專利名稱：一種smd石英晶體諧振器鍍膜電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種SMD石英晶體諧振器電極。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器是用壓電石英(即水晶)制成的壓電器件，它不僅具有高度穩(wěn)定的物理化學(xué)性能，而且彈性振動(dòng)損耗極小。與其它電子元器件相比，壓電石英晶體還有著很高的頻率穩(wěn)定度和高Q值，使其成為穩(wěn)定頻率和選擇頻率的重要元器件。隨著數(shù)字化電路的廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)晶體元器件的可靠性能提出更高的要求，石英晶體諧振器的FDLD指標(biāo)，反映的是石英晶體諧振器工作頻率隨激勵(lì)功率的不同，所產(chǎn)生的頻率變化最大值和最小值的差異，是石英晶體的品質(zhì)的關(guān)鍵指標(biāo)之一?，F(xiàn)有技術(shù)是采用矩形鍍銀電極，量產(chǎn)過(guò)程中從0. Oluff至500uW進(jìn)行30步掃描，對(duì)于FDLD〈±2ppm的規(guī)格，其CPK〈1. 33，只能通過(guò)全數(shù)檢查挑選來(lái)保證出貨產(chǎn)品的品質(zhì)，生產(chǎn)成本高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在提供一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，用于提高SMD石英晶體諧振器的FDLD指標(biāo),改善SMD石英晶體諧振器的性能。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型公開(kāi)的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極附著在晶片的表面；其特征在于所述鍍膜電極包括矩形區(qū)和與其連接的弓形區(qū)；該鍍膜電極形狀對(duì)于FDLD改善有明顯的效果，對(duì)于從0. OluW至500uW進(jìn)行30步掃描，F(xiàn)DLD〈±-2ppm的規(guī)格要求，其CPK可達(dá)到1. 67以上。進(jìn)一步的，所述鍍膜電極包括由內(nèi)到外依次排列的下鍍鉻層、鍍銀層、上鍍鉻層；下鍍鉻層可增強(qiáng)鍍膜電極和晶片之間的附著力，上鍍鉻層可防止鍍膜電極在石英晶體諧振器封裝工序前被空氣氧化。優(yōu)選的，所述弓形區(qū)的弓形角為80至100度。優(yōu)選的，所述弓形區(qū)的弦長(zhǎng)等于矩形區(qū)的縱向?qū)挾?。?yōu)選的，所述鍍膜電極的橫向尺寸為1. 2mm，縱向尺寸為1. 0mm。優(yōu)選的，所述下鍍鉻層的厚度為2至3nm。優(yōu)選的，所述上鍍鉻層的厚度為I至2nm。本實(shí)用新型提供的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，對(duì)于FDLD改善有著明顯的效果，對(duì)于從0. OluW至500uW進(jìn)行30步掃描，F(xiàn)DLD〈±-2ppm的規(guī)格要求，其CPK可達(dá)到1. 67以上，制程良率大幅提升，產(chǎn)品性能得到提高；在封裝前制程中有效保護(hù)晶片表面電極不被氧化，封裝后的頻率變化和老化特性得到大幅提聞，等效年老化率可由原±5ppm提聞到±2. 5ppm,對(duì)于頻率的CPK可有原>1. 33提升到>1. 67。

[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的剖視圖；圖中1-晶片、2-鍍膜電極、3-下鍍鉻層、4-鍍銀層、5-上鍍鉻層、6-矩形區(qū)、7-弓形區(qū)。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖1，本實(shí)用新型公開(kāi)的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極2附著在晶片I的表面；鍍膜電極2包括矩形區(qū)6和與其連接的弓形區(qū)7。如圖2，進(jìn)一步的，鍍膜電極2包括由內(nèi)到外依次排列的下鍍鉻層3、鍍銀層4、上鍍鉻層5。優(yōu)選的，弓形區(qū)7的弓形角為80至100度。優(yōu)選的，弓形區(qū)7的弦長(zhǎng)等于矩形區(qū)6的縱向?qū)挾?。?yōu)選的，鍍膜電極2的橫向尺寸為1. 2mm，縱向尺寸為1. 0mm。優(yōu)選的，下鍍鉻層3的厚度為2至3nm。優(yōu)選的，上鍍鉻層5的厚度為I至2nm。當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型的精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極(2)附著在晶片(I)的表面；其特征在于所述鍍膜電極(2)包括矩形區(qū)(6)和與其連接的弓形區(qū)(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述鍍膜電極(2)包括由內(nèi)到外依次排列的下鍍鉻層(3)、鍍銀層(4)、上鍍鉻層(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述弓形區(qū)(7)的弓形角為80至100度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述弓形區(qū)(7)的弦長(zhǎng)等于矩形區(qū)(6)的縱向?qū)挾取?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述鍍膜電極(2)的橫向尺寸為1.2mm,縱向尺寸為1. 0mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述下鍍鉻層(3)的厚度為2至3nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于所述上鍍鉻層(5)的厚度為I至2nm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種SMD石英晶體諧振器鍍膜電極，鍍膜電極附著在晶片的表面，該鍍膜電極包括矩形區(qū)和與其連接的弓形區(qū)；該鍍膜電極對(duì)于SMD石英晶體諧振器的FDLD指標(biāo)有明顯的改善，提高產(chǎn)品的性能。
文檔編號(hào)H03H9/125GK202872743SQ201220484209
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月21日
發(fā)明者劉青彥, 梁羽杉, 楊清明 申請(qǐng)人:成都晶寶時(shí)頻技術(shù)股份有限公司