專利名稱：一種防止mos管誤導(dǎo)通電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種MOS管電路，特別涉及一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的MOS管Q3內(nèi)部的寄生的分布電容主要包括柵源極間電容Cgs，柵漏極間電容Cgd，漏源極間電容Cds。如圖I所示。由于功率MOS管內(nèi)部寄生分布電容的耦合作用，在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下，瞬間加在MOS管漏源極的電壓極容易通過電容CgcUCgs在MOS管的柵源極GS間的耦合一個電壓使得Vgs大于MOS管最低的柵源導(dǎo)通壓降Vth，引起功率MOS管的誤導(dǎo)通，損壞MOS管。上述問題目前的解決方法為在MOS管的外部柵源極GS之間并聯(lián)一個電容Cl如圖2所示，以降低柵源極之間的耦合電壓Vgs，使Vgs小于MOS管最低的柵源導(dǎo)通壓降Vth，起到防止誤導(dǎo)通的作用。但是這種方法存在一個嚴(yán)重問題隨著現(xiàn)在 生產(chǎn)MOS管的Vth越做越低，在MOS管GS之間并聯(lián)的電容就要求越來越大，而在GS之間并聯(lián)電容會極大降低MOS管的導(dǎo)通及關(guān)斷的速度，在高頻電路里，這會大大增加MOS管的開關(guān)損耗，降低效率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題，在于提供一種可以有效的防止MOS管誤導(dǎo)通又不會影響MOS管的開關(guān)速度的防止MOS管誤導(dǎo)通電路。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路，包括MOS管Q3及其內(nèi)部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。所述三極管Q2在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導(dǎo)通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導(dǎo)通壓降O. 4-0. 7V。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于可以在不降低MOS管的開關(guān)速度，不增加MOS管的開關(guān)損耗的情況下，以低成本的方式解決MOS管誤導(dǎo)通的問題。無需在GS間并電容Cl，只需要增加2個普通的三極管及2個電阻，可以有效的防止MOS管誤導(dǎo)通又不會影響MOS管的開關(guān)速度。

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。圖I是MOS管及其內(nèi)部寄生的分布電容的電路圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路的連接圖。[0010] 圖3是本實(shí)用新型所述的防止MOS管誤導(dǎo)通電路的連接圖。
具體實(shí)施方式請參閱圖3，是本實(shí)用新型一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路的連接圖，包括MOS管Q3及其內(nèi)部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。其工作原理如下I、在MOS管關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)下，即來自外部的驅(qū)動信號DRIVE上施加的驅(qū)動電壓Vdrive=O,此時Ql截止，當(dāng)有瞬間電壓加在MOS管漏極D時，由于三極管導(dǎo)通速度極快，所以三極管Q2會在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導(dǎo)通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導(dǎo)通壓降O. 4—0. 7V左右，這個電壓是遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于MOS管最低的柵源導(dǎo)通壓降Vth，所以MOS管肯定是不會誤導(dǎo)通的。2、當(dāng)MOS管要從關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通時，來自外部的驅(qū)動信號DRIVE會施加一個驅(qū)動電壓Vdrive并保證Vdrive>Vth，此時Ql會導(dǎo)通，Q2會截止,Vgs的鉗位被釋放,MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs=VdriveXVth,以保證MOS管能正常導(dǎo)通。本實(shí)用新型在不降低MOS管的開關(guān)速度，不增加MOS管的開關(guān)損耗的情況下，以低成本的方式解決MOS管誤導(dǎo)通的問題。無需在GS間并電容Cl，只需要增加2個普通的三極管及2個電阻，即可實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的。
權(quán)利要求1.一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路，包括MOS管Q3及其內(nèi)部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的防止MOS管誤導(dǎo)通電路，其特征在于所述三極管Q2在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導(dǎo)通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導(dǎo)通壓降O. 4—0. 7V。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種防止MOS管誤導(dǎo)通電路，包括MOS管Q3及其內(nèi)部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，還包括電阻R1和R2、三極管Q1和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs；三極管Q1的基極串聯(lián)電阻R1后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Q1的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。采用本實(shí)用新型可以有效的防止MOS管誤導(dǎo)通又不會影響MOS管的開關(guān)速度。
文檔編號H03K17/56GK202737833SQ20122036369
公開日2013年2月13日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者肖艷義 申請人:廈門藍(lán)溪科技有限公司