專利名稱：一種rf-cmos工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于光通信物理層集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于三網(wǎng)融合的迅速發(fā)展，以高清視頻、3D視頻、交互視頻為代表的寬帶業(yè)務(wù)已經(jīng)興起，同時(shí)云計(jì)算、云存儲(chǔ)要求帶寬滿足其海量信息傳送的需求，終端用戶對(duì)帶寬需求已經(jīng)在向lOOM/s升級(jí)，現(xiàn)有的以ADSL (非對(duì)稱數(shù)字用戶線)為主的寬帶接入方式已經(jīng)很難滿足用戶對(duì)高帶寬、雙向傳輸能力以及安全性等方面的要求。各國(guó)電信運(yùn)營(yíng)商把關(guān)注的目光投向了 FTTH (光纖到戶)，計(jì) 劃利用光纖這一迄今為止最好的傳輸媒質(zhì)來(lái)突破接入的“瓶頸”。FTTH被視為下一代寬帶接入技術(shù)的代表，是未來(lái)“最后一公里”的最終形式，歐美和亞太地區(qū)的很多國(guó)家也紛紛將FTTH上升為國(guó)家戰(zhàn)略，將FTTH (接入速率100M以上)作為未來(lái)國(guó)家信息高速公路的戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行巨額投資，加快部署進(jìn)程，以提升在全球信息新時(shí)代的競(jìng)爭(zhēng)力。表一產(chǎn)品所面向主要應(yīng)用的帶寬需求。
權(quán)利要求1.一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一版圖區(qū)(001)、第二版圖區(qū)(002)、第三版圖區(qū)(003)、第四版圖區(qū)(004)、第五版圖區(qū)(005)、第六版圖區(qū)(006)、第七版圖區(qū)(007)、第八版圖區(qū)(008)、第九版圖區(qū)(009)、第十版圖區(qū)(010)、第十一版圖區(qū)(011)、第十二版圖區(qū)(012)、第十三版圖區(qū)(013)、第十四版圖區(qū)(014)、第十五版圖區(qū)(015)、第十六版圖區(qū)(016)、第十七版圖區(qū)(017)和第十八版圖區(qū)(018);所述第十七版圖區(qū)(017)、第十五版圖區(qū)(015)、第十二版圖區(qū)(012)和第十一版圖區(qū)(011)依次相連位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的上部；所述第九版圖區(qū)(009)、第十版圖區(qū)(010)、第三版圖區(qū)(003)和第一版圖區(qū)(001)依次相連位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的中上部；所述第八版圖區(qū)(008)位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的中部；所述第十四版圖區(qū)(014)、第六版圖區(qū)(006)和第七版圖區(qū)(007)依次相連位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的中下部；所述第十六版圖區(qū)(016)、第十三版圖區(qū)(013)、第五版圖區(qū)(005)、第四版圖區(qū)(004)和第二版圖區(qū)(002)依次相連位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的下部；所述第十八版圖區(qū)(018)位于所述跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的四周。
2.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，作為核心板塊的第七版圖區(qū)(007)設(shè)置于跨阻放大器版圖結(jié)構(gòu)的中心位置，且與作為供電模塊的第四版圖區(qū)(00 4)緊密相連。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第八版圖區(qū)(008 )與所述第九版圖區(qū)(009 )緊密相連。
4.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第七版圖區(qū)(007)包括跨阻放大器電路；第八版圖區(qū)(008)包括單轉(zhuǎn)雙差分電路；第十五版圖區(qū)(015)和第十三版圖區(qū)(013)包括輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路。
5.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第十五版圖區(qū)(015)和第十三版圖區(qū)(013)呈對(duì)稱分布；所述第八版圖區(qū)(008)到第十五版圖區(qū)(015)的距離與到第十三版圖區(qū)(013)的距離相同。
6.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第九版圖區(qū)(009)包括自動(dòng)增益控制電路，且第九版圖區(qū)(009)設(shè)置在主通道的信號(hào)走向上。
7.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，第十一版圖區(qū)(011)、第十版圖區(qū)(010)和第一版圖區(qū)(001)包括直流失調(diào)消除電路；第五版圖區(qū)(005)包括光電二極管電流檢測(cè)電路；第二版圖區(qū)(002)、第三版圖區(qū)(003)、第四版圖區(qū)(004)、第十四版圖區(qū)(014)、第十六版圖區(qū)(016)和第十七版圖區(qū)(017)包括電壓調(diào)整電路；第十三版圖區(qū)(013)和第十五版圖區(qū)(015)包括輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電路；第九版圖區(qū)(009 )包括自動(dòng)增益控制電路；第十二版圖區(qū)(012 )和第六版圖區(qū)(006 )包括靜噪電路和邏輯控制電路；第十八版圖區(qū)(018)包括過(guò)壓保護(hù)電路。
8.如權(quán)利要求1所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第十八版圖區(qū)(018)包括芯片的12個(gè)輸入輸出引線端、probe探針測(cè)試點(diǎn)和濾波電容。
9.如權(quán)利要求8所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第十八版圖區(qū)(018)的12個(gè)輸入輸出引線端和probe探針測(cè)試點(diǎn)設(shè)置于芯片四周。
10.如權(quán)利要求8或9所述的一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第十八版 圖區(qū)(018 )的輸入輸出弓丨線端設(shè)置有靜電保護(hù)電路和壓焊墊。
專利摘要一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)，屬于光通信物理層集成電路領(lǐng)域，包括第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)、第七版圖區(qū)、第八版圖區(qū)、第九版圖區(qū)、第十版圖區(qū)、第十一版圖區(qū)、第十二版圖區(qū)、第十三版圖區(qū)、第十四版圖區(qū)、第十五版圖區(qū)、第十六版圖區(qū)、第十七版圖區(qū)和第十八版圖區(qū)。版圖主要分為上、中上、中、中下、下和四周六部分。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)芯片版圖的合理布局和各版圖區(qū)的合理設(shè)計(jì)，更好地實(shí)現(xiàn)了基于RF-CMOS工藝的寬帶光通信跨阻放大器的低噪聲、高帶寬等電路功能。
文檔編號(hào)H03F3/08GK203057079SQ201220622498
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月22日
發(fā)明者莫太山, 唐思敏 申請(qǐng)人:嘉興泰鼎光電集成電路有限公司