高頻模塊及使用該高頻模塊的移動終端的制作方法
【專利摘要】在改變了應(yīng)放大的高頻信號的頻帶寬度時，高頻模塊的線形性會惡化。高頻模塊具有包括放大用晶體管和可變阻抗電路的放大電路、及輸出匹配電路。在因放大動作而被放大的高頻信號中包含有二階失真分量的無用信號。在產(chǎn)生該二階失真分量的無用信號的帶域中，改變放大電路的輸出阻抗，以使得在放大電路和輸出匹配電路之間阻抗不匹配。通過控制可變阻抗電路來改變放大電路的輸出阻抗。
【專利說明】0號公報
8氐通濾波器，但并未意識到要降低因頻帶
以及新的特征會變得明確。
[路和與該放大電路相連接的匹配電路，上放大電路的輸出阻抗根據(jù)提供給可變阻抗
I發(fā)生變化，也能降低高頻分量，能確保線:、15冊12、20馳等。
由存在于多個頻帶中的信號合成所形成的
究放大電路)對信號進行放大的情況下，放戶存在有該失真，會有信號泄漏至所輸入的在于相鄰頻帶的信號造成干擾的相鄰信道考慮二階失真分量和三階失真分量，則放大
-(1)
1181:01-1:1011 00,0116111:8)，是指由放大器所所引起的輸出信號的失真分量，
，是指由放大器所具有的非線性特俞出信號的失真分量。為了方便說明，將輸,和的兩個波的信號進行合成而獲得的言道的原因。因此，希望獲得輸出信號的三
了輸入信號由兩個頻率互不相同的信號合實際上是由存在于多個頻帶的信號合成而I信標(biāo)準(zhǔn)所決定的頻帶寬度(例如5腿2)中號輸入到放大器時的輸出信號的頻率特性，6更接近實際通信信號的、存在于頻帶寬度.由實線示出的頻帶寬度中的通信信號的情尋實線所示的輸出信號。即，在放大器完全三階失真分量，僅輸出通信信號的頻帶寬度、生是放大器具有非線性特性時，受到三階失介失真分量，則在通信信號的頻帶寬度之外存在于相鄰頻帶中的其他信號。
毛的標(biāo)號的意思如下所述。:，0 2是二次方的非線性項的系數(shù)，0 3是；因放大器的非線性特性而會施加到輸出信階失真的一部分進行重疊以提供給其柵極，并進行放大。
[0049]若輸入信號假定為主信號中的一個即Alcosco It和二階失真分量即A3cos (ω 2- ω I) t，并將這些項帶入式(I)，則能獲得數(shù)學(xué)式5所表示的項。
[0050][數(shù)學(xué)式5]
【權(quán)利要求】
1.一種高頻模塊，其特征在于，包括: 放大電路，該放大電路具有輸出端子；放大用晶體管，該放大用晶體管與所述輸出端子相連接，對高頻信號進行放大，并將其輸出到所述輸出端子；以及可變阻抗電路，該可變阻抗電路與所述放大用晶體管相連接，根據(jù)對應(yīng)于所述高頻信號的頻帶寬度的控制信號，來設(shè)定所述輸出端子的輸出阻抗，以及 匹配電路，該匹配電路與所述放大電路的輸出端子相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其特征在于， 具有偏置電路，該偏置電路形成要提供給所述放大用晶體管的偏置電壓， 所述可變阻抗電路具有電壓跟隨電路，該電壓跟隨電路將所述偏置電壓提供給所述放大用晶體管，且其頻率信號根據(jù)所述控制信號而發(fā)生變化。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述電壓跟隨電路具有:一對差動放大晶體管，該一對差動晶體管的其中一個接收所述偏置電壓，另一個接收電壓跟隨電路的輸出；以及電流電路，該電流電路將基于所述控制信號的電流作為所述差動放大晶體管的動作電流進行提供。
4.如權(quán)利要求3所述的 高頻模塊，其特征在于， 所述放大電路具有電容器，該電容器接收所述高頻信號，并將高頻信號提供給所述放大用晶體管。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻模塊，其特征在于， 所述高頻信號是根據(jù)LTE標(biāo)準(zhǔn)發(fā)送的信號。
6.如權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述電壓跟隨電路包括:一對差動放大晶體管，該一對差動晶體管的其中一個接收所述偏置電壓，另一個接收電壓跟隨電路的輸出；輸出晶體管，該輸出晶體管接收所述差動放大晶體管的輸出；以及多個反饋用電容器，該多個反饋用電容器設(shè)置在所述輸出晶體管的輸出與輸入之間， 所述多個反饋用電容器根據(jù)所述控制信號來選擇性地連接在所述輸出晶體管的輸入和輸出之間。
7.如權(quán)利要求6所述的高頻模塊，其特征在于， 所述放大電路具有電容器，該電容器接收所述高頻信號，并將高頻信號提供給所述放大用晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的高頻模塊，其特征在于， 所述高頻信號是根據(jù)LTE標(biāo)準(zhǔn)發(fā)送的信號。
9.一種移動終端，其特征在于，包括: 天線； 形成通過所述天線所要發(fā)送的信號的電路； 選擇電路，該選擇電路輸出表示發(fā)送中所使用的頻帶寬度的選擇信號；以及 高頻模塊，該高頻模塊具有放大電路、和連接在所述放大電路的輸出端子和所述天線之間的匹配電路，所述放大電路包括:放大用晶體管，該放大用晶體管對與所述所要發(fā)送的信號相對應(yīng)的高頻信號進行放大，并將其輸出到輸出端子；以及可變阻抗電路，該可變阻抗電路與所述放大用晶體管相連接，根據(jù)來自所述選擇電路的選擇信號，來設(shè)定所述輸出端子的輸出阻抗。
10.如權(quán)利要求9所述的移動終端，其特征在于， 具有偏置電路，該偏置電路形成要提供給所述放大用晶體管的偏置電壓， 所述可變阻抗電路具有電壓跟隨電路，該電壓跟隨電路將所述偏置電壓提供給所述放大用晶體管，且其頻率特性根據(jù)所述控制信號而發(fā)生變化。
11.如權(quán)利要求10所述的移動終端，其特征在于， 所述高頻信號是按照LTE標(biāo)準(zhǔn)發(fā)送的。
12.如權(quán)利要求10所述的移動終端，其特征在于， 所述偏置電路、所述放大用晶體管和所述可變阻抗電路形成在一個半導(dǎo)體芯片上。
13.—種高頻模塊，其特征在于，包括: 偏置電路；該偏置電路形成偏置電壓； 放大用晶體管，該放大用晶體管放大高頻信號； 電壓跟隨電路，該電壓跟隨電路的輸入與所述偏置電路相連接，其輸出與所述放大用晶體管相連接；以及 電容器，該電容器與所述放大用晶體管相連接，將所述高頻信號提供給所述放大用晶體管。
14.如權(quán)利要求13所述的高頻模塊，其特征在于， 包含有連接在所述電壓跟隨電路的輸出和所述放大用晶體管之間的電阻。
15.如權(quán)利要求13或14所述的高頻模塊，其特征在于， 所述偏置電路、所述電壓跟隨電路、所述放大用晶體管形成在一個半導(dǎo)體芯片上。
16.如權(quán)利要求15所述的高頻模塊，其特征在于， 所述偏置電路具有晶體管和恒流源。
17.如權(quán)利要求16所述的高頻模塊，其特征在于， 所述放大用晶體管是場效應(yīng)晶體管。
【文檔編號】H03F1/32GK104040884SQ201280064091
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月22日
【發(fā)明者】林范雄, 清水智, 門井涼, 山本昭夫 申請人:株式會社村田制作所