本發(fā)明一般涉及放大器，并且，更具體地，涉及具有共模反饋的C類放大器。

背景技術(shù)：
偽差動C類放大器有共模電流消耗，其根據(jù)不可控制的輸入擺幅而變化。因此，通常采用共模反饋回路，即使在電阻負(fù)載（resistivelyloaded）的寬帶寬放大器中，以在變化的C類電流下穩(wěn)定輸出共模。這種共模反饋應(yīng)該減少差動帶寬的劣化并維持快速工作循環(huán)的第一穩(wěn)定時間。然而，還沒有開發(fā)出這種反饋電路。因此，需要具有共模反饋的改進(jìn)的C類放大器。常規(guī)電路的一些示例在美國專利號No.5,721,500以及美國專利授權(quán)之前的公開號.No.2006/0082416中描述。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
實施例提供一種裝置。該裝置包括具有第一對差動輸出端的輸入電路，并且提供共模電流；以及輸出電路，其具有：第二對輸出端；第一放大器，其耦合至第一和第二對輸出端，并且包括電阻網(wǎng)絡(luò)；第二放大器，其耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，以便從感測到的共模電流和參考電壓產(chǎn)生控制電壓；第一共模反饋電路，其耦合至第二放大器，以便接收控制電壓，并且當(dāng)共模電流小于預(yù)定閾值時，其耦合到電阻網(wǎng)絡(luò)以提供第一反饋電流到電阻網(wǎng)絡(luò)；以及第二共模反饋電路，其連接至第二放大器，以便接收控制電壓，并且當(dāng)共模電流大于預(yù)定閾值時，其耦合到第一對輸入端以提供第二電流到第一對輸入端。根據(jù)實施例，該裝置進(jìn)一步包括供電軌，并且其中第一共模反饋電路進(jìn)一步包括：晶體管，其具有第一無源電極、第二無源電極和控制電極，其中晶體管的第一無源電極耦合至供電軌，并且其中晶體管的第二無源電極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且其中晶體管的控制電極耦合至第二放大器；以及電容器，其耦合在晶體管的控制電極和第二無源電極之間。根據(jù)實施例，晶體管進(jìn)一步包括第一晶體管，并且其中第二共模反饋電路進(jìn)一步包括：第二晶體管，其具有第一無源電極、第二無源電極和控制電極，其中第二晶體管的第一無源電極耦合至供電軌，并且第二晶體管的控制電極耦合至第二放大器，并且其中第二晶體管的第二無源電極耦合至來自第一對差動輸出端的第一輸出端；以及第三晶體管，其具有第一無源電極、第二無源電極和控制電極，其中第三晶體管的第一無源電極耦合至供電軌，并且第三晶體管的控制電極耦合至第二放大器，并且其中第三晶體管的第二無源電極耦合至來自第一對差動輸出端的第二輸出端。根據(jù)實施例，第一放大器進(jìn)一步包括：第四晶體管，其具有第一無源電極、第二無源電極和控制電極，其中第四晶體管的第一無源電極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且其中第四晶體管的第二無源電極耦合至來自第一對差動輸出端的第一輸出端；第五晶體管，其具有第一無源電極、第二無源電極和控制電極，其中第五晶體管的第一無源電極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且其中第五晶體管的第二無源電極耦合至來自第一對差動輸出端的第二輸出端，并且其中第五晶體管的控制電極耦合至第四晶體管的控制電極；第一電流鏡，其耦合至第四晶體管的第二無源電極；以及第二電流鏡，其耦合至第五晶體管的第二無源電極。根據(jù)實施例，該裝置進(jìn)一步包括調(diào)整電路，其耦合在第一晶體管的控制電極和第二放大器之間以便設(shè)置預(yù)定閾值。根據(jù)實施例，第一、第二、第三、第四和第五晶體管還包括雙極晶體管。根據(jù)實施例，第一、第二和第三晶體管還包括PNP晶體管，并且其中第四和第五晶體管還包括NPN晶體管。根據(jù)實施例，提供一種裝置。該裝置包括具有第一對差動輸出端并且提供共模電流的輸入電路；以及輸出電路，其具有：第二對輸出端；共柵放大器，其耦合至第一和第二對輸出端，并且共柵放大器包括電阻網(wǎng)絡(luò)；反饋放大器，其耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，以便從感測到的共模電流和參考電壓產(chǎn)生控制電壓；第一共模反饋電路，其耦合至反饋放大器，以便接收控制電壓，并且當(dāng)共模電流小于預(yù)定閾值時，其耦合到電阻網(wǎng)絡(luò)以提供第一反饋電流到電阻網(wǎng)絡(luò)；以及第二共模反饋電路，其耦合至反饋放大器，以便接收控制電壓，并且當(dāng)共模電流大于預(yù)定閾值時，其耦合到第一對輸入端以提供第二電流到第一對輸入端。根據(jù)實施例，該裝置進(jìn)一步包括供電軌，并且其中第一共模反饋電路進(jìn)一步包括：MOS晶體管，其在其自身的源極耦合至供電軌，在其自身的漏極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且在其自身的柵極耦合至反饋放大器；以及電容器，其耦合在MOS晶體管的柵極和漏極之間。根據(jù)實施例，MOS晶體管進(jìn)一步包括第一MOS晶體管，并且其中第二共模反饋電路進(jìn)一步包括：第二MOS晶體管，其在其自身的源極耦合至供電軌，在其自身的柵極耦合至反饋放大器，并且在其自身的漏極耦合至來自第一對差動輸出端的第一輸出端；以及第三MOS晶體管，其在其自身的源極耦合至供電軌，在其自身的柵極耦合至反饋放大器，并且在其自身的漏極耦合至來自第一對差動輸出端第二輸出端。根據(jù)實施例，共柵放大器進(jìn)一步包括：第四MOS晶體管，其在其自身的漏極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且在其自身的源極耦合至來自第一對差動輸出端的第一輸出端；第五MOS晶體管，其在其自身的漏極耦合至電阻網(wǎng)絡(luò)，并且在其自身的源極耦合至來自第一對差動輸出端的第二輸出端，并且在其自身的柵極耦合至第四MOS晶體管的柵極；第一電流鏡，其耦合至第四MOS晶體管的源極；以及第二電流鏡，其耦合至第五MOS晶體管的源極。根據(jù)實施例，第一、第二和第三晶體管進(jìn)一步包括PMOS晶體管，并且其中第四和第五晶體管進(jìn)一步包括NMOS晶體管。根據(jù)實施例，電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步包括：第一分壓器，其耦合在第四和第五MOS晶體管的漏極之間，并且其耦合至第一MOS晶體管的漏極；第二分壓器，其耦合在第四和第五MOS晶體管的漏極之間；以及第三分壓器，其耦合在第四和第五MOS晶體管的漏極之間，并且...