專利名稱：一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微波組件，尤其是一種一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件。
背景技術(shù)：
常規(guī)的一分四開(kāi)關(guān)陷波組件的插損大于5dB，插損較高；矩形系數(shù)在10以上，矩形系數(shù)較差；抑制度只有60dB左右，抑制度較低?？梢?jiàn)，常規(guī)的一分四開(kāi)關(guān)陷波組件在系統(tǒng)中只能采用分時(shí)工作、整個(gè)信號(hào)頻段陷波的工作模式，無(wú)法滿足現(xiàn)代高性能捷變頻接收機(jī)的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種插損小、矩形系數(shù)高、抑制度高的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:一種一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，包括第一微波電纜，其通過(guò)第一低溫開(kāi)關(guān)與至少兩個(gè)高溫超導(dǎo)陷波器的輸入端相連；還包括第二微波電纜，其通過(guò)第二低溫開(kāi)關(guān)與所述高溫超導(dǎo)陷波器的輸出端相連，第一微波電纜、第一低溫開(kāi)關(guān)、高溫超導(dǎo)陷波器、第二低溫開(kāi)關(guān)和第二微波電纜均密封在杜瓦內(nèi)。所述高溫超導(dǎo)陷波器由第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器組成，所述第一微波電纜的一端與第一密封SMA連接器相連，其另一端通過(guò)第一 SMA連接與第一低溫開(kāi)關(guān)的輸入接口 JO相連，第一低溫開(kāi)關(guān)為單刀四擲開(kāi)關(guān)，第一低溫開(kāi)關(guān)的四路輸出接口 J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸入接口相連；所述第二微波電纜的一端與第二密封SMA連接器相連，其另一端通過(guò)第二 SMA連接與第二低溫開(kāi)關(guān)的輸入接口 JO相連，第二低溫開(kāi)關(guān)為單刀四擲開(kāi)關(guān)，第二低溫開(kāi)關(guān)的四路輸出接口 Jl、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸出接口相連。所述第一微波電纜、第二微波電纜均采用不銹鋼微波電纜。所述第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器、第二密封SMA連接器安裝在杜瓦的外壁上。所述的高溫超導(dǎo)陷波器由芯片和盒體組成，所述芯片通過(guò)銦片焊接在盒體的底部，且采用氧化鎂作為基片，其厚度為0.5mm;所述的芯片上設(shè)置高溫超導(dǎo)陷波器電路，高溫超導(dǎo)陷波器電路由輸入接口、輸出接口、主線及位于主線同一側(cè)的多個(gè)諧振器組成，輸入接口、輸出接口分別位于主線的兩端。所述的盒體材料采用合金鈦，所述諧振器的個(gè)數(shù)為7個(gè)。由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型將高溫超導(dǎo)陷波器與低溫開(kāi)關(guān)組成一體，作為開(kāi)關(guān)陷波組件，結(jié)構(gòu)緊湊；采用高溫超導(dǎo)材料制備的陷波器具有插入損耗小、矩形系數(shù)好、抑制度深等優(yōu)點(diǎn)；采用低溫開(kāi)關(guān)具有響應(yīng)速度快、噪聲溫度低等效果；由該組件構(gòu)成的系統(tǒng)，其通帶損耗小于2.5dB,阻帶陷波深度達(dá)70dB以上，陷波矩形系數(shù)小于2，開(kāi)關(guān)速度優(yōu)于50ns;可有效擴(kuò)展接收機(jī)有限的接收能力和信號(hào)處理能力，抑制捷變頻信號(hào)對(duì)電子裝備的干擾。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型中高溫超導(dǎo)陷波器電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一種一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，包括第一微波電纜3，其通過(guò)第一低溫開(kāi)關(guān)6與至少兩個(gè)高溫超導(dǎo) 陷波器8的輸入端相連；還包括第二微波電纜4，其通過(guò)第二低溫開(kāi)關(guān)7與所述高溫超導(dǎo)陷波器8的輸出端相連,第一微波電纜3、第一低溫開(kāi)關(guān)6、高溫超導(dǎo)陷波器8、第二低溫開(kāi)關(guān)7和第二微波電纜4均密封在杜瓦5內(nèi)。所述第一微波電纜3、第二微波電纜4均采用不銹鋼微波電纜。所述第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器1、第二密封SMA連接器2安裝在杜瓦5的外壁上，如圖1所示。如圖1所示，所述高溫超導(dǎo)陷波器8由第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器組成，所述第一微波電纜3的一端與第一密封SMA連接器I相連,其另一端通過(guò)第一 SMA連接器9與第一低溫開(kāi)關(guān)6的輸入接口 JO相連,第一低溫開(kāi)關(guān)6為單刀四擲開(kāi)關(guān),第一低溫開(kāi)關(guān)6的四路輸出接口 J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸入接口 11相連；所述第二微波電纜4的一端與第二密封SMA連接器2相連，其另一端通過(guò)第二 SMA連接器10與第二低溫開(kāi)關(guān)7的輸入接口 JO相連，第二低溫開(kāi)關(guān)7為單刀四擲開(kāi)關(guān)，第二低溫開(kāi)關(guān)7的四路輸出接口 J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸出接口 12相連。第一低溫開(kāi)關(guān)6和第二低溫開(kāi)關(guān)7通過(guò)TTL電平聯(lián)動(dòng)控制，達(dá)到一路進(jìn)一路出。如圖2所示，所述的高溫超導(dǎo)陷波器8由芯片和盒體組成，所述芯片通過(guò)銦片焊接在盒體的底部，且采用氧化鎂作為基片，其厚度為0.5mm,在基片兩面濺射上5000埃高溫超導(dǎo)YBa2Cu3O7-A薄膜，在高溫超導(dǎo)薄膜上原位濺射500埃金膜，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc ^ 90K,臨界電流密度Jc彡2X IO6A/ cm 2 ;通過(guò)光刻、干法刻蝕、切割等工藝制作高溫超導(dǎo)陷波器，其中一面的高溫超導(dǎo)薄膜和金膜全部保留，作為接地面，另一面為高溫超導(dǎo)陷波器電路。所述的芯片上設(shè)置高溫超導(dǎo)陷波器電路，高溫超導(dǎo)陷波器電路由輸入接口 11、輸出接口 12、主線14及位于主線14同一側(cè)的多個(gè)諧振器13組成，輸入接口 11、輸出接口 12分別位于主線14的兩端。所述的盒體材料采用合金鈦，所述諧振器13的個(gè)數(shù)為7個(gè)。本實(shí)用新型將高溫超導(dǎo)陷波器8與低溫開(kāi)關(guān)組成一體化開(kāi)關(guān)陷波組件，結(jié)構(gòu)緊湊，可放在緊靠接收機(jī)前端的處理回路，有效擴(kuò)展接收機(jī)有限的接收能力和信號(hào)處理能力，抑制捷變頻信號(hào)對(duì)電子裝備的干擾。
權(quán)利要求1.一種一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:包括第一微波電纜(3)，其通過(guò)第一低溫開(kāi)關(guān)(6)與至少兩個(gè)高溫超導(dǎo)陷波器(8)的輸入端相連；還包括第二微波電纜(4)，其通過(guò)第二低溫開(kāi)關(guān)(7)與所述高溫超導(dǎo)陷波器(8)的輸出端相連，第一微波電纜(3)、第一低溫開(kāi)關(guān)(6)、高溫超導(dǎo)陷波器(8)、第二低溫開(kāi)關(guān)(7)和第二微波電纜(4)均密封在杜瓦(5)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:所述高溫超導(dǎo)陷波器(8)由第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器組成，所述第一微波電纜(3)的一端與第一密封SMA連接器(I)相連，其另一端通過(guò)第一 SMA連接器(9)與第一低溫開(kāi)關(guān)(6)的輸入接口JO相連，第一低溫開(kāi)關(guān)(6)為單刀四擲開(kāi)關(guān)，第一低溫開(kāi)關(guān)(6)的四路輸出接口 Jl、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸入接口( 11)相連；所述第二微波電纜(4)的一端與第二密封SMA連接器(2)相連，其另一端通過(guò)第二 SMA連接器(10)與第二低溫開(kāi)關(guān)(7)的輸入接口 JO相連，第二低溫開(kāi)關(guān)(7)為單刀四擲開(kāi)關(guān)，第二低溫開(kāi)關(guān)(7)的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸出接口(12)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:所述第一微波電纜(3 )、第二微波電纜(4 )均采用不銹鋼微波電纜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:所述第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器(I)、第二密封SMA連接器(2 )安裝在杜瓦(5 )的外壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:所述的高溫超導(dǎo)陷波器(8)由芯片和盒體組成，所述芯片通過(guò)銦片焊接在盒體的底部，且采用氧化鎂作為基片，其厚度為0.5mm ;所述的芯片上設(shè)置高溫超導(dǎo)陷波器電路，高溫超導(dǎo)陷波器電路由輸入接口(11)、輸出接口(12)、主線(14)及位于主線(14)同一側(cè)的多個(gè)諧振器(13)組成，輸入接口( 11 )、輸出接口( 12)分別位于主線(14)的兩端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于:所述的盒體材料采用合金鈦，所述諧振器(13)的個(gè)數(shù)為7個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種一體化多路低溫開(kāi)關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，包括第一微波電纜，其通過(guò)第一低溫開(kāi)關(guān)與至少兩個(gè)高溫超導(dǎo)陷波器的輸入端相連；還包括第二微波電纜，其通過(guò)第二低溫開(kāi)關(guān)與所述高溫超導(dǎo)陷波器的輸出端相連，第一微波電纜、第一低溫開(kāi)關(guān)、高溫超導(dǎo)陷波器、第二低溫開(kāi)關(guān)和第二微波電纜均密封在杜瓦內(nèi)。本實(shí)用新型將高溫超導(dǎo)陷波器與低溫開(kāi)關(guān)組成一體，作為開(kāi)關(guān)陷波組件，結(jié)構(gòu)緊湊；采用高溫超導(dǎo)材料制備的陷波器具有插入損耗小、矩形系數(shù)好、抑制度深等優(yōu)點(diǎn)；采用低溫開(kāi)關(guān)具有響應(yīng)速度快、噪聲溫度低等效果；可有效擴(kuò)展接收機(jī)有限的接收能力和信號(hào)處理能力，抑制捷變頻信號(hào)對(duì)電子裝備的干擾。
文檔編號(hào)H03H7/54GK203071888SQ20122073473
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者楊時(shí)紅, 左濤, 陸勤龍, 劉洋, 汪名峰, 陳新民, 賓峰, 丁曉杰, 劉少敏 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十六研究所