具有變暗的多層導體跡線的圖案化基底相關專利申請的交叉引用本專利申請要求提交于2011年2月2日的第61/438,800號美國臨時專利申請的權益，該專利申請的公開內(nèi)容以引用方式全文并入本文中。

背景技術：
本領域中已知，在需要透光率以及電導率的應用中使用基于金屬的導體網(wǎng)格。此類應用的實例包括屏蔽顯示器的電磁干擾。在工業(yè)中，網(wǎng)格通常理解為表示具有連接跡線的圖案幾何形狀，所述連接跡線由開放區(qū)域隔開以形成多個單元。通過觀察發(fā)現(xiàn)在當前的產(chǎn)品中，一些網(wǎng)格設計在一體化到顯示器中以及在反射的平行光束（例如，直射的陽光）下觀察時，可能產(chǎn)生不良的視覺效應。示例性的不良視覺效應包括例如由光干涉引起的反射光的星放射狀模式（starburstpattern）以及彩色反射光（類似于彩虹）的譜帶，上述每個現(xiàn)象能在包含線性跡線以及重復的單元幾何形狀的網(wǎng)格設置在未改的基底（例如，塑料膜或玻璃）上時被觀察到。具有線性跡線的網(wǎng)格的示例性實例包括具有六邊形以及正方形單元的網(wǎng)格?；诰€性跡線的導體網(wǎng)格也可能出現(xiàn)閃光，閃光是反射光點的不期望的視覺呈現(xiàn)。本領域的一些技術人員已試圖減少對疊加的網(wǎng)格微圖案的視覺呈現(xiàn)，方法是在制造諸如觸摸屏顯示器這樣的顯示器時使用波形跡線。例如，參見第WO2010/099132A2號PCT國際公開案，其描述了一種制品，例如天線、電磁干擾屏蔽罩以及具有一個透光基底和兩個導電網(wǎng)格的觸摸屏傳感器，每個網(wǎng)格都具有線性跡線，其中第一網(wǎng)格按照一定的構造與第二網(wǎng)格疊加，從而將跡線的可見度最小化。其他技術人員人已試圖使用環(huán)境光減少構件，例如，光學干涉構件。參見第WO2003/105248號PCT國際公開案，其公開了一種光學干涉構件，所述構件包括：半吸收構件層，用于反射一部分入射環(huán)境光；基本透 明層，用于相移另一部分環(huán)境光；以及反射層，用于反射相移后的環(huán)境光，以使得光的兩個反射部分異相并且從而進行相消干涉。

技術實現(xiàn)要素：
需要改善基于金屬的導體網(wǎng)格的視覺外觀，以當網(wǎng)格被一體化到顯示器中并且在諸如直射陽光這樣的反射的平行光束下觀察時降低其可見度。本發(fā)明提供多種制品，其使用與導體微圖案的設計組合的改進的基底或?qū)щ姽鈱W干涉層。當一體化到顯示器或裝置中時，在光下觀察所述顯示器或裝置的時候，該組合降低了不良視覺效應，例如，星放射狀、閃光、光暈以及彩虹，所述光包括但不限于平行光或幾乎平行的光，例如陽光。一方面，本發(fā)明涉及一種制品，其包括（a）具有相對的第一表面和第二表面的基底；以及（b）設置在所述基底的第一表面上的導體微圖案，所述導體微圖案包含界定多個單元的多條跡線，其中所述導體微圖案具有大于80%的開放區(qū)域比率以及均勻的跡線取向的分布；并且跡線中的每一條各自具有0.5微米至10微米的跡線寬度，并且其中所述導體微圖案包含三層材料，所述三層材料按照順序包含半反射金屬、透明層以及設置在透明層上的反射層。附圖說明結合以下附圖可以進一步描述本發(fā)明，其中：圖1是一種規(guī)則六邊形微圖案的示意性俯視平面圖；圖2是一種多邊形微圖案的一部分的示意性俯視平面圖，本文中將該微圖案稱作偽隨機六邊形微圖案；圖3是基于規(guī)則六邊形的第一示例性非線性微圖案設計的示意性俯視平面圖，并且本文中將該微圖案稱作局部彎曲的六邊形微圖案；圖3a是圖3所示微圖案的若干個單元的分解圖；圖4是基于規(guī)則六邊形的第二示例性非線性微圖案設計的示意性俯視平面圖，并且本文中將該微圖案稱作完全彎曲的六邊形微圖案；圖4a是圖4所示的微圖案的若干個單元的分解圖；圖5是第三示例性非線性微圖案，偽隨機彎曲設計的俯視平面圖；圖6示出了展示測量方法的微圖案中的一個單元，該測量方法用于確定跡線取向；圖7示出了對于圖1所示微圖案垂直于跡線片段的取向的柱狀圖；圖8示出了對于偽隨機六邊形微圖案垂直于跡線片段的取向的柱狀圖，所述偽隨機六邊形微圖案的一部分如圖2所示；圖9示出了對于局部彎曲的六邊形微圖案垂直于跡線片段的取向的柱狀圖，所述局部彎曲的六邊形微圖案的一部分如圖3所示；圖10示出了對于完全彎曲的六邊形微圖案的跡線取向的角分布的柱狀圖，所述完全彎曲的六邊形微圖案的一部分如圖4所示；圖11、圖11a以及圖11b示出了能用于一體化到諸如顯示器這樣的裝置中的第一微圖案化基底的多個部分；圖12、圖12a以及圖12b示出了能用于一體化到諸如顯示器這樣的裝置中的第二微圖案化基底的多個部分；圖13示出了可以一體化到裝置中的第一微圖案化基底和第二微圖案化基底的疊加；以及圖14是第三示例性非線性微圖案的俯視平面圖，本文中將該微圖案稱作完全彎曲的正方形微圖案。這些圖未按比例繪制，并且僅用于示例性目的。具體實施方式除非另外指明，否則在說明書和權利要求書中用于表示特征尺寸、數(shù)量和物理特性的所有數(shù)字在所有情況下均應理解為被術語“約”修飾。因此，除非有相反的說明，否則在上述說明書和所附權利要求中列出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，其可以根據(jù)本領域的技術人員使用本文所公開的教示要尋求獲得的所需性質(zhì)而進行改變。由端值表述的數(shù)值范圍包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)字（例如,1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5）以及該范圍內(nèi)的任何范圍。本文中所用的“微圖案”是指點、跡線、填充形狀或其組合的布局，每個微圖案都具有不大于1mm的尺寸（例如，跡線寬度）。在優(yōu)選實施例中，所述微圖案是由界定多個單元的多條跡線形成的網(wǎng)格，每條跡線都具 有至少為0.5微米的寬度并且寬度通常不大于20微米。微圖案結構的尺寸可以根據(jù)微圖案的選擇而改變。在一些有利的實施例中，微圖案結構尺寸（例如，跡線寬度）小于10、9、8、7、6或5微米（例如，在1微米至3微米之間）。線性和非線性跡線在本發(fā)明中是可用的。本文所用的“可見光透明”是指未圖案化的基底或包含微圖案化基底的制品的透射水平為對可見光的至少一種偏振態(tài)至少呈60%的透射，其中透射百分比歸一化為入射的任選偏振光的強度。在“可見光透明”的含義內(nèi)，透射至少60%入射光的制品將包括微觀結構（例如，具有最小尺寸的點、方形或跡線，如寬度介于0.5微米和10微米之間、介于0.5微米和5微米之間，或介于1微米和5微米之間），所述微觀結構局部阻擋光線，使其透射率低于60%（例如0%）；然而，在這種情況下，對于包括微觀結構并且寬度為微觀結構最小尺寸1000倍的近似大致等軸區(qū)域，平均透射率大于60%。與“可見光透明”有關的術語“可見”修飾術語“光”，從而規(guī)定基底或微圖案化制品對其是透明的光的波長范圍。如本文所用，導體微圖案的“開放區(qū)域比率”（或開放區(qū)域或開放區(qū)域百分比）或?qū)w微圖案的區(qū)域是指未被導體遮蔽的微圖案面積或微圖案區(qū)域面積的比例。所述開放區(qū)域等于1減去由導體微圖案遮蔽的面積比率，并且可以便利且互換地表示成小數(shù)或百分比。被導體微圖案遮蔽的面積比率與導體微圖案的線的密度是可以互換地使用的。在本發(fā)明中可用的示例性開放區(qū)域比率值是那些大于50%、大于75%、大于80%、大于90%、大于95%、大于96%、大于97%、大于98%、大于99%、99.25%到99.75%、99.8%、99.85%、99.9%甚至99.95%的值。在一些實施例中，導體微圖案一區(qū)域（如,可見光透明的導電區(qū)域）中的開放區(qū)域介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達99.95%。如本文所用，“跡線”是指由兩個平面的相交處或者由一個平面和一個非平坦表面的相交處給定的幾何元件。由兩個平面的相交處給定的幾何元件在本文中被描述為線性的（或者描述為線性跡線）。由一個平面和一個非平坦表面的相交處給定的幾何元件在本文中被描述為非線性的（或者 描述為非線性跡線）。線性跡線具有零曲率，或者換句話說，線性跡線具有無窮大的曲率半徑。非線性跡線具有非零曲率，或者換句話說，非線性跡線具有有窮的曲率半徑。如解析幾何學中已知，可以沿著跡線為任一點確定曲率或者曲率半徑。另外，如解析幾何學中還已知，可以在位于線性或者非線性跡線上的一個點處構建一條法線。如本文所用，“抗反射的”是指表面或涂層的以下一種行為，即在材料與材料所暴露給的周圍介質(zhì)之間的界面處減少菲涅耳光反射，并且提高穿過該界面的透光率。如同本領域中已知，在不存在抗反射表面或者涂層的情況下，菲涅耳反射由材料和周圍介質(zhì)的折射率之間的差值決定。微圖案設計多個不同的幾何形狀或設計可以用于對本發(fā)明有用的導體微圖案。網(wǎng)格微圖案設計的類別包括：（A）那些具有重復的單元幾何形狀的設計，（B）那些具有非重復的單元幾何形狀的設計，（C）其單元具有的形心并非位于重復陣列上的那些設計，（D）其單元中的跡線具有均勻的跡線取向分布的那些設計。這些類別是不互相排斥的。在這些類別的每一個類別中，跡線都可以是線性的或非線性的（即，具有一些有窮的曲率半徑）。下文所述的網(wǎng)格微圖案在跡線的寬度或者單元的尺寸方面并非是限制性的。在一些實施例中，所述跡線具有介于0.1微米和20微米的范圍之間的寬度，在一些實施例中，介于0.5微米和10微米的范圍之間，在一些實施例中，介于0.5微米和5微米的范圍之間，在一些實施例中，介于0.5微米和4微米的范圍之間，在一些實施例中，介于0.5微米和3微米的范圍之間，在一些實施例中，介于0.5微米和2微米的范圍之間，在一些實施例中，介于1微米和3微米的范圍之間，在一些實施例中，介于0.1微米和0.5微米的范圍之間。在一些實施例中，網(wǎng)格導體微圖案的區(qū)域（例如，可見光透明的導電區(qū)域）中的開放區(qū)域介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達99.95%。（A）具有重復單元的微圖案重復單元幾何形狀的一個特征在于所述單元位于重復陣列上。單元位于重復陣列上表示：單元的形心與界定陣列的位點相隔不大于一較短距離（在每個單元僅有一個陣列位點的限制下）。這種對單元位置關系的描述關注的是網(wǎng)格單元的開放區(qū)域（或者開口），而不是網(wǎng)格的跡線或者網(wǎng)格的跡線交點（頂點）。在某些情況下，其中單元位于重復陣列上，所述單元的形心精確地位于點（即，位點）的陣列上。陣列是指二維空間中（即，在微圖案的平面中）位點的布局，其特征在于除位點外不包含其他內(nèi)容的單位單元的離散平移對稱。所述陣列的平移對稱根據(jù)一個或多個基礎向量來確定，所述基礎向量界定陣列在其上無變化的微圖案平面內(nèi)最小平移。在這種情況下，陣列可以包括例如正方形陣列（或正方形點陣）、矩形陣列（或矩形點陣），或者三角形陣列（或三角形點陣）。由于“較短距離”這一術語涉及使包含本文所述的單元的網(wǎng)格的形心能夠位于重復陣列上以從所述陣列的精確位點上位移，因此該術語表示小于通過以下方式給定的值的50%的距離：取可以按照位移的取向構建的最短陣列基礎向量的長度，然后用所述長度除以與所述基礎向量相關聯(lián)的單位單元中陣列位點的數(shù)量。在一些實施例中，其中所述單元位于重復陣列上，形心從陣列位點位移的距離小于通過以下方式給定的值的25%：取可以按照位移的取向構建的最短陣列基礎向量的長度，然后用該長度除以與所述基礎向量相關聯(lián)的單位單元中陣列位點的數(shù)量。這些類型的微圖案的示例性實例在圖1，圖3，圖4和圖14中示出?，F(xiàn)參照附圖，圖1示出了一種規(guī)則的六邊形導體微圖案10的示例性幾何形狀的俯視平面圖，所述規(guī)則的六邊形導體微圖案由多條線性跡線12形成。從12a到12f的六條跡線形成了一個具有開放區(qū)域的單元14。如圖所示，每條跡線長度都基本相等并且六個內(nèi)部角中的每一個都基本上為120°。所述網(wǎng)格單元的形心位于三角形點陣（或陣列）上。從界定六邊形單元一個邊緣的跡線的中心線到界定該六邊形單元相對邊緣的（平行）跡線的中心線的距離為例如200微米。圖3示出了一種非線性設計，即，局部彎曲的六邊形導體微圖案30的示例性幾何形狀的俯視平面圖，所述局部彎曲的六邊形導體微圖案由多條彎曲的跡線32形成，所述跡線界定了多個開放區(qū)域單元34。在一個方法 中，此微圖案設計的形成可以起始于圖1所示的規(guī)則的六邊形微圖案設計并且將每條跡線的中點位移一定距離，例如10微米，并且使所述跡線彎曲。圖3a示出了具有六條跡線的放大單元34’，所述六條跡線即示出的32a到32f。微圖案30的一個特征是跡線32a和32c的切線36a和36c通常不分別彼此平行。類似于圖1所示的網(wǎng)格微圖案，圖3所示的網(wǎng)格單元的形心位于點的三角形點陣（即，點的陣列）上。圖4示出了另一非線性設計，即，完全彎曲的六邊形導體微圖案40的示例性幾何形狀的俯視平面圖，所述完全彎曲的六邊形導體微圖案由多條彎曲的跡線42形成，所述跡線界定了多個單元44。在一個方法中，此微圖案設計的形成可以通過減少圖3所示的跡線的曲率半徑，例如，通過進一步將每條跡線的中點位移來實現(xiàn)。圖4a示出了具有六條跡線的放大單元44’，所述六條跡線，即42a到42f。微圖案40的一個特征是跡線42a和42c的切線46a和46c通常不分別彼此平行。類似于圖1所示的網(wǎng)格微圖案，圖4所示的網(wǎng)格單元的形心位于點的三角形點陣（即，點的陣列）上。圖14示出了另一示例性非線性微圖案設計240，該微圖案設計的形成可以起始于一個正方形并且將該正方形每一側的中點位移一定距離，并且使所述跡線彎曲。示出了界定開放區(qū)域單元244的四條跡線，即242a到242d。圖14的網(wǎng)格單元的形心位于正方形點陣（即，點的陣列）上。（B）具有非重復單元的微圖案對于具有非重復單元幾何形狀的網(wǎng)格微圖案而言，單元可以位于重復陣列（例如，矩形陣列、正方形陣列，或者三角形陣列）上或者可能并非如此。在該單元幾何形狀中，單元不具有相同尺寸和相同形狀。在圖2中示出了該類型的單元幾何形狀的一個示例性實例。圖2示出了一種偽隨機六邊形導體微圖案20的示例性幾何形狀的俯視平面圖，所述偽隨機六邊形導體微圖案由多條線性跡線22形成，所述跡線界定了多個單元24。在一個方法中，該微圖案設計的形成可以起始于圖1所示的規(guī)則的六邊形圖案設計并且在隨機的方向上將頂點位移小于初始六邊形單元的邊緣長度的隨機距離，并且維持線性跡線。在將頂點位移小于初始六邊形單元的邊緣長度的距離（例如，位移小于邊緣長度一半的距離）而形成微圖案時，微圖案20的一個特征在于，單元的形心位于與陣列 的點相隔較短距離之內(nèi)，所述陣列由圖1所示網(wǎng)格的單元的初始形心位置界定。更具體地講，圖2所示的網(wǎng)格單元的形心位于一定距離內(nèi)，該距離等于由圖1所示初始網(wǎng)格的形心界定的陣列位點之間的最小間距的50%（即，對于由六邊形網(wǎng)格單元形心界定的三角形點陣而言，等于在位移方向上的基礎向量長度的50%）。該結果是由于以下事實產(chǎn)生的：圖1所示的每個初始網(wǎng)格單元開口的形心基本上通過略移動頂點這一過程還沒有被位移。在這種情況下，本文中將單元表示為位于一個陣列上。在下文所公開的一些實施例中，形心的位置（不僅僅是頂點的位置）也同樣被指明為是隨機的。（C）具有不在一個陣列上的單元的微圖案如上文所定義，如果網(wǎng)格微圖案的單元在二維中被布置為使得單元的形心位于與界定陣列的位點相距不大于一較短距離，那么在本文中將所述網(wǎng)格單元視作位于一個重復陣列（或者位于一個陣列）上。在某些情況下，其中單元位于重復陣列上，所述單元的形心精確地位于點的陣列上。如本文中所用的術語，具有不在重復陣列上（即，不位于重復陣列之上）的單元的微圖案的一個特征在于，網(wǎng)格單元的形心（即，單元開口的形心）被布置為使得無法使用包含四個或四個以下位點的單位單元來構建位點的陣列，以使得網(wǎng)格的所有形心位于一定距離之內(nèi)，該距離小于通過以下方式給定的值的50%：取可以按照位移的取向構建的最短陣列基礎向量的長度，然后用該長度除以與所述基礎向量相關聯(lián)的單位單元中陣列位點的數(shù)量（在每個單元僅具有一個陣列位點的附加限制下）。對于該網(wǎng)格微圖案，所述單元通常不具有相同尺寸和形狀。在目前所討論的三種微圖案中（A、B和C），C類型的微圖案不規(guī)則程度較高。在圖5中示出了該類型的單元幾何形狀的一個示例性實例。圖5示出了又一非線性設計，即，偽隨機彎曲的導體微圖案50的一部分的俯視平面圖，所述偽隨機彎曲的導體微圖案由多條跡線52形成，所述跡線界定了多個開放區(qū)域單元54。該幾何形狀包括由彎曲的導電跡線界定的單元，每個單元都具有2微米的示例性寬度。具有偽隨機彎曲設計的導體微圖案的單元可以具有界定所述單元的不同數(shù)目的邊緣或跡線，例如，具有四個到八個邊緣。所述單元的尺寸可以在10,000平方微米的面積到 70,000平方微米的面積范圍內(nèi)變化。作為參考，圖1所示的規(guī)則六邊形微圖案的面積為35,000平方微米。例如由每個單元的形心界定的所述單元的位點并非位于勻距陣列上。（D）具有均勻的跡線取向分布的微圖案此類微圖案的一個特征在于，就單元幾何形狀或者單元形心位點而言，此類微圖案并不受限制。為了更好地描述此類微圖案的幾何形狀，使用跡線取向的角分布概念。跡線取向的角分布如本文中進一步描述，每條跡線設計都可以以跡線取向的角分布為特征。如可以根據(jù)本文所述的過程并且在1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)進行測量的那樣，本文中的偽隨機彎曲設計的跡線取向的角分布基本上是均勻的。例如，在一些實施例中，對于分布的均勻度，在微圖案的平面內(nèi)無法建立任何基準取向，使得對于該基準取向，在該基準取向的正負10度范圍內(nèi)不存在微圖案中跡線片段的法線。在一些情況下，在微圖案的平面內(nèi)無法建立任何基準取向，使得對于該基準取向，在該基準取向的正負5度范圍內(nèi)不存在微圖案中跡線片段的法線。在一些情況下，在微圖案的平面內(nèi)無法建立任何基準取向，使得對于該基準取向，在該基準取向的正負2度范圍內(nèi)不存在微圖案中跡線片段的法線。另外對于分布的均勻度，在例如1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)，在微圖案的平面中不存在取向的兩個20°范圍，使得對于這兩個范圍，這兩個范圍中跡線片段的法線的積分密度的差異大于這兩個積分密度值中較小密度值的50%。在一些情況下，在例如1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)，在微圖案的平面中不存在取向的兩個20°范圍，使得對于這兩個范圍，這兩個范圍中跡線片段的法線的積分密度的差異大于這兩個積分密度值中較小密度值的25%。在一些情況下，在例如1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)，在微圖案的平面中不存在取向的兩個20°范圍，使得對于這兩個范圍，這兩個范圍中跡線片段的法線的積分密度的差異大于這兩個積分密度值中較小密度值的10%。在一些情況下，在例如1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)，在微圖案的平面中不存在取向的兩個10°范圍使得對于這兩個范圍，這兩個范圍中跡線片段的法線的積分密度的差異大于這兩個積分密度值中較小密度值的10%。在一些情況下，在例如1厘米×1厘米的區(qū)域內(nèi)，在微圖案的平面 中不存在取向的兩個5°范圍使得對于這兩個范圍，這兩個范圍中跡線片段的法線的積分密度的差異大于這兩個積分密度值中較小密度值的10%。本發(fā)明的微圖案將在其他微圖案中觀察到的大量潛在的不良視覺特征同時最小化，尤其是在與信息顯示器結合時（例如，在手機、智能電話、平板電腦、膝上型計算機、臺式計算機監(jiān)控器、閱讀裝置、車載顯示器或者零售顯示上）。如上所述，這些潛在的不良視覺特征包括星放射狀、彩虹和閃光。通過微圖案設計來緩解的潛在不良特征還包括與顯示器的像素圖案的莫爾云紋干涉。通過微圖案設計來緩解的潛在不良特征還包括顯著地阻礙（例如，25%、50%或者甚至75%）顯示器各個像素的可見性（使信息模糊、但是未必會產(chǎn)生莫爾云紋圖）。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，微圖案相對于顯示器傾斜（例如，旋轉或者偏斜），從而對一個或多個潛在的不良視覺特征的緩和進行優(yōu)化。微圖案的傾斜對最小化與像素化顯示器的莫爾云紋干涉尤其有用。盡管傾斜，但是在一些情況下，分布在位點的正方形陣列上的四邊形單元幾何形狀（例如，完全彎曲的正方形單元幾何形狀）對最小化莫爾云紋干擾是非常有利的。在本發(fā)明中有用的跡線群體的取向可以被量化為一種分布，該分布描述了微圖案內(nèi)不同取向的跡線片段的相對濃度、存在率或者豐盈度。該分布可以用于描述包含線性跡線或非線性跡線的微圖案中跡線群體的取向。另外，它還可以用于描述包含重復幾何形狀的微圖案（例如，在正方形或六邊形微圖案的情況下）中跡線群體的取向，或者用于描述包含非重復幾何形狀的微圖案（例如，在包含線性跡線（如圖2）或非線性跡線（圖5）的偽隨機微圖案設計的情況下）中的跡線群體的取向。描述符為微圖案每單位面積的一體化微圖案跡線長度，該長度隨著跡線法線的取向變化。換句話說，所述描述符可以表示為形成導體微圖案的跡線片段的取向的頻率分布（或者跡線片段的法線的取向的分布）。所謂“一體化”是指在具有特定取向的界定區(qū)域內(nèi)跡線的總跡線寬度之和。為了收集具有非線性跡線的導體微圖案內(nèi)取向的上述頻率特征，可以使用以下流程。所述流程包括用于在例如在11英寸×17英寸的紙上放大印刷微圖案設計的一系列手工繪圖和測量步驟。所述特征流程包括以下步驟：（a）在紙上印刷微圖案的放大圖，（b）將微圖案的跡線劃分為具有 近似相等路徑長度的至少200個片段，（c）手工繪制每個片段的法線，（d）通過建立0°方向而建立取向參考系，并且隨后（e）相對于0°方向測量每條法線的取向（例如，使用量角器）。由于以下原因，可以使用180°的角度范圍來描述跡線并因此描述跡線的法線。直地向上或者向下延伸的跡線可以被隨意地描述為向上取向或者向下取向。向上取向的跡線或者其法線與向下取向的跡線或者其法線是沒有區(qū)別的。因此，無法生成與向下取向的跡線以任何方式不同的向上取向的跡線（即，向上的跡線不同于向下的跡線這種暗示是毫無意義的）。因此，可能的跡線片段取向的完整范圍僅需要180°的角度范圍。圖6示出了圖4所示實施例中的一個完整單元的圖，其中在跡線片段P1處測量跡線取向的法線的角度。為了簡潔起見，僅示出了200個片段中的一個片段。如圖所示，繪制了跡線片段P1的法線N。所繪制的切線T與跡線片斷P1和法線N都相交。如虛線箭頭所示，繪制了基準零度線。隨后可以測量角度θ（θ）以確定基準線與法線之間的角度。隨后針對類似于P1的片段，沿著六條跡線中的每一條跡線多次重復該測量過程。可以為單元繪制任意數(shù)目，但足夠多的片段（在這種情況下，為了統(tǒng)計意義上的顯著性測量繪制200個片段）。針對六條跡線中的每一條跡線繪制近似相等數(shù)目的片段。如此測量的跡線片段的法線取向分布可以通過繪制取向測量的柱狀圖來呈現(xiàn)。應該指出的是，跡線片段的法線取向分布提供了與跡線片段自身取向的分布的直接相關性。對于本文中的微圖案，針對組成微圖案至少一個完整單元的跡線執(zhí)行所述流程。對于具有在兩個方向上重復以生成二維微圖案的單一單元形狀和尺寸的微圖案，組成單個單元的跡線的特征足夠用于確定更大范圍內(nèi)（例如，在覆蓋10個、100個或者甚至1000個單元的區(qū)域內(nèi)）該二維微圖案的跡線取向的分布。例如，組成直徑為200微米的單個規(guī)則六邊形單元的跡線的特征足夠用于確定此類1毫米×1毫米、1厘米×1厘米或者甚至1米×1米單元的規(guī)則六邊形微圖案的跡線取向的分布。對于具有多個單元形狀或者尺寸的微圖案，應該對足夠數(shù)目的單元進行特征化，以確定具有有效精確度（例如，其中當與1毫米×1毫米、1厘米×1厘米或者甚至1米×1米的實際導體微圖案區(qū)域內(nèi)的跡線取向的實際分布相 比時，如此測量的跡線取向的分布呈現(xiàn)至少為0.8、至少為0.9、至少為0.95，或者甚至至少為0.99的R2相關系數(shù)）的整個微圖案的跡線取向的分布。在測量了跡線片段的法線取向（用角度θ表示）之后，可以將它們分箱（bin）到兩個微米箱（micronbin）中，從而生成了從0度到180度的90個箱。每個箱都包括表示形成了在箱的兩個角度范圍內(nèi)的取向的測量的數(shù)目的一個整數(shù)。所述分箱流程產(chǎn)生取向的離散分布。最終，可以計算頻率值的標準偏差（每2度箱的測量頻率的標準偏差）。對于跡線片段的一些法線的分布，以及被視作是均勻的本文中所描述的跡線取向的分布，因此計算出的標準偏差小于四。對于本文中被描述為均勻的一些跡線取向分布，因此計算出的標準偏差小于三。對于本文中被描述為均勻的一些跡線取向分布，因此計算出的標準偏差小于二。對于本文中均勻的一些跡線取向分布，因此計算出的標準偏差小于一。圖7示出了圖1所示微圖案的規(guī)則六邊形的多條跡線片段的角度θ的柱狀圖。在三個角度處出現(xiàn)了三個不同的峰，每個角度都距離其他峰大約60度。應該指出的是，柱狀圖的x軸上所示的角度絕對值是任意的，因為這三個峰可以在其他角度出現(xiàn)，例如，40°、100°和160°，只要它們間隔約60°即可。得到三個峰，因為參照圖1，跡線12a和12d、12b和12e以及12c和12f的法線取向角度相同。對于此種微圖案，每2度箱的測量頻率的標準偏差被測量為11.6，其直接指示出高度的不均勻性。分別針對圖2所示的偽隨機六邊形微圖案、圖3所示的局部彎曲的微圖案，以及圖4所示的完全彎曲的微圖案，圖8、圖9和圖10分別示出了角度q的柱狀圖。與圖1所示的微圖案的柱狀圖相比，這些柱狀圖中的每一者都具有更寬的角度q分布，其中圖10的柱狀圖具有這四個微圖案的最均勻分布。此外，這些柱狀圖的標準偏差為1.6（圖8）、2.6（圖9）以及1.0（圖10）。進一步描述位于具有非線性跡線的導體微圖案內(nèi)的跡線片段取向的分布，在本文所描述的微圖案范圍內(nèi)，具有均勻的分布并且還具有并未在此分布中呈現(xiàn)的一些取向或者較小的取向范圍。也就是說，在微圖案的給定區(qū)域內(nèi)在所有180°的可能取向范圍內(nèi)具有跡線或跡線片段取向的絕對均勻 分布的微圖案不會從本文所描述的微圖案范圍中移除，從而通過移除單條跡線（或者跡線片段）或者通過移除窄角度范圍內(nèi)（例如，在5°的角度范圍內(nèi)，或者在2°的角度范圍內(nèi)）的所有跡線來獲得“均勻的分布”。參照上文中所描述的用于對部分跡線片段取向的頻率進行測量（大約200次測量）以及分箱（2°箱）的流程，偽隨機彎曲微圖案（圖5所示）可以具有小于5、小于3、小于2、1，或者甚至小于1的每2°箱的測量頻率的標準偏差。除了跡線片段取向分布的均勻性之外，還可以根據(jù)跡線的曲率半徑來描述本發(fā)明的導體微圖案的幾何形狀。在一些情況下，包含微圖案的跡線的曲率半徑小于1厘米。在一些情況下，包含網(wǎng)格圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都小于1厘米。在一些情況下，包含微圖案的跡線的曲率半徑小于1毫米。在一些情況下，包含微圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都小于1毫米。在一些情況下，包含網(wǎng)格圖案的跡線的曲率半徑介于50微米和1毫米之間。在一些情況下，包含微圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都介于50微米和1毫米之間。在一些情況下，包含微圖案的跡線的曲率半徑介于75微米和750微米之間。在一些情況下，包含微圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都介于75微米和750微米之間。在一些情況下，包含網(wǎng)格圖案的跡線的曲率半徑介于100微米和500微米之間。在一些情況下，包含微圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都介于100微米和500微米之間。在一些情況下，包含微圖案的跡線的曲率半徑介于150微米和400微米之間。在一些情況下，包含微圖案的基本上所有跡線的曲率半徑都介于150微米和400微米之間。包含三層材料的導體所述三層（即，多層）材料導體由按照“金屬-電介質(zhì)-金屬”的順序涂覆的三個真空沉積的薄膜構成。所述兩個金屬層在其光學特性上有所不同。第一金屬層是光學上不透明的并且足夠厚，從而允許非常低（例如，基本上為百分之零）的透光率，具有高反射性但不具有高吸收性。第二層是電介質(zhì)層，并且在可見波長下是透明的。第三層是半透明的金屬層。所述三層結構可以按照兩個取向或者順序（即，第一金屬先沉積或者第二金屬先沉積）被沉積在基底的表面上。如果在厚度方面以及金屬和透明材料 的選擇方面設計得當，則所述薄膜疊堆從具有半透明金屬層的一側觀察是呈現(xiàn)出減少的反射。從頂部半透明金屬層和底部不透明金屬層反射的光的交互作用確定反射光譜，或者觀察到的顏色。為了形成非常低的反射率或者暗反射（darkreflectance），這兩個反射的相位差應該受到控制以使其在可見波長的范圍內(nèi)相等，即反射率盡可能的低。這可以通過為每個層選擇適當?shù)牟牧弦约皩雍穸葋硗瓿?。所述不透明的金屬層一般為銀或鋁，但也可以是其他具有低吸收率的高反射性金屬。電介質(zhì)層為聚合物層，由丙烯酸酯材料構成，但也可以為可見透明的無機材料，例如，二氧化硅，而半透明的金屬層通常為鉻，但也可以為光學常數(shù)（n,k）比接近1的其他金屬（例如，鈦）。如果需要將這兩個金屬層電連接，那么它們必須具有穿過透明層的傳導路徑。這可以發(fā)生在透明層中的缺陷位置處，所述缺陷位置是層不規(guī)則性以及層錯的結果，所述層不規(guī)則性以及層錯會局部干擾層均一性。所述三層材料可以按照多種方式在配備有合適沉積源的涂層室中制備；例如，按照順序以及連續(xù)的方式，例如，膜上或者輸送線涂覆離散基底中的輥到輥的涂覆。另一個方法采用批料涂覆概念，其中將一個離散基底（或者多個離散基底）置于室中并且進行涂覆，隨后將其移除并且用下一批離散基底進行替換?？梢栽谝粋€室中將所有三個層都順序地涂覆在批料上，或者每個批料都可以具有一個在室內(nèi)進行涂覆的層，隨后被移動到下一個室中用于下一個層。在任何一種方法中，真空涂覆工藝最適用于在所需的很薄且很精確的厚度水平下對特定的材料進行涂覆。對于金屬和無機電介質(zhì)的涂覆，物理氣相沉積是最佳的選擇，而電子束沉積或者濺射也是使用最廣泛的。如果電介質(zhì)（透明）層是有機的，那么可以使用有機氣相沉積或者等離子聚合或者液體涂覆等方法。適用于不透明的高反射性層的金屬包括銀、鈀、鉑、鋁、銅、鉬、鎳、錫、鎢、合金，以及它們的組合。適用于半反射性金屬層的金屬包括鈦、鉻、鋁、鎳、銅、金、鉬、鉑、銠、銀、鎢、鈷、鐵、鍺、鉿、鈀、錸、釩、硅、硒、鉭、釔、鋯，以及它們的組合和合金。適用于透明材料的材料包括丙烯酸類聚合物、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、HfO2、Sc2O3、La2O3、ThO2、Y2O3、CeO2、MgO、Ta2O5以及它們的組合。在一些實施例 中，所述半反射性金屬包含鉻或鈦，所述不透明的且反射性的金屬包含銀或鋁，而透明的材料包含丙烯酸類聚合物、SiO2，或者TiO2。半反射性金屬的厚度可以介于1納米和50納米之間，在一些情況下介于2納米和20納米之間。透明材料的厚度可以介于20納米和100納米之間，在一些情況下介于40納米和80納米之間。不透明高反射性金屬的厚度可以介于50納米和10微米之間，在一些情況下介于75納米和1微米之間，并且在另一些情況下介于100納米和250納米之間。制造導體微圖案的方法可以使用任何適當?shù)姆椒▉碇苽渚哂斜景l(fā)明所公開的設計的導體微圖案。制備導體微圖案的方法的實例包括刪減或添加法。示例性的刪減法包括將圖案化的掩模放置在設置于基底（例如，可見光透明的基底）上的金屬涂層上，隨后進行選擇性蝕刻（其中將金屬從未被掩模覆蓋的金屬涂層的區(qū)域中移除，而被掩模覆蓋的金屬涂層的區(qū)域中的金屬保留）。合適的掩模包括光致抗蝕劑（如所屬領域中已知，通過光刻法進行圖案化）、印刷的聚合物，或者印刷的自組裝單分子層（例如，使用微接觸印刷技術進行印刷）。其他示例性刪減法包括最初將圖案化的剝離掩模（lift-offmask）放置在基底（例如，可見光透明的基底）上，用金屬導體（例如，薄膜金屬）對被掩模和不被掩模的區(qū)域進行表層涂覆，以及對剝離掩模和任何設置在其上的金屬進行洗滌。示例性的添加工藝包括按照所需的微圖案幾何形狀的形式在基底（例如，可見光透明的基底）上印刷無電沉積催化劑，隨后進行圖案化無電金屬沉積（例如，銅或鎳）。形成導體微圖案的優(yōu)選方法包括微接觸印刷。與減小導體圖案的反射率的其他方法（涂覆有炭黑填充材料或者讓金屬局部反應以形成吸收反應產(chǎn)物，例如，硫化物）相比，可以發(fā)現(xiàn)，本文所描述的方法特別適合與基于微接觸印刷和蝕刻的圖案化方法組合，從而產(chǎn)生待加工的特定微圖案設計參數(shù)（例如，0.5微米至10微米、0.5微米至5微米，或者1微米至3微米的跡線寬度），以及導體厚度（例如，具有介于0.001微米和2微米之間、介于0.05微米和1微米之間、介于0.075微米和0.5微米之間，或者介于0.1微米和0.25微米之間的厚度的第一金屬層或者第二金屬層）。將炭黑填充的材料放置在微米級結構上是不切實際的。將亞微米厚的金屬（例 如，介于0.075微米和0.5微米之間，或者介于0.1微米和0.25微米之間）局部化學轉換為吸收性反應產(chǎn)物并不能在不同時顯著減小所述層的電導系數(shù)的情況下有效地顯著減小反射率。在基底（例如，可見光透明）包含在暴露于空氣中時能夠抗反射的納米結構化表面的情況下：提供基底，該基底包括在暴露于空氣中時抗反射的納米結構化表面；將金屬導體沉積（例如，通過濺射或者通過蒸鍍）到所述表面上；使用彈性壓模按照一定圖案印刷自組裝單層（SAM）；并且最終金屬被從不具有SAM的沉積金屬區(qū)域蝕刻，而不從包括SAM的沉積金屬區(qū)域被蝕刻。在三層材料導體的情況下：提供具有主表面的基底（例如，可見光透明）；將半反射性的金屬沉積在基底表面上（在一些情況下為厚度介于1納米和20納米之間的鈦）；將透明的材料沉積在半反射性的金屬上（在一些情況下為厚度介于50納米和100納米之間的SiO2）；將不透明的反射性金屬沉積在透明的材料上（在一些情況下首先沉積Ti金屬導體來作為厚度介于5埃和5納米之間的粘附力促進層，隨后沉積厚度介于50納米和250納米之間的銀）；使用彈性壓模按照一定圖案印刷自組裝單層（SAM）；并且最終從不具有SAM的沉積金屬區(qū)域蝕刻銀，而不從包括SAM的沉積金屬區(qū)域?qū)︺y進行蝕刻；在蝕刻的第二階段，將不透明的反射性金屬下方材料的后續(xù)層從不具有SAM的沉積金屬區(qū)域進行蝕刻，而不從包括SAM的沉積金屬區(qū)域進行蝕刻。使用微圖案導體制造制品的方法設置在基底表面上的導體微圖案可用于制造多種不同的制品。包含透明的導電圖案的部件包括用于觸屏顯示器的觸摸傳感器面板。一些用于觸屏顯示器的觸摸傳感器面板，例如，適用于與利用互電容模式檢測的電子器件組合并且可能包括多點觸控分辨能力的一些觸摸傳感器面板，包括兩個或兩個以上重疊的導體圖案。兩個或兩個以上重疊的導體圖案可以通過將兩個基底與透光的粘合劑層合在一起而形成，根據(jù)本發(fā)明，每個基底都具有設置在其一個主表面上的導體微圖案。在基底為透明的并且在導體微圖案具有高開放區(qū)域比率時，這樣層合的制品可以為可見光透明的。用于形成層合構造的合適基底的實例包括上文所列舉的聚合物膜基底。用于形成層合構造的合適粘合劑材料的實例為呈現(xiàn)出至少約為90%或者甚至更高的透光率以及低于約5%或者甚至更低的濁度值的光學透明的粘合劑。透光率和濁度的測量可以通過使用型號為9970BYKGardnerTCSPlus的分光光度計（Model9970BYKGardnerTCSPlusSpectrophotometer）（來自美國馬里蘭州的哥倫比亞市的BYK加特納公司（BYKGardner））將其設置在25微米的聚酯膜454（來自美國特拉華州威爾明頓市的杜邦公司）與A75×50毫米平坦載物片（來自美國密歇根州米德蘭的道康寧公司的載玻片）之間。合適的光學透明的粘合劑可以具有抗靜電特性，與基于金屬的導體相容，并且可以能夠通過拉伸在示例性的光學粘合劑中所描述的粘合劑而從玻璃基底中釋放出來，包括在以下文檔中進行描述的那些粘合劑：涉及防靜電光學壓敏粘合劑的第WO2008/128073號PCT國際公開案、涉及拉伸釋放的光學透明的壓敏粘合劑的第US2009-030084A1號美國專利申請公開案、涉及具有光傳輸性質(zhì)粘合劑的防靜電光學構造的US2010-0028564A1、涉及光學透明的拉伸釋放粘合帶的第WO2009/114683號PCT國際公開案、涉及與腐蝕敏感層相容的粘合劑的WO2010/019528，以及涉及拉伸釋放粘合帶的WO2010/078346。在一項實施例中，光學透明的粘合劑的厚度約為5μm或者更小。其上設置有導體微圖案的基底，或者包含兩個或兩個以上其上設置有導體微圖案的基底的層合物可以被進一步層合到顯示器，例如，液晶顯示器（LCD）、有機發(fā)光二極管（OLED）顯示器、等離子體顯示面板（PDP）、電泳顯示器（EP），或者電濕潤顯示器。可以使用所引用的粘合物材料將此種基底或者層合物層合到顯示器上。其上設置有導體微圖案的基底或者包含兩個或兩個以上其上設置有導體微圖案的基底的層合物可以被進一步層合到另一種材料，例如，層合到剛性支撐件，所述剛性支撐件例如是厚（例如，1毫米）聚合物片或者玻璃片。剛性支撐件的實例包括諸如手機或者智能電這樣的移動手持裝置的透鏡。在一些實施例中，本文所描述的導體微圖案設置在基底的不止一個側面上，例如設置在可以是柔性或者剛性的平坦基底的每個主表面上，如已描述的那樣。對于需要在取向上標稱平行且在垂直于微圖案的方向上間隔 開的兩個導體微圖案的應用，可能有利的是將這兩個微圖案設置在相同平坦基底的每一側上，例如，設置在聚合物膜的每一側上。圖11示意性地示出了示例性的第一圖案化基底700（未按比例繪制），其在基底的第一側上具有多個第一連續(xù)區(qū)域702，所述多個第一連續(xù)區(qū)域在多個第一非連續(xù)區(qū)域704之間交替，所述第一側為含有蝕刻和圖案化的三層（即，多層）導體的側面。所述三層導體可以與其半透明的金屬層一起取向成鄰近所述基底，隨后是其透明的電介質(zhì)層，然后是其高反射性的光學不透明的金屬層。所述第一圖案化的基底實際上具有11個第一連續(xù)區(qū)域702。所述第一連續(xù)區(qū)域702的寬度約為2.2毫米，節(jié)距約為4.95毫米，長度約為95毫米。所述基底具有基本上為裸露的PET薄膜的相對的第二側。第一區(qū)域702中的每一個都具有設置在一端處的相應40微米寬的導電跡線706，用于與每個第一連續(xù)區(qū)域702發(fā)生電接觸。如上所述，第一圖案化基底的網(wǎng)格設計在形狀和尺寸方面可以是偽隨機的，包括組成網(wǎng)格的導電跡線的曲率（與圖11a和圖11b中描繪的六邊形網(wǎng)格設計相比）。透明的傳感器元件第二圖案化基底的形成一個示例性的第二圖案化基底可以使用第二可見光基底被形成為第一圖案化基底，從而生成具有圖案化三層（即，多層）導體的第二薄膜。所述三層導體可以與其半透明的金屬層一起取向成鄰近所述基底，隨后是其透明的電介質(zhì)層，然后是其高反射性的光學不透明的金屬層?？梢孕纬傻诙耗?，其使第二連續(xù)的網(wǎng)格圖案區(qū)域插入在第二不連續(xù)的網(wǎng)格圖案區(qū)域之間。圖12示意性地示出了第二圖案化基底720（未按比例繪制），其在第二基底的第一側上具有多個第二連續(xù)區(qū)域722，所述多個第二連續(xù)區(qū)域在多個第二非連續(xù)區(qū)域724之間交替，所述第一側為含有蝕刻和圖案化的銀金屬噴鍍的側面。所述第二圖案化基底實際上具有19個第一連續(xù)區(qū)域722。所述第二連續(xù)區(qū)域722的寬度約為4.48毫米，節(jié)距約為4.93毫米，長度約為55毫米。第二連續(xù)區(qū)域722中的每一個都具有設置在一端處的相應40微米寬的第二導電跡線726，用于與每個第二連續(xù)區(qū)域722發(fā)生電接觸。如上所述，第一圖案化基底的網(wǎng)格設計在形狀和尺寸方面可以是偽隨機的，包 括組成網(wǎng)格的導電跡線的曲率（與圖12a和圖12b中描繪的六邊形網(wǎng)格設計相比）。投射電容式觸摸屏傳感器元件的形成可以利用以上制備的第一圖案化基底和第二圖案化基底按下列方式來制備雙層投射電容式觸摸屏透明傳感器元件。使用得自美國明尼蘇達州圣保羅的3M公司的光學透明層合粘合劑8271（OpticallyClearLaminatingAdhesive8271）將第一圖案化基底和第二圖案化基底粘合在一起，以產(chǎn)生多層構造。用手持輥來使這兩個圖案化基底層合，其中第一導電跡線區(qū)域706和第二導電跡線區(qū)域726無粘合劑。使用光學透明的層合粘合劑8146-3（OpticallyClearLaminatingAdhesive8146-3）將該多層構造層合到0.7mm厚的浮法玻璃上，使得第一基底的第一側靠近浮法玻璃。無粘合劑的第一導電跡線區(qū)域706和第二導電跡線區(qū)域726允許與第一圖案化基底700和第二圖案化基底720進行電連接。圖13示意性地示出了（未按比例繪制）多層觸摸屏傳感器元件740的俯視平面圖，其中已對第一圖案化基底和第二圖案化基底進行了疊加（如同將第一圖案化基底和第二圖案化基底進行層合所引起的疊加）。區(qū)域730表示第一連續(xù)區(qū)域和第二連續(xù)區(qū)域的重疊部分。區(qū)域732表示第一連續(xù)區(qū)域和第二不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。區(qū)域734表示第二連續(xù)區(qū)域和第一不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。并且，區(qū)域736表示第一不連續(xù)區(qū)域和第二不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。雖然存在多個這些重疊區(qū)域，但為了便于說明，在圖中每一種只示出一個區(qū)域。觸摸傳感系統(tǒng)的額外部件可以用于對透明傳感器元件進行互電容測量的集成電路是CY3290-TMA300TrueTouchTMDevKit，其具有修正參考Rev*D，包含I2C對USB轉換器橋以及微控制器TMA350（可以從美國加利福尼亞州圣何塞市的賽普拉斯半導體公司（CypressSemiconductor）購得）。如本領域中已知，TMA350可以被配置用于透明的傳感器元件。根據(jù)具體設計，所述配置對于各個觸摸屏是可以改變的。在這種情況下，該系統(tǒng)可以驅(qū)動19個不同的感應條（bar），并且可以測量11個不同的感應條。TMA350的配置可以包 括選擇轉換通道數(shù)目、如何精確或者快速地進行測量、噪音和觸摸閾值、要采用的任何數(shù)字濾波器以及專門針對CY3290-TMA300的多種其他設置。在進行以上測量的同時，微控制器也通過TrueTouchTM橋接器（TrueTouchTMBridge）將數(shù)據(jù)發(fā)送到具有監(jiān)控器的計算機，所述橋接器將I2C從TMA350轉換到USB用于計算機接口。此USB接口允許賽普拉斯TrueTouchTM軟件（CypressTrueTouchTMsoftware）從TMA350中獲得數(shù)據(jù)并且觀察所述值是如何在觸摸與不觸摸之間發(fā)生變化的。觸摸傳感系統(tǒng)的測試結果可以將透明的傳感器元件連接到觸摸傳感器驅(qū)動裝置。當在玻璃表面上進行手指觸摸時，計算機監(jiān)控器可以采用顏色改變的形式（黑色到綠色）在監(jiān)控器的對應位置上呈現(xiàn)觸摸傳感區(qū)域內(nèi)發(fā)生觸摸的位置，并且在鄰近的顯示器上顯示所述位置，以模擬觸摸屏系統(tǒng)的結果。當在玻璃表面上同時進行兩次、三次以及四次手指觸摸時，計算機監(jiān)控器可以采用顏色改變的形式（黑色到綠色）在監(jiān)控器的對應位置上呈現(xiàn)觸摸傳感區(qū)域內(nèi)發(fā)生觸摸的位置，并且在觸摸屏模擬顯示器上顯示所述位置。應用在一些實施例中，本文所描述的制品包含導體微圖案，所述導體微圖案包含非線性跡線，所述跡線界定設置在可見光透明基底上或可見光透明基底中的單元幾何形狀的開放微圖案。在一些此類的實施例中，導體微圖案形成EMI屏蔽罩的至少一部分。在一些此類的實施例中，導體微圖案形成天線的至少一部分。在一些此類的實施例中，導體微圖案形成觸摸傳感器（例如，觸摸屏傳感器）的至少一部分。在一些此類的實施例中，導體微圖案形成顯示器電極的至少一部分，例如，對電極，例如，電泳顯示器中的對電極。在一些實施例中，本文所描述的制品包含：第一導體微圖案，所述第一導體微圖案包含非線性跡線，所述跡線界定設置在可見光透明基底上或可見光透明基底中的單元幾何形狀的第一開放微圖案；以及第二導體微圖案，所述第二導體微圖案包含非線性跡線，所述跡線界定與所述第一導體微圖案電隔離的單元幾何形狀的第二開放微圖案。第二導體微圖案可以設 置在與第一導體微圖案相同的基底上，或者其可以設置在另一基底上。所述第二導體微圖案與所述第一導體微圖案疊加。在一些實施例中，兩個導體微圖案形成觸摸傳感器（例如，觸摸屏傳感器）的至少一部分。在一些實施例中，兩個導體微圖案形成電泳顯示器的至少一部分?；蛘撸诹硪粚嵤├?，導體微圖案中的一個形成觸摸傳感器（例如，觸摸屏傳感器）的至少一部分，而另一個導體微圖案可以充當無線通信的天線。在又一實施例中，導體微圖案中的一個形成觸摸傳感器（例如，觸摸屏傳感器）的至少一部分，而另一個導體微圖案可以充當電磁干擾（EMI）屏蔽罩。在又一實施例中，導體微圖案中的一個形成無線通信天線的至少一部分，而另一個導電微圖案可以充當電磁干擾（EMI）屏蔽罩。實例基底在此實例部分中使用了兩個不同的基底。第一基底是聚對苯二甲酸乙二醇酯（“PET”）的可見光透明基底，其厚度約為125微米，可從美國特拉華州的威爾明頓市的杜邦（E.I.duPontdeNemours）公司按照產(chǎn)品標號ST504購得。第二基底是根據(jù)WO2010/07871A1的公開內(nèi)容制備的結構化三醋酸酯膜（“結構化TAC”）。起始基底為三乙酸纖維素膜，其厚度為75微米（可從美國紐約州的紐約市的島高溫化學工業(yè)集團（IslandPyrochemicalIndustriesCorp.）購得）。因此該TAC膜通過修飾以在基底的第一表面上含有納米結構。所述納米結構化表面具有的反射率為0.1%至0.2%。所述納米結構化表面具有的傳播霧度（transmittedhaze）為0.2%至0.4%。所述納米結構化表面包含高度為100納米至250納米的納米特征。所述納米特征的高度與寬度比（各向異性）大于一。導體在PET基底或者結構化TAC基底上沉積了以下導電涂層：（1）“濺射銀”薄膜，該薄膜為直接設置在基底上的5埃厚的鈦與隨后100納米厚的銀的多層構造，這二者都是使用已知的真空濺射方法沉積的，或者（2）“蒸鍍銀”薄膜，該薄膜為直接設置在基底上的5埃厚的鈦與隨后100納米厚的銀的多層構造，這二者都是使用已知的電子束蒸鍍方法沉積的；或者（3）“蒸鍍的多層”導體，該導體為直接設置在基底上的15.5納米厚的鈦的第一層與隨后70納米厚的二氧化硅層、然后2.2納米厚的鈦的第二層，并且隨后90納米的銀的多層構造，所有的層都是使用已知的電子束蒸鍍方法沉積的。在沉積所述導電涂層之后，所述基底具有含有導電性涂層的涂覆側以及相對側，即，沒有導電性涂層的側面。用于本文中實例的每個幾何形狀的導電性涂層的圖案化是通過在其表面上印刷十八碳硫醇自組裝單層掩模，隨后通過第US2009/0218310號美國專利申請公開案中所描述的濕法化學蝕刻來完成的。在蒸鍍多層導體工藝的濕法化學蝕刻步驟中，對導體的所有層（即，第一鈦層、二氧化硅、第二鈦層和銀層）進行蝕刻，除了在需要保留微圖案以形成跡線的區(qū)域之外?；椎奶卣魍ㄟ^使用BYK加特納顏色導向球體，平均反射率百分比（%R）可以用于測量基底（PET或者結構化TAC）的兩個主表面（涂覆側和裸露側）。每個薄膜的一個樣品的制備是通過使用輥將大和黑色乙烯條帶#200-38（YamatoBlackVinylTape#200-38）（可從美國密歇根州木港的大和國際公司（YamatoInternationalCorporation）購得）施加到測量表面的相對側上，以最小化氣泡的產(chǎn)生。為了測量表面的總反射率百分比（鏡面的和漫射的），將所述樣品的沒有條帶的一側靠著BYK加納特顏色導向球體的孔隙放置。對于400到700nm的波長范圍，所述反射率百分比的測量是在10°入射角下進行的。應注意，當在裸露側（即，導體涂覆的相對側）測量反 射率時，所測量到的反射率包括來自基底薄膜和空氣之間的界面的反射。在下面的表1中示出了具有導體的基底的反射率百分比（%R）。表1–反射率測量比較實例C1該實例是通過使用PET基底和濺射的Ag導體并使用規(guī)則的六邊形導體微圖案制備的。跡線寬度大約為2微米。六邊形單元的直徑（從表面到平行表面）約為200微米。開放區(qū)域比率約為98%。比較實例C2該實例是通過使用PET基底和濺射的Ag導體并使用規(guī)則的六邊形導體微圖案制備的。跡線寬度約為2微米。開放區(qū)域比率約為98%。實例3至6這些實例是通過使用結構化TAC基底和濺射的銀導體制備的，所述銀導體具有規(guī)則的六邊形微圖案（實例3）、偽隨機的六邊形微圖案（實例4）、局部彎曲的六邊形微圖案（實例5）以及完全彎曲的六邊形微圖案（實例6）。在所有情況下，跡線寬度約為2微米，并且開放區(qū)域比率約為98%。實例7該實例可以使用PET基底和蒸鍍的多層導體制備。所述圖案設計是規(guī)則的六邊形網(wǎng)格，其單元直徑約為200微米且跡線寬度約為2微米。開放區(qū)域比率約為98%。在對三層材料導體的銀層進行圖案化之后，通過微接觸印刷以及之后的濕法化學蝕刻（參考上文），可以使用10:1的緩沖氧化物蝕刻溶液（385mL；按體積計，10份40%的NH4F溶液添加到1份49%的HF溶液中）采用濕法化學蝕刻對蒸鍍的多層導體的后續(xù)層進行蝕刻。所述多層薄膜可以放置在塑料鍋中蝕刻槽中在溶液的表面上，圖案化的側面 朝向下方。62秒之后應將所述薄膜從蝕刻槽中取出，立刻用去離子水流沖洗，并且用空氣槍進行干燥。實例8至10這些實例是通過使用PET基底和蒸鍍的多層導體制備的，所述導體具有偽隨機六邊形微圖案（實例8）、局部彎曲的六邊形微圖案（實例9）以及完全彎曲的六邊形微圖案（實例10）。在實例8-10的情況下，跡線寬度約為2微米，并且開放區(qū)域比率約為98%。在對三層材料導體的銀層進行圖案化之后，通過微接觸印刷以及之后的濕法化學蝕刻（參考上文），可以使用10:1的緩沖氧化物蝕刻溶液（385mL；按體積計，10份40%的NH4F溶液添加到1份49%的HF溶液中）采用濕法化學蝕刻對蒸鍍的多層導體的后續(xù)層進行蝕刻。所述多層薄膜被放置在塑料鍋中蝕刻槽中在溶液的表面上，圖案化的側面朝向下方。62秒之后將所述薄膜從蝕刻槽中取出，立刻用去離子水流沖洗，并且用空氣槍進行干燥。實例11該實例可以使用結構化TAC基底和具有偽隨機彎曲微圖案的濺射的銀導體制備。實例12該實例可以使用PET基底和具有偽隨機彎曲的微圖案的蒸鍍的多層導體制備。表2–實例的總結制品的特征在日光照明下，針對微圖案的顯著性對具有一個或多個導體微圖案的層合制品進行評估。所述評估包括沒有進行放大（肉眼）情況下的視覺檢查。使用數(shù)碼相機（美國加利福尼亞州庫比蒂諾的蘋果計算機公司的iPhone3GS）對樣品進行進一步的成像。每個樣品上的日光照明首先通過穿過典型商業(yè)結構雙面板的絕緣玻璃單元窗口的通道而減弱，所述窗口具有涂覆的半反射性的能量管理薄膜，以將到達眼睛或者相機的光的強度減少到更適合于觀察或者記錄的水平。多種視覺效應造成了不同微圖案的顯著性。第一個此類的視覺效應類別在本文中被描述為“星放射狀”，在用明亮的（非擴散的）日光照明時，其采用了多角星形狀的明亮反射圖案的形式。規(guī)則的六邊形網(wǎng)格可以產(chǎn)生六角的星放射狀。規(guī)則的正方形網(wǎng)格可以產(chǎn)生四角的星放射狀。第二視覺效應類別在本文中被描述為“彩虹”，在用明亮的（非擴散的）日光照明時，其采用了反射譜帶的形式，該譜帶呈現(xiàn)了沿著譜帶的顏色的光譜。第三視覺效應類別在本文中被描述為“彩色光暈”，在用明亮的（非擴散的）日光照明時，其采用了圍繞直接鏡面反射點的擴散粉色和綠色光暈的形式。第四視覺效應類別在本文中被描述為“閃光”，在用明亮的（非擴散的）日光照明時，其采用了在微圖案上的明亮的光點的形式。表3–導體微圖案實例的視覺檢查的結果關于星放射狀、彩虹、閃光和彩色光暈評分的表3中的數(shù)據(jù)按照由⊕表示的可接受的視覺外觀評分和不可接受的視覺外觀評分來記錄。為了確定這些評分，可接受的評分并不意味著總體上沒有視覺偽像（無論是星放射狀、彩虹、光暈或閃光），但是如果存在偽像，那么偽像的水平在用戶可以接受的水平內(nèi)（至少，與采用評分的實例相比更加容易接受）。對于實例3到6，與C1和C2相比，對于相對于微圖案從任一個方向（即，從基底薄膜（納米結構表面）側或者從與基底薄膜相對的一側）的評估，在外觀上得到改進（微圖案的較少顯著性特征）。所述改進（減少的顯著性）大于從基底薄膜側進行的評估（觀察）。對層合的導體微圖案實例進行電和傳輸光學測量的結果記錄在表4中。如上文所述，分配給TAC和PET的條目是從針對層合到玻璃上的每個基底類型進行的測量（基線數(shù)據(jù)）中獲得的。使用曇度儀（Haze-GardPlus）（美國馬里蘭州哥倫比亞市的BYK-加納特公司）對光透射率（%T）、透明度（%C），以及傳輸濁度（%H）進行測量。表4對層合的導體微圖案實例進行反射率測量的結果記錄在表5中。如上文所述，分配給TAC和PET的條目是從針對層合到玻璃上的每個基底類型 進行的測量（基線數(shù)據(jù)）中獲得的。如表5中所示，與設置在標準的基底薄膜（PET）上的相同微圖案相比，微圖案在設置在納米結構化的基底表面（當暴露于空氣中時是抗反射的）上時引起較少的反射，前提是從微圖案的基底側對后者進行觀察和測量。表5