振蕩器再生設(shè)備的制作方法
【專利摘要】公開了一種用于多相振蕩器(80)的負電阻設(shè)備(40)。所述負電阻設(shè)備(40)與多相振蕩器的抽頭(Phj,Phk)耦合，使得在振蕩器對噪聲最敏感時不向振蕩器注入能量，從而減小振蕩器的相位噪聲。負電阻設(shè)備(40)還確保了行波的運動方向經(jīng)過多相振蕩器的抽頭。
【專利說明】振蕩器再生設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明一般涉及多相振蕩器，更具體地涉及保持這種振蕩器的振蕩的有源設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0003]大多數(shù)電子系統(tǒng)遭遇來自多種源的噪聲，諸如散粒噪聲、熱噪聲和閃變噪聲，這些噪聲通常是由于電流在電子系統(tǒng)中流動引起的。
[0004]大多數(shù)電子系統(tǒng)包括一個或多個振蕩器，振蕩器提供步測或操作系統(tǒng)的時鐘。因為振蕩器是線性的、時變(LTV)系統(tǒng)，所以電子噪聲對振蕩器具有不尋常的效應(yīng)。一種將這些效應(yīng)特征化的方法是確定振蕩器的LTV單位脈沖響應(yīng)Ii4l。該函數(shù)Ii4l包括稱為脈沖靈敏度函數(shù)(ISF) gamma (ω0τ)的關(guān)鍵函數(shù)，該函數(shù)捕獲了關(guān)于振蕩器的重要信息并且允許計算振蕩器對相位脈沖的響應(yīng)。用于振蕩器的ISF表明，上文提到的各種噪聲源產(chǎn)生了振蕩器頻率ωρ的相位φ (t)的調(diào)制cos [Cocit+Φ (t)]，這表現(xiàn)為關(guān)于振蕩器頻率Coci的頻譜“裙”。
該頻譜實際上是功率譜密度
【權(quán)利要求】
1.多相振蕩器，包括: 一個或奇數(shù)個用于將在其上面行進的波的極性反向的器件； 一對導(dǎo)體，其布置成當(dāng)與極性反向器件耦合時形成閉合環(huán)路，使得在導(dǎo)體之間行進的波在閉合環(huán)路的第一次遍歷之后在導(dǎo)體之間給予第一極性并且在環(huán)路的第二次遍歷之后給予第二極性；以及 多個再生設(shè)備，每個所述再生設(shè)備連接在環(huán)路的特定位置處連接在閉合環(huán)路的一對導(dǎo)體之間并且具有在行波已經(jīng)經(jīng)過該位置之后在所述再生設(shè)備的所述位置處與導(dǎo)體之間的極性匹配的輸出，每個所述再生設(shè)備具有隨著行波經(jīng)過所述設(shè)備的所述位置而變換的輸出，所述變換包括停延時間，在所述停延時間內(nèi)所述設(shè)備輸出既不提供電流也不吸收電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器， 其中所述再生設(shè)備具有特征停延時間；以及 其中每個所述再生設(shè)備具有在第一位置處與一個導(dǎo)體連接的第一輸入以及在第二位置處與一個導(dǎo) 體連接的第二輸入，使得波在第一位置和第二位置之間行進的時間近似等于所述再生設(shè)備的特征化開關(guān)時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其中，每個所述再生設(shè)備具有在第一位置處與一個導(dǎo)體連接的第一輸入、在第二位置處與一個導(dǎo)體連接的第二輸入；以及輸出，其在第三位置處與一個導(dǎo)體連接的輸出，使得波在第一位置和第三位置之間行進的時間大于波從第二位置行進到第三位置的時間，從而鼓勵波沿著從第一位置到第三位置的方向行進。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器， 其中，每個所述再生設(shè)備包括一對η溝道晶體管和一對P溝道晶體管；以及其中每個晶體管具有柵極、源極和漏極，溝道存在于所述源極和所述漏極之間，用于在所述柵極超過閾值電壓時傳導(dǎo)電流， 其中所述P溝道晶體管的溝道串聯(lián)地連接在第一電源電壓與所述輸出之間， 其中所述η溝道晶體管的溝道串聯(lián)地連接在第二電源電壓與所述輸出之間， 其中其漏極與所述輸出連接的晶體管的柵極連接在一起并且連接到閉合環(huán)路上的第一位置Phk, 其中其源極分別與電源電壓連接的晶體管的柵極連接在一起且連接到閉合環(huán)路上的第二位置Phj。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器， 其中，每個所述再生設(shè)備包括在環(huán)路上的第一位置處的一對P溝道晶體管以及在環(huán)路上與所述第一位置鄰近的第二位置處的一對η溝道晶體管； 其中每個晶體管具有柵極、源極和漏極，溝道存在于所述源極和所述漏極之間，用于在所述柵極超過閾值電壓時傳導(dǎo)電流， 其中所述P溝道晶體管的溝道串聯(lián)地連接在第一電源電壓與所述輸出之間， 其中所述η溝道晶體管的溝道串聯(lián)地連接在第二電源電壓與所述輸出之間， 其中其漏極與所述輸出連接的所述P溝道晶體管的柵極連接到閉合環(huán)路上的位置Phk,以及 其中其源極與所述第一電源連接的所述P溝道晶體管的柵極連接到所述閉合環(huán)路上的位置Phj,其中其漏極與所述輸出連接的所述η溝道晶體管的柵極連接到閉合環(huán)路上的位置Phk,以及 其中其源極與第二電源連接的所述P溝道晶體管的柵極連接到閉合環(huán)路上的位置Phj。
6.用于減少多相振蕩器中的相位噪聲的方法，所述方法包括: 提供多個負電阻設(shè)備 ，每個負電阻設(shè)備向所述振蕩器供給能量以保持所述振蕩器的振蕩；以及 與所述振蕩器的振蕩同步地開關(guān)每個負電阻設(shè)備的輸出，使得在開關(guān)期間所述輸出具有負電阻設(shè)備既不提供電流給所述振蕩器又不從所述振蕩器吸收電流的時間，其中減少了所述多相振蕩器的相位噪聲。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于減少相位噪聲的方法， 其中所述多相振蕩器是旋轉(zhuǎn)波振蕩器；以及 其中所述多個負電阻設(shè)備促進了所述旋轉(zhuǎn)波振蕩器上的行波的特定方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于減少相位噪聲的方法，其中消除了所述負電阻設(shè)備中的消弧電流。
【文檔編號】H03B5/26GK103988423SQ201280061180
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月20日
【發(fā)明者】A·馬特喬夫斯基 申請人:美國亞德諾半導(dǎo)體公司