極管Ql和三極管Q2為驅(qū)動IGBT模塊的功率晶體管，Rl為光耦驅(qū)動的限流電阻器，R2為三極管Ql和三極管Q2的耦合電阻，R5為IGBT模塊門極驅(qū)動電阻，R6為IGBT模塊門極放電、防靜電電阻，ZD1、ZD2為門極驅(qū)動過壓保護穩(wěn)壓二極管。該電路的工作原理是:MCU Ul的輸出脈寬調(diào)制波形端口 PWM_1發(fā)出的驅(qū)動信號經(jīng)過電阻Rl推動光電耦合器件U2工作，光電耦合器件U2發(fā)出控制信號經(jīng)電阻R2推動三極管Ql和三極管Q2工作，使三極管Ql和三極管Q2發(fā)出IGBT模塊驅(qū)動信號，該驅(qū)動信號經(jīng)門極驅(qū)動電阻R5驅(qū)動IGBT模塊U4工作。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的門極驅(qū)動電阻R5是采用人工焊接的方式固定在電路中，其阻值是固定的，不能根據(jù)IGBT模塊U4的功率來調(diào)整門極驅(qū)動電阻R5的阻值，進而影響IGBT模塊U4的工作效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，特別創(chuàng)新地提出了一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路。
[0005]為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了 一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，包括IGBT模塊、MCU、第一光耦和驅(qū)動模塊，所述MCU與第一光耦之間連接有第一電阻，所述驅(qū)動模塊與IGBT模塊之間連接有門極驅(qū)動電阻，在所述第一光耦與驅(qū)動模塊之間具有積分電路，所述積分電路包括積分電路等效電阻和第一電容，通過改變所述積分電路等效電阻的阻值，調(diào)節(jié)所述積分電路的時間常數(shù)，實現(xiàn)對所述門極驅(qū)動電阻的等效調(diào)節(jié)。
[0006]本發(fā)明的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路能夠?qū)﹂T極驅(qū)動電阻的等效阻值進行調(diào)節(jié)，無需人工更改門極驅(qū)動電阻就能驅(qū)動不同功率的IGBT模塊，優(yōu)化了 IGBT模塊的工作狀態(tài)。
[0007]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述積分電路包括第二電阻、第一電容和第二光耦，所述第二電阻與第二光耦的輸出端并聯(lián)連接在所述第一光耦與驅(qū)動模塊之間，所述第二電阻的電流輸出端與地之間連接第一電容，所述積分電路等效電阻由所述第二電阻與第二光耦輸出端阻抗并聯(lián)形成，通過改變所述第二光耦的輸入電流實現(xiàn)對所述積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)。
[0008]本發(fā)明采用第二光耦，通過改變第二光耦的輸入電流改變第二光耦輸出端的阻抗，實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)，從而調(diào)節(jié)積分電路的時間常數(shù)，進而實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻的等效值的調(diào)節(jié)。
[0009]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第二光耦輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻與電位器活動觸點相連，所述電位器的一個固定觸點與電源相連，另一個固定觸點接地。
[0010]本發(fā)明通過調(diào)節(jié)電位器的活動觸點的位置，改變第二光耦的輸入電流，實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)了積分電路的時間常數(shù)，進而實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻的等效值的無極調(diào)節(jié)。
[0011]在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施例中，所述門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路包括IGBT模塊溫度傳感器，所述第二光耦輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻與所述MCU的電流輸出端相連，所述MCU的溫度信號輸入端與所述IGBT模塊溫度傳感器相連，所述MCU根據(jù)所述IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號調(diào)節(jié)輸出電流。
[0012]本發(fā)明的MCU根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號調(diào)節(jié)輸出電流，調(diào)節(jié)第二光耦的輸入電流，實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)，進而實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻的等效值的智能調(diào)節(jié)，使IGBT模塊的工作狀態(tài)更安全，降低了 IGBT模塊的故障率。
[0013]在本發(fā)明的再一種優(yōu)選實施例中，所述調(diào)節(jié)電路還包括母線電壓紋波傳感器，所述母線電壓紋波傳感器與所述MCU的母線電壓紋波信號輸入端相連，所述MCU根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號以及母線電壓紋波傳感器輸入的母線電壓紋波信號調(diào)節(jié)輸出電流。
[0014]本發(fā)明通過設(shè)置母線電壓紋波傳感器，使MCU根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號以及母線電壓紋波傳感器輸入的母線電壓紋波信號調(diào)節(jié)輸出電流，使IGBT模塊根據(jù)電磁兼容與工作溫度的需求選擇最佳工作點，自動智能調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻的等效阻值使IGBT模塊工作于最佳狀態(tài)。
[0015]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述IGBT模塊溫度傳感器為NTC (NegativeTemperature Coefficient,負溫度系數(shù))熱敏電阻。
[0016]本發(fā)明采用NTC熱敏電阻，其初始阻值較大，可以抑制電路中的大電流，提高電路的可靠性。
[0017]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0019]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中IGBT |旲塊的驅(qū)動電路的不意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明第一優(yōu)選實施例中IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路的示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明第二優(yōu)選實施例中IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路的示意圖。【具體實施方式】
[0022]下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0023]在本發(fā)明的描述中，除非另有規(guī)定和限定，需要說明的是，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。
[0024]本發(fā)明提供了一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，如圖2和圖3所示，該調(diào)節(jié)電路包括IGBT模塊U4、MCU Ul、第一光耦U2和驅(qū)動模塊，其中，MCU Ul的輸出脈寬調(diào)制波形端口 PWM_1通過第一電阻Rl與第一光耦U2相連，該第一電阻Rl為限流電阻器，驅(qū)動模塊包括第一三極管Ql和第二三極管Q2，第一三極管Ql和第二三極管Q2，用于增益門極驅(qū)動電阻R5的電壓；其中，第一三極管Ql的基極與積分電路相連，集電極與電源正極相連，發(fā)射極與門極驅(qū)動電阻R5相連；第二三極管Q2的發(fā)射極與基極與積分電路相連，集電極與電源的負極相連，發(fā)射極與門極驅(qū)動電阻R5相連。第一三極管Ql和第二三極管Q2是驅(qū)動IGBT模塊U4的功率晶體管，實現(xiàn)電流跟隨器的功能。在驅(qū)動模塊與IGBT模塊U4之間連接有門極驅(qū)動電阻R5，在第一光耦U2與驅(qū)動模塊之間具有積分電路，該積分電路包括積分電路等效電阻和第一電容Cl，通過改變積分電路等效電阻的阻值，調(diào)節(jié)積分電路的時間常數(shù)，實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻R5的阻值的等效調(diào)節(jié)。
[0025]在本實施方式中，該等效調(diào)節(jié)電路還包括第一穩(wěn)壓管ZDl和第二穩(wěn)壓管ZD2，用于過壓保護；其中，第一穩(wěn)壓管ZDl —端與門極驅(qū)動電阻R5相連，另一端與第二穩(wěn)壓管ZD2相連；第二穩(wěn)壓管ZD2的一端接地，另一端與第一穩(wěn)壓管ZDl相連。門極驅(qū)動電阻R5的電流輸出端通過第一穩(wěn)壓管ZDl和第二穩(wěn)壓管ZD2接地，該第一穩(wěn)壓管ZDl和第二穩(wěn)壓管ZD2為過壓保護穩(wěn)壓二極管，保護IGBT模塊U4的輸入電壓穩(wěn)定。本發(fā)明的IGBT模塊U4包括IGBT Tl、第一插座Jl和第二插座J2，該第一插座Jl與IGBT Tl的柵極相連，第二插座J2與IGBT Tl的漏極相連。如圖中所示，本發(fā)明實施例的等效調(diào)節(jié)電路還包括第六電阻R6，用于對IGBT模塊門極放電、防靜電；第六電阻R6的一端接地，另一端與門極驅(qū)動電阻R5相連。門極驅(qū)動電阻R5的電流輸出端通過第一插頭Pl與IGBT模塊U4的第一插座Jl相連，第一插頭Pl與地之間連接有第六電阻R6，該第六電阻R6為IGBT模塊U4的門極放電、防止靜電損害IGBT模塊U4。第二插座J2通過連接第二插頭P2接地。
[0026]在本實施方式中，如圖2和圖3所示，積分電路包括第二電阻R2、第一電容Cl和第二光耦U3，第二電阻R2與第二光耦U3的輸出端并聯(lián)連接在第一光耦U2與驅(qū)動模塊之間，第二電阻R2的電流輸出端與地之間連接第一電容Cl，積分電路等效電阻由第二電阻R2與第二光耦U3輸出端阻抗并聯(lián)形成，通過改變第二光耦U3的輸入電流可以實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)。
[0027]在本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式中，如圖2所示，第二光耦U3輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻R3與電位器RWl的活動觸點相連，該電位器RWl的一個固定觸點與電源相連，另一個固定觸點接地。通過調(diào)節(jié)電位器RWl的活動觸點的位置，改變第二光耦U3的輸入電流，實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)，進而調(diào)節(jié)積分電路的時間常數(shù)，從而調(diào)整IGBT模塊U4的門極驅(qū)動電壓脈沖的電壓隨時間的變化速率du/dt，進而實現(xiàn)對門極驅(qū)動電阻R5的等效值的無極調(diào)節(jié)。
[0028]在本實施方式中，具體以門極驅(qū)動電阻R5的等效阻值被調(diào)大的過程為例進行說明，當(dāng)電位器RWl的活動觸點向電源相連的固定觸點滑動時，電位器RWl中接入電路的分壓電阻減小，第二光耦U3的輸入端的電流增大，其內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光強度增大，第二光耦U3內(nèi)的光接收管由于光照強度增大而內(nèi)阻減少，也就是第二光耦U3的輸出端的阻抗變小，由于第二光耦U3的輸出端的阻抗與第二電阻R2并聯(lián)形成積分電路等效電阻，因此積分電路等效電阻的阻值變小。積分電路等效電阻與第一電容Cl 一起構(gòu)成的積分電路的充電的時間常數(shù)公式為t =R*C，式中R為積分電路等效電阻的阻值，C為第一電容Cl的電容值。當(dāng)積分電路等效電阻的阻值R變小，而第一電容Cl的電容值不變，則時間常數(shù)?變小，即第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量增大。第一三極管Ql和第二三極管Q2構(gòu)成電壓跟隨器，第一三極管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也增大，即單位時間內(nèi)電壓升高變快，電壓變化率du/dt變大，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變小。當(dāng)電位器RWl的活動觸點向接地的固定觸點滑動時，電位器RWl中接入電路的分壓電阻變大，第二光耦U3的輸入端的電流變小，其內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光強度變小，第二光耦U3內(nèi)的光接收管由于光照強度變小而內(nèi)阻增大，也就是第二光耦U3的輸出端的阻抗變大，積分電路等效電阻的阻值R變大，則時間常數(shù)t變大，第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量變小。第一三極 管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也變小，即單位時間內(nèi)電壓升高變慢，電壓變化率du/dt變小，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變大。
[0029]本實施方式通過調(diào)節(jié)電位器的活動觸點的位置，改變第二光耦U3的輸入電流，實現(xiàn)對積分電路等效電阻阻值R的調(diào)節(jié)，進而改變積分電路的時間常數(shù)，實現(xiàn)了對門極驅(qū)動電阻R5的等效值的無極調(diào)節(jié)。
[0030]在本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式中，如圖3所示，第二光耦U3輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻R3與MCU Ul的電流輸出端相連，MCU Ul的溫度信號輸入端與IGBT模塊溫度傳感器U5相連，該IGBT模塊溫度傳感器U5檢測IGBT模塊U4的溫度并將溫度信號傳輸給MCU Ul，MCU Ul根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器U5輸入的溫度信號調(diào)節(jié)電流輸出端的輸出電流。
[0031]在本實施方式中，IGBT模塊溫度傳感器U5可以為但不限于熱敏電阻，優(yōu)選采用NTC熱敏電阻，由于NTC熱敏電阻，其初始阻值較大，可以抑制電路中的大電流，提高電路的可靠性。當(dāng)IGBT模塊U4運行在較小輸出功率時，IGBT模塊溫度傳感器U5檢測到IGBT模塊U4的溫度較低，MCU Ul根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器U5輸入的溫度信號將電流輸出端的輸出電流調(diào)小，第二光耦U3的輸入端的電流變小，其內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光強度變小，第二光耦U3內(nèi)的光接收管由于光照強度變小而內(nèi)阻增大，也就是第二光耦U3的輸出端的阻抗變大，積分電路等效電阻R的阻值變大，則時間常數(shù)T變大，第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量變小。第一三極管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也變小，即單位時間內(nèi)電壓升高變慢，電壓變化率du/dt變小，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變大。這樣可以降低干擾。
[0032]當(dāng)IGBT模塊U4運行在較大輸出功率時，IGBT模塊溫度傳感器U5檢測到IGBT模塊U4的溫度較高，MCU Ul根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器U5輸入的溫度信號將電流輸出端的輸出電流調(diào)大，第二光耦U3的輸入端的電流變大，其內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光強度變大，第二光耦U3內(nèi)的光接收管由于光照強度變大而內(nèi)阻變小，也就是第二光耦U3的輸出端的阻抗變小，積分電路等效電阻R的阻值變小，則時間常數(shù)t變小，第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量變大。第一三極管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也變大，即單位時間內(nèi)電壓升高變快，電壓變化率du/dt變大，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變小。這樣可以降低I GBT模塊U4上的損耗，降低IGBT模塊U4的溫度，使IGBT模塊U4工作于更安全環(huán)境下，降低IGBT模塊U4的故障率。
[0033]在本發(fā)明的一種更加優(yōu)選的實施方式中，如圖3所示，本發(fā)明還包括母線電壓紋波傳感器U6，該母線電壓紋波傳感器U6與MCU Ul的母線電壓紋波信號輸入端相連，MCU Ul根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器U5輸入的溫度信號以及母線電壓紋波傳感器U6輸入的母線電壓紋波信號調(diào)節(jié)電流輸出端的輸出電流。
[0034]當(dāng)母線電壓紋波傳感器U6向MCU Ul傳輸?shù)哪妇€電壓紋波較大時，說明IGBT模塊U4的門極驅(qū)動電壓變化率du/dt偏大，即門極驅(qū)動電阻R5偏小，不利于電磁兼容，在額定負載工作下，此時如果IGBT的溫度偏低，MCU Ul將電流輸出端的輸出電流調(diào)小，第二光耦U3的輸入端的電流變小，第二光耦U3的輸出端的阻抗變大，積分電路等效電阻R的阻值變大，時間常數(shù)?變大，第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量變小。第一三極管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也變小，即單位時間內(nèi)電壓升高變慢，電壓變化率du/dt變小，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變大。降低母線電壓紋波，使IGBT模塊U4在考慮溫度與電磁兼容兩者中選擇最佳工作點。反之，當(dāng)母線電壓紋波傳感器U6向MCU Ul傳輸?shù)哪妇€電壓紋波較小時，說明IGBT模塊U4的門極驅(qū)動電壓變化率du/dt偏小，即門極驅(qū)動電阻R5偏大，有利于電磁兼容，但如果此時IGBT模塊U4的溫度偏高，為了得到IGBT模塊U4在電磁兼容與溫度兩者下的最佳工作點，MCU Ul將電流輸出端的輸出電流調(diào)大，第二光耦U3的輸入端的電流變大，第二光耦U3的輸出端的阻抗變小，積分電路等效電阻R的阻值變小，時間常數(shù)t變小，第一電容Cl兩端的電壓在單位時間內(nèi)電壓變化量變大。第一三極管Ql和第二三極管Q2的輸出端電壓在單位時間內(nèi)變化量也變大，即單位時間內(nèi)電壓升高變快，電壓變化率dv/dt變大，等效于門極驅(qū)動電阻R5的阻值變小，使IGBT模塊U4工作于最佳狀態(tài)。
[0035]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，IGBT模塊溫度傳感器U5與第三插頭P3相連，MCU Ul的溫度信號輸入端與第三插座J3相連，通過連接第三插頭P3和第三插座J3，實現(xiàn)IGBT模塊溫度傳感器U5與MCU Ul的連接。母線電壓紋波傳感器U6與第四插頭P4相連，MCU Ul的母線電壓紋波信號輸入端與第四插座J4相連，通過連接第四插頭P4和第四插座J4，實現(xiàn)母線電壓紋波傳感器U6與MCU Ul的連接。這種連接方式更加靈活方便。
[0036]本發(fā)明通過設(shè)置IGBT模塊溫度傳感器U5和母線電壓紋波傳感器U6，使MCU Ul根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器U5輸入的溫度信號以及母線電壓紋波傳感器U6輸入的母線電壓紋波信號調(diào)節(jié)輸出電流，使IGB T模塊U4根據(jù)電磁兼容與工作溫度的需求選擇最佳工作點，自動智能調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻R5的等效阻值使IGBT模塊U4工作于最佳狀態(tài)。[0037]本發(fā)明的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路能夠?qū)﹂T極驅(qū)動電阻R5的等效阻值進行調(diào)節(jié)，無需人工更改門極驅(qū)動電阻就能驅(qū)動不同功率IGBT模塊U4，提高了 IGBT模塊U4的工作效果。
[0038]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0039]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，包括:IGBT模塊、MCU、第一光率禹和驅(qū)動模塊，所述MCU與第一光稱之間連接有第一電阻,所述驅(qū)動模塊與IGBT模塊之間連接有門極驅(qū)動電阻，在所述第一光耦與驅(qū)動模塊之間具有積分電路，所述積分電路包括積分電路等效電阻和第一電容，通過改變所述積分電路等效電阻的阻值，調(diào)節(jié)所述積分電路的時間常數(shù)，實現(xiàn)對所述門極驅(qū)動電阻的等效調(diào)節(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述驅(qū)動模塊包括:第一三極管和第二三極管，用于增益門極驅(qū)動電阻的電壓；其中， 所述第一三極管，所述第一三極管的基極與積分電路相連，所述第一三極管的集電極與電源正極相連，所述第一三極管的發(fā)射極與所述門極驅(qū)動電阻相連； 所述第二三極管，所述第二三極管的發(fā)射極與基極與積分電路相連，所述第二三極管的集電極與電源的負極相連，所述第二三極管的發(fā)射極與所述門極驅(qū)動電阻相連。
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述積分電路包括第二電阻、第一電容和第二光稱，所述第二電阻與第二光稱的輸出端并聯(lián)連接在所述第一光耦與驅(qū)動模塊之間，所述第二電阻的電流輸出端與地之間連接第一電容，所述積分電路等效電阻由所述第二電阻與第二光耦輸出端阻抗并聯(lián)形成，通過改變所述第二光耦的輸入電流實現(xiàn)對所述積分電路等效電阻阻值的調(diào)節(jié)。
4.如權(quán)利要求3所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述第二光耦輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻與電位器活動觸點相連，所述電位器的一個固定觸點與電源相連，另一個固定觸點接地。
5.如權(quán)利要求3 所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路包括IGBT模塊溫度傳感器，所述第二光耦輸入端的一端接地，另一端通過第三電阻與所述MCU的電流輸出端相連，所述MCU的溫度信號輸入端與所述IGBT模塊溫度傳感器相連，所述MCU根據(jù)所述IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號調(diào)節(jié)輸出電流。
6.如權(quán)利要求5所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路還包括母線電壓紋波傳感器，所述母線電壓紋波傳感器與所述MCU的母線電壓紋波信號輸入端相連，所述MCU根據(jù)IGBT模塊溫度傳感器輸入的溫度信號以及母線電壓紋波傳感器輸入的母線電壓紋波信號調(diào)節(jié)輸出電流。
7.如權(quán)利要求5或6所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述IGBT模塊溫度傳感器為NTC熱敏電阻。
8.如權(quán)利要求1所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，還包括:第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管，用于過壓保護；其中， 所述第一穩(wěn)壓管，所述第一穩(wěn)壓管一端與所述門極驅(qū)動電阻相連，另一端與第二穩(wěn)壓管相連； 所述第二穩(wěn)壓管，所述第二穩(wěn)壓管的一端接地，另一端與第一穩(wěn)壓管相連。
9.如權(quán)利要求1所述的IGBT模塊門極驅(qū)動電阻等效調(diào)節(jié)電路，其特征在于，還包括:第六電阻，用于對IGBT模塊門極放電、防靜電； 所述第六電阻，所述第六電阻的一端接地，所述第六電阻的另一端與門極驅(qū)動電阻相連。
【文檔編號】H03K17/567GK103905019SQ201210589902
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月31日
【發(fā)明者】藍誠宇, 楊欽耀, 陳剛 申請人:比亞迪股份有限公司