本發(fā)明涉及振動元件、振子、電子器件以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
近年來，在處于小型化趨勢的壓電振動元件中，期望降低CI（晶體阻抗）值。公知有以降低CI值和封閉振動能量為目的而采用臺面結(jié)構(gòu)的壓電振動元件。例如在專利文獻1中提出確定了用于得到臺面結(jié)構(gòu)的基板挖掘量的最佳值的壓電振動元件。更具體而言，在專利文獻1中記載了如下的壓電振動元件：在設(shè)挖掘量為Md、石英基板的長邊長度為x、振動部的厚度為t時，如果以厚度t為基準，設(shè)臺階部的挖掘量Md相對于厚度t的比的百分率為y，則能夠通過滿足y=－1.32×（x/t）+42.87的關(guān)系，選擇使得CI值的特性變化平穩(wěn)的最小的挖掘量Md。并且，在專利文獻2中記載了如下的壓電振動元件：不僅規(guī)定基板的挖掘量的最佳值，還通過規(guī)定將壓電振動元件安裝到安裝基板時涂覆的導(dǎo)電性粘接劑的涂覆范圍內(nèi)的長邊長度的范圍，在抑制不必要模式的耦合的同時促進CI值的降低。并且，在專利文獻3中記載了如下的壓電振動元件：通過規(guī)定從振動部的端部到激勵電極的端部的長度，抑制CI值的增加等特性劣化。由此，從各種角度實現(xiàn)了CI值降低。【專利文獻1】日本特開2007－124441號公報【專利文獻2】日本特開2008－263387號公報【專利文獻3】日本特開2010－28610號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于提供能夠降低CI值的振動元件。此外，本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于提供具有上述振動元件的振子。進而，本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于提供具有上述振動元件的電子器件。并且，本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于提供具有上述振動元件的電子設(shè)備。本發(fā)明正是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，可作為以下方式或應(yīng)用例來實現(xiàn)。[應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的振動元件具有：基板，該基板包含：振動部，其以厚度剪切振動進行振動，在側(cè)面具有臺階；和外緣部，其沿著所述振動部的外緣配置，厚度比所述振動部的厚度薄，以及設(shè)置在所述振動部上的激勵電極，在設(shè)所述外緣部的主面到所述振動部的第1級臺階的大小為Md1、所述第1級臺階到第2級臺階的大小為Md2、所述基板的材料密度為dA、所述激勵電極的材料密度為dB、所述第2級臺階的主面上的所述激勵電極的厚度為tB時，滿足以下關(guān)系：((Md2+(dB/dA)×tB))/Md1≤1.4。根據(jù)這種振動元件，能夠降低CI值（具體將后述）。[應(yīng)用例2]在本應(yīng)用例的振動元件中，也可以滿足下式的關(guān)系：0.5≤((Md2+(dB/dA)×tB))/Md1≤1.4。根據(jù)這種振動元件，能夠更可靠地降低CI值（具體將后述）。[應(yīng)用例3]在本應(yīng)用例的振動元件中，所述基板可以是旋轉(zhuǎn)Y切石英基板。根據(jù)這種振動元件，能夠降低CI值。[應(yīng)用例4]在本應(yīng)用例的振動元件中，在俯視時所述振動部的外形為矩形，所述振動部的第1級的沿著所述厚度剪切振動的振動方向的長度比所述振動部的第2級的沿著所述厚度剪切振動的振動方向的長度大。根據(jù)這種振動元件，能夠降低CI值。[應(yīng)用例5]在本應(yīng)用例的振動元件中，在俯視時所述激勵電極的外形與所述振動部的第2級的外形相同。根據(jù)這種振動元件，能夠降低CI值。[應(yīng)用例6]本應(yīng)用例的振子包含：本應(yīng)用例的振動元件；以及收納所述振動元件的封裝。根據(jù)這種振子，能夠具有可降低CI值的振動元件。[應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子器件包含：本應(yīng)用例的振動元件；以及電子元件。根據(jù)這種振子，能夠具有可降低CI值的振動元件。[應(yīng)用例8]本應(yīng)用例的電子設(shè)備包含本應(yīng)用例的振動元件。根據(jù)這種電子設(shè)備，能夠具有可降低CI值的振動元件。附圖說明圖1是示意性示出本實施方式的振動元件的立體圖。圖2是示意性示出本實施方式的振動元件的俯視圖。圖3是示意性示出本實施方式的振動元件的剖面圖。圖4是示意性示出本實施方式的振動元件的剖面圖。圖5是示意性示出AT切石英基板的立體圖。圖6是示意性示出用于實驗例的振動元件的剖面圖。圖7是示意性示出用于實驗例的振動元件的剖面圖。圖8是示出了臺面結(jié)構(gòu)的臺階大小與CI值之間的關(guān)系的曲線圖。圖9是示意性示出本實施方式的變形例的振動元件的俯視圖。圖10是示意性示出本實施方式的變形例的振動元件的剖面圖。圖11是示意性示出本實施方式的振子的剖面圖。圖12是示意性示出本實施方式的變形例的振子的剖面圖。圖13是示意性示出本實施方式的電子器件的剖面圖。圖14是示意性示出本實施方式的變形例的電子器件的剖面圖。圖15是示意性示出本實施方式的電子設(shè)備的俯視圖。標號說明2：AT切石英基板；10：振動片；12：壓電基板；12a：振動部；12b：外緣部；13a：第1主面；13b：第2主面；14a：第1部分；14b：第3部分；15a、15b：臺階；16a：第2部分；16b：第4部分；17a、17b：臺階；18：固定部；20a：第1激勵電極；20b：第2激勵電極；22：連接電極；24：裝配電極；30：導(dǎo)電性粘接劑；40：封裝底座；40a：第1面；40b：第2面；42：第1端子；44a、44b：第2端子；46：第3端子；48：凹部；49：凹部；50：蓋；52：凸緣部；54：空間；55：封裝；60：接合部件；70：電子元件；72：凸塊；74：線；100、200：振動元件；300、400：振子；500、600：電子器件；700：智能手機；701：顯示部；702：操作部；703：聲音輸出部。具體實施方式下面，使用附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。另外，以下說明的實施方式并不對權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的內(nèi)容進行不恰當?shù)南薅ā２⑶?，以下說明的所有結(jié)構(gòu)不是本發(fā)明的必需結(jié)構(gòu)要件。1.振動元件首先，參照附圖說明本實施方式的振動元件。圖1是示意性示出本實施方式的振動元件100的立體圖。圖2是示意性示出本實施方式的振動元件100的俯視圖。圖3是示意性示出本實施方式的振動元件100的圖2的III－III線剖面圖。圖4是示意性示出本實施方式的振動元件100的圖2的IV－IV線剖面圖。如圖1～圖4所示，振動元件100可包含振動片10、激勵電極20a、20b、連接電極22和裝配電極24。振動片10構(gòu)成為包含臺面結(jié)構(gòu)的壓電基板（基板）12，壓電基板12具有振動部12a和外緣部12b。壓電基板12的材質(zhì)是壓電材料，例如使用AT切石英基板等旋轉(zhuǎn)Y切基板作為壓電基板12。此處，圖5是示意性示出AT切石英基板2的立體圖。石英等壓電材料一般是三方晶系列，具有圖5所示的晶軸（X、Y、Z）。X軸是電軸、Y軸是機械軸、Z軸是光軸。旋轉(zhuǎn)Y切基板是沿著使XZ平面繞X軸旋轉(zhuǎn)角度θ后的平面從壓電材料（例如人工石英）切出的平板。此處，例如在AT切石英基板2的情況下，角度θ=35°15′。此外，也使Y軸和Z軸繞X軸旋轉(zhuǎn)θ，并分別設(shè)為Y′軸和Z′軸。因此，旋轉(zhuǎn)Y切基板具有晶軸（X、Y′、Z′）軸。θ=35°15′的AT切石英基板2的與Y′軸垂直的XZ′面（包含X軸和Z′軸的面）為主面（激勵面），能夠以厚度剪切振動為主振動而進行振動。能夠?qū)υ揂T切石英基板2進行加工而得到壓電基板12。即，例如，如圖5所示，壓電基板12由如下的AT切石英基板構(gòu)成，該AT切石英基板將以垂直坐標系的X軸為中心使Z軸朝Y軸的－Y方向傾斜后的軸作為Z′軸、將以垂直坐標系的X軸為中心使Y軸朝Z軸的+Z方向傾斜后的軸作為Y′軸，由與X軸以及Z′軸平行的面構(gòu)成，與Y′軸平行的方向為厚度方向，其中，該垂直坐標系由石英晶軸即作為電軸的X軸、作為機械軸的Y軸和作為光軸的Z軸構(gòu)成。另外，壓電基板12不限于AT切石英基板。例如，能夠通過設(shè)為θ=－49°（與圖5所示的θ的箭頭方向相反地旋轉(zhuǎn)49°），得到BT切石英基板。此外，能夠通過從如下的面切出而得到SC切石英基板，該面是使與石英的結(jié)晶的Y軸垂直的面以X軸為中心旋轉(zhuǎn)大約33°，并進一步從該旋轉(zhuǎn)后的位置起以Z軸為中心旋轉(zhuǎn)大約22°后而得到的。如圖2所示，在俯視圖中（從Y′方向觀察），壓電基板12的形狀（外形）為矩形。壓電基板12的長邊沿石英結(jié)晶的X軸形成，壓電基板12的短邊沿與石英結(jié)晶的X軸垂直的Z′軸形成。壓電基板12被激勵出厚度剪切振動，能夠以厚度剪切振動為主振動進行振動。如圖3所示，壓電基板12具有第1主面13a和第2主面13b。主面13a、13b是與XZ′平面平行的面。在圖示的例子中，第1主面13a是朝向+Y′軸方向的面，第2主面13b是朝向－Y′軸方向的面。壓電基板12具有兩級臺面結(jié)構(gòu)。即，壓電基板12具有相對于第1主面13a位于+Y′軸方向、且高度（Y′軸方向上的與第1主面13a之間的距離）不同的兩個面。并且，壓電基板12具有相對于第2主面13b位于－Y′軸方向、且高度（Y′軸方向上的與第2主面13b之間的距離）不同的兩個面。壓電基板12是兩級臺面結(jié)構(gòu)，由此振動元件100能夠具有較高的能量封閉效果。壓電基板12具有兩級型的臺面結(jié)構(gòu)中的第1主面13a側(cè)的構(gòu)成第1級的第1部分14a和構(gòu)成第2級的第2部分16a；以及第2主面13b側(cè)的構(gòu)成第1級的第3部分14b和構(gòu)成第2級的第4部分16b。如圖3所示，在壓電基板12中，通過第1部分14a和第2部分16a、以及第3部分14b和第4部分16b，振動部12a的X軸方向的端部成為階梯形狀，形成臺階15a、15b、17a、17b。第1部分14a的X軸方向（與壓電基板12的長邊平行的方向）的長度比第2部分16a的X軸方向的長度大，第3部分14b的X軸方向的長度比第4部分16b的X軸方向的長度大。即，振動部12a的第1級的X軸方向的長度（振動部12a的沿著厚度剪切振動的振動方向的長度）比振動部12a的第2級的X軸方向的長度大。另外，如圖4所示，振動部12a的Z′軸方向的端部不是階梯形狀。即，Z′軸方向上的第1部分14a和第2部分16a的端面為同一面，Z′軸方向上的第3部分14b和第4部分16b的端面為同一面。如圖3所示，從外緣部12b的主面13a到振動部12a的第1級臺階15a的在Y′軸方向上的大小Md1是第1部分14a的厚度（Y′軸方向的大?。耐饩壊?2b的主面13b到振動部12a的第1級臺階15b的在Y′軸方向上的大小Md1是第3部分14b的厚度。從振動部12a的第1級臺階15a到振動部12a的第2級臺階17a的在Y′軸方向上的大小Md2是第2部分16a的厚度。從振動部12a的第1級臺階15b到振動部12a的第2級臺階17b的在Y′軸方向上的大小Md2是第2部分16b的厚度。在圖示的例子中，第1部分14a和第3部分14b關(guān)于通過壓電基板12的中心的XZ′平面對稱地配置。同樣，第2部分16a和第4部分16b關(guān)于通過壓電基板12的中心的XZ′平面對稱地配置。如圖2所示，第1部分14a、第2部分16a、第3部分14b和第4部分16b的平面形狀是將沿著X軸的邊作為長邊、將沿著Z’軸的邊作為短邊的矩形。第1部分14a、第2部分16a、第3部分14b和第4部分16b可構(gòu)成振動部12a。振動部12a是壓電基板12中的具有比外緣部12b的厚度t′大的厚度的部分。具體而言，振動部12a具備：具有比厚度t′大的厚度t1的部分；以及具有比厚度t1大的厚度t2的部分。即，振動部12a是兩級臺面結(jié)構(gòu)。振動部12a被激勵出厚度剪切振動，能夠以厚度剪切振動為主振動進行振動。此時，厚度剪切振動是沿著X軸方向進行振動。如圖2所示，在俯視圖中，振動部12a被外緣部12b包圍。如圖2所示，在俯視圖中，振動部12a的外形是以沿著厚度剪切振動的振動方向即X軸的邊為長邊、以沿著與厚度剪切振動的振動方向垂直的Z′軸的邊為短邊的矩形。在俯視圖中，外緣部12b沿著振動部12a的外緣進行配置（配置在周邊）。外緣部12b具有比振動部12a的厚度薄的厚度。更具體而言，外緣部12b具有比振動部12a的厚度小的厚度t′。具有振動部12a和外緣部12b的壓電基板12是用保護膜（未圖示）覆蓋板狀的壓電基板（未圖示）的成為振動部12a的部分、并對成為外緣部12b的部分進行化學(xué)蝕刻（蝕刻）而形成的。并且，能夠通過用保護膜覆蓋成為第2部分16a和第4部分16b的部分，并對成為第1部分14a和第3部分14b的部分進行化學(xué)蝕刻形成具有兩級臺面結(jié)構(gòu)的壓電基板12。第1激勵電極20a設(shè)置在第2級的臺面的第1主面13a上。更具體而言，第1激勵電極20a設(shè)置于第2部分16a的表面。在圖2所示的例子中，第1激勵電極20a具有與第2部分16a相同的平面形狀，第1激勵電極20a和第2部分16a完全重疊。即，在俯視圖中，第1激勵電極20a的外形與振動部12a的第2級的外形相同。第2激勵電極20b設(shè)置在第2級的臺面的第2主面13b上。更具體而言，第2激勵電極20b設(shè)置于第4部分16b的表面。在圖2所示的例子中，第2激勵電極20b具有與第4部分16b相同的平面形狀，第2激勵電極20b和第4部分16b完全重疊。即，在俯視圖中，第2激勵電極20b的外形與振動部12a的第2級的外形相同。激勵電極20a、20b被設(shè)置成夾著振動部12a。激勵電極20a、20b能夠向振動部12a施加電壓。激勵電極20a、20b經(jīng)由連接電極22與裝配電極24連接。裝配電極24設(shè)置于外緣部12b的第2主面13b。裝配電極24例如相對于振動部12a設(shè)置于+X軸方向。作為激勵電極20a、20b、連接電極22以及裝配電極24，例如使用從壓電基板12側(cè)起依次層疊鉻、金而得的金屬材料。激勵電極20a、20b、連接電極22以及裝配電極24例如利用濺射法、真空蒸鍍法形成。此處，振動元件100在設(shè)外緣部12b的主面13a、13b到振動部12a的第1級臺階15a、15b的在Y′軸方向上的大小為Md1、振動部12a的第1級臺階15a、15b到振動部12a的第2級臺階17a、17b的在Y′軸方向上的大小為Md2、激勵電極20的壓電材料換算厚度為tA時，能夠滿足以下關(guān)系：(Md2+tA)/Md1≤1.4(1)，還能夠滿足以下關(guān)系：0.5≤(Md2+tA)/Md1≤1.4(2)。其中，在設(shè)壓電基板12的材料（更具體而言為壓電材料）的密度為dA、激勵電極20a、20b的材料（更具體而言為金屬材料）的密度為dB、激勵電極20a、20b的厚度（實際厚度）為tB時，tA滿足以下關(guān)系：tA=(dB/dA)×tB(3)根據(jù)（3）式，（1）式能夠表示為下式。((Md2+(dB/dA)×tB)/Md1)≤1.4(4)此外，根據(jù)（3）式，（2）式能夠表示為下式。0.5≤(((Md2+(dB/dA)×tB)/Md1)≤1.4(5)通過滿足式（4），振動元件100能夠具有較低的CI值。并且，通過滿足式（5），振動元件100能夠更可靠地具有較低的CI值。具體將后述。2.實驗例接著，說明實驗例。另外，本發(fā)明不受以下實驗例的任何限定。作為實驗例，進行使用了振動元件S的仿真。圖6和圖7是示意性示出振動元件S的剖面圖。以下，在用于實驗例的振動元件S中，對具有與本實施方式的振動元件100的結(jié)構(gòu)部件相同功能的部件標注相同標號，省略其詳細說明。在圖6（b）中，振動元件S經(jīng)由連接部件30而接合（固定）到封裝底座40。更具體而言，振動元件S被固定在設(shè)置于封裝底座40的端子42。圖6（b）所示的振動元件S中的從壓電基板12的端部起的X軸方向的各位置處的振動位移量如圖6（a）所示那樣，用虛線包圍的區(qū)域A（裝配部：距離壓電基板12的端部大約0.2（mm）左右）中的振動位移成為由于裝配的影響而損失的CI成分。圖7所示的振動元件S除了將壓電基板12的第2部分16a和第4部分16b的厚度（從臺階15a、15b到振動部12a的第2級臺階17a、17b的在Y′軸方向上的大?。┰O(shè)為（Md2+tA）以外，基本是與振動元件100相同的結(jié)構(gòu)。在本實驗例中，使用了AT切石英基板作為壓電基板12。另外，圖7所示的振動元件S不具有連接電極22和裝配電極24。此處，tA是激勵電極20a、20b的壓電材料換算厚度，在設(shè)構(gòu)成壓電基板12的壓電材料（石英）的密度為dA、構(gòu)成激勵電極20a、20b的金屬材料的密度為dB、激勵電極20a、20b的實際厚度為tB時，tA能夠表示為下式：tA=(dB/dA)×tB(3).在上述那樣的圖7所示的振動元件S中，改變（Md2+tA）相對于Md1的值，進行了對CI值進行分析的仿真。圖8是示出（Md2+tA）與Md1的比值r（=（Md2+tA）/Md1）與CI值之間的關(guān)系的曲線圖。更具體而言，在比值r為0.5以上的范圍內(nèi)進行了分析。另外，在圖8中，CI值示出了用（Md2+tA）=Md1時的CI值進行標準化后的值。一般而言，在CI值中還存在向大氣的振動泄漏（放置壓電基板的環(huán)境氣氛的影響）、壓電基板的內(nèi)部的能量損失（材質(zhì)的影響）等成分，而這些成分的影響一定時，CI值能夠用裝配的影響度表示。圖8是示出（Md2+tA）與Md1的比值r（=（Md2+tA）/Md1）和基于上述知識而示出的CI值之間的關(guān)系的曲線圖。根據(jù)圖8可知，當比值r大于1.4時，CI值急劇增加。因此，可知通過滿足下式的關(guān)系，振動元件S能夠降低CI值。(Md2+tA)/Md1≤1.4(1)即，根據(jù)式（1）和式（3）可知通過滿足下式的關(guān)系，振動元件S能夠降低CI值。((Md2+(dB/dA)×tB)/Md1)≤1.4(4)更具體而言，可知通過滿足下式的關(guān)系，振動元件S能夠更可靠地降低CI值。0.5≤(Md2+tA)/Md1≤1.4(2)即，根據(jù)式（2）和式（3）可知通過滿足下式的關(guān)系，振動元件S能夠進一步可靠地降低CI值。0.5≤((Md2+(dB/dA)×tB)/Md1)≤1.4(5)可知通過相對于一級臺面增加臺面的級數(shù)而設(shè)為兩級臺面，為了使封閉到振動部12a的主振動的厚度剪切振動的能量封閉更牢固，優(yōu)選（Md2+tA）/Md1至少為0.5以上?？芍冢∕d2+tA）/Md1大于0小于0.5的情況下，能夠相比于一級臺面，增強所述能量封閉，但第2級的厚度變薄，因此不能充分發(fā)揮2級臺面的所述能量封閉的強化。此處，示出（Md2+tA）/Md1=1.4時的各參數(shù)的具體值的一個例子，臺面結(jié)構(gòu)的第1級臺階大小Md1=5（μm），臺面結(jié)構(gòu)的第2級臺階大小Md2=3.35（μm），激勵電極20a、20b的實際厚度tB=0.5（μm），構(gòu)成壓電基板12的壓電材料（石英）的密度dA=2.65（g/cm3），構(gòu)成激勵電極20a、20b的金屬材料（鉻和金的層疊體）的密度dB=19.32（g/cm3）。另外，在本實驗例（仿真）中，使用了如下的振動元件S：在設(shè)用于得到臺面結(jié)構(gòu)的壓電基板12的挖掘量（振動部12a的厚度t與外緣部12b的厚度t′之差）為Md、壓電基板12的長邊長度為x、振動部12a的厚度為t時，挖掘量Md相對于振動部12a的厚度t的比的百分率z滿足下式的關(guān)系。z=-1.32×(x/t)+42.87(%)(6)此處，振動部12a的厚度表示振動部12a的最大厚度。能夠通過滿足式（6），選擇使得CI值的特性變化平穩(wěn)的最小的挖掘量Md的值。即，挖掘量Md越大，CI值越處于降低的趨勢，但如果延長用于形成挖掘量Md的蝕刻時間，則形成于蝕刻部位以外的部位的保護膜有時會劣化，從而產(chǎn)生蝕刻侵蝕。蝕刻侵蝕對應(yīng)于保護膜的狀態(tài)、壓電基板的狀態(tài)而示出不同的趨勢，因此壓電基板形狀的偏差有時會由于蝕刻侵蝕的影響而變大。此外，由于蝕刻時間變長，制造成本有時會變高。并且，不必要模式與主振動模式的耦合示出與伴隨挖掘量Md增加的CI值降低相反的趨勢。因此，在增加了挖掘量Md的情況下，容易在作為主模式的厚度剪切模式中混入作為不必要模式的彎曲模式等，因此可能會導(dǎo)致振動特性的惡化。因此，如果能夠選擇使得CI值的特性變化平穩(wěn)的最小值作為挖掘量Md，則能夠降低上述蝕刻侵蝕和振動特性惡化的可能性，從而得到良好的振動特性。此處，即使將挖掘量Md與振動部12a的厚度t的比的百分率z減小為比根據(jù)式（6）計算的值小5%，也能夠充分實現(xiàn)CI值的降低。因此，z滿足下式的關(guān)系即可。-5≤z+1.32×(x/t)-42.87(%)(7)并且，即使將挖掘量Md與振動部12a的厚度t的比的百分率z增大為比根據(jù)式（6）計算的值大5%，也能夠充分抑制產(chǎn)生蝕刻侵蝕的情況、和不必要模式與主振動模式耦合的情況。因此，z滿足下式的關(guān)系即可。-5≤z+1.32×(x/t)-42.87≤5(%)(8)另外，式（6）是如下計算出的式子：進行按照邊比值x/t（表示壓電基板12的長邊長度x與振動部12a的厚度t的比）改變挖掘量Md而對CI值變化進行分析的實驗，求出使得CI值的特性變化平穩(wěn)的挖掘量Md的最小值Md_min。此外，邊比值x/t優(yōu)選為30以下。在邊比值x/t超過30時，Md_min的值明顯變小，因此不再需要將壓電基板形成為臺面型。即，即使不將壓電基板形成為臺面型，也能夠具有足夠低的CI值。因此，通過將邊比值x/t為30以下的壓電基板形成為臺面型，能夠在實現(xiàn)小型化的同時降低CI值。在本實驗例中，將邊比值x/t的值設(shè)為13。另外，在本實驗例中，使用了AT切石英基板作為壓電基板12，但本實驗例也適用于使用AT切石英基板以外的壓電基板的情況。但是，從壓電基板的加工、即臺面加工的便利性等方面出發(fā)，優(yōu)選使用石英基板作為壓電基板12。此外，在本實驗例中，使用了振動部12a的Z′軸方向的端部不是階梯形狀的振動元件S，但本實驗例還能夠應(yīng)用于Z′軸方向的端部為階梯形狀的振動元件（參照后述的振動元件200）。3.振動元件的變形例接著，參照附圖說明本實施方式的變形例的振動元件。圖9是示意性示出本實施方式的變形例的振動元件200的俯視圖。圖10是示意性示出本實施方式的變形例的振動元件200的圖9的X－X線剖面圖。以下，在振動元件200中，對具有與振動元件100的結(jié)構(gòu)部件相同功能的部件標注相同標號，省略其詳細說明。如圖2和圖4所示，在振動元件100中，振動部12a的Z′軸方向的端部不是階梯形狀。即，Z′軸方向上的第1部分14a和第2部分16a的端面為同一面，Z′軸方向上的第3部分14b和第4部分16b的端面為同一面。與此相對，如圖9和圖10所示，在振動元件200中，振動部12a的Z′軸方向的端部為階梯形狀，形成臺階。第1部分14a的Z′軸方向的長度比第2部分16a的Z′軸方向的長度大，第3部分14b的Z′軸方向的長度比第4部分16b的Z′軸方向的長度大。根據(jù)振動元件200，與振動元件100同樣，能夠通過滿足式（4）降低CI值。4.振子接著，參照附圖說明本實施方式的振子。圖11是示意性示出本實施方式的振子300的剖面圖。如圖11所示，振子300包含本發(fā)明的振動元件、和封裝55。以下，對使用了振動元件100作為本發(fā)明的振動元件的例子進行說明。封裝55收納了振動元件100。封裝55能夠具有封裝底座40和蓋50。在封裝底座40中形成有凹部48，在凹部48內(nèi)配置有振動元件100。只要能夠?qū)⒄駝釉?00配置到凹部48內(nèi)，則封裝底座40的平面形狀沒有特別限定。作為封裝基座40，例如使用對陶瓷生片進行成型、層疊并燒制而成的氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、石英、玻璃、硅等材料。在封裝底座40的第1面（在圖示的例子中為凹部48的內(nèi)側(cè)底面）40a上，經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑30接合（安裝）有振動元件100。更具體而言，導(dǎo)電性粘接劑30對設(shè)置于第1面40a的第1端子42、和振動元件100的裝配電極24進行了接合。在封裝基座40的第2面（第1面40a的相反側(cè)的面）40b上設(shè)置有第2端子44a、44b，第2端子44a、44b在安裝到電子設(shè)備等外部部件時使用。第2端子44a經(jīng)由貫通封裝底座40的接觸部（未圖示）與第1端子42連接。由此，能夠?qū)Φ?端子44a和第1激勵電極20a進行電連接。另外，也可以是，在第1面40a上設(shè)置有未圖示的端子，該端子與第2激勵電極20b電連接。并且，也可以是，該端子與第2端子44b經(jīng)由貫通封裝底座40的接觸部（未圖示）進行連接。由此，能夠?qū)Φ?端子44b和第2激勵電極20b進行電連接。作為第1端子42和第2端子44a、44b，例如使用通過鍍覆等方法在鎢（W）等的金屬化層上層疊鎳、金等的覆蓋膜而成的金屬膜。蓋50設(shè)置成覆蓋封裝底座40的凹部48。在圖示的例子中，蓋50的形狀為板狀。作為蓋50，例如使用與封裝基座40相同的材料，或者鐵鎳鈷合金、42合金、不銹鋼等金屬。蓋50例如經(jīng)由接縫環(huán)、低熔點玻璃、粘接劑等接合部件60與封裝底座40接合。封裝底座40的被氣密密封的凹部48內(nèi)成為減壓后的真空狀態(tài)（真空度高的狀態(tài)），或填充有氮、氦、氬等惰性氣體的狀態(tài)。振子300能夠具有可降低CI值的振動元件100。5.振子的變形例接著，參照附圖說明本實施方式的變形例的振子。圖12是示意性示出本實施方式的變形例的振子400的剖面圖。以下，在振子400中，對具有與振子300的結(jié)構(gòu)部件相同功能的部件標注相同標號，省略其詳細說明。如圖11所示，在振子300中，在封裝底座40中設(shè)置有凹部48。與此相對，如圖12所示，在振子400中，在封裝底座40中沒有設(shè)置凹部48，封裝底座40具有平板狀的形狀。在振子400中，蓋50具有在整周設(shè)置有凸緣部52的帽狀（容器狀）的形狀，可在其內(nèi)側(cè)的空間54收納振動元件100。凸緣部52經(jīng)由接合部件60接合到封裝底座40。作為蓋50，例如使用鐵鎳鈷合金、42合金、不銹鋼等金屬。根據(jù)振子400，與振子300相比，可以不在封裝底座40中設(shè)置凹部48，因此封裝底座40的制造相應(yīng)地變得容易，從而能夠削減制造成本。6.電子器件接著，參照附圖說明本實施方式的電子器件。圖13是示意性示出本實施方式的電子器件500的剖面圖。如圖13所示，電子器件500包含本發(fā)明的振動元件、和電子元件70。更具體而言，電子器件500包含本發(fā)明的振子。以下，對使用了具有振動元件100的振子300作為本發(fā)明的振子的例子進行說明。電子元件70被收納到封裝55。更具體而言，電子元件70被配置到設(shè)置于封裝底座40的凹部48內(nèi)。作為電子元件70，例如使用具有驅(qū)動振動元件100的振蕩電路的IC芯片。并且，IC芯片可以具有校正伴隨振動元件100的溫度變化的頻率變動的溫度補償電路。在使用具有振蕩電路的IC芯片作為電子元件70的情況下，電子器件500能夠作為振蕩器發(fā)揮功能。另外，電子元件70不限于上述那樣的IC芯片，例如也可以是熱敏電阻、電容器、電抗元件。電子元件70經(jīng)由凸塊72與設(shè)置于封裝底座40的第1面40a的第3端子46電連接。第3端子46例如通過未圖示的布線與第1端子42連接。由此，能夠?qū)﹄娮釉?0和第1激勵電極20a進行電連接。此外，電子元件70可以通過未圖示的布線與第2激勵電極20b電連接。作為凸塊72，例如使用金、鎳等金屬凸塊。作為第3端子46，例如使用通過鍍覆等方法在鎢（W）等的金屬化層上層疊鎳、金等的覆蓋膜而成的金屬膜。另外，雖然未圖示，但電子元件70可以通過線來替代凸塊72而與第3端子46電連接。根據(jù)電子器件500，能夠具有可降低CI值的振動元件100。7.電子器件的變形例接著，參照附圖說明本實施方式的變形例的電子器件。圖14是示意性示出本實施方式的變形例的電子器件600的剖面圖。以下，在電子器件600中，對具有與電子器件500的結(jié)構(gòu)部件相同功能的部件標注相同標號并省略其詳細說明。如圖13所示，在電子器件500中，電子元件70設(shè)置在封裝底座40的第1面40a側(cè)，并配置在設(shè)置于封裝底座40的凹部48內(nèi)。與此相對，如圖14所示，在電子器件600中，電子元件70設(shè)置在封裝底座40的第2面40b成為底面的凹部49內(nèi)。在電子器件600中，封裝底座40可具有大致H型的形狀。電子元件70可以通過粘接劑（未圖示）接合到第2面40b。電子元件70經(jīng)由線74與設(shè)置于第2面40b的第3端子46電連接。線74的材質(zhì)例如為金。另外，雖然未圖示，但電子元件70可以通過凸塊來替代線74而與第3端子46電連接。根據(jù)電子器件600，對振動元件100和電子元件70進行分離，對振動元件100單獨進行了氣密密封，因此能夠具有良好的頻率老化特性。8.電子設(shè)備接著，參照附圖說明本實施方式的電子設(shè)備。圖15是示意性示出移動電話（智能手機）作為本實施方式的電子設(shè)備的俯視圖。智能手機700包含本發(fā)明的振動元件。更具體而言，智能手機700包含本發(fā)明的電子器件。以下，如圖15所示，對使用具有振動元件100的電子器件500作為本發(fā)明的電子器件的例子進行說明。另外，為了方便，在圖15中，簡略地圖示電子器件500。智能手機700使用電子器件500作為例如基準時鐘振蕩源等的定時器件。智能手機700還可以具有顯示部（液晶顯示器或有機EL顯示器等）701、操作部702和聲音輸出部703（麥克風(fēng)等）。智能手機700可以通過設(shè)置針對顯示部701的接觸檢測機構(gòu)而將顯示部701兼用作操作部。根據(jù)智能手機700，能夠具有可降低CI值的振動元件100。另外，如上所述，以智能手機（移動電話）700為代表的電子設(shè)備優(yōu)選具有驅(qū)動振動元件100的振蕩電路、和校正伴隨振動元件100的溫度變化的頻率變動的溫度補償電路。由此，以智能手機700為代表的電子設(shè)備具有驅(qū)動振動元件100的振蕩電路、以及校正伴隨振動元件100的溫度變化的頻率變動的溫度補償電路，因此能夠?qū)φ袷庪娐愤M行振蕩的諧振頻率進行溫度補償，從而能夠提供溫度特性優(yōu)異的電子設(shè)備。本發(fā)明的具有振動片的電子設(shè)備不限于上述智能手機，還能夠適當用作電子書、個人計算機、電視機、數(shù)字靜態(tài)照相機、攝像機、錄像機、導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子記事本、計算器、文字處理器、工作站、視頻電話、POS終端、具有觸摸面板的設(shè)備等定時器件。上述實施方式和變形例是一個例子，并不限于此。例如，還能夠適當組合各實施方式和各變形例。本發(fā)明包含與在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)（例如，功能、方法、結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或者目的、效果相同的結(jié)構(gòu)）。此外，本發(fā)明包含對在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分進行置換后的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含能夠與在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)起到相同作用效果的結(jié)構(gòu)或達到相同目的的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包含對在實施方式中說明的結(jié)構(gòu)附加公知技術(shù)后的結(jié)構(gòu)。