具有暗化的導(dǎo)體跡線的圖案化基材相關(guān)專利申請的交叉引用本專利申請要求提交于2011年2月2日的美國臨時專利申請第61/438,800號的優(yōu)先權(quán)，該專利申請的公開內(nèi)容以引用方式全文并入本文。本專利申請涉及受讓人同日提交的代理人檔案號為68286US002的專利申請，該專利申請以引用方式全文并入本文。

背景技術(shù)：
本領(lǐng)域中已知基于金屬的導(dǎo)體網(wǎng)格用于需要光透射和電傳導(dǎo)的應(yīng)用中的用途。此類應(yīng)用的例子包括用于顯示器電磁干擾的屏蔽。在該行業(yè)中，網(wǎng)格通常理解為指具有由開口區(qū)域隔以形成單元的連接跡線的圖案幾何形狀。在當(dāng)前的研究中已觀察到，一些網(wǎng)格設(shè)計在當(dāng)整合到顯示器中并在反射的準(zhǔn)直光（例如直射陽光）下觀看時，可能產(chǎn)生不良視覺效果。示意性的不良視覺效果包括（如）由光干涉引起的反射光星暴圖案和彩色反射光帶（類似于彩虹），各自可在含有線性跡線和重復(fù)單元幾何形狀的網(wǎng)格被設(shè)置在未經(jīng)改性的基材如塑料膜或玻璃上時觀察到。具有線性跡線的網(wǎng)格的示意性例子包括具有六邊形和正方形單元的那些。基于線性跡線的導(dǎo)體網(wǎng)格也會出現(xiàn)閃光，而閃光是反射光點的不良視覺外觀。一些本領(lǐng)域技術(shù)人員已嘗試通過在制造顯示器如觸屏顯示器時使用波形跡線來減少疊置網(wǎng)格微圖案的視覺外觀。參看例如PCT國際專利公開No.WO2010/099132A2，其描述了具有透光基材和兩個導(dǎo)電網(wǎng)格的制品如天線、電磁干擾屏蔽和觸屏傳感器，此類網(wǎng)格各自具有線性跡線，其中第一網(wǎng)格以一定的構(gòu)造疊置在第二網(wǎng)格上以使跡線的可見性降到最低。其他人已嘗試使用環(huán)境光減少構(gòu)件如光學(xué)干涉構(gòu)件。參看PCT國際專利公開No.WO2003/105248，其公開了一種光學(xué)干涉構(gòu)件，所述光學(xué)干涉構(gòu)件包括：半吸收構(gòu)件層，所述半吸收構(gòu)件層用于反射入射環(huán)境光的一部分；基本透明的層，所述基本透明的層用于相移環(huán)境光的另一部分；和反射層，所述反射層用于反射相移環(huán)境光，使得光的這兩個反射部分異相，從而進(jìn)行破壞性地干涉。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
當(dāng)將網(wǎng)格整合到顯示器中并在反射的準(zhǔn)直光（例如直射陽光）下觀看時，希望在降低其可見性方面改善基于金屬的導(dǎo)體網(wǎng)格的視覺外觀。本發(fā)明提供了使用基材的制品，所述基材具有與導(dǎo)體微圖案設(shè)計組合的納米結(jié)構(gòu)化表面。當(dāng)整合到顯示器或裝置中時，當(dāng)在包括但不限于例如陽光的準(zhǔn)直光或近準(zhǔn)直光的光下觀看顯示器或裝置時，該組合將減少例如星暴、閃光、暈圈和彩虹的不良視覺效果?？捎玫幕木哂杏杀疚挠懻摰娜舾煞椒ㄐ纬傻募{米結(jié)構(gòu)化表面。這些方法包括反應(yīng)離子蝕刻基材的第一主表面或在基材的主表面上形成結(jié)構(gòu)化微粒涂層?？捎玫膶?dǎo)體微圖案設(shè)計包括：具有線性跡線和非線性跡線的設(shè)計；或具有非重復(fù)單元的設(shè)計；或微圖案的單元不位于陣列上的設(shè)計；或具有均勻的跡線取向分布的設(shè)計，這些設(shè)計在本文中有所描述。在一個方面，本發(fā)明提供了一種制品，所述制品包括：（a）基材，所述基材具有第一納米結(jié)構(gòu)化表面和相對的第二表面，所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面在暴露于空氣時是抗反射的，和（b）金屬導(dǎo)體，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在基材的第一表面上，該導(dǎo)體由限定多個開口區(qū)域單元的多條跡線形成，其中每一個單元具有大于80%的開口區(qū)域比率和均勻的跡線取向分布，其中導(dǎo)體的跡線在垂直并朝向基材的第一表面的方向上的鏡面反射率為小于50%，并且其中所述跡線中的每一條的寬度為0.5至10微米。在另一方面，本發(fā)明提供了一種制品，所述制品包括透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在又一方面，本發(fā)明提供了一種制造微圖案的方法，所述方法包括以下步驟：（a）提供基材，所述基材具有第一表面和相對的第二表面；（b）改性所述基材的所述第一表面以包括納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，并且導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米；（c）在包括納米特征物的所述第一表面上沉積金屬導(dǎo)體；（d）使用彈性體印模在導(dǎo)體上印刷自組裝單層微圖案；以及（e）蝕刻未被自組裝單層微圖案覆蓋的導(dǎo)體，以產(chǎn)生與自組裝單層微圖案相符的導(dǎo)體微圖案。在再一方面，本發(fā)明提供了一種制品，所述制品包括透明基材和呈微圖案形式的導(dǎo)體，所述透明基材具有第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述呈微圖案形式的導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上；其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包括納米特征物，所述納米特征物的高度為75至250納米、寬度為15至150納米且橫向間距為10至150納米；其中所述金屬導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米；其中所述微圖案由限定多個開口區(qū)域單元的多條跡線形成；其中所述微圖案的開口區(qū)域比率為大于80%；其中所述跡線中的每一條的寬度為0.5至3微米；其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相；其中所述納米級分散相包含粒度為10至250納米的納米粒子；并且其中所述納米粒子以10%至75%的體積百分比存在于所述基質(zhì)中。附圖說明下面結(jié)合附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明，在附圖中：圖1為規(guī)則的六邊形微圖案的示意性俯視平面圖；圖2為在本文中稱為偽隨機(jī)六邊形微圖案的多邊形微圖案的一部分的示意性俯視平面圖；圖3為基于規(guī)則的六邊形并在本文中稱為部分彎曲的六邊形微圖案的第一示例性非線性微圖案設(shè)計的示意性俯視平面圖；圖3a為圖3的微圖案的幾個單元的分解圖；圖4為基于規(guī)則的六邊形并在本文中稱為完全彎曲的六邊形微圖案的第二示例性非線性微圖案設(shè)計的示意性俯視平面圖；圖4a為圖4的微圖案的幾個單元的分解圖；圖5為一種偽隨機(jī)彎曲設(shè)計的第三示例性非線性微圖案的俯視平面圖；圖6示出了微圖案中的單元，示出測定跡線的取向的測量方法；圖7為示出用于圖1的微圖案的跡線區(qū)段的法線的取向柱狀圖；圖8為示出用于偽隨機(jī)六邊形微圖案的跡線區(qū)段的法線的取向柱狀圖，該微圖案的一部分在圖2中示出；圖9為示出用于部分彎曲的六邊形微圖案的跡線區(qū)段的法線的取向柱狀圖，該微圖案的一部分在圖3中示出；圖10為示出用于完全彎曲的六邊形微圖案的跡線取向的角度分布柱狀圖，該微圖案的一部分在圖4中示出；圖11、11a和11b示出了可用于整合到例如顯示器的裝置中的第一微圖案化基材的各個部分；圖12、12a和12b示出了可用于整合到例如顯示器的裝置中的第二微圖案化基材的各個部分；圖13示出了可整合到裝置中的第一微圖案化基材和第二微圖案化基材的疊置；圖14為本文中稱為完全彎曲的正方形微圖案的第三示例性非線性微圖案的俯視平面圖；和圖15示出了通過反應(yīng)離子蝕刻制得的金屬化納米結(jié)構(gòu)化基材表面的示意性橫截面；圖16為用于制備如本文所述包含結(jié)構(gòu)化粒子涂層的示例性納米結(jié)構(gòu)化基材的示例性方法的示意圖；圖17A為用于制備本文所述示例性納米結(jié)構(gòu)化材料的示例性方法的示意圖；圖17B為圖17A的聚合段的示意圖；圖17C為圖17A的系列中兩個拆開的聚合段的示意圖；圖18為通過反應(yīng)離子蝕刻制得的實例15的基材的納米結(jié)構(gòu)化表面的俯視掃描電子顯微照片（金屬化前）；圖19為實例15的基材的金屬化納米結(jié)構(gòu)化表面的剖視透射電子顯微照片（金屬化后）；圖20為實例15的基材的金屬化納米結(jié)構(gòu)化表面的剖視掃描電子顯微照片（金屬化后）；圖21為實例112的基材的納米結(jié)構(gòu)化表面的俯視掃描電子顯微照片（金屬化前）；圖22為實例112的基材的納米結(jié)構(gòu)化表面的俯視掃描電子顯微照片（金屬化后）；圖23為實例112的基材的納米結(jié)構(gòu)化表面的剖視掃描電子顯微照片（金屬化后）；圖24為實例112的基材的納米結(jié)構(gòu)化表面的剖視透射電子顯微照片（金屬化后），包括銀金屬化疊置層厚度和滲透的測量結(jié)果；和圖25為得自實施例126的網(wǎng)格的選定跡線的透射光學(xué)顯微照片。這些附圖未按比例繪制，而是為了進(jìn)行示意性的說明。具體實施方式除非另外指明，否則本說明書和權(quán)利要求書中所使用表述特征物尺寸、量和物理性質(zhì)的所有數(shù)均應(yīng)當(dāng)理解為在所有情況下均由術(shù)語“約”修飾。因此，除非有相反的說明，否則前述說明書和附隨的權(quán)利要求書中所闡述的數(shù)值參數(shù)均為近似值，其可根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員使用本文所公開的教導(dǎo)要尋求獲得的所需性質(zhì)而進(jìn)行改變。由端點表述的數(shù)值范圍包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)（如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5）及該范圍內(nèi)的任何范圍。如本文所用，“微圖案”是指點、跡線、填充形狀或它們的組合的布置方式，各自具有不大于1mm的尺寸（如，跡線寬度）。在優(yōu)選的實施例中，微圖案為由限定多個單元的多條跡線形成的網(wǎng)格，每一條跡線的寬度為至少0.5微米并且通常為不大于20微米。微圖案特征物的維度可以根據(jù)微圖案的選擇而變。在一些有利的實施例中，微圖案特征物尺寸（如，跡線寬度）為小于10、9、8、7、6或5微米（如，1至3微米）。線性和非線性跡線可用于本發(fā)明中。如本文所用，“對可見光透明”是指未圖案化的基材或包含微圖案化基材的制品的透射程度就可見光的至少一個偏振態(tài)的透射而言為至少60%，其中所述透射百分比是以入射（任選地，偏振）光的強(qiáng)度歸一化的。制品透射至少60%的入射光而包括局部阻斷光至低于60%透射（如，0%）的微觀特征物（如，具有最小尺寸的點、正方形或跡線，如寬度為在0.5至10微米之間、0.5至5微米之間或1至5微米之間）為在“對可見光透明”的含義范圍之內(nèi)；然而，在這種情況下，對于包括微觀特征物并且寬度為微觀特征物最小維度1000倍的大致各向等大的區(qū)域，平均透射率為大于60%。與“可見光透明”有關(guān)的術(shù)語“可見”修飾術(shù)語“光”，以規(guī)定基材或微圖案化制品對其是透明的光的波長范圍。如本文所用，導(dǎo)體微圖案或?qū)w微圖案區(qū)域的“開口區(qū)域比率”（或開口區(qū)域或開口區(qū)域百分比）為未經(jīng)導(dǎo)體遮擋的微圖案區(qū)域或區(qū)域面積的比例。開口區(qū)域等于一減去被導(dǎo)體微圖案遮擋的區(qū)域比率，可以便利地表示為小數(shù)或百分比并且可互換表示。被導(dǎo)體微圖案遮擋的區(qū)域比率可與導(dǎo)體微圖案的密度（如，限定網(wǎng)格的跡線的密度）互換使用?？捎糜诒景l(fā)明的示意性開口區(qū)域比率值為大于50%、大于75%、大于80%、大于90%、大于95%、大于96%、大于97%、大于98%、大于99%、99.25%至99.75%、99.8%、99.85%、99.9%和甚至99.95%的那些。在一些實施例中，導(dǎo)體微圖案（如,對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域）的區(qū)域中的開放區(qū)域為介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達(dá)99.95%。如本文所用，“跡線”是指兩個平面相交或平面與非平面表面相交產(chǎn)生的幾何要素。兩個平面相交產(chǎn)生的幾何要素在本文中描述為線性的（或描述為線性跡線）。平面與非平面表面相交產(chǎn)生的幾何要素在本文中描述為非線性的（或描述為非線性跡線）。線性跡線具有零曲率，或換言之，其曲率半徑無窮大。非線性跡線具有非零曲率，或換言之，其曲率半徑有限。如分析幾何學(xué)所知，可沿跡線測定任何點的曲率或曲率半徑。另外，也如分析幾何學(xué)所知，可在位于線性或非線性跡線上的點處作法線。如本文所用，“抗反射”是指表面或涂層降低材料與材料向其暴露的周圍介質(zhì)之間的界面處的菲涅爾光反射而增強(qiáng)穿過界面的光透射的特性。當(dāng)材料周圍的介質(zhì)為空氣并且表面或涂層降低材料與空氣的界面處的反射時，這樣的表面在本文中描述為當(dāng)暴露于空氣時抗反射。如本領(lǐng)域已知，在不存在抗反射表面或涂層的情況下，菲涅爾反射由材料與周圍介質(zhì)的折射率差控制。如本文所用，“納米結(jié)構(gòu)化”是指表面包含呈納米特征物形式的形貌，其中納米特征物包含限定表面的材料，并且其中納米特征物的高度或納米特征物的寬度中的至少一者為小于約1微米（即，1微米或1000納米）。微圖案設(shè)計大量的不同幾何形狀或設(shè)計可用于適用于本發(fā)明的導(dǎo)體微圖案。網(wǎng)格微圖案設(shè)計的類別包括：（A）具有重復(fù)單元幾何形狀的那些，（B）具有非重復(fù)單元幾何形狀的那些，（C）具有質(zhì)心不位于重復(fù)陣列上的單元的那些，（D）具有跡線具有均勻的跡線取向分布的單元的那些。這些類別不相互排斥。在這些類別中的每一個內(nèi)，跡線可以是線性的或非線性的（即，具有一些有限的曲率半徑）。下面描述的網(wǎng)格微圖案相對于跡線寬度或單元大小無限制。在一些實施例中，跡線寬度為在0.1至20微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至10微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至5微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至4微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至2微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在1至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.1至0.5微米范圍內(nèi)。在一些實施例中，網(wǎng)格導(dǎo)體微圖案區(qū)域（如，對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域）的開口區(qū)域為介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達(dá)99.95%。（A）具有重復(fù)單元的微圖案重復(fù)單元幾何形狀的特征為這樣的單元位于重復(fù)陣列上。單元位于重復(fù)陣列上是指這樣的單元的質(zhì)心位于限定陣列的位置不遠(yuǎn)處（限制條件為每單元僅一個陣列位置）。單元位置關(guān)系的這一描述集中在網(wǎng)格單元的開口區(qū)域（或開口）而非網(wǎng)格的跡線或跡線接合點（頂點）。在其中單元位于重復(fù)陣列上的一些情況下，單元的質(zhì)心精確地位于點（即，位置）的陣列上。陣列是指二維位置排列（即，在微圖案的平面內(nèi)），其特征在于僅包含位置的單位晶胞的離散平移對稱性。陣列的平移對稱性依據(jù)一個或多個限定陣列不變的微圖案平面內(nèi)的最小平移的基本向量來定義。在此上下文中，陣列可包括例如正方形陣列（或正方形晶格）、矩形陣列（或矩形晶格）或三角形陣列（或三角形晶格）。因為術(shù)語短距離是指允許包含本文所述單元的網(wǎng)格質(zhì)心位于移離精確陣列位置的重復(fù)陣列上，所以其意指距離為小于以下給定值的50%，該值通過獲取位移取向上可構(gòu)建的最短陣列基本向量的長度，并將該長度除以與該基本向量有關(guān)的單位晶胞中的陣列位置數(shù)來給定。在其中單元位于重復(fù)陣列上的一些實施例中，質(zhì)心移離陣列位置的距離為小于以下給定值的25%，該值通過獲取位移取向上可構(gòu)建的最短陣列基本向量的長度，并將該長度除以與該基本向量有關(guān)的單位晶胞中的陣列位置數(shù)來給定。這些類型的微圖案的示意性例子示于圖1、3、4和14中?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1示出了由多條線性跡線12形成的規(guī)則的六邊形導(dǎo)體微圖案10的示意性幾何形狀的俯視平面圖。六條跡線12a至12f形成具有開口區(qū)域的單元14。如圖所示，每一條跡線具有基本相等的長度并且六個內(nèi)角中的每一個基本為120°。網(wǎng)格單元的質(zhì)心位于三角形晶格（或陣列）上。從限定六邊形單元的一個邊緣的跡線的中心線到限定六邊形單元的相對邊緣的（平行）跡線的中心線的距離為例如200微米。圖3示出了非線性設(shè)計的俯視平面圖，該設(shè)計即為由限定多個開口區(qū)域單元34的多條彎曲跡線32形成的部分彎曲的六邊形導(dǎo)體微圖案30的示意性幾何形狀。在一種方法中，可自圖1所示的規(guī)則的六邊形微圖案設(shè)計開始并使每一條跡線的中點位移一定的距離（如，10微米）而使跡線彎成弓形來產(chǎn)生此微圖案設(shè)計。圖3a示出了具有所示六條跡線32a至32f的放大單元34'。微圖案30的一個特征是分別為跡線32a和32c的切線36a和36c一般相互不平行。與圖1的網(wǎng)格微圖案相似，圖3的網(wǎng)格單元的質(zhì)心位于點的三角形晶格（即，點陣列）上。圖4示出了另一非線性設(shè)計的俯視平面圖，該設(shè)計即為由限定多個單元44的多條彎曲跡線42形成的完全彎曲的六邊形導(dǎo)體微圖案40的示意性幾何形狀。在一種方法中，可通過例如進(jìn)一步位移每一條跡線的中點以減小圖3中所示跡線的曲率半徑來產(chǎn)生該微圖案設(shè)計。圖4a示出了具有六條跡線42a至42f的放大單元44'。微圖案40的一個特征是分別為跡線42a和42c的切線46a和46c一般相互平行。與圖1的網(wǎng)格微圖案相似，圖4的網(wǎng)格單元的質(zhì)心位于點的三角形晶格（即，點陣列）上。圖14示出了另一示例性非線性微圖案設(shè)計240，該設(shè)計可自正方形開始并使正方形各邊的中點位移一定距離而使跡線彎成弓形來產(chǎn)生。示出了四條跡線242a至242d限定開口區(qū)域單元244。圖14的網(wǎng)格單元的質(zhì)心位于正方形晶格（即，點陣列）上。（B）具有非重復(fù)單元的微圖案對于具有非重復(fù)單元幾何形狀的網(wǎng)格微圖案，這些單元可位于或可不位于重復(fù)陣列（如，矩形陣列、正方形陣列或三角形陣列）上。在此單元幾何形狀中，單元不具有相同的大小和相同的形狀。此類型的單元幾何形狀的示意性例子示于圖2中。圖2示出了由限定多個單元24的多條線性跡線22形成的偽隨機(jī)六邊形導(dǎo)體微圖案20的示意性幾何形狀的俯視平面圖。在一種方法中，可自圖1所示的規(guī)則的六邊形圖案設(shè)計開始且使頂點在隨機(jī)方向上位移小于初始六邊形單元的邊緣長度的隨機(jī)距離并保持線性跡線來產(chǎn)生此微圖案設(shè)計。當(dāng)通過使頂點位移小于初始六邊形單元的邊緣長度的距離（如，小于邊緣長度的一半的距離）來產(chǎn)生時，微圖案20的一個特征是單元的質(zhì)心位于距離由圖1的網(wǎng)格單元的初始質(zhì)心位置限定的陣列點的短距離范圍內(nèi)。更具體地講，圖2的網(wǎng)格單元的質(zhì)心位于等于由圖1的初始網(wǎng)格的質(zhì)心限定的陣列位置之間的最小間距的50%的距離內(nèi)（即，對于由六邊形網(wǎng)格單元質(zhì)心限定的三角形晶格而言，位移方向上基本向量長度的50%）。此結(jié)果歸因于圖1的每一個初始網(wǎng)格單元開口的質(zhì)心未因略微移動頂點的程序而發(fā)生大的位移。在這種情況下，單元在本文中稱為位于陣列上。在后文將公開的一些實施例中，質(zhì)心位置（不僅頂點位置）也規(guī)定為隨機(jī)的。（C）具有不在陣列上的單元的微圖案如上文所定義，如果網(wǎng)格微圖案的單元以單元質(zhì)心位于限定陣列的位置不遠(yuǎn)處的方式二維排列，則網(wǎng)格單元在本文中被認(rèn)為位于重復(fù)陣列上（或位于陣列上）。在其中單元位于重復(fù)陣列上的一些情況下，單元的質(zhì)心精確地位于點陣列上。單元不在重復(fù)陣列上（即，不位于重復(fù)陣列上）（如本文所用的術(shù)語）的微圖案的特征是網(wǎng)格單元的質(zhì)心（即，單元開口的質(zhì)心）以使用包含四個或四個以下位置的單位晶胞不能構(gòu)建位置陣列的方式排列，使得所有網(wǎng)格質(zhì)心位于小于以下給定值的50%的距離內(nèi)，該值通過獲取位移取向上可構(gòu)建的最短陣列基本向量的長度并將該長度除以與該基本向量有關(guān)的單位晶胞中的陣列位置數(shù)來給定（額外限制條件是每網(wǎng)格單元僅一個陣列位置）。對于這種網(wǎng)格微圖案，單元一般不具有相同的大小和形狀。在迄今討論的三個微圖案（A、B和C）中，C型微圖案具有較高的無序度。此類型的單元幾何形狀的示意性例子示于圖5中。圖5示出了另一非線性設(shè)計的俯視平面圖，該設(shè)計即為由限定多個開口區(qū)域單元54的多條跡線52形成的偽隨機(jī)彎曲導(dǎo)體微圖案50的一部分。該幾何形狀包括由彎曲導(dǎo)體跡線限定的單元，各自具有2微米的示例性寬度。具有偽隨機(jī)彎曲設(shè)計的導(dǎo)體微圖案的單元可具有不同數(shù)目的限定單元的邊緣或跡線，如四至八個邊緣。單元大小為自10,000平方微米的面積到70,000平方微米的面積不等。作為參考，圖1的規(guī)則的六邊形微圖案的面積為35,000平方微米。單元的位置，如由每一個單元的質(zhì)心所限定，不位于規(guī)則間隔的陣列上。D.具有均勻的跡線取向分布的微圖案此類型微圖案的特征是其單元幾何形狀或單元質(zhì)心位置無限制。為了更好地描述該類型微圖案幾何形狀，使用跡線取向的角分布概念。跡線取向的角分布每一條跡線設(shè)計可通過如本文中進(jìn)一步描述的跡線取向的角分布來表征。如可根據(jù)本文所述程序測量并且在1厘米乘1厘米的面積上，對于本文的偽隨機(jī)彎曲設(shè)計，跡線取向的角分布是基本均勻的。例如，在一些實施例中，相對于分布的均勻性，在微圖案平面內(nèi)不能建立參考取向，因為微圖案中的跡線區(qū)段在該參考取向的±10度內(nèi)無法線。在一些情況下，在微圖案平面內(nèi)不能建立參考取向，因為微圖案中的跡線區(qū)段在該參考取向的±5度內(nèi)無法線。在一些情況下，在微圖案平面內(nèi)不能建立參考取向，因為微圖案中的跡線區(qū)段在該參考取向的±2度內(nèi)無法線。進(jìn)一步相對于分布的均勻性，在例如1厘米乘1厘米的面積上，在微圖案平面內(nèi)不存在兩個20°取向范圍，因為該兩個范圍中跡線區(qū)段的法線的整合密度相差兩個整合密度值中的較小者的50%以上。在一些情況下，在例如1厘米乘1厘米的面積上，在微圖案平面內(nèi)不存在兩個20°取向范圍，因為該兩個范圍中跡線區(qū)段的法線的整合密度相差兩個整合密度值中的較小者的25%以上。在一些情況下，在例如1厘米乘1厘米的面積上，在微圖案平面內(nèi)不存在兩個20°取向范圍，因為該兩個范圍中跡線區(qū)段的法線的整合密度相差兩個整合密度值中的較小者的10%以上。在一些情況下，在例如1厘米乘1厘米的面積上，在微圖案平面內(nèi)不存在兩個10°取向范圍，因為該兩個范圍中跡線區(qū)段的法線的整合密度相差兩個整合密度值中的較小者的10%以上。在一些情況下，在例如1厘米乘1厘米的面積上，在微圖案平面內(nèi)不存在5°取向范圍，因為該兩個范圍中跡線區(qū)段的法線的整合密度相差兩個整合密度值中的較小者的10%以上。本發(fā)明的微圖案提供關(guān)于其他微圖案已觀察到的大量潛在不良視覺特征的同時最小化，當(dāng)與信息顯示器（如，移動電話、智能手機(jī)、平板電腦、膝上型電腦、桌上型電腦監(jiān)視器、讀數(shù)裝置、車載顯示器或零售顯示器）組合時尤其如此。如已描述，這些潛在的不良視覺特征包括星暴、彩虹和閃光。微圖案設(shè)計減輕的潛在不良特征還包括顯示器像素圖案的云紋干涉。微圖案設(shè)計減輕的潛在不良特征還包括實質(zhì)性阻斷（如，25%、50%或甚至75%）顯示器個別像素的可見性（使信息模糊，但不一定產(chǎn)生云紋圖案）。為了使一個或多個潛在不良視覺特征的減輕最佳化，本發(fā)明也涵蓋相對于顯示器傾斜（如，旋轉(zhuǎn)或偏置）的微圖案。微圖案的傾斜可尤其用于使像素化顯示器的云紋干涉降至最低。在一些情況下，分布于正方形位置陣列上的四邊形單元幾何形狀（如，完全彎曲的正方形單元幾何形狀）適宜通過傾斜使云紋干涉降至最低?？捎糜诒景l(fā)明中的跡線群的取向可定量為描述微圖案內(nèi)不同取向的跡線區(qū)段的相對濃度、存在和豐度的分布。該分布可用來描述包含線性跡線或非線性跡線的微圖案中跡線群的取向。另外，其可用來描述包含重復(fù)幾何形狀（如在正方形或六邊形微圖案情況下）的微圖案中跡線群的取向或包含非重復(fù)幾何形狀（如在包含線性（如圖2中）或非線性（如圖5中）跡線的偽隨機(jī)微圖案設(shè)計情況下）的微圖案中跡線群的取向。描述符為隨跡線的法線取向變化的每單位面積微圖案的整合微圖案跡線長度。換言之，描述符可表示為形成導(dǎo)體微圖案的跡線區(qū)段的取向的頻率分布（或跡線區(qū)段的法線的取向分布）?！罢稀笔侵钢付娣e內(nèi)具有規(guī)定的取向的跡線的總跡線寬度之和。為了收集具有非線性跡線的導(dǎo)體微圖案內(nèi)的取向的上述頻率特征，可使用以下程序。程序包括微圖案設(shè)計在例如11英寸乘17英寸紙上的放大印刷的一系列手工繪制和測量步驟。表征程序包括以下步驟：（a）在紙上印刷微圖案的放大呈現(xiàn)，（b）將微圖案的跡線劃分成大致相等路徑長度的至少200個區(qū)段，（c）手工繪制每一個區(qū)段的法線，（d）通過建立0°方向建立參考取向框架，然后（e）測量每條法線相對于0°方向的取向（如使用量角器）。出于以下原因，可使用180°角度范圍來規(guī)定跡線和因此跡線的法線。直線向上和向下的跡線可隨意地描述為向上或向下取向。向上取向的跡線或其法線與向下取向的跡線或其法線無區(qū)別。因此，不能產(chǎn)生與向下取向的跡線有任何不同的向上取向的跡線（即，向上跡線與向下跡線不同的提法無意義）。因此，可能的跡線區(qū)段取向的全范圍僅需要180°角度范圍。圖6示出了圖4的實施例的一個完整單元的圖，其中在跡線區(qū)段P1處測量跡線取向的法線的角度。為簡單起見，僅示出了200個區(qū)段中的一個。如圖中所示繪制跡線區(qū)段P1的法線N。繪制與跡線區(qū)段P1和法線N均相交的切線T。如虛線箭頭所示繪制參考零度線。然后可測量角度（θ）以測定參考線與法線之間的角度。然后類似于P1沿六條跡線中的每一條對各區(qū)段重復(fù)此測量多次?？蓪卧L制任意但足夠大量的區(qū)段（在這種情況下，為統(tǒng)計上顯著的測量，繪制200個區(qū)段）。為六條跡線中的每一條繪制大致相等數(shù)目的區(qū)段。可通過繪制取向測量的柱狀圖呈現(xiàn)所測得的跡線區(qū)段的法線取向的分布。應(yīng)該指出的是，跡線區(qū)段的法線取向的分布提供與跡線區(qū)段本身的取向分布的直接相關(guān)性。對于本文的微圖案，對構(gòu)成微圖案的至少一個完整單元的跡線執(zhí)行該程序。對于具有單一單元形狀和大小的微圖案，在兩個方向上復(fù)制以產(chǎn)生二維微圖案，構(gòu)成單個單元的跡線的表征適于測定較大面積上二維微圖案的跡線取向的分布（例如在涵蓋10個、100個或甚至1000個單元的面積上）。例如，構(gòu)成直徑為200微米的單個規(guī)則的六邊形單元的跡線的表征適于測定1毫米乘1毫米、1厘米乘1厘米或甚至1米乘1米的此類單元的規(guī)則的六邊形微圖案的跡線取向分布。對于具有多種單元形狀或大小的微圖案，應(yīng)表征足夠數(shù)目的單元以在適用精度下測定整個微圖案的跡線取向分布（如，當(dāng)與1毫米乘1毫米、1厘米乘1厘米或甚至1米乘1米的實際導(dǎo)體微圖案面積上的實際跡線取向分布相比時，所測量的跡線取向分布表現(xiàn)出至少0.8、至少0.9、至少0.95或甚至至少0.99的R2相關(guān)系數(shù)的情況）。一旦測量跡線區(qū)段的法線取向（由角度θ表示）時，就可將其方格化為兩微米的方格，由此產(chǎn)生90個0至180度的方格。每一個方格包括表示在方格的兩度角度范圍內(nèi)產(chǎn)生取向的測量數(shù)目的整數(shù)。此方格化程序產(chǎn)生離散的取向分布。最后，可計算頻率值的標(biāo)準(zhǔn)偏差（每2度方格的測量頻率的標(biāo)準(zhǔn)偏差）。對于一些跡線區(qū)段的法線分布及因此被視為均勻的本文所述跡線取向分布，所計算的標(biāo)準(zhǔn)偏差為小于4。對于一些本文描述為均勻的跡線取向分布，所計算的標(biāo)準(zhǔn)偏差為小于3。對于一些本文描述為均勻的跡線取向分布，所計算的標(biāo)準(zhǔn)偏差為小于2。對于一些本文中均勻的跡線取向分布，所計算的標(biāo)準(zhǔn)偏差為小于1。圖7示出了圖1的微圖案（規(guī)則的六邊形）的多條跡線區(qū)段的角度θ的柱狀圖。在三個角度處產(chǎn)生三個獨特的峰，每一個角度彼此相距為約60度。應(yīng)該指出的是，柱狀圖的x-軸上示出的角度的絕對值是任意之處在于，三個峰可在其他角度處出現(xiàn)，例如40°、100°和160°，只要它們相隔為約60°即可。參看圖1，產(chǎn)生三個峰是因為跡線12a與12d、12b與12e及12c與12f的法線定向角度應(yīng)當(dāng)相同的緣故。對于該微圖案，測量到每2度方格的測量頻率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為11.6，這直接指示高度不均勻。圖8、9和10分別示出了圖2的偽隨機(jī)六邊形微圖案、圖3的部分彎曲微圖案和圖4的完全彎曲微圖案的角度θ的柱狀圖。與圖1的微圖案的柱狀圖相比，這些柱狀圖中的每一個具有較寬的角度θ分布，在四個微圖案中，圖10的柱狀圖具有最均勻的分布。此外，這些柱狀圖的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.6（圖8）、2.6（圖9）和1.0（圖10）。進(jìn)一步描述具有非線性跡線的導(dǎo)體微圖案內(nèi)跡線區(qū)段取向的分布，本文所述微圖案也涵蓋具有均勻的分布并且具有分布中未呈現(xiàn)的一些取向或小范圍的取向。也就是說，在給定微圖案面積內(nèi)，在所有180°可能取向上具有絕對均勻的跡線或跡線區(qū)段取向分布的微圖案，不會因移除單條跡線（或跡線區(qū)段）或因移除窄的角度范圍（例如5°角度范圍，或例如2°角度范圍）內(nèi)的全部跡線，而自本文所述的具有“均勻分布”的微圖案范圍內(nèi)移除。結(jié)合上文就測量（大約200次測量）和方格化（2°方格）部分跡線區(qū)段取向的頻率所述的程序，偽隨機(jī)彎曲微圖案（圖5）每2°方格的測量頻率的標(biāo)準(zhǔn)偏差可為小于5、小于3、小于2、1、或甚至小于1。除了跡線區(qū)段取向分布的均勻性外，還可用跡線的曲率半徑描述本發(fā)明的導(dǎo)體微圖案的幾何形狀。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的跡線的曲率半徑為小于1厘米。在一些情況下，構(gòu)成網(wǎng)格圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為小于1厘米。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的跡線的曲率半徑為小于1毫米。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為小于1毫米。在一些情況下，構(gòu)成網(wǎng)格圖案的跡線的曲率半徑為介于50微米和1毫米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為介于50微米和1毫米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的跡線的曲率半徑為介于75微米和750微米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為介于75微米和750微米之間。在一些情況下，構(gòu)成網(wǎng)格圖案的跡線的曲率半徑為介于100微米和500微米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為介于100微米和500微米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的跡線的曲率半徑為介于150微米和400微米之間。在一些情況下，構(gòu)成微圖案的基本所有跡線的曲率半徑都為介于150微米和400微米之間。導(dǎo)體類型現(xiàn)在轉(zhuǎn)向可用于本發(fā)明的導(dǎo)體的類型?？捎糜谛纬蓪?dǎo)電微圖案的金屬的例子包括金、銀、鈀、鉑、鋁、銅、鉬、鎳、錫、鎢、合金以及它們的組合。任選地，導(dǎo)體還可以是復(fù)合材料，例如金屬填充的聚合物。導(dǎo)電微圖案可包含在例如與微圖案正交的角度下測量具有規(guī)定的鏡面反射率的點、跡線、填充形狀或它們的組合。當(dāng)將導(dǎo)體微圖案設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化并抗反射（且優(yōu)選地濁度非常低，例如低于4%、低于3%、低于2%、低于1%或甚至低于0.5%）的基材表面上時，可實質(zhì)性地降低微圖案上某些潛在不良視覺特征物的出現(xiàn)。對于自面向基材納米結(jié)構(gòu)化表面的方向觀看、成像或測量微圖案，該降低可能尤其明顯。也可通過設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化并抗反射（且優(yōu)選地如上所述濁度非常低）的基材表面上來降低導(dǎo)體微圖案的反射率，如與在平坦的反射基材表面（典型PET膜的表面）上相同地制造的微圖案的反射率相比較。此外，可在設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化并抗反射（且優(yōu)選地如上所述濁度非常低）的基材表面上后使用微接觸印刷（如，使用彈性體印模印刷自組裝的單層圖案，然后濕式化學(xué)蝕刻）來使導(dǎo)體圖案化，這與提出光滑基材表面對該過程至關(guān)重要的文獻(xiàn)報道相反。光滑薄膜金屬如銀或鋁在可見光譜中的鏡面反射率可超過90%。在一些實施例中，在法向入射下且在朝向其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定微圖案）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于90%。在一些實施例中，在法向入射下且在遠(yuǎn)離其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定網(wǎng)格）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于90%。在一些實施例中，在法向入射下且在朝向其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定網(wǎng)格）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于50%。在一些實施例中，在法向入射下且在遠(yuǎn)離其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定網(wǎng)格）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于50%。在一些實施例中，在法向入射下且在朝向其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定網(wǎng)格）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于20%。在一些實施例中，在法向入射下且在朝向其上設(shè)置有跡線的基材表面取向的方向上測量，由限定多個單元（如，以限定網(wǎng)格）的多條跡線形成的微圖案的跡線的反射率為小于10%。降低不透明金屬導(dǎo)體圖案的反射率（即，暗化或黑化）的具體措施是本發(fā)明的主題。該措施解決當(dāng)金屬沉積物具有較高光學(xué)密度（即，不透明的金屬沉積物，例如透射小于5%可見光或甚至小于1%可見光）時基材上的金屬沉積物的高反射率問題，并因此使不透明反射金屬涂層、沉積物或微圖案在其與其基材的界面處暗化、暗黑或黑化。暗化的程度在本文中由不透明金屬和特別是其與支承基材（如，納米結(jié)構(gòu)化基材）的界面的測量反射率表示，自不透明金屬的反射率越低表明暗化程度越大，且甚至黑化。已發(fā)現(xiàn)這些特定措施最好與微圖案設(shè)計參數(shù)（如，0.5至10微米、0.5至5微米、0.75至4微米或1至3微米的跡線寬度）、導(dǎo)體厚度（如，大于0.05至2微米、大于0.05至1微米、0.075至0.5微米或0.1至0.25微米）和某些微圖案制造方法組合。本文公開的新措施解決降低具有這些設(shè)計的金屬微圖案的反射率的難題。本發(fā)明公開的設(shè)計和方法不同于降低金屬沉積物的反射率的其他已知方法，如，使金屬表面部分還原以將其化學(xué)轉(zhuǎn)化成光吸收化合物的方法。已知后一種方法的一個例子為通過暴露于硫化氫氣體或硫化鉀（硫肝）溶液使銀微圖案表面轉(zhuǎn)化為硫化銀?？蛇M(jìn)行類似程序使銅表面轉(zhuǎn)化為黑色硫化物反應(yīng)產(chǎn)物。雖然使金屬導(dǎo)體沉積物（如，金屬導(dǎo)體微圖案）部分化學(xué)轉(zhuǎn)化為光吸收反應(yīng)產(chǎn)物是最適于厚度大于2微米或甚至大于5微米的金屬導(dǎo)體涂層或圖案的一般方法，但其在嘗試實質(zhì)性暗化較薄的金屬沉積物時存在難題。盡管已發(fā)現(xiàn)本文所述的納米結(jié)構(gòu)化基材設(shè)計特別適于降低上文所述導(dǎo)體網(wǎng)格微圖案（跡線寬度為0.5至10微米、0.5至5微米、0.5至4微米、0.5至3微米或1至3微米；導(dǎo)體厚度為大于0.05至2微米、大于0.05至1微米、0.075至0.5微米或0.1至0.25微米）的反射率，但其也適合于其中網(wǎng)格包含導(dǎo)體厚度為約2至約30微米或約3至約10微米的跡線的金屬導(dǎo)體網(wǎng)格微圖案。另外，其適合于其中網(wǎng)格包含寬度大于10微米、例如為10至20微米且開口區(qū)域比率大于80%、大于90%、大于95%、大于96%、大于97%、大于98%、大于99%、為99.25至99.75%、99.8%、99.85%、99.9%或甚至99.95%的跡線的金屬導(dǎo)體網(wǎng)格微圖案。在一些實施例中，金屬導(dǎo)體（如，金屬導(dǎo)體微圖案）的厚度為大于50納米，在一些實施例中，大于55納米，在一些實施例中，大于60納米，在一些實施例中，大于75納米，且在一些實施例中，大于100納米。在一些實施例中，所述厚度在55納米至20微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在60納米至15微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在75納米至10微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在100納米至1微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在125納米至500納米范圍內(nèi)，且在一些實施例中，在150納米至250納米范圍內(nèi)。基材可用于本發(fā)明的可用基材包括玻璃和聚合物材料。可用的聚合物材料包括聚合物膜。聚合物“膜”基材是柔韌性和強(qiáng)度足以以卷對卷方式進(jìn)行處理的平片形式的聚合物材料。用作本文所述制品中的基材的聚合物膜有時被稱為基底膜。所謂卷對卷，是指將材料卷繞到支承體上或從支承體上退繞，以及用某種方式進(jìn)行進(jìn)一步處理的過程。進(jìn)一步處理的實例包括涂覆、裁切、落料以及暴露于輻射等?？蓪⒕酆衔锬ぶ瞥啥喾N厚度，通常為在約5μm至1000μm的范圍內(nèi)。在多個實施例中，聚合物膜的厚度為在約25μm至約500μm、或約50μm至約250μm或約75μm至約200μm的范圍內(nèi)。卷對卷聚合物膜可以具有至少12英寸、24英寸、36英寸或48英寸的寬度。可用的聚合物膜基材包括例如聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯或三乙酸纖維素。可通過任何合適的措施將基材表面改性為納米結(jié)構(gòu)化且當(dāng)暴露于空氣時抗反射?？墒褂迷S多方法來形成抗反射的納米結(jié)構(gòu)化表面，包括本領(lǐng)域已知的壓印、模制或干涉光刻。下文討論用于改性表面為納米結(jié)構(gòu)化且當(dāng)暴露于空氣時抗反射的特別有效的方法，該方法使用反應(yīng)離子蝕刻法。反應(yīng)離子蝕刻基材一種特別適用的納米結(jié)構(gòu)化表面使用第一方法即產(chǎn)生隨機(jī)各向異性納米結(jié)構(gòu)化表面的反應(yīng)離子蝕刻法制備。不是所有的納米結(jié)構(gòu)化表面都抗反射。并且，不是所有的納米結(jié)構(gòu)化表面都具有低濁度。一些納米結(jié)構(gòu)化表面是強(qiáng)烈光散射的，從而導(dǎo)致混濁（如，透射濁度大于5%）。圖15描繪了通過反應(yīng)離子蝕刻制成的金屬化納米結(jié)構(gòu)化基材250的示意性剖視圖，其中S1描繪由反應(yīng)離子蝕刻法和納米粒子（分散相）252在基質(zhì)254中的位置限定的兩個納米特征物之間的間距，納米粒子252和基質(zhì)254均設(shè)置在基材256的表面上。納米特征物的寬度標(biāo)識為W1，且納米特征物的高度標(biāo)識為H1。圖15包括設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化基材表面上（并滲透開口凹下空間）的金屬導(dǎo)體257。在當(dāng)暴露于空氣時抗反射的納米結(jié)構(gòu)化表面的一個實施例中，納米結(jié)構(gòu)化制品（如，基材）包含納米結(jié)構(gòu)化且當(dāng)暴露于空氣時抗反射的可以基質(zhì)相和分散相形成的復(fù)合表面。包含復(fù)合表面的材料或制品是指限定表面的材料部分（并因此包括表面內(nèi)的有限的體積或材料）為復(fù)合材料（即，包含例如基質(zhì)相和分散相的多個相的材料）。對于包含復(fù)合表面的制品，制品可完全由復(fù)合材料組成，或例如制品可包含一種不為復(fù)合物的材料（如，聚合物基底膜），但其上設(shè)置有復(fù)合涂層?；|(zhì)或連續(xù)相可包含聚合物材料、無機(jī)材料或者合金或固溶體（包括可混溶的聚合物）。包含基質(zhì)和分散的納米粒子相的材料或涂層的反應(yīng)離子蝕刻可產(chǎn)生各向異性（突出特征物的高度大于突出特征物的橫向尺寸）且隨機(jī)（突出特征物的位置不限定，例如周期性的）的納米結(jié)構(gòu)化表面?？捎玫木酆衔锊牧习崴苄运芰虾蜔峁绦詷渲：线m的熱塑性塑料包括但不限于：聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚苯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、乙酸纖維素、熱塑性聚氨酯、聚醋酸乙烯酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚丙烯、聚酯、聚乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚萘二甲酸乙二醇酯、苯乙烯丙烯腈、有機(jī)硅-聚二乙酰胺聚合物、含氟聚合物、環(huán)烯烴共聚物、熱塑性彈性體等。合適的熱固性樹脂包括但不限于烯丙樹脂（包括(甲基)丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯和聚醚丙烯酸酯）、環(huán)氧樹脂、熱固性聚氨酯、有機(jī)硅或聚硅氧烷等。這些樹脂可由包含相應(yīng)的單體和/或低聚物的可聚合組合物的反應(yīng)產(chǎn)物形成。如本文件中所用，術(shù)語(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。在一個實施例中，所述可聚合組合物包含至少一個單體或低聚(甲基)丙烯酸酯，優(yōu)選氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。通常，單體或低聚(甲基)丙烯酸酯為多(甲基)丙烯酸酯。術(shù)語“(甲基)丙烯酸酯”用于指代丙烯酸和甲基丙烯酸的酯，并且與通常指代(甲基)丙烯酸酯聚合物的“聚(甲基)丙烯酸酯”相對比，“多(甲基)丙烯酸酯”是指包含不止一個(甲基)丙烯酸酯基團(tuán)的分子。最常見的是，多(甲基)丙烯酸酯為二(甲基)丙烯酸酯，但是也可以考慮采用三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯等等。合適的單體或低聚(甲基)丙烯酸酯包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸1-丙酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸叔丁酯。丙烯酸酯可包括(甲基)丙烯酸的(氟)烷基酯單體，所述單體被部分和/或完全氟化，例如(甲基)丙烯酸三氟乙基酯。市售的多(甲基)丙烯酸酯樹脂的例子包括得自三菱麗陽公司（MitsubishiRayonCo.,LTD.）的DIABEAM系列；得自長瀨公司（Nagase&Company,Ltd.）的DINACOL系列；得自新中村化學(xué)工業(yè)株式會社（Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.）的NKESTER系列；得自大日本油墨化學(xué)株式會社（DainipponInk&Chemicals,Inc.）的UNIDIC系列；得自日本東亞合成株式會社（ToagoseiCo.,LTD.）的ARONIX系列；日油株式會社（NOFCorp.）所制造的BLENMER系列；得自日本化藥株式會社（NipponKayakuCo.,Ltd.）的KAYARAD系列；得自共榮社化學(xué)株式會社（KyoeishaChemicalCo.,Ltd.）的LIGHTESTER系列和LIGHTACRYLATE系列。低聚聚氨酯多(甲基)丙烯酸酯可商購獲得，例如以商品名“Photomer6000系列”得自沙多瑪公司（Sartomer）的如“Photomer6010”和“Photomer6020”等；以及商品名為“CN900系列”的如“CN966B85”、“CN964”和“CN972”等。低聚聚氨酯(甲基)丙烯酸酯還可得自表面技術(shù)公司（SurfaceSpecialties），例如以商品名“Ebecryl8402”、“Ebecryl8807”和“Ebecryl4827”獲得。低聚聚氨酯(甲基)丙烯酸酯還可以通過由化學(xué)式OCN-R3-NCO表示的亞烷基或芳族二異氰酸酯與多元醇的初始反應(yīng)而制備。最常見的是，多元醇為式HO-R4-OH表示的二醇，其中R3為C2-100的亞烷基或亞芳基，R4為C2-100亞烷基。然后，中間產(chǎn)物為聚氨酯二醇二異氰酸酯，其隨后可與羥烷基(甲基)丙烯酸酯發(fā)生反應(yīng)。合適的二異氰酸酯包括2,2,4-三甲基己烯二異氰酸酯和甲苯二異氰酸酯。通常優(yōu)選亞烷基二異氰酸酯。這種類型的特別優(yōu)選的化合物可由2,2,4-三甲基己烯二異氰酸酯、聚(己內(nèi)酯)二醇和2-羥乙基甲基丙烯酸酯制備。在至少某些情況下，聚氨酯(甲基)丙烯酸酯優(yōu)選地為脂族的?？删酆辖M合物可為各種具有相同或不同反應(yīng)性官能團(tuán)的單體和/或低聚物的混合物。可使用包含兩種或更多種不同官能團(tuán)的可聚合組合物，包括以下：(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂和氨基甲酸酯。不同的官能團(tuán)可包含于不同的單體和/或低聚部分中，或包含于相同的單體和/或低聚部分中。例如，樹脂組合物可包含在側(cè)鏈中具有環(huán)氧基和/或羥基的丙烯酸類樹脂或氨基甲酸酯樹脂，具有氨基的化合物和任選的在分子中具有環(huán)氧基或氨基的硅烷化合物。熱固性樹脂組合物可使用常規(guī)技術(shù)聚合，所述常規(guī)技術(shù)例如熱固化、光固化（通過光化輻射固化）和/或電子束固化。在一個實施例中，通過將樹脂暴露于紫外光(UV)和/或可見光而使樹脂光聚合。常規(guī)的固化劑和/或催化劑可在可聚合組合物中使用，并基于組合物中的官能團(tuán)進(jìn)行選擇。若使用多個固化官能團(tuán)，則可能需要多個固化劑和/或催化劑。對一個或多個固化技術(shù)（如熱固化、光固化和電子束固化）進(jìn)行組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，可聚合樹脂可為包含至少一種其他單體和/或低聚物（也就是說，除了如上所述的那些單體和/或低聚物，即單體的或低聚的(甲基)丙烯酸酯和低聚氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之外）的組合物。所述其它單體可降低粘度和/或提高熱機(jī)械性質(zhì)和/或增加折射率。具有這些性質(zhì)的單體包括丙烯酸單體（即，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，丙烯酰胺和甲基丙烯酰胺）、苯乙烯單體和烯鍵式不飽和氮雜環(huán)化合物。還包括具有其他官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯。這類化合物舉例來說為2-(N-丁基氨基甲酰)乙基(甲基)丙烯酸酯、2,4-二氯苯基丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯基丙烯酸酯、三溴苯氧基乙基丙烯酸酯、叔丁基苯基丙烯酸酯、丙烯酸苯酯、硫丙烯酸苯酯、苯基硫代乙基丙烯酸酯、烷氧基化丙烯酸苯酯、丙烯酸異冰片酯和丙烯酸苯氧乙酯。四溴雙酚A二環(huán)氧化物和(甲基)丙烯酸的反應(yīng)產(chǎn)物也是合適的。所述其他單體也可以為單體N-取代的或N,N-二取代的(甲基)丙烯酰胺，特別是丙烯酰胺。它們包括N-烷基丙烯酰胺和N,N-二烷基丙烯酰胺，尤其是含有C1-4烷基的丙烯酰胺。實例為N-異丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺和N,N-二乙基丙烯酰胺。術(shù)語“(甲基)丙烯酰胺”是指丙烯酰胺和甲基丙烯酰胺。所述其他單體還可以是多元醇多(甲基)丙烯酸酯。此類化合物通常由含有2至10個碳原子的脂族二醇、三醇和/或四醇制成。合適的聚(甲基)丙烯酸酯的實例為二丙烯酸乙二醇酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、2-乙基-2-羥甲基-1，3-丙二醇三丙烯酸酯（三羥甲基丙烷三丙烯酸酯）、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、所述多元醇的烷氧基化（通常為乙氧基化）衍生物的相應(yīng)甲基丙烯酸酯和(甲基)丙烯酸酯。具有兩個或更多個烯鍵式不飽和基團(tuán)的單體可用作交聯(lián)劑。適合用作所述其他單體的苯乙烯類化合物包括：苯乙烯、二氯苯乙烯、2,4,6-三氯苯乙烯、2,4,6-三溴苯乙烯、4-甲基苯乙烯和4-苯氧基苯乙烯。烯鍵式不飽和氮雜環(huán)化合物包括N-乙烯基吡咯烷酮和乙烯基吡啶。輻射固化性材料中的成分比例可以變化。通常，有機(jī)組分可包含約30-100%的單體的和/或低聚的(甲基)丙烯酸酯或低聚氨基甲酸酯多(甲基)丙烯酸酯，任何余量為其他單體和/或低聚物。市售的液態(tài)樹脂基材料（通常稱為“硬涂層”）可用作基質(zhì)或用作基質(zhì)的組分。此類材料包括得自加利福尼亞州圣地亞哥的加利福尼亞硬涂層公司（CaliforniaHardcoatingCo.,SanDiego,CA）的PERMANEW系列和得自紐約州阿爾巴尼的邁圖高新材料公司（MomentivePerformanceMaterials,Albany,NY）的UVHC系列硬涂層。此外，可使用市售的納米粒子填充的基質(zhì)，例如得自德國蓋斯特哈赫特的納米樹脂股份公司（NanoresinsAG,GeesthachtGermany）的NANOCRYL和NANOPOX。此外，本發(fā)明可使用含有納米粒子的硬涂層膜，如得自日本東京的東麗先進(jìn)薄膜公司（TorayAdvancedFilmsCo.,Ltd.,Tokyo,Japan）的THS系列；得自日本東京的琳得科公司（LintecCorp.,Tokyo,Japan）的用于FPD的Opteria硬涂層膜；得自日本東京的索尼化學(xué)與設(shè)備公司（SonyChemical&DeviceCorp.,Tokyo,JP）的Sony光學(xué)膜；得自韓國首爾的愛思開哈斯公司（SKCHaas,Seoul,Korea）的硬涂層膜和得自威斯康星州密爾沃基的特克拉公司（TekraCorp.,Milwaukee,WI）的TerrappinG膜?？蓪⒈砻婢瘎┘尤牖|(zhì)。均化劑優(yōu)選用于使基質(zhì)樹脂平滑。例子包括有機(jī)硅均化劑、丙烯酸類均化劑和含氟均化劑。在一個實施例中，有機(jī)硅均化劑包括聚二甲基硅氧烷主鏈，在該主鏈上加入了聚氧化亞烷基?？捎糜诨|(zhì)的無機(jī)材料包括例如玻璃、金屬、金屬氧化物和陶瓷。分散相（如，納米粒子分散相）為分散（如，隨機(jī)分散）于基質(zhì)內(nèi)的不連續(xù)相。納米級分散相可包括納米粒子（例如納米球）、納米管、納米纖維、籠狀分子、高支化分子、膠束、反膠束等等。優(yōu)選地，分散相包括納米粒子或籠狀分子；更優(yōu)選地，分散相包括納米粒子。本發(fā)明涵蓋分散相在基質(zhì)內(nèi)表現(xiàn)出一定的有序度或組織度，例如至少朝向基材基底膜或遠(yuǎn)離基材基底膜隔離（如在涂層中）。在適用于反應(yīng)離子蝕刻的復(fù)合材料中用作分散相的納米粒子的平均直徑優(yōu)選為在約1nm至約200nm范圍內(nèi)，在一些實施例中，在約10nm至200nm范圍內(nèi)。在一些實施例中，納米粒子的平均直徑為在約20至100nm范圍內(nèi)。在一些實施例中，納米粒子的平均直徑為5nm、20nm或75nm。用于分散相的納米粒子優(yōu)選包含金屬氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、鹵化物、氟烴固體等或它們的混合物。優(yōu)選的材料包括SiO2、ZrO2、TiO2、ZnO、碳酸鈣、硅酸鎂、銦錫氧化物、銻錫氧化物、碳、聚(四氟乙烯)等等。優(yōu)選地，納米粒子包含SiO2。納米粒子可以約1體積%和約75體積%或約5體積%和約20體積%的量存在于所述基質(zhì)中。如本領(lǐng)域已知，復(fù)合材料中的基質(zhì)相和分散相的相對含量可以體積百分比或重量百分比表示。重量百分比組成描述向體積百分比組成描述的轉(zhuǎn)化需要考慮這些相中的每一個的密度，這是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員易于做到的。應(yīng)該指出的是，本文中僅用固體材料相的相對含量描述復(fù)合材料的組成，而不考慮孔隙（開孔或閉孔）的可能性。本文所述的復(fù)合物的組成涵蓋其中也可存在孔隙。雖然本文中復(fù)合物組成的表述僅限于描述復(fù)合物中所含的固相，但其中也可存在孔隙。用于本發(fā)明的材料中的二氧化硅可以商品名“NalcoColloidalSilicas”自伊利諾伊州納波維爾的納爾科化學(xué)公司（NalcoChemicalCo.,Naperville,IL）商購獲得，例如產(chǎn)品1040、1042、1050、1060、2327和2329。合適的熱解二氧化硅包括例如可以商品名“AerosilseriesOX-50”以及產(chǎn)品編號-130、-150和-200從贏創(chuàng)公司（Evonik）商購獲得的產(chǎn)品。其他膠態(tài)二氧化硅也可以商品名“IPA-ST”、“IPA-ST-L”和“IPA-ST-ML”從日產(chǎn)化學(xué)公司（NissanChemicals）得到。熱解二氧化硅也可以商品名“CAB-O-SPERSE2095”、“CAB-O-SPERSEA105”和“CAB-O-SILM5”從伊利諾伊州塔斯科拉的卡博特公司（CabotCorp.,Tuscola,IL.）商購獲得。用于本發(fā)明的組合物和制品中的氧化鋯可以商品名“NalcoOOSSOO8”得自納爾科化學(xué)公司（NalcoChemicalCo.）。表面處理納米尺度的粒子的方法可以在聚合物樹脂中提供穩(wěn)定的分散體。優(yōu)選地，表面處理使納米粒子穩(wěn)定化，使得這些粒子將良好地分散在可聚合樹脂中，并產(chǎn)生基本上均勻的組合物。此外，可以用表面處理劑對納米粒子表面的至少一部分進(jìn)行改性，從而使得穩(wěn)定的粒子在固化期間能與可聚合樹脂共聚或反應(yīng)。優(yōu)選地用表面處理劑對納米粒子進(jìn)行處理。一般來講，表面處理劑具有第一末端和第二末端，第一末端將連接至粒子表面（通過共價鍵、離子或強(qiáng)物理吸附作用），第二末端賦予粒子與樹脂的相容性和/或在固化期間與樹脂反應(yīng)。表面處理劑的例子包括：醇、胺、羧酸、磺酸、膦酸、硅烷和鈦酸酯。優(yōu)選的處理劑類型部分地由金屬氧化物表面的化學(xué)性質(zhì)決定。硅烷對于二氧化硅和其他含硅填料而言是優(yōu)選的。硅烷和羧酸對于金屬氧化物（如氧化鋯）而言是優(yōu)選的。表面改性可以在緊隨與單體混合之后進(jìn)行或在混合完成后進(jìn)行。就硅烷而言，優(yōu)選的是在結(jié)合到樹脂中前讓硅烷與粒子或納米粒子表面反應(yīng)。所需的表面改性劑的量取決于若干因素，例如粒度、粒子類型、改性劑的分子量和改性劑類型。表面處理劑的代表性實施例包括例如以下化合物：異辛基三甲氧基硅烷、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸甲氧基乙氧基乙氧基乙酯(PEG3TES)、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸甲氧基乙氧基乙氧基乙酯(PEG2TES)、3-(甲基丙烯?；趸?丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(丙烯酰氧基丙基)甲基二甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基二甲基乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙酰氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三異丙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基三叔丁氧基硅烷、乙烯基三異丁氧基硅烷、乙烯基三異丙烯氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、巰基丙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、丙烯酸、甲基丙烯酸、油酸、硬脂酸、十二烷酸、2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙酸(MEEAA)、丙烯酸β-羧乙基酯、2-(2-甲氧基乙氧基)乙酸、甲氧基苯基乙酸以及它們的混合物。此外，以商品名“SilquestA1230”購自西弗吉尼亞州康普頓南查爾斯頓的特種有機(jī)硅公司（OSISpecialties,CromptonSouthCharleston,WV）的專有硅烷表面改性劑也是合適的。對膠態(tài)分散體中粒子表面的改性可以多種方式完成。該過程涉及將無機(jī)分散體與表面改性劑混合。可任選地是，可在此時加入助溶劑，例如1-甲氧基-2-丙醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、N,N-二甲基乙酰胺和1-甲基-2-吡咯烷酮。助溶劑能夠提高表面改性劑以及經(jīng)表面改性粒子的溶解度。含有無機(jī)溶膠和表面改性劑的混合物隨后在室溫或高溫下通過混合來反應(yīng)或無需混合而反應(yīng)。在一種方法中，可讓混合物在約85℃下反應(yīng)約24小時，從而得到表面改性的溶膠。在對金屬氧化物進(jìn)行表面改性的另一種方法中，金屬氧化物的表面處理可優(yōu)選地涉及將酸性分子吸附到粒子表面。重金屬氧化物的表面改性優(yōu)選地在室溫下進(jìn)行。使用硅烷對ZrO2進(jìn)行的表面改性可在酸性條件或堿性條件下完成。一種情況是將硅烷在酸性條件下加熱一段合適的時間。此時將分散體與氨水（或其他堿）混合。此方法允許從ZrO2表面除去與酸抗衡的離子，以及允許與硅烷反應(yīng)。在另一種方法中，將粒子從分散體沉淀，并與液相分離?？梢圆捎帽砻娓男詣┑慕M合，其中改性劑中的至少一種具有與可硬化樹脂可共聚的官能團(tuán)。例如，所述可聚合基團(tuán)可以為烯鍵式不飽和的或者易于開環(huán)聚合的環(huán)狀官能團(tuán)。烯鍵式不飽和聚合基團(tuán)可以是（例如）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯或者乙烯基。易于開環(huán)聚合的環(huán)狀官能團(tuán)通常含有雜原子，例如氧原子、硫原子或氮原子，并且優(yōu)選地為含氧的三元環(huán)（例如環(huán)氧化物）。納米分散相的可用籠狀分子包括多面低聚硅倍半氧烷分子，其為有機(jī)硅和氧的籠狀雜交分子。多面低聚硅倍半氧烷(POSS)分子衍生自通過組成和共用命名系統(tǒng)這兩者與有機(jī)硅密切有關(guān)的連續(xù)演化類的化合物。POSS分子具有兩個獨特的特征：(1)化學(xué)組成為介于二氧化硅(SiO2)和有機(jī)硅(R2SiO)之間的雜化中間體(RSiO1.5)；以及(2)相對于聚合物尺寸而言，所述分子的物理尺寸較大，在大小上與大多數(shù)聚合物鏈段和線團(tuán)幾乎相當(dāng)。因此，POSS分子可被看作是二氧化硅可能的最小粒子（約1-1.5nm）。然而，不同于二氧化硅或改性粘土，每一個POSS分子包含適于聚合或?qū)OSS單體接枝到聚合物鏈上的共價鍵合的反應(yīng)性官能團(tuán)。此外，POSS丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯單體適合于紫外(UV)固化。高官能度POSS丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯（例如MA0735和MA0736）可與大多數(shù)紫外固化性丙烯酸和聚氨酯丙烯酸單體或低聚物混溶，以形成機(jī)械耐用的硬涂層，其中POSS分子形成均勻分散在有機(jī)涂層基質(zhì)中的納米相。還可以將碳以石墨、碳納米管、巴基球或炭黑的形式用在納米分散相中，例如美國專利No.7,368,161（McGurran等人）中所述?？捎糜诩{米分散相的另外的材料包括IrgastatTMP18（得自紐約州塔里敦的汽巴公司（CibaCorporation,Tarrytown,NY））和AmpacetLR-92967（得自紐約州塔里敦的阿姆帕斯特公司（AmpacetCorporation,Tarrytown,NY））。分散相在基質(zhì)中的濃度通常為介于約1體積%和約75體積%之間；優(yōu)選介于約5體積%和約20體積%之間。本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)化制品可具有各向異性的納米結(jié)構(gòu)。納米結(jié)構(gòu)化各向異性表面通常包括納米特征物，其高寬比為約2:1或更大；優(yōu)選約5:1或更大。在一些實施例中，所述高寬比為甚至50:1或更大，100:1或更大，或200:1或更大。納米結(jié)構(gòu)化各向異性表面可包含納米特征物例如納米柱或納米管柱、或包含納米柱或納米管柱的連續(xù)納米壁。優(yōu)選地，納米特征物具有大致垂直于基材的陡峭側(cè)壁。在一些實施例中，大部分納米特征物被分散相材料覆蓋。分散相在表面處（相對于基質(zhì)內(nèi)部）的濃度可為介于約1體積%和約75體積%之間；優(yōu)選地介于約5體積%和約20體積%之間。在一些實施例中，基質(zhì)表面處的分散相濃度高于基質(zhì)內(nèi)部。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含高度為50至750納米、在一些情況下75至300納米、在一些情況下100至200納米的納米特征物。一旦金屬化（如，通過濺射），納米結(jié)構(gòu)化表面就可被金屬滲透達(dá)大約等于納米特征物的高度的程度。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含寬度（如，其高度的約一半）為15至200納米、在一些情況下50至125納米的納米特征物。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含橫向間距（即，納米結(jié)構(gòu)化主表面的平面內(nèi)納米特征物的約一半高度處的間距）為5至500納米、在一些情況下15至100納米的納米特征物。納米結(jié)構(gòu)化主表面的平面內(nèi)納米特征物的約一半高度處的橫向間距可通過將與主表面正交的微結(jié)構(gòu)化表面分段并測量距離來顯微測定（如，通過透射電子顯微鏡法）。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含高度寬度比為2比1、在一些情況下為100比1或更大的納米特征物。納米結(jié)構(gòu)表面通常具有0.05至1、在一些情況下0.05至0.35的反射率。納米結(jié)構(gòu)表面通常具有0.1至1、在一些情況下0.1至0.4的透射濁度（如使用Haze-GardPlus（馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納公司（BYK-Gardner,Columbia,MD））所測得）。在一些實施例中，基質(zhì)可以包含靜電耗散的材料，以便最小化灰塵和粒子物的吸附進(jìn)而保持表面質(zhì)量。用于靜電耗散的合適材料包括例如Stat-RiteTM聚合物，如X-5091、M-809、S-5530、S-400、S-403和S-680（可得自俄亥俄州威克利夫的路博潤公司(Lubrizol,Wickliffe,OH）；3,4-聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)（得自俄亥俄州辛辛那提的世泰科公司（H.C.Starck,Cincinnati,OH））；聚苯胺；聚噻吩；以及PelestatTMNC6321和NC7530抗靜電添加劑（得自紐約州紐約市的東棉美國公司（TomenAmericaInc.,NewYork,NY））。通過對基質(zhì)進(jìn)行各向異性蝕刻，形成納米結(jié)構(gòu)化表面。例如，包括納米級分散相的基質(zhì)可以被設(shè)置為基板上的涂層。例如，基板可以是聚合物基板、玻璃基板或窗，或者是功能裝置，例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、顯示器、光伏裝置等?？蓪稚⑾嗟幕|(zhì)涂布于基材上，并使用本領(lǐng)域已知的方法如，例如通過澆注輥進(jìn)行的澆注固化、模壓涂布、流動涂布或浸涂進(jìn)行固化。涂層可以以大于約1微米或優(yōu)選地大于約4微米的任何所需厚度制得。另外，可以通過UV、電子束或熱將涂層固化。或者，包括分散相的基質(zhì)可以本身就是制品。在一些實施例中，包括納米級分散相的基質(zhì)的表面可以被微結(jié)構(gòu)化。例如，可對具有V型槽微結(jié)構(gòu)化表面的基材涂覆包含納米分散相的可聚合基質(zhì)材料，并對其進(jìn)行等離子體蝕刻處理，以在V型槽微結(jié)構(gòu)化表面上形成納米結(jié)構(gòu)。或者，還可對例如菲涅爾透鏡的微結(jié)構(gòu)化制品或包括微復(fù)制臺柱或圓柱（包含納米分散相）的微結(jié)構(gòu)化制品進(jìn)行等離子體蝕刻處理，以在微結(jié)構(gòu)上形成納米結(jié)構(gòu)。使用化學(xué)反應(yīng)等離子體對基質(zhì)進(jìn)行各向異性蝕刻。例如，RIE工藝包括通過電磁場在真空下產(chǎn)生等離子體。源自等離子體的高能離子撞擊或蝕刻掉基質(zhì)材料。典型的RIE系統(tǒng)由具有兩個平行電極的真空室組成，這兩個電極為“通電電極”（或“樣品載體電極”）和反電極，它們用于產(chǎn)生使離子向著其加速的電場。通電電極位于真空室底部，并且與真空室的其余進(jìn)行電隔離。要被納米結(jié)構(gòu)化制品或樣品被放置在通電電極上。反應(yīng)性氣體物質(zhì)可以（如）通過真空室頂部的小入口被加入真空室，并且可以流出到真空室底部的真空泵系統(tǒng)。通過向通電電極施加RF電磁場，在系統(tǒng)中形成等離子體。電磁場通常是使用13.56MHz的振蕩器產(chǎn)生的，但是也可以使用其它RF源和頻率范圍。氣體分子被打破并可以在等離子體中被離子化，并且向著通電電極加速以蝕刻樣品。大的電壓差值使得離子被朝通電電極導(dǎo)向，離子在通電電極處碰撞有待蝕刻的樣品。由于大部分離子是垂直傳遞的，導(dǎo)致樣品的蝕刻輪廓基本上是各向異性的。優(yōu)選地，通電電極小于反電極，從而在鄰近通電電極的離子殼層上形成大的電壓電勢。優(yōu)選地，蝕刻深度為大于約50納米，更優(yōu)選大于約75納米，還更優(yōu)選大于約100納米。工藝壓力通常保持在約20毫托以下（優(yōu)選地，約10毫托以下）但大于約1毫托。這個壓力范圍使得很容易以高性價比方式產(chǎn)生各向異性的納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)壓力高于約20毫托時，由于離子能量的碰撞猝滅，蝕刻工藝變得更為各向同性。類似地，當(dāng)壓力低于約1毫托時，由于反應(yīng)性物質(zhì)的數(shù)密度降低，蝕刻速率變得極慢。另外，氣體抽取的要求變得非常高。蝕刻工藝的RF功率的功率密度優(yōu)選地在約0.1至約1.0瓦特/cm3的范圍內(nèi)（優(yōu)選約0.2至約0.3瓦特/cm3）。所用氣體的類型和用量將取決于要蝕刻的基質(zhì)材料。反應(yīng)性氣體物質(zhì)需要選擇性蝕刻基質(zhì)材料而非分散相?？墒褂酶郊拥臍怏w來提高碳?xì)浠衔锏奈g刻速率或用于非碳?xì)浠衔锊牧系奈g刻。例如，可將如全氟甲烷、全氟乙烷、全氟丙烷、六氟化硫、三氟化氮等等含氟氣體加到氧氣中或獨自引入，以蝕刻例如SiO2、碳化鎢、氮化硅、非晶硅等材料?？赏瑯犹砑雍葰怏w用于蝕刻例如鋁、硫、碳化硼等材料。例如甲烷等碳?xì)浠衔餁怏w可用于例如砷化鎵、鎵、銦等材料的蝕刻?？商砑佣栊詺怏w，尤其是重氣，例如氬氣，來提高各向異性蝕刻工藝。有利的是，還可以使用連續(xù)卷對卷處理執(zhí)行本發(fā)明的方法。例如，可以使用“圓柱形”RIE執(zhí)行本發(fā)明的方法。圓柱形RIE利用旋轉(zhuǎn)的圓柱形電極在本發(fā)明的制品表面上提供經(jīng)各向異性蝕刻的納米結(jié)構(gòu)。通常，可以如下描述用于制備本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)制品的圓柱形RIE。在真空容器內(nèi)部提供由射頻(RF)供電的旋轉(zhuǎn)式圓柱形電極（“桶電極”）以及接地的反電極。反電極可包括真空容器本身。將包含蝕刻劑的氣體送入真空容器中，在桶電極和接地反電極之間激發(fā)并維持等離子體。選擇條件，使得充足的離子轟擊垂直導(dǎo)向到桶的圓周。然后，包括含有納米分散相的基質(zhì)的連續(xù)制品可以卷繞桶的外周并且可以沿著與制品平面垂直的方向蝕刻基質(zhì)。基質(zhì)的形式可以是制品上如（例如）膜或幅材上的涂層，或者基質(zhì)可以自身就是制品?？煽刂浦破返谋┞稌r間，以使所得的納米結(jié)構(gòu)獲得預(yù)定的蝕刻深度?？稍诖蠹s10毫托的操作壓力下進(jìn)行所述工藝。在包含納米結(jié)構(gòu)化的并由基質(zhì)相和分散相形成的復(fù)合表面的一些示例性實施例中，可移除通過反應(yīng)離子蝕刻基質(zhì)所暴露且通過作為蝕刻掩模的作用部分導(dǎo)致納米結(jié)構(gòu)化表面的形成的分散部分。也就是說，可在前面所述的各向異性地移除基質(zhì)材料的反應(yīng)離子蝕刻步驟之后，例如在單獨的蝕刻步驟（例如用選擇以蝕刻基質(zhì)的不同氣體組合物的干式等離子體蝕刻、或濕式蝕刻）中移除終止圖15的納米特征物的上部延伸的分散相部分。雖然到目前為止所公開的改性基材包括通過反應(yīng)離子蝕刻包含其中具有分散相的基質(zhì)的復(fù)合材料所形成的納米結(jié)構(gòu)化且抗反射的表面，但本發(fā)明也涵蓋使用不具有這樣的復(fù)合材料但具有例如納米結(jié)構(gòu)化表面的基材，其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面通過反應(yīng)離子蝕刻由例如單相材料的不連續(xù)表面沉積物部分遮蓋的基材所限定。這樣的基材在出版物例如PlasmaProcessesandPolymers,Vol.6,IssueSupplement1,pp.S716-S-721(2009)（等離子體方法和聚合物，第6卷，增刊1，第S716-S-721頁（2009年））和SurfaceandCoatingsTechnology,Vol.205,IssueSupplement2,pp.S495-497(2011)（表面和涂層技術(shù)，第205卷，增刊2，第S495-497頁（2011年））中有所公開。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為10至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以1體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20-100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有通過反應(yīng)離子蝕刻制得的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為20至100納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以5體積%至20體積%存在于所述基質(zhì)中。對于任何上面剛剛提到的示例性實施例，金屬導(dǎo)體可以包含跡線的網(wǎng)格微圖案的形式存在，其中跡線寬度為在0.1至20微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至10微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至5微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至4微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至2微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在1至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.1至0.5微米范圍內(nèi)。在一些實施例中，網(wǎng)格導(dǎo)體微圖案區(qū)域（如，對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域）的開口區(qū)域為介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達(dá)99.95%。在一個示例性實施例中，制品包含透明基材和導(dǎo)體，所述透明基材具有第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上并且呈微圖案形式；其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包括納米特征物，所述納米特征物的高度為75至250納米、寬度為15至150納米且橫向間距為10至150納米；其中所述金屬導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米；其中所述微圖案由限定多個開口區(qū)域單元的多條跡線形成；其中所述微圖案的開口區(qū)域比率為大于80%；其中所述跡線中的每一條的寬度為0.5至3微米；其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相；其中所述納米級分散相包含粒度為10至250納米的納米粒子；并且其中所述納米粒子以20%至75%的體積百分比存在于所述基質(zhì)中。對于任何上面剛剛提到的示例性實施例，金屬導(dǎo)體還可連接至觸摸式傳感器驅(qū)動裝置，這將在下文討論。具有結(jié)構(gòu)化粒子涂層的基材如上所述，反應(yīng)離子蝕刻為制造具有納米結(jié)構(gòu)化表面的基材的一種方法。本文描述第二種方法來制造用于本發(fā)明中的第二類型的納米結(jié)構(gòu)化基材，即具有結(jié)構(gòu)化粒子涂層的基材。用于制備這類型基材的此類方法和設(shè)備在受讓人的共同待審的申請中的代理人檔案號為68268US002的專利申請中有充分描述，該專利申請名稱為“NanostructuredMaterialsandMethodsofMakingtheSame（納米結(jié)構(gòu)化材料及其制備方法）”，與本專利申請同日提交，并以引用方式全文并入本文。該第二種方法涉及可固化樹脂和亞微米粒子混合物在受控的抑制劑氣體環(huán)境中聚合。Submicrometer（亞微米）、submicrometer（亞微米）和submicron（亞微米）在本文中可互換使用。材料可使用光化輻射聚合。包含可自由基固化的預(yù)聚物、亞微米粒子和溶劑（任選）的溶液可特別適用于制備表面結(jié)構(gòu)化制品。溶劑可為溶劑的混合物。在聚合（第一固化）過程中，通過抑制劑氣體（如，氧氣和空氣）的存在來抑制表面層，而涂層的體相固化。產(chǎn)生包含突出的亞微米粒子（即，納米特征）的表面結(jié)構(gòu)。隨后聚合（第二固化）表面區(qū)域產(chǎn)生固化的結(jié)構(gòu)化涂層?？稍谕还袒皇抑谢蛟谥辽僖粋€其他固化腔室中進(jìn)行表面層的后續(xù)聚合。第一固化與后續(xù)固化之間的時間可為例如小于60秒（或甚至小于45、30、25、20、15、10或甚至小于5秒）；在一些實施例中，幾乎是瞬時的。圖16為根據(jù)本發(fā)明的一個方面的用于形成納米結(jié)構(gòu)化制品180和190的示例性方法100的示意圖。第一溶液110在任選的溶劑120中包含可聚合材料130和亞微米粒子140。如本文所用，術(shù)語溶液有時適用于其中包括懸浮的粒子的液體，并因此也可描述為懸浮體或分散體。自第一溶液110移除溶劑120的主要部分以形成基本上含可聚合材料130和亞微米粒子140的第二溶液150。通過在抑制劑氣體的存在下光化輻射固化來使溶液150聚合，以形成納米結(jié)構(gòu)化材料180。納米結(jié)構(gòu)化材料180包括第一整體區(qū)域和第二整體區(qū)域。第二區(qū)域175包含基本上已聚合的基質(zhì)材料170和亞微米粒子140。第一納米結(jié)構(gòu)化區(qū)域178包含可聚合材料135和亞微米粒子140。第一區(qū)域178具有外部主表面137，其中至少最外部的亞微米粒子由可聚合材料135局部適形地涂布?！熬植窟m形地涂布”應(yīng)當(dāng)理解為且例如自圖16很明顯，雖然可聚合材料135適形地涂布一些亞微米粒子的一部分外表面，但這些亞微米粒子的一些部分具有超出適形地涂布其外表面的可聚合材料135的過量可聚合材料135。材料180通過光化輻射進(jìn)一步聚合以形成納米結(jié)構(gòu)化材料190。納米結(jié)構(gòu)化材料190包括第一整體區(qū)域和第二整體區(qū)域。第二區(qū)域195包含聚合的基質(zhì)材料160和亞微米粒子140。第一納米結(jié)構(gòu)化區(qū)域198包含聚合的材料165和亞微米粒子140。第一區(qū)域198具有外部主表面167，其中至少最外部的亞微米粒子由聚合物材料165局部適形地涂布并且任選地共價結(jié)合到聚合物材料165。區(qū)域198內(nèi)的亞微米粒子140中的至少一部分形成呈粒子突出物（即，突出的粒子）形式的納米特征物。取決于粒子的排列，粒子突出物的高度（即，從突出粒子的最外程度到其鄰近凹處的垂直距離）可大約等于粒子直徑的一半、粒子的整個直徑或大于粒子的整個直徑。一旦金屬化（如，通過濺射），納米結(jié)構(gòu)化區(qū)域的表面（即，納米結(jié)構(gòu)化表面），就可被金屬滲透達(dá)大約等于納米特征物的高度的程度。第一區(qū)域198和第二區(qū)域195分別具有第一平均密度和第二平均密度，且第一平均密度小于第二平均密度。雖然在圖16中未示出，但應(yīng)當(dāng)理解可將第一溶液110涂布在基材（未示出）上以在基材上形成納米結(jié)構(gòu)化涂層。在一些實施例中，涂層可形成密堆積的局部適形地涂布的亞微米粒子的陣列，其中至多10%（在一些實施例中，至多20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或甚至至少90%）的亞微米粒子是突出的。在一些實施例中，平均亞微米粒子中心到中心間距為相隔1.1（在一些實施例中，至少1:2、1.3、1:5或甚至至少2）倍的直徑。在一些實施例中，本文所述制品（如，具有所要抗反射性質(zhì)的一些實施例）的表面梯度密度厚度為在50nm至200nm（在一些實施例中，75nm至150nm）范圍內(nèi)。固化成聚合物基質(zhì)的突出亞微米粒子的基本上緊密堆積的（高度堆積的）陣列可產(chǎn)生使得抗反射的耐久梯度指數(shù)表面層。本文所述可聚合材料（如圖16中（即含在連續(xù)相中）的130）包含可自由基固化的預(yù)聚物。示例性的可自由基固化的預(yù)聚物包括將通過自由基聚合聚合（固化）的單體、低聚物、聚合物和樹脂。合適的可自由基固化的預(yù)聚物包括(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯和聚醚(甲基)丙烯酸酯、有機(jī)硅(甲基)丙烯酸酯和氟化甲基(丙烯酸酯)。示例性的可自由基固化的基團(tuán)包括(甲基)丙烯酸酯基團(tuán)、烯屬碳-碳雙鍵、烯丙氧基基團(tuán)、α-甲基苯乙烯基團(tuán)、苯乙烯基團(tuán)、(甲基)丙烯酰胺基團(tuán)、乙烯基醚基團(tuán)、乙烯基基團(tuán)、烯丙基基團(tuán)以及它們的組合。通常，可聚合材料包含可自由基聚合的基團(tuán)。在一些實施例中，可聚合材料（如，圖16中的130）包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯單體，特別地，多官能(甲基)丙烯酸酯、二官能(甲基)丙烯酸酯、單官能(甲基)丙烯酸酯以及它們的組合。如本文所用，術(shù)語“單體”是指具有一個或多個可自由基聚合的基團(tuán)的相對較低分子量的材料（即，分子量為小于約500克/摩爾）?！暗途畚铩笔侵阜肿恿繛樵诩s500克/摩爾至約10,000克/摩爾范圍內(nèi)的相對中等分子量的材料?！熬酆衔铩笔侵阜肿恿繛橹辽偌s10,000克/摩爾（在一些實施例中，在10,000克/摩爾至100,000克/摩爾范圍內(nèi)）的相對較高分子量的材料。除非另有明確說明，否則此說明書全篇中所用的術(shù)語“分子量”是指數(shù)均分子量。在一些示例性實施例中，可聚合組合物包含至少一種單體或低聚的多官能(甲基)丙烯酸酯。通常，多官能(甲基)丙烯酸酯為三(甲基)丙烯酸酯和/或四(甲基)丙烯酸酯。在一些實施例中，可采用更高官能度的單體和/或低聚的(甲基)丙烯酸酯。也可使用多官能(甲基)丙烯酸酯的混合物。示例性的多官能(甲基)丙烯酸酯單體包括多元醇多(甲基)丙烯酸酯。此類化合物通常由含有3-10個碳原子的脂族三醇和/或四醇制備。合適的多官能(甲基)丙烯酸酯的例子為三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯及所述多元醇的烷氧基化（通常為乙氧基化）衍生物的相應(yīng)甲基丙烯酸酯和(甲基)丙烯酸酯。多官能單體的例子包括可以商品名“SR-295”、“SR-444”、“SR-399”、“SR-355”、“SR494”和“SR-368”、“SR-351”、“SR492”、“SR350”、“SR415”、“SR454”、“SR499,501”、“SR502”、“SR9020”得自賓夕法尼亞州?？怂诡D的沙多瑪公司（SartomerCo.,Exton,PA）以及可以商品名“PETA-K”、“PETIA”和“TMPTA-N”得自佐治亞州士麥那的表面技術(shù)公司（SurfaceSpecialties,Smyrna,GA）的那些。多官能(甲基)丙烯酸酯單體可賦予結(jié)構(gòu)化表面以耐久性和硬度。在一些示例性實施例中，可聚合組合物包含至少一種單體或低聚的二官能(甲基)丙烯酸酯。示例性的二官能(甲基)丙烯酸酯單體包括二元醇二官能(甲基)丙烯酸酯。此類化合物通常由含有2-10個碳原子的脂族二醇制備。合適的二官能(甲基)丙烯酸酯的例子有乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯、環(huán)己烷二甲醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯和二丙二醇二丙烯酸酯。得自二官能聚醚的二官能(甲基)丙烯酸酯也適用。例子包括聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯。在一些示例性實施例中，可聚合組合物包含至少一種單體或低聚的單官能(甲基)丙烯酸酯。示例性的單官能(甲基)丙烯酸酯和其他可自由基固化的單體包括苯乙烯、α-甲基苯乙烯、取代的苯乙烯、乙烯基酯、乙烯基醚、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、(甲基)丙烯酰胺、N-取代的(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、壬基酚乙氧基化(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、單(甲基)丙烯酸丁二醇酯、β-羧乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯腈、馬來酸酐、衣康酸、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、甲基丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸、N-乙烯基己內(nèi)酰胺、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、羥基官能化聚己內(nèi)酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥基異丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥基異丁酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯以及它們的組合。單官能(甲基)丙烯酸酯可用于例如調(diào)節(jié)預(yù)聚物組合物的粘度和官能度。低聚物材料也可用于制備包含本文所述亞微米粒子的材料。所述低聚材料有助于固化組合物的本體光學(xué)性質(zhì)和耐用性質(zhì)。代表性的二官能低聚物包括乙氧基化(30)雙酚A二丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二甲基丙烯酸酯、乙氧基化(2)雙酚A二甲基丙烯酸酯、乙氧基化(3)雙酚A二丙烯酸酯、乙氧基化(4)雙酚A二甲基丙烯酸酯、乙氧基化(6)雙酚A二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二丙烯酸酯。典型的可用二官能低聚物和低聚共混物包括可以商品名“CN-120”、“CN-104”、“CN-116”、“CN-117”得自沙多瑪公司（SartomerCo.）和以商品名“EBECRYL1608”、“EBECRYL3201”、“EBECRYL3700”、“EBECRYL3701”、“EBECRYL608”得自佐治亞州士麥那的氰特表面技術(shù)公司（CytecSurfaceSpecialties,Smyrna,GA）的那些。其他可用的低聚物和低聚共混物包括可以商品名“CN-2304”、“CN-115”、“CN-118”、“CN-119”、“CN-970A60”、“CN-972”、“CN-973A80”和“CN-975”得自沙多瑪公司（SartomerCo）和以商品名“EBECRYL3200”、“EBECRYL3701”、“EBECRYL3302”、“EBECRYL3605”、“EBECRYL608”得自氰特表面技術(shù)公司（CytecSurfaceSpecialties）的那些。聚合物基質(zhì)可由官能化的聚合物材料制成，例如耐候的聚合物材料、疏水性聚合物材料、親水性聚合物材料、抗靜電聚合物材料、防污聚合物材料、用于電磁屏蔽的導(dǎo)電聚合物材料、抗微生物聚合物材料或耐磨聚合物材料。親水性或抗靜電官能聚合物基質(zhì)包含親水性丙烯酸酯如甲基丙烯酸羥乙酯（HEMA）、丙烯酸羥乙酯（HEA）、具有不同聚乙二醇（PEG）分子量的聚(乙二醇)丙烯酸酯及其他親水性丙烯酸酯（如，丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基-3-甲基丙烯酰氧基丙酯和丙烯酸2-羥基-3-丙烯酰氧基丙酯）。在一些實施例中，可通過例如在不超過可輻射固化的預(yù)聚物（參看例如圖16中的130）或基材（如果包括的話）的分解溫度的溫度下干燥來從溶液110移除溶劑（參看例如圖16中的120）。在一個示例性實施例中，使干燥過程中的溫度保持在低于基材易變形的溫度（如，基材的翹曲溫度或玻璃化轉(zhuǎn)變溫度）之下。示例性的溶劑包括直鏈、支鏈和環(huán)狀烴、醇、酮和醚，包括丙二醇醚（如，1-甲氧基-2-丙醇）、異丙醇、乙醇、甲苯、乙酸乙酯、2-丁酮、乙酸丁酯、甲基異丁基酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、丙酮、芳烴、異佛爾酮、丁內(nèi)酯、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃、酯（如，乳酸酯、乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯（PM乙酸酯）、二乙二醇乙醚乙酸酯（DE乙酸酯）、乙二醇丁醚乙酸酯（EB乙酸酯）、雙丙二醇一甲基乙酸酯（DPM乙酸酯）、異烷基酯、乙酸異己酯、乙酸異庚酯、乙酸異辛酯、乙酸異壬酯、乙酸異癸酯、乙酸異十二烷基酯、乙酸異十三烷基酯和其他異烷基酯）、水；以及它們的組合。第一溶液（參看例如圖16中的110）也可包含鏈轉(zhuǎn)移劑。鏈轉(zhuǎn)移劑優(yōu)選地在聚合前可溶于單體混合物。合適的鏈轉(zhuǎn)移劑的實例包括三乙基硅烷和硫醇。可以有效促進(jìn)第二溶液（參看例如圖16中的150）中存在的預(yù)聚物的聚合的量使用引發(fā)劑如光引發(fā)劑。光引發(fā)劑的量可隨引發(fā)劑的類型、引發(fā)劑的分子量、所得納米結(jié)構(gòu)化材料的預(yù)期應(yīng)用（參看例如圖1中的180和190）以及聚合方法（包括方法的溫度和所用光化輻射的波長）而異?？捎玫墓庖l(fā)劑包括例如分別可以商品名“IRGACURE”和“DAROCURE”（包括“IRGACUR184”和“IRGACUR819”）得自汽巴精化公司（CibaSpecialtyChemicals）的那些。亞微米粒子包括納米粒子（如，納米球和納米管）。亞微米粒子可以是締合的或未締合的或這兩者。亞微米粒子可具有球形或各種其他形狀。例如，亞微米粒子可以是細(xì)長的并具有一定范圍的縱橫比。在一些實施例中，亞微米粒子可為無機(jī)亞微米粒子、有機(jī)（如，聚合物）亞微米粒子或有機(jī)和無機(jī)亞微米粒子的組合。在一個示例性實施例中，亞微米粒子可為多孔粒子、中空粒子、實心粒子或它們的組合。在一些實施例中，亞微米粒子為在5nm至1000nm范圍內(nèi)（在一些實施例中，20nm至750nm、50nm至500nm、75nm至300nm或甚至100nm至200nm）。亞微米粒子的平均直徑為在約10nm至約1000nm范圍內(nèi)。術(shù)語“亞微米粒子”可在本文中進(jìn)一步定義為指直徑小于約1000nm的膠體（原生粒子或締合粒子）。本文所用的術(shù)語“締合粒子”是指聚集和/或凝聚在一起的兩種或更多種原生粒子的組合。本文所用的術(shù)語“聚集的”是描述可相互化學(xué)結(jié)合的原生粒子之間的強(qiáng)締合。很難實現(xiàn)將聚集體分解成較小的粒子。本文所用的術(shù)語“凝聚的”是描述可以通過電荷或極性結(jié)合在一起的原生粒子之間的弱締合，并且這些粒子可以分解成較小的個體。術(shù)語“原生粒度”在本文中定義為未締合的單個粒子的大小。亞微米分散相的尺寸或大小可通過電子顯微鏡法（如，透射電子顯微鏡法（TEM））測定。亞微米（包括納米尺寸的）粒子可包含例如碳、金屬、金屬氧化物（如，SiO2、ZrO2、TiO2、ZnO、硅酸鎂、氧化銦錫和氧化銻錫）、碳化物（如，SiC和WC）、氮化物、硼化物、鹵化物、氟烴固體（如，聚(四氟乙烯)）、碳酸鹽（如，碳酸鈣）以及它們的混合物。在一些實施例中，亞微米粒子包含SiO2粒子、ZrO2粒子、TiO2粒子、ZnO粒子、Al2O3粒子、碳酸鈣粒子、硅酸鎂粒子、氧化銦錫粒子、氧化銻錫粒子、聚(四氟乙烯)粒子或碳粒子。金屬氧化物粒子可完全凝聚。金屬氧化物粒子可以是晶體。亞微米粒子或改性的亞微米粒子（分散相）與可自由基固化的預(yù)聚物（基質(zhì)）的重量比為粒子載量的一個量度。在一些實施例中，粒子以約10:90至80:20（在一些實施例中，例如20:80至70:30）范圍內(nèi)的量存在于所述基質(zhì)中。就體積百分比而言，在一些實施例中，亞微米粒子以約40體積%至85體積%（即以粒子:基質(zhì)的體積計，40:60至85:15）范圍內(nèi)的量存在于所述基質(zhì)中。更優(yōu)選地，粒子以45體積%至75體積%范圍內(nèi)、甚至更優(yōu)選地50體積%至70體積%范圍內(nèi)的量存在于所述基質(zhì)中。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含高度為50至750納米、在一些情況下75至300納米、在一些情況下100至200納米的納米特征物。一旦金屬化（如，通過濺射），納米結(jié)構(gòu)化表面就可被金屬滲透達(dá)大約等于納米特征物的高度的程度。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含寬度（如，其高度的約一半）為15至200納米、在一些情況下50至125納米的納米特征物。納米結(jié)構(gòu)化表面通常包含橫向間距（即，納米結(jié)構(gòu)化主表面的平面內(nèi)納米特征物的約一半高度處的間距）為5至500納米、在一些情況下15至100納米的納米特征物。亞微米粒子可用與上文所述反應(yīng)離子蝕刻（RIE）中所述相同的方法和表面處理劑進(jìn)行表面處理。RIE方法中公開的表面流平劑也可用于此制備具有結(jié)構(gòu)化粒子涂層的基材的第二方法中。用于產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)化涂層的方法通常包括：（1）提供涂布溶液，所述涂布溶液包含表面改性亞微米粒子、可自由基固化的預(yù)聚物和溶劑（任選）；（2）向涂布裝置供給該溶液；（3）通過許多涂布技術(shù)中之一向基材施加涂布溶液；（4）自涂層實質(zhì)性地移除溶劑（任選）；（5）在受控的量的抑制劑（如，氧氣）的存在下使材料聚合，從而得到結(jié)構(gòu)化表面；以及（6）任選地例如通過額外的熱、可見光、紫外光（UV）或電子束固化，對經(jīng)干燥的聚合涂層進(jìn)行后加工。如上文已描述，這些步驟的產(chǎn)物產(chǎn)生復(fù)合涂層材料，其中至少最外部的亞微米粒子由可聚合材料局部適形地涂布。本發(fā)明涵蓋可聚合材料在例如通過濺射金屬化之前至少局部適形地涂布待隨后移除的最外部亞微米粒子。至少局部適形地涂布最外部亞微米粒子的可聚合材料的移除的步驟可包括如本文所述的反應(yīng)離子蝕刻。圖17A示出了在基材302上制備納米結(jié)構(gòu)化涂層366和376的示例性方法300的示意性視圖。圖17A中示出的方法300為連續(xù)方法，但應(yīng)當(dāng)理解，該方法可改為以逐步的方式進(jìn)行（即，可在各個單獨的基材塊上以離散的操作進(jìn)行下文所述的涂布、移除溶劑（任選）和聚合的步驟來形成納米結(jié)構(gòu)化涂層（材料））。圖17A中示出的方法300使基材302穿過涂布段310。方法300具有任選的第一溶劑移除段320和任選的第二溶劑移除段350以在基材302上形成涂層356?；?02上的涂層356然后穿過聚合段360以在基材302上形成納米結(jié)構(gòu)化的涂層366，并穿過任選的第二聚合段370以在基材302上形成納米結(jié)構(gòu)化的涂層376，然后卷繞成輸出輥380。任選的聚合段370可具有溫度受控的支承輥372。在一些實施例中，方法300包括與基于幅材的材料的制造共用的額外加工設(shè)備，包括惰輥、張緊輥、轉(zhuǎn)向機(jī)構(gòu)、表面處理器（如，電暈或火焰處理器）和層合輥。在一些實施例中，方法300利用不同的幅材路徑、涂布技術(shù)、聚合設(shè)備、聚合設(shè)備定位和干燥烘箱，其中所述段中的一些是任選的。基材302自輸入輥301退繞，繞過惰輥303并與涂布段310中的涂布輥304接觸。第一溶液305穿過涂布模頭307以在基材302上形成第一溶液305的第一涂層306。第一溶液305可包含溶劑、可聚合材料、亞微米粒子、光引發(fā)劑以及本文所述的任何其他第一溶液組分。位于涂布段310中的涂布模頭307與第一溶劑移除段320之間的護(hù)罩308保護(hù)涂層306免受室內(nèi)環(huán)境條件的影響并減少對涂層的任何不良作用。護(hù)罩308可為例如緊鄰第一涂層306布置并在涂布模頭307和涂布輥304周圍提供密封的成形鋁片。在一些實施例中，護(hù)罩308可以是任選的。第一任選溶劑移除段可為例如美國專利No.5,694,701（Huelsman等人）以及No.7,032,324（Kolb等人）中描述的間隙干燥器設(shè)備。間隙干燥器可提供對干燥環(huán)境的更強(qiáng)控制，而這可能是某些應(yīng)用中所需的。還可使用任選的第二溶劑移除段350來確保大部分（即，大于90重量%（在一些實施例中，大于80重量%、70重量%、60重量%或甚至大于50重量%））的溶劑被移除。溶劑可通過例如在可包括例如空氣浮力/對流的熱烘箱中干燥、真空干燥、間隙干燥或干燥技術(shù)的組合來移除。干燥技術(shù)的選擇可取決于例如所要的加工速度、溶劑移除的程度和預(yù)期的涂層形態(tài)。圖17B為圖17A中所示方法300的聚合段360（和370）的示意圖。圖17B示出了沿基材302的邊緣看到的聚合段360（和370）的橫截面。聚合段360包含殼體321和提供輻射源325與固化腔室環(huán)境327之間的邊界的石英板322。固化腔室環(huán)境327部分地包圍基材302上的第一涂層356和（至少部分地）聚合的涂層366。至少部分地聚合的涂層366包含本文所述的納米結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在描述受控的固化腔室環(huán)境327。殼體321包括入口孔328和出口孔329，其可經(jīng)調(diào)節(jié)，從而得到基材302、基材302上的涂層356及各自的孔之間的任何所需間隙。受控的固化腔室環(huán)境327及第一涂層356和第二涂層366的溫度可由壓板326的溫度（或固化腔室370的溫度受控輥）（其可由金屬制成，該金屬經(jīng)例如空氣或水冷卻，以通過移除所生成的熱來控制溫度）及適當(dāng)控制第一輸入氣體331、第二輸入氣體333、第一輸出氣體335和第二輸出氣體334的溫度、組成、壓力和流率來控制。適當(dāng)調(diào)節(jié)入口孔328和出口孔329的大小可有助于控制第一輸出氣體335和第二輸出氣體334的壓力和流率。通過腔室殼體321中的端口323監(jiān)測抑制劑氣體含量。第一輸入氣體歧管330位于殼體321內(nèi)鄰近入口孔328處，以使第一輸入氣體331在第一涂層356的整個寬度上均勻分布。第二輸入氣體歧管332位于殼體321內(nèi)鄰近出口孔329處，以使第二輸出氣體333在第二涂層366的整個寬度上均勻分布。第一輸入氣體331和第二輸入氣體333可以相同或不同，并可包含與抑制氣體344和345（如，氧氣和空氣）組合的惰性氣體341和342（如，氮氣和二氧化碳），其可組合以控制輸入氣體331和333中抑制氣體的濃度。涂層上的相對組成、流率、流速、流動噴射或取向以及第一輸入氣體331和第二輸入氣體333中的每一個的溫度可獨立地控制，并可經(jīng)調(diào)節(jié)以實現(xiàn)輻射固化腔室中的所需環(huán)境。在一些實施例中，第一輸入氣體331和第二輸入氣體333中僅一者可能在流動。輸入氣體歧管的其他構(gòu)造也是可能的?；?02上的納米結(jié)構(gòu)化涂層366離開聚合段360并然后穿過任選的第二聚合段370以在基材302上形成任選的第二納米結(jié)構(gòu)化涂層376。任選的第二聚合段可提高納米結(jié)構(gòu)化涂層366的固化程度。在一些實施例中，提高固化程度的步驟可包括使剩余的可聚合材料（即，剩余的可聚合材料（參看如圖16中的135））聚合?；?02上的納米結(jié)構(gòu)化涂層376離開任選的第二聚合段370并然后卷繞成輸出輥380。在一些實施例中，輸出輥380可具有層合到納米結(jié)構(gòu)化涂層并同時卷繞在輸出輥380上的其他所需的膜（未示出）。在其他實施例中，可在納米結(jié)構(gòu)化涂層366和376或基材302上涂布其他層（未示出）、固化并干燥。輻射源325可以是多種光化輻射源（如，UVLED、可見光LED、激光、電子束、汞燈、氙燈、碳弧燈、鎢絲燈、閃光燈、日光及低強(qiáng)度紫外光（黑光））中的任何者。在一些實施例中，輻射源325能夠產(chǎn)生UV輻射。以不同波長發(fā)射的輻射源組合可用于控制聚合反應(yīng)的速率和程度。輻射源在操作過程中會生成熱，熱提取器326可由鋁制成，鋁經(jīng)空氣或水冷卻，以通過移除所生成的熱來控制溫度。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，并且其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為50至250納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以40體積%至85體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面具有納米特征物，所述納米特征物的高度為50至750納米、寬度為15至200納米且橫向間距為5至500納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為75至300納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為大于50納米，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.075至0.5微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。在一些示例性實施例中，制品包含透明基材和金屬導(dǎo)體，所述透明基材具有呈結(jié)構(gòu)化粒子涂層形式的第一納米結(jié)構(gòu)化表面，所述金屬導(dǎo)體設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)化表面上，其中所述第一納米結(jié)構(gòu)化表面包含納米特征物，所述納米特征物的高度為100至200納米、寬度為50至125納米且橫向間距為15至100納米，其中所述導(dǎo)體的平均厚度為在0.1至0.25微米范圍內(nèi)，并且其中所述納米結(jié)構(gòu)化表面包含基質(zhì)和納米級分散相，所述納米級分散相包含粒度為100至200納米的納米粒子，且其中所述納米粒子以45體積%至75體積%存在于所述基質(zhì)中。對于任何上面剛剛提到的示例性實施例，金屬導(dǎo)體可以包含跡線的網(wǎng)格微圖案的形式存在，其中跡線寬度為在0.1至20微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至10微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至5微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至4微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.5至2微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在1至3微米范圍內(nèi)，在一些實施例中，在0.1至0.5微米范圍內(nèi)。在一些實施例中，網(wǎng)格導(dǎo)體微圖案區(qū)域（如，對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域）的開口區(qū)域為介于80%和99.5%之間，在其他實施例中介于90%和99.5%之間，在其他實施例中介于95%和99%之間，在其他實施例中介于96%和99.5%之間，在其他實施例中介于97%和98%之間，并且在其他實施例中高達(dá)99.95%。對于任何上面剛剛提到的示例性實施例，金屬導(dǎo)體還可連接至觸摸式傳感器驅(qū)動裝置，這將在下文討論。制造導(dǎo)體微圖案的方法可使用任何合適的方法制備具有所公開的設(shè)計的導(dǎo)體微圖案。制備導(dǎo)體微圖案的方法的例子包括消減法或添加法。示例性的消減法包括在設(shè)置在基材（如，對可見光透明的基材）上的金屬涂層上放置圖案化的掩模，然后選擇性蝕刻（自未被掩模覆蓋的金屬涂層區(qū)域移除金屬，而留下被掩模覆蓋的金屬涂層區(qū)域中的金屬）。合適的掩模包括光刻膠（如本領(lǐng)域已知，通過光刻法圖案化）、印刷聚合物（通過例如凹版印刷、柔版印刷或噴墨印刷圖案化）或印刷的自組裝單層（例如，使用利用彈性體凸紋印模的微接觸印刷來印刷）。其他示例性的消減法包括最初在基材（如，對可見光透明的基材）上放置圖案化的剝離掩模，用金屬導(dǎo)體（如，薄膜金屬）毯覆式涂布被遮蓋和未被遮蓋的區(qū)域并洗去剝離掩模及其上設(shè)置的任何金屬。示例性的添加法包括在基材（如，對可見光透明的基材）上印刷呈所要微圖案幾何形狀的形式的無電沉積催化劑，然后圖案化無電金屬沉積物（如，銅或鎳）。產(chǎn)生導(dǎo)體微圖案的優(yōu)選方法包括微接觸印刷。與降低導(dǎo)體圖案的反射率的其他措施（涂布以填充了炭黑的材料或使金屬部分反應(yīng)以形成吸收性反應(yīng)產(chǎn)物如硫化物）相比，發(fā)現(xiàn)本文所述的措施特別適合于與基于微接觸印刷和蝕刻的圖案化方法組合，因此使得能夠制造特定的微圖案設(shè)計參數(shù)（如，跡線寬度為0.5至10微米、0.5至5微米、0.5至4微米、0.5至3微米或1至3微米）和導(dǎo)體厚度（如，0.025至2微米、大于0.05至2微米、大于0.05至1微米、0.075至0.5微米或0.1至0.25微米）。要在微米級特征上放置填充了炭黑的材料是不可行的。亞微米厚金屬（如，0.075至0.5微米或0.1至0.25微米）向吸收性反應(yīng)產(chǎn)物的部分化學(xué)轉(zhuǎn)化在還沒有大大降低層的電導(dǎo)率的情況下不能有效地大大降低反射率。在包含當(dāng)暴露于空氣時抗反射的納米結(jié)構(gòu)化表面的基材（如，對可見光透明）的情況下：提供包含納米結(jié)構(gòu)化且當(dāng)暴露于空氣時抗反射的表面的基材；將金屬導(dǎo)體沉積到表面上（如，通過濺射或通過蒸發(fā)）；使用彈性體印模以圖案印刷自組裝單層（SAM）；以及最后從沒有SAM的沉積金屬區(qū)蝕刻金屬但不是從包含SAM的沉積金屬區(qū)蝕刻。使用微圖案導(dǎo)體制造制品的方法設(shè)置在基材表面上的導(dǎo)體微圖案可用于制備多個不同的制品。包含透明導(dǎo)電圖案的部件包括用于觸摸式顯示器的觸摸式傳感器面板。一些用于觸摸式顯示器的觸摸式傳感器面板，例如一些適合于與利用互電容模式檢測并可包含多點觸摸分辨能力的電子設(shè)備組合的觸摸式傳感器面板，包括疊置的兩個或更多個導(dǎo)體圖案。疊置的兩個或更多個導(dǎo)體圖案可通過用透明粘合劑將兩個基材層合在一起來產(chǎn)生，每一個基材在一個其主表面上設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)體微圖案。當(dāng)基材透明且當(dāng)導(dǎo)體微圖案具有高的開口區(qū)域比率時，此類層合制品可對可見光透明。用于形成層合構(gòu)造的合適基材的例子包括上文所列的聚合物膜基材。用于形成層合構(gòu)造的合適粘合劑材料的例子為光學(xué)透明粘合劑，其表現(xiàn)出至少約90%或甚至更高的光學(xué)透射率和低于約5%或甚至更低的濁度值。可通過將其設(shè)置在25微米聚酯膜454（得自特拉華州威爾明頓的杜邦公司（DuPontCompany,Wilmington,DE））與75×50毫米光面載玻片（得自密歇根州米德蘭的道康寧公司（DowCorning,Midland,MI）的載玻片）之間使用9970型BYKGardnerTCSPlus分光光度計（得自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納公司（BYKGardner,Columbia,MD））來測量光學(xué)透射率和濁度。合適的光學(xué)透明粘合劑可具有抗靜電性，與基于金屬的導(dǎo)體相容，能夠通過拉伸所述粘合劑自玻璃基材釋放。示意性的光學(xué)粘合劑包括關(guān)于抗靜電光學(xué)壓敏粘合劑的PCT國際專利公開No.WO2008/128073、關(guān)于拉伸釋放光學(xué)透明壓敏粘合劑的美國專利申請公開No.US2009-030084A1、關(guān)于具有光學(xué)透射粘合劑的抗靜電光學(xué)構(gòu)造的美國專利申請公開No.US2010-0028564A1、關(guān)于光學(xué)透明拉伸釋放粘合劑膠帶的PCT國際專利公開No.WO2009/114683、關(guān)于與腐蝕敏感層相容的粘合劑的PCT國際專利公開No.WO2010/019528和關(guān)于拉伸釋放粘合劑膠帶的PCT國際專利公開No.WO2010/078346中描述的那些。在一個實施例中，光學(xué)透明粘合劑的厚度為約5μm或更小。其上設(shè)置有導(dǎo)體微圖案的基材或者包含兩個或更多個其上設(shè)置有導(dǎo)體微圖案的基材的層合物可進(jìn)一步層合到顯示器，例如液晶顯示器（LCD）、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器、等離子體顯示器面板（PDP）、電泳顯示器（EP）或電潤濕顯示器。這樣的基材或?qū)雍衔锟捎盟峒暗恼澈蟿┎牧蠈雍系斤@示器。其上設(shè)置有導(dǎo)體微圖案的基材或者包含兩個或更多個其上設(shè)置有導(dǎo)體微圖案的基材的層合物可進(jìn)一步層合到另一材料，例如剛性支承物如厚的（如，1毫米）聚合物片材或玻璃片材。剛性支承物的例子包括移動手持裝置如移動電話或智能手機(jī)的透鏡。在一些實施例中，如已描述，如本文所述的導(dǎo)體微圖案設(shè)置在基材的不止一側(cè)上，例如設(shè)置在可能為柔性或剛性的平坦基材的每一個主表面上。對于需要兩個標(biāo)稱上平行取向并且在與微圖案正交的方向上間隔開的導(dǎo)體微圖案的應(yīng)用而言，可能有利的是將兩個微圖案設(shè)置在同一平坦基材的每一側(cè)上，例如聚合物膜的每一側(cè)上。應(yīng)用在一些實施例中，本文所述的制品包含導(dǎo)體微圖案，所述導(dǎo)體微圖案包含非線性跡線，所述非線性跡線限定單元幾何形狀的開口微圖案，所述開口微圖案設(shè)置在對可見光透明的基材之上或之中。在一些這樣的實施例中，導(dǎo)體微圖案形成EMI屏蔽的至少一部分。在一些這樣的實施例中，導(dǎo)體微圖案形成天線的至少一部分。在一些這樣的實施例中，導(dǎo)體微圖案形成觸摸式傳感器（例如，觸屏傳感器）的至少一部分。在一些實施例中，導(dǎo)體微圖案形成投射電容式觸屏傳感器的至少一部分。例如，相應(yīng)的微圖案呈鄰接的網(wǎng)格元件（橫條和豎條形狀）的兩個疊置的微圖案（如，設(shè)置在同一基材的相對側(cè)上或?qū)雍显谝黄鸬膯为毜幕纳希┛尚纬蓚鞲衅髟耐该骰|(zhì)，此類元件可允許通過測量元件的自電容或互電容檢測傳感器的觸摸事件的電子設(shè)備（即，觸摸式傳感器驅(qū)動裝置）驅(qū)動，如本領(lǐng)域中已知（且如后面的實例中所闡述）。觸摸式傳感器驅(qū)動裝置的例子在美國專利公開No.US2010/073323、PCT專利公開No.WO2011/069114和美國專利No.7,288,946中有給出。在一些這樣的實施例中，導(dǎo)體微圖案形成顯示器電極（例如對電極，例如電泳顯示器中的對電極）的至少一部分。在一些實施例中，本文所述的制品包含第一導(dǎo)體微圖案和第二導(dǎo)體微圖案，所述第一導(dǎo)體微圖案包含非線性跡線，所述非線性跡線限定單元幾何形狀的第一開口微圖案，所述第一開口微圖案設(shè)置在對可見光透明的基材之上或之中，所述第二導(dǎo)體微圖案包含非線性跡線，所述非線性跡線限定單元幾何形狀的第二開口微圖案，所述第二開口微圖案與所述第一導(dǎo)體微圖案電隔離。第二導(dǎo)體微圖案可設(shè)置在與第一導(dǎo)體微圖案相同的基材上，或者其可設(shè)置在另一基材上。第二導(dǎo)體微圖案疊置于第一導(dǎo)體微圖案上。在一些實施例中，導(dǎo)體微圖案均形成觸摸式傳感器（例如，觸屏傳感器）的至少一部分。在一些實施例中，導(dǎo)體微圖案均形成電泳顯示器的至少一部分?；蛘撸诹硪粚嵤├?，導(dǎo)體微圖案之一形成觸摸式傳感器（例如，觸屏傳感器）的至少一部分，而另一導(dǎo)體微圖案可用作無線通信的天線。在又一實施例中，導(dǎo)體微圖案之一形成觸摸式傳感器（例如，觸屏傳感器）的至少一部分，而另一導(dǎo)體微圖案可用作電磁干擾（EMI）屏蔽。在再一實施例中，導(dǎo)體微圖案之一形成無線通信用天線的至少一部分，而另一導(dǎo)電微圖案可用作電磁干擾（EMI）屏蔽。實例基材本實例部分中使用兩種不同的基材。第一種基材為對可見光透明的聚對苯二甲酸乙二醇酯（“PET-3”）基材，其厚度為大約125微米，可以產(chǎn)品編號ST504自特拉華州威爾明頓的杜邦公司（E.I.duPontdeNemours,Wilmington,DE）商購獲得。第二種基材為根據(jù)WO2010/07871A1的公開內(nèi)容制備的結(jié)構(gòu)化三乙酸酯膜（“StructuredTAC”）。起始基材為厚75微米的三乙酸纖維素膜（可自紐約州紐約市的派銳化工公司（IslandPyrochemicalIndustriesCorp.,NewYork,NY）商購獲得）。因此將該TAC膜改性為在基材的第一表面上含有納米結(jié)構(gòu)。該納米結(jié)構(gòu)化表面具有0.1-0.2%的反射率。該納米結(jié)構(gòu)化表面具有0.2-0.4%的透射濁度。該納米結(jié)構(gòu)化表面包含高度為100至250納米的納米特征物。該納米特征物的高度寬度比（各向異性）大于1。導(dǎo)體向PET基材或結(jié)構(gòu)化TAC基材上沉積以下導(dǎo)電涂層：(1)“濺射銀”膜，其為在基材上直接設(shè)置5埃厚的鈦、然后設(shè)置100納米厚的銀的多層構(gòu)造，二者均使用已知的真空濺射法沉積，或(2)“蒸發(fā)銀”膜，其為在基材上直接設(shè)置5埃厚的鈦、然后設(shè)置100納米厚的銀的多層構(gòu)造，二者均使用已知的電子束蒸發(fā)法沉積；沉積導(dǎo)電涂層后，基材具有含有導(dǎo)電涂層的涂布側(cè)和相對側(cè)，即不具有導(dǎo)電涂層的側(cè)。用于例如本文中的各種幾何形狀的導(dǎo)電涂層通過在其表面上印刷十八硫醇自組裝單層掩模、然后濕式化學(xué)蝕刻來圖案化，如美國專利申請公開No.US2009/0218310中所述。基材的表征使用BYKGardnercolorguidesphere，用平均反射百分比（R%）來量度基材的兩個主表面（涂布側(cè)和裸側(cè)）（無論是PET還是結(jié)構(gòu)化TAC）。通過向測量表面的相對側(cè)施加YamatoBlackVinylTape#200-38（可自密歇根州伍德黑文的大和國際公司（YamatoInternationalCorporation,Woodhaven,MI）商購獲得）來制備每一個膜的一個樣品，使用輥來使氣泡的夾帶最小化。為測量表面總反射%（鏡面反射和漫反射），將樣品的未貼膠帶側(cè)抵靠BYKGardinerColor-GuideSphere的孔放置。在400至700nm的波長范圍內(nèi)以10°入射角測量反射%。注意，在測量裸側(cè)（即，與導(dǎo)體涂布側(cè)相對）的反射率時，測得的反射率包括基材膜與空氣之間的界面的反射。具有導(dǎo)體的基材的R%在下表1中示出。表1-反射率測量比較例C1使用PET基材及使用規(guī)則的六邊形導(dǎo)體微圖案的濺射Ag導(dǎo)體制備本實例。跡線寬度為大約2微米。六邊形單元的直徑（一面至平行面）為大約200微米。開口區(qū)域比率為大約98%。比較例C2使用PET基材及使用規(guī)則的六邊形導(dǎo)體微圖案的濺射Ag導(dǎo)體制備本實例。跡線寬度為大約2微米。開口區(qū)域比率為大約98%。實例3至6使用結(jié)構(gòu)化TAC基材和具有規(guī)則的六邊形微圖案（實例3）、偽隨機(jī)六邊形微圖案（實例4）、部分彎曲六邊形微圖案（實例5）和完全彎曲六邊形微圖案（實例6）的濺射銀導(dǎo)體制備這些實例。在所有情況下，跡線寬度為大約2微米且開口區(qū)域比率為大約98%。實例7使用結(jié)構(gòu)化TAC基材和具有偽隨機(jī)彎曲微圖案的濺射銀導(dǎo)體制備本實例。在此實例部分中，無實例8、9或10。表2-實例匯總制品的表征評價具有一個或多個導(dǎo)體微圖案的層合制品的微圖案在日光照明下的醒目性。評價包括不放大的目測（肉眼）。樣品用數(shù)字照相機(jī)（iPhone3GS，加利福尼亞州庫比蒂諾的蘋果電腦公司（AppleComputerCorp,Cupertino,CA））進(jìn)一步成像。每一個樣品上的日光照明首先通過使日光穿過施加有半反射能量管理膜的典型市售建筑學(xué)雙層中空氣密玻璃單元窗削弱，以使到達(dá)眼睛或照相機(jī)的光強(qiáng)度降低至更適合觀看或記錄的程度。多種視覺效果造成各種微圖案的醒目性。第一種這樣的視覺效果類別在本文中描述為“星暴”，其在以明亮的（非漫反射）陽光照明時呈多角星形狀的亮反射圖案的形式。規(guī)則的六邊形網(wǎng)格可產(chǎn)生六角星暴。規(guī)則正方形網(wǎng)格可產(chǎn)生四角星暴。第二視覺效果類別在本文中描述為“彩虹”，其在以明亮的（非漫反射）陽光照明時呈反射帶的形式，沿帶具有色譜。第三視覺效果類別在本文中描述為“色暈”，其在以明亮的（非漫反射）陽光照明時呈圍繞直接鏡面反射點的漫反射粉色和綠色暈圈的形式。第四視覺效果類別在本文中描述為“閃光”，其在以明亮的（非漫反射）陽光照明時呈遍布微圖案的光亮點的形式。表3-導(dǎo)體微圖案實例的目測結(jié)果表3中關(guān)于星暴、彩虹、閃光和色暈的評分的數(shù)據(jù)用由⊕表示的可接受視覺外觀評分和不可接受的視覺外觀評分記錄。在測定評分時，可接受的評分不暗示完全不存在視覺假影（星暴、彩虹、暈圈或閃光），但如果存在，假影的程度應(yīng)為使用者可接受的程度（至少比例如以評分的實例更可接受）。與C1和C2相比，對于實例3-6，自相對于微圖案的任一方向（即，自基材膜（納米結(jié)構(gòu)表面）側(cè)或自與基材膜相對的側(cè)）評價，外觀均得到改善（微圖案的醒目特征較少）。自基材側(cè)評價（觀看），改善效果（醒目性降低）更大。表4中記錄了對層合導(dǎo)體微圖案實例的電學(xué)和透射光學(xué)測量的結(jié)果。賦予TAC和PET的表列值自對如上所述的層合到玻璃的每一種基材類型進(jìn)行的測量（基線數(shù)據(jù)）推導(dǎo)而來。使用Haze-GardPlus（馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納公司（BYK-Gardner,Columbia,MD））測量光透射率（T%）、透明度（C%）和透射濁度（H%）。表4實例編號T%H%C%T%H%C%薄層電阻膜側(cè)膜側(cè)膜側(cè)玻璃側(cè)玻璃側(cè)玻璃側(cè)(ohm/sq)C190.22.1799.590.12.0899.630C290.12.5999.590.12.6499.528390.82.2099.490.52.2599.459490.62.6899.590.32.7899.5100591.11.8999.590.91.8299.542691.22.0999.591.12.0499.540TAC93.90.7210093.90.69100N/APET91.80.6010091.80.60100N/A表5中記錄了對層合導(dǎo)體微圖案實例的反射率測量的結(jié)果。賦予TAC和PET的表列值自對如上所述的層合到玻璃的每一種基材類型進(jìn)行的測量（基線數(shù)據(jù)）推導(dǎo)而來。如表5中所示，當(dāng)設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化基材表面上的微圖案自微圖案的基材側(cè)觀看和測量時，與設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)基材膜（PET）上的相同微圖案相比，設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化基材表面（當(dāng)暴露于空氣時抗反射）上的微圖案貢獻(xiàn)較低的反射率。表5測試方法反射率測試方法1（透明膜前表面反射率的測定）使用具有光澤度儀的Spectro-GuideSphere（可以型號CD-6834自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）測量膜的平均總光反射率（R%）（漫反射及鏡面反射）。反射率測試方法1包括移除背側(cè)表面膜樣品（即，背側(cè)表面與空氣的界面）對測量反射率的貢獻(xiàn)的程序，由此產(chǎn)生與膜前側(cè)表面（關(guān)注的表面）和空氣之間的界面相關(guān)的測量結(jié)果。通過向膜背側(cè)施加黑色乙烯基膠帶（黑膠帶，可以YamatoBlackVinylTape#200-38自密歇根州伍德黑文的大和國際公司（YamatoInternationalCorporation,Woodhaven,Michigan）商購獲得）得自測量結(jié)果移除膜的背側(cè)表面反射率。使用輥將黑膠帶層合到膜的背側(cè)以確保黑膠帶與樣品之間沒有夾帶的氣泡。膜樣品前表面的R%通過以下方法測定：在向背側(cè)施加了黑膠帶的情況下，首先將膜前表面抵靠Spectro-Guide的孔放置并讀取總反射率讀數(shù)（400nm至700nm波長的平均R%）。其次，通過減去單獨測定的膜背側(cè)與黑膠帶的界面的已知總反射率來修訂該測量的結(jié)果。隨后減去了黑膠帶界面反射率的這一測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法1的“基材前表面R%”。反射率測試方法2（透明膜前表面反射率的測定）使用HunterLabUltrascanPRO（弗吉尼亞州雷斯頓的亨特聯(lián)合實驗室公司（HunterAssociatesLaboratoryInc.,Reston,VA））測量反射率。將樣品膜直接放置在儀器小孔上方并在D65照明條件下用d/8°幾何形狀照明。放置樣品，使基礎(chǔ)膜前（納米結(jié)構(gòu)化）表面抵靠小孔。抵抗樣品放置光阱并與儀器小孔對準(zhǔn)。為分離納米結(jié)構(gòu)化基材前表面的反射率，減去基材背側(cè)表面的反射率。取等于基礎(chǔ)膜反射率（無其他涂層或納米結(jié)構(gòu)）的一半的反射率值作為納米結(jié)構(gòu)化基材的背側(cè)的反射率。記錄350nm至1050nm之間的結(jié)果，以5nm為間隔。總反射率（R%）記錄為400nm至700nm之間的平均反射率值。該測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法2的“基材前表面R%”。反射率測試方法3（金屬化與基材之間的界面的反射率的測定）本測試方法適于其中金屬化具有低或高的光學(xué)密度（即，光透射率為介于0%和80%之間）的金屬化基材。使用具有光澤度儀的Spectro-GuideSphere（可以型號CD-6834自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）測量膜的平均總光反射率（R%）（漫反射及鏡面反射）。使用該儀器自與金屬化相對的一側(cè)測量金屬化透明基材（如，聚合物膜基材）。同樣，使用該測量方法測定金屬化與基材之間的界面的反射率（即，面向基材的方向上金屬化的反射率）。反射率測試方法3包括，當(dāng)金屬化是半透明的時，使暴露的金屬表面（即暴露的薄膜金屬與空氣的界面）對測量的反射率的貢獻(xiàn)降至最低的程序。反射率測試方法3包括向暴露的金屬表面施加黑色乙烯基膠帶（黑膠帶，可以YamatoBlackVinylTape#200-38自密歇根州伍德黑文的大和國際公司（YamatoInternationalCorporation,Woodhaven,Michigan）商購獲得）。使用輥將黑膠帶層合到金屬化的暴露表面以確保黑膠帶與樣品之間沒有夾帶的氣泡。金屬化膜樣品的R%通過以下方法測定：首先將基材（與金屬化相對的側(cè)）抵靠Spectro-Guide的孔放置并讀取總反射率讀數(shù)（400nm至700nm波長的平均R%）。其次，通過減去暴露的基材與空氣的界面（表面）的已知近似總反射率來修訂該測量的結(jié)果（剛剛描述），暴露的基材與空氣的界面在儀器與金屬化和基材的界面之間的光學(xué)路徑中。隨后減去了基材表面反射率的這一測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法3的“金屬與基材的界面的R%”。反射率測試方法4（金屬化與基材之間的界面的反射率的測定）本測試方法適于其中金屬化具有高的光學(xué)密度（如，低的光透射率，例如低于5%、2%或1%）的金屬化基材。使用具有光澤度儀的Spectro-GuideSphere（可以型號CD-6834自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）測量膜的平均總光反射率（R%）（漫反射及鏡面反射）。使用該儀器自與金屬化相對的一側(cè)測量金屬化透明基材（如，聚合物膜基材）。同樣，使用該測量方法測定金屬化與基材之間的界面的反射率（即，面向基材的方向上金屬化的反射率）。金屬化膜樣品的R%通過以下方法測定：首先將基材（與金屬化相對的側(cè)）抵靠Spectro-Guide的孔放置并讀取總反射率讀數(shù)（400nm至700nm波長的平均R%）。其次，通過減去暴露的基材與空氣的界面（表面）的已知近似總反射率來修訂該測量的結(jié)果（剛剛描述），暴露的基材與空氣的界面在儀器與金屬化和基材的界面之間的光學(xué)路徑中。隨后減去了基材表面反射率的這一測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法4的“金屬與基材的界面的R%”。反射率測試方法5（基材上金屬化的暴露表面的反射率的測定）本測試方法適于其中金屬化具有低或高的光學(xué)密度（即，光透射率為介于0%和80%之間）的金屬化基材。使用具有光澤度儀的Spectro-GuideSphere（可以型號CD-6834自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）測量膜的平均總光反射率（R%）（漫反射及鏡面反射）。使用該儀器自金屬化側(cè)測量金屬化透明基材（如，聚合物膜基材）。同樣，使用該測量方法測定金屬化的暴露表面的反射率。反射率測試方法5包括，當(dāng)金屬化是半透明的時，使背側(cè)膜界面（即暴露的膜與空氣的界面）對測量的反射率的貢獻(xiàn)降至最低的程序。反射率測試方法5包括向暴露的金屬表面施加黑色乙烯基膠帶（黑膠帶，可以YamatoBlackVinylTape#200-38自密歇根州伍德黑文的大和國際公司（YamatoInternationalCorporation,Woodhaven,Michigan）商購獲得）。使用輥將黑膠帶層合到與金屬化相對的聚合物膜表面以確保黑膠帶與樣品之間沒有夾帶的氣泡。金屬化膜樣品的R%通過以下方法測定：首先將基材（包含金屬化的側(cè)）抵靠Spectro-Guide的孔放置并讀取總反射率讀數(shù)（400nm至700nm波長的平均R%）。該測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法5的“金屬暴露表面R%”。反射率測試方法6（基材上金屬化的暴露表面的反射率的測定）本測試方法適于其中金屬化具有高的光學(xué)密度（如，低的光透射率，例如低于5%、2%或1%）的金屬化基材。使用具有光澤度儀的Spectro-GuideSphere（可以型號CD-6834自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）測量膜的平均總光反射率（R%）（漫反射及鏡面反射）。使用該儀器自金屬化側(cè)測量金屬化透明基材（如，聚合物膜基材）。同樣，使用該測量方法測定金屬化的暴露表面的反射率。金屬化膜樣品的R%通過以下方法測定：首先將基材（包含金屬化的側(cè)）抵靠Spectro-Guide的孔放置并讀取總反射率讀數(shù)（400nm至700nm波長的平均R%）。該測量結(jié)果在本文中記錄為反射率測試方法6的“金屬暴露表面R%”。電導(dǎo)率測試方法為測定電導(dǎo)率（以西門子（S）或姆歐表示；薄層電阻的倒數(shù)），將面積為至少5cm×5cm的金屬化基材樣品放置在非接觸型電導(dǎo)儀（可以型號717自威斯康星州普雷斯科特的德康儀器公司（DelcomInstruments,Prescott,Wisconsin）商購獲得）的測量區(qū)域中。在本文中，電導(dǎo)率以小寫希臘字母符號表示。通過引入標(biāo)準(zhǔn)索引卡在測量區(qū)域中自儀器的底部向上隔開樣品。該測試方法既用于毯覆式金屬化（即，非圖案化）基材又用于其上存在導(dǎo)體微圖案的基材。在其中金屬化納米結(jié)構(gòu)化基材的電導(dǎo)率在下文有記錄的一些實例中，也測量施加到非納米結(jié)構(gòu)化（“平坦”）基材（PET-2或-6）的相同金屬化的電導(dǎo)率。下文記錄了這些情況下平坦基材上相同金屬化的電導(dǎo)率值（“σPET”）。另外，計算下文標(biāo)記為“保留的σ分?jǐn)?shù)”的值。保留的電導(dǎo)率分?jǐn)?shù)為通過將施加于納米結(jié)構(gòu)基材表面的金屬化的測量電導(dǎo)率除以施加到平坦基材的相同金屬化的測量電導(dǎo)率所給出的量。透射光光學(xué)性質(zhì)測試方法為測定樣品的可見光透射率（T%）、濁度（H%）和透明度（C%），將樣品置于透射率、濁度和透明度儀器（可以Haze-GardPlus（施照體C）自馬里蘭州哥倫比亞的畢克-加特納（美國）公司（BYK-GardnerUSA,Columbia,Maryland）商購獲得）的測量區(qū)域中。使用該儀器表征基材、其上具有導(dǎo)體微圖案的基材或包含基材（其上具有或不具有導(dǎo)體微圖案）的層合構(gòu)造。通過TEM測定納米結(jié)構(gòu)深度通過透射電子顯微鏡法（TEM）觀察具有表面納米結(jié)構(gòu)并在其上設(shè)置了金屬化的選定基材的橫截面。通過標(biāo)準(zhǔn)室溫超薄切片法制備厚90nm的樣品。切割樣品，然后用He干燥以避免氧化銀生長。使用HitachiH-9000TEM在300kV下觀察切片樣品。對校準(zhǔn)的明視場圖像進(jìn)行測量。取金屬滲透進(jìn)入基材表面中的程度為基材的納米結(jié)構(gòu)的深度。發(fā)現(xiàn)得自此程序的結(jié)果與通過TEM或掃描電子顯微鏡法（SEM）對金屬化之前基材橫截面測得的納米結(jié)構(gòu)深度一致。通過AFM測定納米結(jié)構(gòu)深度通過原子力顯微鏡法（AFM）觀察具有表面納米結(jié)構(gòu)的選定基材。此分析所用儀器為具有NanoscopeV控制器的DigitalInstruments(Bruker)DimensionIconSystem。使用的探針為OTESPA或ScanAsystAir。數(shù)據(jù)用NanoscopeAnalysis分析。將圖像進(jìn)行平面擬合以移除z-偏移和傾斜。使用峰值力輕敲模式以獲得詳細(xì)圖像及納米結(jié)構(gòu)形貌的更精確測繪。測定2微米乘2微米樣品區(qū)域上的高度的統(tǒng)計分布。取伴隨大約99%的取樣區(qū)域的高度范圍（即移除突出高度和納米結(jié)構(gòu)深度的離群值極值）為納米結(jié)構(gòu)深度。通過電子顯微鏡法估計體積%和重量%由于收到時供應(yīng)商未提供二氧化硅粒子載量，故對于實例11-27通過電子顯微分析來估計基質(zhì)中二氧化硅粒子的體積%和重量%?；牟牧舷旅娴膶嵗ǘ喾N材料和化學(xué)品。關(guān)于基材，使用聚(對苯二甲酸乙二醇酯)（“PET”）和三乙酸纖維素（“TAC”）的基礎(chǔ)膜。根據(jù)下表使用多種PET基材。根據(jù)下面的描述，使用縮寫來識別用于每一個實例的特定基礎(chǔ)膜基材：PET-1：125微米厚，硬涂層PET，可以產(chǎn)品名TorayTuftopTHS自羅德島州北金斯敦的東麗塑料（美洲）公司（TorayPlastics(America),Inc.,NorthKingstown,RhodeIsland）商購獲得。PET-2：50微米厚，裸PET，通過常規(guī)擠出加工方法內(nèi)部制備。PET-3：125微米厚，熱穩(wěn)定PET，在一側(cè)（當(dāng)涂布以填充了納米粒子的材料時，在下面的實例中經(jīng)涂布的側(cè)）上具有粘合促進(jìn)涂層，可以產(chǎn)品名“ST504”自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DupontTeijinFilms,Chester,Virginia）商購獲得。PET-4：50微米厚PET，在一側(cè)（當(dāng)涂布以填充了納米粒子的材料時，在下面的實例中經(jīng)涂布的側(cè)）上具有粘合促進(jìn)涂層，可以產(chǎn)品名“618”自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DupontTeijinFilms,Chester,Virginia）商購獲得。PET-5：50微米厚PET，在兩側(cè)上均具有粘合促進(jìn)涂層，可以產(chǎn)品名“617”自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DupontTeijinFilms,Chester,Virginia）商購獲得。PET-6：75微米厚，熱穩(wěn)定PET，在一側(cè)（當(dāng)涂布以填充了納米粒子的材料時，在下面的實例中經(jīng)涂布的側(cè)）上具有粘合促進(jìn)涂層，可以產(chǎn)品名“ST580”自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DupontTeijinFilms,Chester,Virginia）商購獲得。PET-7：50微米厚涂有底漆的PET（更多細(xì)節(jié)可獲得）。PET-8：50微米厚PET（更多細(xì)節(jié)可獲得）。TAC：75微米厚TAC，可自紐約州紐約市的派銳化工公司（IslandPyrochemicalIndustriesCorp.,NewYork,NewYork）商購獲得。PC：125微米厚聚碳酸酯（更多細(xì)節(jié)可獲得）。下面的實例包括三種類型：1.其上設(shè)置有金屬導(dǎo)體涂層的納米結(jié)構(gòu)化基材，可用于制備類型2和3的其他制品；2.其上設(shè)置有金屬導(dǎo)體微圖案的納米結(jié)構(gòu)化基材，可用于制備類型3的其他制品；3.透明觸摸式傳感器部件，其包含其上設(shè)置有金屬導(dǎo)體微圖案的納米結(jié)構(gòu)化基材。表6-縮寫和商品名實例C3、11至68實例11-68包括其上設(shè)置有金屬導(dǎo)體涂層的納米結(jié)構(gòu)化基材。比較例C3為市售聚(對苯二甲酸乙二醇酯)膜。表7匯總了描述實例C3、11至68的參數(shù)。實例11至68包括具有納米結(jié)構(gòu)化主表面的基材。如下文所述，通過反應(yīng)離子蝕刻聚合物基礎(chǔ)膜上的涂層沉積物來產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)化主表面。如下文所述，涂層沉積物包括包含基質(zhì)與納米級分散相的復(fù)合組合物。應(yīng)該指出的是，可通過印刷呈微圖案形式的自組裝單層掩模（如，通過用已經(jīng)形成自組裝單層的分子如烷基硫醇如1-十八硫醇著墨的彈性體凸紋印模壓印）、然后選擇性地自未經(jīng)單層保護(hù)的區(qū)域中的納米結(jié)構(gòu)化表面蝕刻金屬涂層來進(jìn)一步加工實例11-68的金屬化納米結(jié)構(gòu)化基材。印刷和蝕刻步驟產(chǎn)生設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化表面上的根據(jù)自組裝單層的微圖案的金屬導(dǎo)體微圖案。該微圖案可具有整個本專利申請所述的幾何形狀或特征。對于實例11至27，使用對可見光透明的納米粒子硬涂層膜（可以TorayTHS自羅德島州北金斯敦的東麗塑料（美洲）公司（TorayPlastics(America),Inc.,NorthKingstown,RhodeIsland）商購獲得）。該硬涂層膜包括聚(對苯二甲酸乙二醇酯)基礎(chǔ)基材和包含聚合物基質(zhì)及分散于其中的納米粒子填料的硬涂層涂層。硬涂層涂層用化學(xué)反應(yīng)性O(shè)2等離子體（“反應(yīng)離子蝕刻”步驟；如先前在WO2011139593A1中所述）各向異性蝕刻不同的蝕刻時間，以產(chǎn)生具有不同納米結(jié)構(gòu)深度的納米結(jié)構(gòu)化表面（即，不同高度的突出）。TorayTHS膜在一個表面上包含呈3微米厚復(fù)合材料涂層形式的硬涂層涂層。該硬涂層涂層包含有機(jī)聚合物基質(zhì)和粒度為大約15-18nm并以大約6體積%的載量存在（如由透射電子顯微鏡法所測定）的微粒二氧化硅分散相。向具有不同納米結(jié)構(gòu)深度的經(jīng)蝕刻納米結(jié)構(gòu)化涂層沉積銀薄膜涂層（“金屬化”步驟；大約5埃的鈦作為粘合促進(jìn)材料，然后是銀，二者均通過常規(guī)濺射方法沉積）。銀的平均厚度為在表8中給出。對于選定的樣品，通過常規(guī)的透射電子顯微鏡法測定在選定的條件下反應(yīng)離子蝕刻產(chǎn)生的突出特征物的高度并在表8中給出。對于實例20至27，在反應(yīng)離子蝕刻步驟與金屬化步驟之間移除暴露的二氧化硅納米粒子。如表7中所說明，在一些情況下，通過使經(jīng)反應(yīng)離子蝕刻的表面暴露（1分鐘）于具有氫氟酸的溶液（10:1蝕刻劑稀釋液，蝕刻劑以TFT自馬薩諸塞州丹弗斯的仟思公司（TranseneCompany,Inc,Danvers,Massachusetts）商購獲得）來移除二氧化硅。另外如表7中所說明，在一些情況下，通過使經(jīng)反應(yīng)離子蝕刻的表面暴露（30秒）于NF3等離子體來移除二氧化硅。最后，通過在90-100℃下使經(jīng)反應(yīng)離子蝕刻的表面暴露于5重量%的NaOH溶液（5分鐘）來移除二氧化硅。對于實例C3及28至36，使用厚度為大約75微米的對可見光透明的聚對苯二甲酸乙二醇酯（“PET”）基材（以產(chǎn)品名ST580自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DuPontTeijinFilms,Chester,VA）商購獲得）。通過常規(guī)的溶劑涂布法在PET基材塊上沉積不同的復(fù)合涂層。涂層包括包含三種單體的預(yù)聚物共混物：40%的Sartomer295（季戊四醇四丙烯酸酯）、40%的Sartomer238（1,6-己二醇二丙烯酸酯）和20%的Sartomer506（丙烯酸異冰片酯），賓夕法尼亞州?？怂诡D的沙多瑪公司（Sartomer,Exton,PA）。復(fù)合涂層還包含尺寸（直徑）為大約20nm的二氧化硅納米粒子。通過將單體共混物溶解在20nm二氧化硅粒子（40重量%）（Nalco2327，伊利諾伊州內(nèi)珀維爾的納爾科化學(xué)公司（NalcoChemicalCompany,Naperville,Illinois））的1-甲氧基-2-丙醇溶液中來制備用于澆鑄復(fù)合涂層的溶液，其中的二氧化硅粒子已經(jīng)用3-(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷（MPS）表面官能化。配制具有不同的樹脂:粒子重量分?jǐn)?shù)比：98:2、96:4、94:6、92:8、90:10、85:15、80:20、50:50、20:80的涂料。在所有配方中以最終固體組分（粒子和單體）的重量的0.5重量%的水平包含進(jìn)184（紐約州塔里敦的汽巴精化公司（CibaSpecialtyChemicals,Tarrytown,NY））。所有溶液均用1-甲氧基-2-丙醇稀釋至40%的最終固體%。對于每一個涂層，將溶液用注射器泵送通過涂布模頭至PET膜上，于65℃下干燥并通過使用裝配了H-燈泡的UV處理器在氮氣氛中于10fpm下固化。使經(jīng)涂布制品進(jìn)一步經(jīng)受90秒的卷對卷O2等離子體蝕刻。向納米結(jié)構(gòu)化涂層沉積銀薄膜涂層（“金屬化”步驟；大約5埃的鈦作為粘合促進(jìn)材料，然后是銀，二者均通過常規(guī)濺射方法沉積）。對于實例37至68，使用厚度為大約75微米的對可見光透明的聚對苯二甲酸乙二醇酯（“PET”）基材（以產(chǎn)品名ST580自弗吉尼亞州切斯特的杜邦帝人薄膜公司（DuPontTeijinFilms,Chester,VA）商購獲得）。通過手工鋪展涂布在PET基材塊上沉積不同的復(fù)合涂層。涂層包括包含單體共混物：75/25SR351/SR238（賓夕法尼亞州?？怂诡D的沙多瑪公司（Sartomer,Exton,PA））的基質(zhì)。復(fù)合涂層還包含尺寸（直徑）為大約75nm的二氧化硅納米粒子。對于實例37至58，通過將單體共混物溶解在75nm二氧化硅粒子（40重量%）（Nalco2327，伊利諾伊州內(nèi)珀維爾的納爾科化學(xué)公司（NalcoChemicalCompany,Naperville,Illinois））的IPA溶液中來制備用于澆鑄復(fù)合涂層的溶液，其中的二氧化硅粒子已經(jīng)用MPS表面官能化。配制具有不同的樹脂:粒子重量分?jǐn)?shù)比：86:14、82:18、78:22、74:26、70:30、65:35的涂料。在所有配方中以最終固體組分（粒子和單體）的重量的3.0重量%的水平包含進(jìn)184（紐約州塔里敦的汽巴精化公司（CibaSpecialtyChemicals,Tarrytown,NY））。對于實例59至68，通過將單體共混物溶解在190nm二氧化硅粒子（40重量%）（NissanMP2040，日本東京的日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社（NissanChemicalIndustriesLtd.,Tokyo,Japan））的IPA溶液中來制備用于澆鑄復(fù)合涂層的溶液，其中的二氧化硅粒子已經(jīng)用MPS表面官能化。配制具有兩種樹脂:粒子重量分?jǐn)?shù)比：75:25和65:35的涂料。在所有配方中以最終固體組分（粒子和單體）的重量的1.0重量%的水平包含進(jìn)184（紐約州塔里敦的汽巴精化公司（CibaSpecialtyChemicals,Tarrytown,NY））。所有溶液均用IPA稀釋至40%的最終固體%并然后使用#4邁耶棒（MyerRod）通過手工鋪展涂布來涂布。使經(jīng)涂布制品在缺氧條件下以50sccm(0.0025sccm/cm2)的流率進(jìn)一步經(jīng)受不同持續(xù)時間的卷對卷O2等離子體蝕刻。沉積過程中的壓力平衡在4毫托下。向納米結(jié)構(gòu)化涂層沉積銀薄膜涂層（“金屬化”步驟；大約5埃的鈦作為粘合促進(jìn)材料，然后是銀，二者均通過常規(guī)濺射方法沉積）。表7和8中列出了多個納米結(jié)構(gòu)化涂層的數(shù)據(jù)，包括金屬化和基材之間的界面的反射率。與沉積在PET上的銀的反射率相比，納米結(jié)構(gòu)化基材賦予其上沉積的銀涂層降低的反射率（或暗化），特別是當(dāng)經(jīng)由透明基材（即，自與銀沉積物相對的基材側(cè)）測量時尤其如此。在表7中，基礎(chǔ)膜前表面或其上形成的納米結(jié)構(gòu)化表面的反射率是通過不同的方法測量的。對于實例C3、11-27和37-68，該反射率通過反射測試方法1測量。對于實例28-36，該反射率通過反射測試方法2測量。通過反射率測試方法1測量C3（未金屬化的，表7和表9）未涂底漆側(cè)上的反射率，C3金屬化得到表8和11中給出的性質(zhì)。在表8中，金屬化與基材之間的界面的反射率測定應(yīng)用了不同的方法。另外，基材上金屬化的暴露表面的反射率測定應(yīng)用了不同的方法。對于實例11-19，使用反射率測試方法3和5。對于其余的實例，使用反射率測試方法4和6。通過反射率測試方法4和6測量C3（金屬化的，表8和11）的反射率值。Ag厚度和納米結(jié)構(gòu)深度通過TEM分析測定。表7-用于&制備RIE納米結(jié)構(gòu)化基材的組合物和實驗參數(shù)表8-金屬化RIE納米結(jié)構(gòu)化基材的性質(zhì)和尺寸實例69-124實例69-124包括其上設(shè)置有金屬導(dǎo)體涂層的納米結(jié)構(gòu)化基材。通過在聚合物膜的主表面上沉積填充了粒子的復(fù)合涂層（即，分散相和基質(zhì)相）來制備納米結(jié)構(gòu)化基材。自涂布溶液涂布填充了粒子的復(fù)合涂層。涂層經(jīng)干燥和固化，產(chǎn)生納米結(jié)構(gòu)化的暴露表面。此外，在每一個納米結(jié)構(gòu)化基材的暴露的納米結(jié)構(gòu)化表面上沉積銀的涂層（金屬化步驟）。金屬化步驟包括濺射沉積平均厚度為大約5埃的鈦的粘合促進(jìn)層，然后濺射沉積下文指定厚度的銀。對于含在涂布溶液中并因此含在所得復(fù)合涂層中的粒子，每一個實例在粒子組成、粒度、粒子載量（重量%、體積%）和粒子表面處理組合物方面加以定義。每一個實例還在構(gòu)成復(fù)合涂層的一部分的基質(zhì)聚合物方面加以定義。每一個實例的基質(zhì)聚合物化學(xué)組成將在下文指定。涂布溶液還含有光引發(fā)劑、自由基抑制劑和一種或多種溶劑。在一些實例中，涂布溶液還包含一種或多種其他添加劑，如下文所指定。下文關(guān)于實例69-124的詳細(xì)描述分成兩個部分。第一部分描述制品的制備。第二部分記錄制品的表征結(jié)果。第一部分通過描述為制備制品所應(yīng)用的一般步驟開始，然后是使每一個實例獨特的具體細(xì)節(jié)的羅列。應(yīng)該指出的是，可通過印刷呈微圖案形式的自組裝單層掩模（如，通過用已經(jīng)形成自組裝單層的分子如烷基硫醇如1-十八硫醇著墨的彈性體凸紋印模壓印）、然后選擇性地自未經(jīng)單層保護(hù)的區(qū)域中的納米結(jié)構(gòu)化表面蝕刻金屬涂層來進(jìn)一步加工實例69-124的金屬化納米結(jié)構(gòu)化基材。印刷和蝕刻步驟產(chǎn)生設(shè)置在納米結(jié)構(gòu)化表面上的根據(jù)自組裝單層的微圖案的金屬導(dǎo)體微圖案。該微圖案可具有整個本專利申請所述的幾何形狀或特征。制品的制備表面改性二氧化硅亞微米粒子分散體的一般制備用不同比率的兩種硅烷偶聯(lián)劑“MPS”和“A1230”改性亞微米二氧化硅粒子（如，納米粒子）。使用四種不同的表面改性劑比率。MPS:A1230的摩爾比為如下：100:0、75:25、50:50和25:75。將粒子懸浮在液體介質(zhì)中對粒子改性，從而產(chǎn)生經(jīng)硅烷改性的粒子分散體。經(jīng)硅烷改性的分散體通過以下方法制備：首先混合膠態(tài)二氧化硅水分散體與1-甲氧基-2-丙醇和硅烷偶聯(lián)劑的溶液。然后加熱所得混合物以促進(jìn)硅烷與二氧化硅粒子的反應(yīng)。這產(chǎn)生經(jīng)表面改性的納米粒子分散體，其固體含量控制在約10-21重量固體%范圍內(nèi)，且1-甲氧基-2-丙醇：水的重量比控制在約65:35至57:43范圍內(nèi)。以兩種方式之一進(jìn)一步加工該分散體以提高固體含量和提高1-甲氧基-2-丙醇：水比率。在提高固體含量和1-甲氧基-2-丙醇：水比率的一個程序中，首先使用溶劑交換法，其中經(jīng)由蒸餾濃縮經(jīng)表面改性的納米粒子分散體，然后再回加更多1-甲氧基-2-丙醇，接著再經(jīng)由蒸餾濃縮。在第二（替代）程序中，蒸發(fā)水和1-甲氧基-2-丙醇，從而得到干燥的表面改性粒子粉末。然后將該干燥的粉末分散在1-甲氧基-2-丙醇：水（88:12重量比）混合物中以用于涂層配方。對于任一程序，最終分散體的固體含量發(fā)現(xiàn)可略有變化。在溶劑交換程序的情況下，據(jù)信變化性取決于最終蒸餾步驟中移除的1-甲氧基-2-丙醇和水的量。在干燥粉末程序的情況下，據(jù)信變化性歸因于不同批次粉末的殘余溶劑含量的變化性。為解釋此變化性和確保下文的實例涂布分散體內(nèi)的精確粒子載量，在制備涂料配方之前，以重量法測定源自任一上述程序的表面改性納米粒子的粒子固體含量。向小玻璃皿（已知重量，“自重”）中裝入已知的量的分散體（1-4克，“濕重”）。將該皿在強(qiáng)制通風(fēng)烘箱（120℃）中放置45分鐘。然后再次對該皿稱重（亞微米粒子的“干重”加皿的自重）。固體%=干重/濕重可輻射固化的涂布溶液的一般制備：將經(jīng)改性粒子分散體（上文）、預(yù)聚物共混物、溶劑（除非另有指出，否則為1-甲氧基-2-丙醇）和1%或3%的IR184（光引發(fā)劑）全部混合在一起以形成涂布溶液（約40重量%的總固體；即表面改性粒子、預(yù)聚物和光引發(fā)劑的重量除以總重量等于40%）。預(yù)聚物共混物包含i）40:40:20重量比的季戊四醇四丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯和丙烯酸異冰片酯（分別為“SR295”、“SR238”、“SR506”），或ii）40:40:20重量比的丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯和丙烯酸異辛酯（分別為“SR492”、“SR238”、“SR440”）。在涂布溶液中，經(jīng)表面改性二氧化硅粒子（5、20、75、100、115、190或440nm）相對總預(yù)聚物的重量比（粒子：預(yù)聚物重量比）為在57.5:42.5至80:20范圍內(nèi)。在一些情況下，也以介于0.005和0.1重量%之間的水平引入低表面能添加劑（Tegorad2250、Tegorad2300或HFPO）。一般涂布方法：實例69-77、79、81-88、89-111、116-120和122-124涉及以下涂布方法。涂布和加工溶液的一般方法遵照圖17A中的示意圖。將涂布溶液遞送至4或8英寸（10.2或20.3cm）寬的狹縫型涂布模頭并涂布到移動的0.002、0.003、0.004或0.005英寸（50、75、100或125μm）厚聚(對苯二甲酸乙二醇酯)（“PET”）或聚碳酸酯（“PC”）基礎(chǔ)膜（幅材）上。對于每一個實例，模頭的寬度和具體的基礎(chǔ)膜在表9中給出。結(jié)合溶液遞送速率設(shè)定幅材速度，以獲得目標(biāo)濕涂層厚度。每一個實例的幅材速度和涂布溶液遞送速率也在表9中給出。在涂布溶液到幅材上之后，經(jīng)涂布幅材在室內(nèi)環(huán)境中行進(jìn)10英尺（3米）間距，然后穿過兩個5英尺（1.5米）長的小間隙區(qū)，經(jīng)溫度設(shè)定在受控的溫度下的板干燥。對于基于PET的膜，板溫度為170℉（77℃）。對于基于PC的膜，板溫度為145℉（63℃）。最后，經(jīng)干燥的涂層進(jìn)入裝配了使用H-燈泡的UV光源（型號I300P，得自馬里蘭州蓋瑟斯堡的匯科系統(tǒng)公司（FusionSystem,GaithersburgMD））的UV腔室。該UV腔室經(jīng)包含氮氣和空氣的混合物的氣流吹掃。通過將受控的流量（速率）的氮氣和空氣混合至通往UV固化腔室的單個氣體遞送管線中來固定氣流的組成。氮氣的流率固定在314L/min（11scfm）下，并調(diào)節(jié)空氣的流率來控制UV固化腔室中的氧氣含量，如表10中所指示。實例78、80、112-115和121涉及以下涂布方法。將涂布溶液遞送至4或8英寸（10.1或20.3cm）寬的狹縫型涂布模頭并涂布到移動的0.002、0.003英寸（50、75μm）厚聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯或三乙酸纖維素基礎(chǔ)膜（幅材）上。在涂布溶液到基礎(chǔ)膜上之后，經(jīng)涂布幅材接著行進(jìn)大約3英尺（0.9米），然后進(jìn)入所有3個區(qū)均設(shè)定為120℉（66℃）的30英尺（9.1米）常規(guī)氣浮干燥器。結(jié)合溶液遞送速率設(shè)定幅材速度，以獲得目標(biāo)濕涂層厚度。每一個實例的幅材速度和涂布溶液遞送速率在表9中給出。在干燥器后，涂層進(jìn)入兩個序貫的UV腔室，兩個腔室中均裝配了具有H-燈泡的UV光源（型號I300P，得自匯科系統(tǒng)公司（FusionSystem）。每一個UV系統(tǒng)裝配了可變功率輸出電源。第一UV腔室經(jīng)包含氮氣和空氣的混合物的氣流吹掃。通過將受控的流量（速率）的氮氣和空氣混合至通往UV固化腔室的單個氣體遞送管線中來固定氣流的組成。氮氣的流率固定在456L/min（16scfm）下，并調(diào)節(jié)空氣的流率來控制UV固化腔室中的氧氣含量，如表10中所指示。第二UV腔室經(jīng)類似地吹掃以控制氧氣含量。對于實例78和80，僅使用100%UV功率電平的第一腔室。對于實例112-115和121，第一腔室UV功率電平為25%而第二腔室UV功率電平為75%。實例69-70經(jīng)表面改性的20nm二氧化硅粒子的典型制備如下對20nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（450.12克）、MPS（25.27克）和自由基抑制劑溶液（0.2克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（400克，二氧化硅含量為41.05%；NALCO2327）混合。在1升玻璃廣口瓶中密封該溶液、加熱至80℃并在此溫度下保持16小時。進(jìn)一步加工此經(jīng)表面改性的膠態(tài)分散體，以移除水和提高二氧化硅濃度。向500mlRB燒瓶中裝入經(jīng)表面改性的分散體（450克）和1-甲氧基-2-丙醇（50克）。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到206克的重量。向燒瓶中裝入1-甲氧基-2-丙醇（250克）并經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到176克的最終重量。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為50.99重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例69-70，使用1-甲氧基-2-丙醇和異丙醇的1:1混合物作為涂布溶液中的稀釋溶劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例71-77經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的典型制備：如下對75nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（450克）、MPS（6.04克）和自由基抑制劑溶液（0.2克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（400克，二氧化硅含量為40.52%；NALCO2329）混合。在1升玻璃廣口瓶中密封該溶液、加熱至80℃并在此溫度下保持16小時。進(jìn)一步加工此經(jīng)表面改性的膠態(tài)分散體，以移除水和提高二氧化硅濃度。向500mlRB燒瓶中裝入經(jīng)表面改性的分散體（450克）。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到202.85克的重量。向燒瓶中裝入1-甲氧基-2-丙醇（183克）并經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到188.6克的最終重量。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為46.42重量%。可輻射固化的涂布溶液的制備：如上文在“可輻射固化的涂布溶液的一般制備”中所討論并根據(jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例71-77，加入0.006重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例78經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例71-77所述對75nm二氧化硅表面改性，不同的是使用75:25（MPS:A1230）的摩爾比。所得固體含量為44.64重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例78，加入0.1重量%的Tegorad2300作為表面添加劑。使用1-甲氧基-2-丙醇和異丙醇的1:1混合物作為涂布溶液中的稀釋溶劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例79經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：如實例71-77中所述對75nm二氧化硅表面改性。所得固體含量為40至50重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例79，加入0.034重量%的Tegorad2300作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例80經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例71-77所述對75nm二氧化硅表面改性，不同的是使用75:25（MPS:A1230）的摩爾比。所得固體含量為44.64重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例80，加入0.1重量%的Tegorad2300作為表面添加劑。使用1-甲氧基-2-丙醇和異丙醇的1:1混合物作為涂布溶液中的稀釋溶劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例81經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：如下對75nm二氧化硅表面改性（75:25MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（450克）、MPS（4.53克）、A1230（3.03克）和自由基抑制劑溶液（0.2克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（400.03克，二氧化硅含量為40.52%；NALCO2329）混合。在1升玻璃廣口瓶中密封該溶液、加熱至80℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到粉末。將一部分粉末（48.01克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（51.61克）和去離子水（7.04克）中。將該混合物裝入118.3ml（4盎司）玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器（得自康涅狄格州紐敦的聲學(xué)及材料公司（SonicandMaterialsInc.,Newtown,CT）；裝配有商品名為“SM0792”的探針））處理43分鐘（90級，50%功率）。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為42.37重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例82-83經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：使用與實例81中相同的粒子溶液。所得固體含量為42.37重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例82-83，加入0.094重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例84經(jīng)表面改性的75nm二氧化硅粒子的制備：使用與實例81中相同的粒子溶液。所得固體含量為42.37重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例85-86經(jīng)表面改性的100nm二氧化硅粒子的典型制備：如下對100nm二氧化硅表面改性（75:25MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（452克）、MPS（4.78克）、A1230（3.21克）和自由基抑制劑溶液（0.06克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（399.9克，二氧化硅含量為42.9%；MP1040）混合。在1升玻璃廣口瓶中密封該溶液、加熱至80℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到粉末。將一部分粉末（169.33克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（185.10克）和去離子水（21.95克）中。將該混合物裝入473ml（16盎司）玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器處理63分鐘（90級，50%功率）。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為41.69重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例87-88經(jīng)表面改性的100nm二氧化硅粒子的制備：使用與實例85-86中相同的粒子溶液。所得固體含量為41.69重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例89-90經(jīng)表面改性的100nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例85-86所述對100nm二氧化硅表面改性。所得固體含量為42.08重量%。可輻射固化的涂布溶液的制備：如上文在“可輻射固化的涂布溶液的一般制備”中所討論并根據(jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例89-90，加入0.057重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例91-92經(jīng)表面改性的115nm二氧化硅粒子的制備：如下對115nm二氧化硅表面改性（50:50MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（450克）、MPS（3.51克）、A1230（7.23克）和自由基抑制劑溶液（0.12克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（400.03克，二氧化硅含量為47.47%；NALCO2329Plus）混合。在1升玻璃廣口瓶中密封該溶液、加熱至80℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到粉末。將一部分粉末（100.06克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（110.98克）和去離子水（11.59克）中。將該混合物裝入473.2ml（16盎司）玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器處理63分鐘（90級，50%功率）。所得固體含量為43.14重量%。可輻射固化的涂布溶液的制備：如上文在“可輻射固化的涂布溶液的一般制備”中所討論并根據(jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例93-94經(jīng)表面改性的115nm二氧化硅粒子的典型制備：使用與實例91-92中相同的粒子溶液。所得固體含量為43.14重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例95經(jīng)表面改性的115nm二氧化硅粒子的制備：如下對115nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（676.17克）、MPS（10.59克）和自由基抑制劑溶液（0.32克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（600.34克，二氧化硅含量為47.47%；“Nalco2329Plus”）混合。在裝配了回流冷凝器和機(jī)械攪拌器的2000mlRB燒瓶中密封該溶液、加熱至94℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到粉末。將粉末（99.75克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（89.22克）和去離子水（12.01克）中。將該混合物裝入1升玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器處理43分鐘（90級，50%功率）。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為39.95重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例96-97經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的典型制備：如下對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（451.56克）、MPS（8.72克）和自由基抑制劑溶液（0.22克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（400.01克，二氧化硅含量為44.15%；MP2040“）混合。在裝配了回流冷凝器和機(jī)械攪拌器的1000mlRB燒瓶中密封該溶液、加熱至93℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到粉末。將粉末（187.21克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（201.34克）和去離子水（27.44克）中。將該混合物裝入1升玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器處理43分鐘（90級，50%功率）。用1微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為41.99重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例96-97，加入0.04重量%的Tegorad2250作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例98經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為41.47重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例99經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：使用如關(guān)于實例96-97所述經(jīng)表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）的兩個批次190nm二氧化硅。所得固體含量為41.02重量%和41.86重量%。可輻射固化的涂布溶液的制備：如上文在“可輻射固化的涂布溶液的一般制備”中所討論并根據(jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例100-107經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為44.45重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例100-107，加入0.025重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例108-111經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為40.92重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例108-111，加入0.025重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例112-115經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為44.18重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例112-115，加入0.025重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例116-118經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為44.45重量%。可輻射固化的涂布溶液的制備：如上文在“可輻射固化的涂布溶液的一般制備”中所討論并根據(jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例119經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為44.27重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例120經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為44.27重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例120，加入0.034重量%的HFPO作為表面添加劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例121經(jīng)表面改性的190nm二氧化硅粒子的制備：如關(guān)于實例96-97所述對190nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。所得固體含量為45.49重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。對于實例121，加入0.093重量%的HFPO作為表面添加劑。使用1-甲氧基-2-丙醇和甲基乙基酮的1:1混合物作為涂布溶液中的稀釋溶劑。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。實例122-124經(jīng)表面改性的440nm二氧化硅粒子的典型制備：如下對440nm二氧化硅表面改性（100:0MPS:A1230摩爾比）。在攪拌時，將1-甲氧基-2-丙醇（450克）、MPS（3.82克）和自由基抑制劑溶液（0.36克5%去離子水溶液）與球形二氧化硅亞微米粒子的分散體（401克，二氧化硅含量為45.7重量%；MP4540）混合。在裝配了回流冷凝器和機(jī)械攪拌器的1000mlRB燒瓶中密封該溶液、加熱至98℃并在此溫度下保持16小時。經(jīng)由旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)移除水和1-甲氧基-2-丙醇，得到干燥的粉末。將粉末（192.17克）分散在1-甲氧基-2-丙醇（206.73克）和去離子水（28.19克）中。將該混合物裝入1升玻璃廣口瓶中并用超聲波處理器處理63分鐘（90級，50%功率）。用5微米過濾器過濾該溶液。所得固體含量為43.84重量%?？奢椛涔袒耐坎既芤旱闹苽洌喝缟衔脑凇翱奢椛涔袒耐坎既芤旱囊话阒苽洹敝兴懻摬⒏鶕?jù)表9和10中的具體細(xì)節(jié)制備涂布溶液，具體細(xì)節(jié)包括二氧化硅粒子、二氧化硅粒子的表面改性、預(yù)聚物共混物組成、二氧化硅粒子相對預(yù)聚物共混物的重量分?jǐn)?shù)、光引發(fā)劑的重量%、最終涂布溶液的固體%和表面添加劑重量%（如適用）。涂布該溶液：如上文在“一般涂布方法”中所討論涂布該溶液。涂布的具體細(xì)節(jié)列于表9和10中，包括涂層寬度、幅材速度、涂布溶液流率以及固化過程中存在的氧氣的濃度。制品的表征表10和11記錄了具有納米結(jié)構(gòu)化表面的基材在金屬化前后的性質(zhì)測量結(jié)果。在表10中，基材前（納米結(jié)構(gòu)化）表面的反射率通過反射率測試方法1測量。在表11中，用于測定金屬化與基材納米結(jié)構(gòu)化表面之間的界面的反射率的方法為反射率測試方法4。用于測定基材上金屬化的暴露表面的反射率的方法為反射率測試方法6。對于實例98-103、110和111，通過AFM測量納米結(jié)構(gòu)深度。在用于測定納米結(jié)構(gòu)深度的AFM方法中，分析5微米乘5微米的勻化區(qū)域上的高度數(shù)據(jù)。為生成單個圖來描述納米結(jié)構(gòu)深度，取伴隨大約99%的取樣區(qū)域的高度范圍（即移除突出高度和納米結(jié)構(gòu)深度的離群值極值）為納米結(jié)構(gòu)深度。對于實例90、113-115，取通過TEM測得的Ag滲透進(jìn)入納米結(jié)構(gòu)化表面中的深度為納米結(jié)構(gòu)深度。實例90、113-115的Ag厚度通過TEM測量。其余實例的Ag厚度在納米結(jié)構(gòu)化表面的金屬化過程中存在的載玻片上沉積的金屬上通過標(biāo)準(zhǔn)輪廓技術(shù)測量。表12記錄了通過剖視透射電子顯微鏡法測得的實例113-115的金屬疊置層厚度和滲透的測量結(jié)果。金屬疊置層厚度為涂在納米結(jié)構(gòu)化表面的表面凸起體（如，突出的粒子）上的金屬的厚度。金屬滲透為從表面凸起體（如，突出的粒子）到設(shè)置在該凸起體鄰近的金屬的最深處的距離（基本上垂直于納米結(jié)構(gòu)化主基材表面測量；即，基本上垂直的距離）。表9-結(jié)構(gòu)化粒子涂層基材的組成和實驗參數(shù)基材表11-具有通過濺射設(shè)置在其上的金屬的納米結(jié)構(gòu)化基材的性質(zhì)測量結(jié)果表12-自在實例113-115的金屬化制品上進(jìn)行的橫截面TEM成像測得的尺寸數(shù)據(jù)實例125根據(jù)實例112制備涂布銀的納米結(jié)構(gòu)化基材，不同的是測得的電導(dǎo)率為1.68姆歐?；陔妼?dǎo)率估計，濺射銀的平均厚度為大約140nm。通過在銀涂層表面上印刷十八硫醇自組裝單層掩模、然后濕式化學(xué)蝕刻來圖案化銀涂層，如美國專利申請US20090218310（12/393,201）中所述。納米結(jié)構(gòu)化基材上得到的導(dǎo)體圖案包括寬為大約2微米的彎曲跡線，這些跡線形成開口區(qū)域比率為大約98.5至99.0%的偽隨機(jī)網(wǎng)格單元排列。鄰接的網(wǎng)格測得具有111歐姆每平方米的薄層電阻。實例126根據(jù)實例112制備涂布銀的納米結(jié)構(gòu)化基材，不同的是測得的電導(dǎo)率為3.89姆歐?；陔妼?dǎo)率估計，濺射銀的平均厚度為大約205nm。通過在銀涂層表面上印刷十八硫醇自組裝單層掩模、然后濕式化學(xué)蝕刻來圖案化銀涂層，如美國專利申請US20090218310（12/393,201）中所述。納米結(jié)構(gòu)化基材上得到的導(dǎo)體圖案包括寬為大約2微米的彎曲跡線，這些跡線形成開口區(qū)域比率為大約98.5至99.0%的偽隨機(jī)網(wǎng)格單元排列。鄰接的網(wǎng)格測得具有56歐姆每平方米的薄層電阻。圖25為示意得自網(wǎng)格的選定跡線的透射光光學(xué)顯微照片。實例127根據(jù)實例112制備涂布銀的納米結(jié)構(gòu)化基材，不同的是測得的電導(dǎo)率為4.78姆歐?；陔妼?dǎo)率估計，濺射銀的平均厚度為大約230nm。通過在銀涂層表面上印刷十八硫醇自組裝單層掩模、然后濕式化學(xué)蝕刻來圖案化銀涂層，如美國專利申請US20090218310（12/393,201）中所述。納米結(jié)構(gòu)化基材上得到的導(dǎo)體圖案包括寬為大約2微米的彎曲跡線，這些跡線形成開口區(qū)域比率為大約98.5至99.0%的偽隨機(jī)網(wǎng)格單元排列。鄰接的網(wǎng)格測得具有38歐姆每平方米的薄層電阻。測得此其上設(shè)置有導(dǎo)體微圖案的納米結(jié)構(gòu)化基材具有89.5%的可見光透射率、1.58%的透射濁度和99.6%的透射光透明度。實例128使用微接觸印刷和蝕刻制造透明傳感器元件并與觸摸式傳感器驅(qū)動裝置組合。整合該裝置與連接至顯示器的計算機(jī)處理單元，以測試該裝置。所得系統(tǒng)能夠檢測單個或多個指觸（如，多個同時的觸摸）的位置，其在顯示器上以圖形方式證實。透明傳感器元件第一圖案化基材的形成使用濺射涂布機(jī)對根據(jù)上面實例121的第一對可見光透明的基材涂布以205納米的銀，以產(chǎn)生第一銀金屬化膜。銀沉積在基材的納米結(jié)構(gòu)化表面上。在將銀沉積到基材上之前，濺射沉積平均厚度為小于大約10埃的粘合促進(jìn)鈦沉積物。抵靠先前已用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)經(jīng)光刻膠圖案化的玻璃板（業(yè)內(nèi)有時稱為“母?！保┠Ｖ瞥龊穸葹?.5毫米、由聚(二甲基硅氧烷)（稱為PDMS，以產(chǎn)品編號Sylgard184自密歇根州米德蘭的陶氏化學(xué)公司（DowChemicalCo.,Midland,MI）商購獲得）制成的第一印模。使PDMS在玻璃板上固化。其后從玻璃板剝離PDMS以產(chǎn)生第一印模。印模凸紋圖案與光刻膠凸紋圖案互補(bǔ)。該印模具有兩個不同類型的具有凸起特征的低密度區(qū)域：第一連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域類型和第一不連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域類型（即，具有中斷的網(wǎng)格）。也就是說，凸起特征限定網(wǎng)格的邊緣共享單元的邊緣。為進(jìn)一步闡明，構(gòu)成網(wǎng)格的單元的邊緣由自第一印模的表面突出的PDMS的脊限定。單元具有大約300微米的平均尺寸并且在形狀和尺寸上是偽隨機(jī)的。此外，相鄰的各個單元不位于位置的重復(fù)陣列上。印模上呈凸起特征形式的單元邊緣在印模的整個表面的平面內(nèi)具有曲率。不同的單元邊緣的曲率半徑為在大約50微米至大約400微米范圍內(nèi)。不連續(xù)區(qū)域中印模的凸起特征包括沿每一個凸起的單元邊緣在單元邊緣的每一個末端的頂點之間的大約中間處的大約5微米間隙。沿凸起特征的間隙是指凸起特征的一部分不存在。每一個凸起的單元邊緣（即，PDMS的脊）具有大約2.5微米的高度。第一連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域和第一不連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域二者中凸起的單元邊緣（脊）的密度（面積分?jǐn)?shù)）為大約1.33%，對應(yīng)98.67%的開口區(qū)域，并且限定單元邊緣的脊寬為大約2微米。第一印模還包含限定凸起特征的多個40微米寬跡線，每一條跡線連接至第一連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域（這將在下文用得自該印模的圖案化基材進(jìn)一步闡明）。第一印模具有第一結(jié)構(gòu)化側(cè)和相對的第二基本平坦的側(cè)，第一結(jié)構(gòu)化側(cè)具有偽隨機(jī)網(wǎng)格圖案區(qū)域和40微米寬跡線。使印模的結(jié)構(gòu)化側(cè)接觸1-十八硫醇（產(chǎn)品編號C18H3CS，97%，可自俄勒岡州波特蘭的梯西愛美洲公司（TCIAmerica,PortlandOR）商購獲得）在乙醇中的10mM油墨溶液，持續(xù)30分鐘，然后干燥至少1天。對于印刷，用輥將第一銀金屬化膜施加到印模的此時已著墨的結(jié)構(gòu)化表面上，使得銀膜直接接觸結(jié)構(gòu)化表面。金屬化膜在著墨的印模上保留10秒。然后從著墨的印模移除第一金屬化膜。將移除的膜漂?。ㄣy金屬側(cè)朝下）在銀蝕刻劑溶液上面，在鼓泡攪拌下持續(xù)大約1分鐘。該蝕刻劑溶液在去離子水中含（i）0.030M硫脲（產(chǎn)品編號T8656，密蘇里州圣路易斯的西格瑪-奧德里奇公司（Sigma-Aldrich,St.Louis,MO））和（ii）0.020M硝酸鐵（產(chǎn)品編號216828，西格瑪-奧德里奇公司（Sigma-Aldrich））。蝕刻步驟后，用去離子水沖洗所得第一基材并用壓縮氮氣干燥，以產(chǎn)生第一圖案化表面。在著墨的印模與第一金屬化基材的銀接觸的地方，蝕刻后仍然保留有銀。因此，銀從著墨的印模與金屬化膜的銀表面間接觸的位置移除。圖11示意性地（未按比例）示出了第一圖案化基材700，在該基材的第一側(cè)上具有多個第一連續(xù)區(qū)域702和與之交替的多個第一不連續(xù)區(qū)域704，該第一側(cè)為含有此時已蝕刻和圖案化的銀金屬化膜的那一側(cè)。該第一圖案化基材實際上具有11個第一連續(xù)區(qū)域702。第一連續(xù)區(qū)域702的寬度為大約2.2毫米，節(jié)距為大約4.95毫米，長度為大約95毫米。此基材具有為基本上裸的PET膜的相對第二側(cè)。第一區(qū)域702中的每一個具有設(shè)置在一端處的相應(yīng)的40微米寬導(dǎo)電跡線706，以用于使每一個第一連續(xù)區(qū)域702進(jìn)行電接觸。第一圖案化基材的網(wǎng)格設(shè)計在形狀和尺寸上是偽隨機(jī)的，如上所述，構(gòu)成網(wǎng)格的導(dǎo)電跡線包含曲率（與圖11a和11b中描繪的六邊形網(wǎng)格設(shè)計形成對比）。透明傳感器元件第二圖案化基材的形成使用第二對可見光透明的基材如第一圖案化基材一樣制備第二圖案化基材，以制備第二銀金屬化薄膜。在第二不連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域之間插入第二連續(xù)網(wǎng)格圖案區(qū)域來產(chǎn)生第二印模。圖12示意性地（未按比例）示出了第二圖案化基材720，在該第二基材的第一側(cè)上具有多個第二連續(xù)區(qū)域722和與之交替的多個第二不連續(xù)區(qū)域724，該第一側(cè)為含有此時已蝕刻和圖案化的銀金屬化膜的那一側(cè)。該第二圖案化基材實際上具有19個第一連續(xù)區(qū)域722。第二連續(xù)區(qū)域722的寬度為大約4.48毫米，節(jié)距為大約4.93毫米，長度為大約55毫米。第二連續(xù)區(qū)域722中的每一個具有設(shè)置在一端處的相應(yīng)的40微米寬第二導(dǎo)電跡線726，以用于使每一個第二連續(xù)區(qū)域722進(jìn)行電接觸。第一圖案化基材的網(wǎng)格設(shè)計在形狀和尺寸上是偽隨機(jī)的，如上所述，構(gòu)成網(wǎng)格的導(dǎo)電跡線包含曲率（與圖12a和12b中描繪的六邊形網(wǎng)格設(shè)計形成對比）。投射電容式觸屏傳感器元件的形成使用上面制備的第一圖案化基材和第二圖案化基材按以下步驟制造雙層投射電容式觸屏透明傳感器元件。使用得自明尼蘇達(dá)州圣保羅的3M公司（3MCompany,St.Paul,MN）的OpticallyClearLaminatingAdhesive8271（光學(xué)透明層合粘合劑8271）將第一圖案化基材和第二圖案化基材粘附在一起，以產(chǎn)生多層構(gòu)造。用手持輥使兩個圖案化基材層合，但第一導(dǎo)電跡線區(qū)域706和第二導(dǎo)電跡線區(qū)域726沒有粘合劑。使用OpticallyClearLaminatingAdhesive8146-3（光學(xué)透明層合粘合劑8146-3）將該多層構(gòu)造層合至0.7mm厚的浮法玻璃上，使得第一基材的第一側(cè)靠近浮法玻璃。無粘合劑的第一導(dǎo)電跡線區(qū)域706和第二導(dǎo)電跡線區(qū)域726使得可以與第一圖案化基材700和第二圖案化基材720進(jìn)行電氣連接。圖13示意性地（未按比例）示出了其中已層合第一圖案化基材和第二圖案化基材的多層觸屏傳感器元件740的俯視平面圖。區(qū)域730表示第一連續(xù)區(qū)域和第二連續(xù)區(qū)域的重疊部分。區(qū)域732表示第一連續(xù)區(qū)域和第二不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。區(qū)域734表示第二連續(xù)區(qū)域和第一不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。區(qū)域736表示第一不連續(xù)區(qū)域和第二不連續(xù)區(qū)域的重疊部分。雖然存在多個這些重疊區(qū)域，但為了便于說明，在圖中每一種只示出一個區(qū)域。觸摸傳感系統(tǒng)的其他部件用來進(jìn)行透明傳感器元件的互電容測量的集成電路為Rev*D修訂版的CY3290-TMA300TrueTouchTMDevKit，其含有I2C至USB轉(zhuǎn)換橋和微控制器TMA350（可自加利福尼亞州圣何塞的賽普拉斯半導(dǎo)體公司（CypressSemiconductor,SanJose,California）商購獲得）。針對透明傳感器元件配置TMA350，如本領(lǐng)域已知。配置可隨觸屏的不同而不同，具體取決于設(shè)計。在這種情況下，系統(tǒng)可驅(qū)動19個不同的感應(yīng)條并測量11個不同的感應(yīng)條。TMA350的配置包括待轉(zhuǎn)換的通道數(shù)的選擇、如何精確或快速地進(jìn)行測量、噪音和觸摸閾值、待施加的任何數(shù)字濾波及CY3290-TMA300特有的各種其他設(shè)置。在進(jìn)行上面的測量的同時，微控制器也經(jīng)由TrueTouchTM橋?qū)?shù)據(jù)發(fā)送到具有監(jiān)視器的計算機(jī)，TrueTouchTM橋?qū)⒌米訲MA350的I2C轉(zhuǎn)換為計算機(jī)接口的USB。該USB接口允許CypressTrueTouchTM軟件自TMA350呈現(xiàn)數(shù)據(jù)并看值如何在觸摸和無觸摸之間改變。觸摸傳感系統(tǒng)的測試結(jié)果將透明傳感器元件連接到觸摸傳感器驅(qū)動裝置。當(dāng)對玻璃表面進(jìn)行指觸時，計算機(jī)監(jiān)視器在監(jiān)視器的相應(yīng)地點以變色（黑變綠）的形式呈現(xiàn)觸摸傳感區(qū)域內(nèi)發(fā)生觸摸的位置，并在相鄰的顯示器中顯示該地點，以模擬觸屏系統(tǒng)的結(jié)果。當(dāng)同時對玻璃表面進(jìn)行兩個、三個或四個指觸時，計算機(jī)監(jiān)視器在監(jiān)視器的相應(yīng)地點以變色（黑變綠）的形式呈現(xiàn)觸摸傳感區(qū)域內(nèi)發(fā)生觸摸的位置，并在觸屏模擬顯示器中顯示該地點。