專利名稱：一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及便攜式產(chǎn)品的功耗自動調(diào)整的技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛，便攜式對功耗要求也越來越高。在現(xiàn)有技術(shù)中，利用數(shù)字方法來調(diào)整功耗的，但是在有些模擬的便攜式產(chǎn)品中，數(shù)字方法會增加產(chǎn)品設(shè)計的復(fù)雜程度。
發(fā)明內(nèi)容針對上述問題，本實用新型提供了一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其為·模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計簡單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負載情況自動對系統(tǒng)進行斷電、通電。一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其技術(shù)方案是這樣的其包括電阻負載電路模塊，其特征在于其還包括電阻負載檢測電路、輸出電流檢測電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負輸入連接有直流電壓，所述電阻負載檢測電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負載電路模塊接入端，電阻負載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測電路的PMOS管的柵極，所述輸出電流檢測電路的PMOS管的漏極連接所述連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接所述比較器的正輸入，所述比較器的輸出端為負端輸出，所述比較器的輸出端分別連通所述電阻負載檢測電路的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，所述輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，所述電容的兩端分別連接所述比較器的正輸入、比較器的輸出端。其進一步特征在于所述電阻負載電路模塊至少含有一個電阻負載。采用本實用新型后，NMOS開關(guān)的工作原理為高電平關(guān)閉、低電平打開，在系統(tǒng)輸出沒有電阻負載的情況下，輸出負載檢測電路開始正常工作，Vo為高電平，進而使得比較器的輸出為低電平，而反相器的輸出為高電平，從而電阻負載檢測電路的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，進而整個系統(tǒng)處于斷電狀態(tài)；系統(tǒng)輸出端有電阻負載的時候，Vo為低電平，進而使得比較器的輸出為高電平，而反相器的輸出為低電平，從而電阻負載檢測電路的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，進而整個系統(tǒng)處于通電狀態(tài)；當系統(tǒng)在正常的狀態(tài)下去掉電輸出端電阻負載時，VP端的電壓升高，流經(jīng)電阻R3的電流減小，Vl端的電壓降低，經(jīng)過一端時間后，積分器的輸出端為高電平，而反相器的輸出為高電平。同時電阻負載檢測電路的NMOS開關(guān)處于打開狀態(tài)，輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，進而整個系統(tǒng)處于斷電狀態(tài)。上述過程可根據(jù)輸出端電阻負載的情況循環(huán)，從而達到節(jié)省功耗的目的。綜上，該結(jié)構(gòu)為模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計簡單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負載情況自動對系統(tǒng)進行斷電、通電。
圖I是一種簡單的驅(qū)動電阻負載的輸出級結(jié)構(gòu)；圖2是依據(jù)本實用新型實施的功耗自動調(diào)整機制流程圖；圖3是本實用新型實施的電阻負載檢測電路；圖4是本實用新型實施的輸出電流檢測電路；圖5是本實用新型實施的電路實現(xiàn)方式結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
見圖I、圖2、圖3、圖4、圖5，其包括電阻負載電路模塊I、電阻負載檢測電路2、輸出電流檢測電路3、積分器4，積分器4包括比較器、電容，積分器的負輸入連接有直流電壓，電阻負載檢測電路2包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負載電路模塊接入端、電流源輸出端，驅(qū)動電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負載電路模塊接入端，電阻負載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接比較器的正輸入，輸出電流檢測電路3包括PMOS管、連接電阻R3，驅(qū)動電路的PMOS管的柵極連接輸出電流檢測電路的PMOS管的柵極，輸出電流檢測電路的PMOS管的漏極連接連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接比較器的正輸入，比較器的輸出端為負端輸出，比較器4的輸出端分別連通電阻負載檢測電路2的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，電容的兩端分別連接比較器的正輸入、比較器的輸出端。電阻負載電路模塊I至少含有一個電阻負載。
權(quán)利要求1.一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其包括電阻負載電路模塊，其特征在于其還包括電阻負載檢測電路、輸出電流檢測電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負輸入連接有直流電壓，所述電阻負載檢測電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負載電路模塊接入端，電阻負載電路模塊接入端連接電阻Rl后連接所述比較器的正輸入，輸出電流檢測電路包括PMOS管、連接電阻R3，所述驅(qū)動電路的PMOS管的柵極連接所述輸出電流檢測電路的PMOS管的柵極，所述輸出電流檢測電路的PMOS管的漏極連接所述連接電阻R3后接地，連接電阻R3的非接地端的通過導(dǎo)線連接反相器后連接NMOS開關(guān)的一端，NMOS開關(guān)的另一端連接電阻R2后連接所述比較器的正輸入，所述比較器的輸出端為負端輸出，所述比較器的輸出端分別連通所述電阻負載檢測電路的NMOS開關(guān)的控制端、輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端，所述輸出電流檢測電路所連接的NMOS開關(guān)的控制端和比較器的輸出端之間設(shè)置有反相器，所述電容的兩端分別連接所述比較器的正輸入、比較器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電阻負載電路模塊至少含有一個電阻負載。
專利摘要本實用新型提供了一種根據(jù)負載情況自動調(diào)整功耗的結(jié)構(gòu)，其為模擬電路調(diào)整結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品設(shè)計簡單、有效，可以根據(jù)產(chǎn)品的電阻負載情況自動對系統(tǒng)進行斷電、通電。其技術(shù)方案是這樣的其包括電阻負載電路模塊，其特征在于其還包括電阻負載檢測電路、輸出電流檢測電路、積分器，所述積分器包括比較器、電容，所述積分器的負輸入連接有直流電壓，所述電阻負載檢測電路包括電流源、NMOS開關(guān)，NMOS開關(guān)的兩端分別通過導(dǎo)線連接電阻負載電路模塊接入端、電流源輸出端，所述驅(qū)動電路由PMOS管和NMOS管串聯(lián)構(gòu)成，PMOS管的漏極分別通過導(dǎo)線連接NMOS管的漏極、電阻負載電路模塊接入端，電阻負載電路模塊接入端連接電阻R1后連接所述比較器的正輸入。
文檔編號H03K17/687GK202713255SQ20122028223
公開日2013年1月30日 申請日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日
發(fā)明者馬輝, 蔣賽尖, 鄭可為 申請人:無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司