放大器電路的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種集成多赫爾蒂放大器電路，包括:主輸入端子、峰值輸入端子和輸出端子;沿第一方向彼此偏移的主輸入導(dǎo)體和峰值輸入導(dǎo)體;沿第二方向延伸的輸出導(dǎo)體;主放大器級;峰值放大器級;主輸入連接集合，配置為將所述主放大器級輸入耦合至所述主輸入導(dǎo)體;主輸出連接集合，配置為將所述主放大器級輸出耦合至所述輸出導(dǎo)體;峰值輸入連接集合，配置為將所述峰值放大器級輸入耦合至所述峰值輸入導(dǎo)體;以及峰值輸出連接集合，配置為將所述峰值放大器級輸出耦合至所述輸出導(dǎo)體。
【專利說明】放大器電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種放大器電路，具體地盡管不是排除地涉及一種包括多赫爾蒂(Doherty)放大器電路在內(nèi)的高功率射頻放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]使用負載線調(diào)制技術(shù)作為用于改善總功率放大器(PA)效率的裝置已經(jīng)出現(xiàn)了一段時間。
[0003]由于多赫爾蒂型放大器當(dāng)處理可變功率級別(這在多載波無線通信系統(tǒng)中是常見的)時的高效率，多赫爾蒂型放大器廣泛地用于無線通信中的功率放大器(PA)。多赫爾蒂放大器包括主放大器和峰值放大器。主放大器處理高達一定轉(zhuǎn)變點的功率級別，并且峰值放大器在大于所述轉(zhuǎn)變點的功率級別下操作。與類似地額定單級AB-或A-類放大器相t匕，典型地是不同類別的主放大器和峰值放大器一起可以遞送改進的補償功率級別效率。
[0004]在說明書中對于現(xiàn)有公布文件的列舉或討論不應(yīng)該看作是承認(rèn)所述文件是現(xiàn)有技術(shù)或者是公知常識。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種集成多赫爾蒂放大器電路，包括:
[0006]主輸入端子、峰值輸入端子和輸出端子；
[0007]沿第一方向彼此偏移的主輸入導(dǎo)體和峰值輸入導(dǎo)體，其中所述主輸入導(dǎo)體和所述峰值輸入導(dǎo)體都沿與第一方向垂直的第二方向延伸，并且其中所述主輸入導(dǎo)體的輸入端耦合至所述主輸入端子，并且所述峰值輸入導(dǎo)體的輸入端耦合至所述峰值輸入端子；
[0008]沿第二方向延伸的輸出導(dǎo)體，其中所述輸出導(dǎo)體的輸出端I禹合至所述輸出端子；
[0009]主放大器級，所述主放大器級沿第二方向延伸并且具有主放大器級輸入和主放大器級輸出；
[0010]峰值放大器級，所述峰值放大器級沿第二方向延伸并且具有峰值放大器級輸入和峰值放大器級輸出；
[0011]主輸入連接集合，配置為將所述主放大器級輸入耦合至所述主輸入導(dǎo)體；
[0012]主輸出連接集合，配置為將所述主放大器級輸出耦合至所述輸出導(dǎo)體；
[0013]峰值輸入連接集合，配置為將所述峰值放大器級輸入耦合至所述峰值輸入導(dǎo)體；以及
[0014]峰值輸出連接集合，配置為將所述峰值放大器級輸出耦合至所述輸出導(dǎo)體。
[0015]上述限定的輸入導(dǎo)體、放大器級和輸出導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)可以允許將相干信號提供給主放大器級和峰值放大器級內(nèi)的多個晶體管放大器、同相地重新組合。這種同相地重新組合可以在保持輸出信號相干性的同時允許更大的功率輸出和更高的效率。
[0016]可以將所述端子、導(dǎo)體和放大器級設(shè)置在陶瓷或塑料封裝上或者設(shè)置在電介質(zhì)襯底上。第一和第二方向可以都在襯底的平面中。電介質(zhì)襯底可以是硅或薄層。[0017]主放大器級可以是A類或AB類放大器。峰值放大器級可以是B類或C類放大器。
[0018]晶體管可以是場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管的使用可以在諸如移動電話基站之類的應(yīng)用中允許與采用雙極型晶體管的是實施方式相比改進的功率效率。主放大器級輸入可以包括場效應(yīng)晶體管或晶體管的柵極連接。主放大器級輸出可以包括場效應(yīng)晶體管或晶體管的漏極連接。峰值放大器級輸入可以包括場效應(yīng)晶體管或晶體管的柵極連接。峰值放大器級輸出可以包括場效應(yīng)晶體管或晶體管的漏極連接。
[0019]主放大器級可以包括多個主晶體管。多個晶體管的提供使得針對要求增加的功率輸出的應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)功率縮放和改進的性能。主晶體管可以沿第二方向間隔開。峰值放大器級可以包括多個峰值晶體管。峰值晶體管可以沿第二方向相互偏移地間隔開。主放大器級輸入可以包括相應(yīng)主晶體管的柵極端子。主放大器級輸出可以包括相應(yīng)主晶體管的漏極端子。峰值放大器級輸入可以包括相應(yīng)峰值晶體管的柵極端子。峰值放大器級輸出可以包括相應(yīng)峰值晶體管的漏極端子。
[0020]放大器電路可以具有沿第二方向偏移的輸入側(cè)和相對的輸出側(cè)。峰值輸入導(dǎo)體的輸入端和/或主輸入導(dǎo)體的輸入端可以更靠近放大器的輸入側(cè)而不是輸出側(cè)。輸出導(dǎo)體的輸出端可以更靠近放大器電路的輸出側(cè)而不是輸入側(cè)。
[0021]主放大器級輸入和主放大器級輸出可以在主放大器級的相對邊緣上。主放大器級輸入和主放大器級輸出可以沿第二方向延伸。峰值放大器級輸入和峰值放大器級輸出可以在峰值放大器級的相對邊緣上。峰值放大器級輸入和峰值放大器級輸出可以沿第二方向延伸。這些結(jié)構(gòu)可以使得能夠針對主和/或峰值放大器級輸入和輸出實現(xiàn)容易的連接性，并且也提供緊湊的電路布局。
[0022]這里定義的“集合連接”可以指的是單一的連接。另外，可以互換地使用術(shù)語“連接”和“多個連接”。
[0023]主輸入連接集合、主輸出連接集合、峰值輸入連接集合和峰值輸出連接集合內(nèi)的多個連接可以沿第二方向間隔開。這可以允許將單獨的連接與所述主放大器級或峰值放大器級中的單獨晶體管或晶體管的子集相關(guān)聯(lián)。
[0024]主輸出連接集合可以將主放大器級輸出間接地耦合至輸出導(dǎo)體。所述間接耦合可以經(jīng)由峰值放大器級輸出路由，并且可以包括峰值輸出連接集合。這種結(jié)構(gòu)的元件可以替代地表達為經(jīng)由主輸出連接集合的主放大器級輸出和峰值放大器級輸出之間的直接連接。這種結(jié)構(gòu)可以降低對于由主輸出連接集合提供的相移阻抗的要求，并且因此使得能夠使用較短的連接，使得主放大器級和峰值放大器級可以位置靠近在一起。
[0025]主輸出連接集合可以配置為放大器的工作頻率下向信號提供90°相移。替代地，主輸入連接集合可以配置為提供90°的正奇數(shù)整數(shù)倍。90°的倍數(shù)可以是90°。90°的倍數(shù)可以不是0°。降低相移倍數(shù)具有在工作頻率下增加放大器帶寬的效果。
[0026]所述電路還可以包括一個或多個輸入電容性元件。輸入電容性元件可以提供對于放大器級的輸入阻抗匹配。輸入電容性元件可以配置為將主放大器級輸入耦合至主輸入導(dǎo)體。輸入電容性元件可以配置為將峰值放大器級輸入耦合至峰值輸入導(dǎo)體。當(dāng)討論電容性元件時，短語“將特征A耦合至特征B”可以意味著電容性元件的極板電流耦合至特征A和特征B兩者，也就是說所述連接是特征A和B之間的電學(xué)連接。
[0027]應(yīng)該理解的是這里所述的電容性元件每一個均包括兩個極板。這里，對于電容性元件的連接或耦合的參考可以意味著與電容性元件的第一極板的連接。元件的第一極板可以位于襯底的第一表面上。在這種情況下，放大器級也可以位于襯底的第一表面上。可以在平行平面內(nèi)找到電容性元件的相應(yīng)第二極板。平行平面可以是襯底的相對表面。第二電容性元件可以電流耦合至地。第二電容性元件可以經(jīng)由與襯底背面直接接觸的導(dǎo)電板電流率禹合至地。
[0028]所述電路還可以包括至少一個附加電容性元件。所述至少一個附加電容性元件可以配置為向主放大器級提供電容性耦合。也就是說，附加的電容性元件可以配置為在主放大器級和地之間提供電容性耦合或者提供接地連接。附加的電容性元件可以向由主放大器級產(chǎn)生的互調(diào)制產(chǎn)品提供對地的低阻抗路由。所述至少一個附加的電容性元件可以電流耦合至峰值放大器級和輸出導(dǎo)體。至少一個附加的電容性元件可以配置為向峰值放大器級和輸出導(dǎo)體提供電容性耦合。也就是說，附加的電容性元件可以配置為在峰值放大器級和地之間提供電容性耦合。附加的電容性元件可以配置為在輸出導(dǎo)體和地之間提供電容性耦合。按照這種方式，附加的電容性元件可以提供輸出阻抗匹配。
[0029]所述電路還可以包括附加的端子。所述電路還可以包括附加的接合引線。所述附加的接合弓I線可以配置為將至少一個附加的電容性元件耦合至附加的端子。所述附加的接合引線可以具有對具有與互調(diào)制頻率產(chǎn)品相對應(yīng)頻率的信號用作低通濾波器的阻抗。
[0030]主放大器級可以包括多個主放大器子級(substage)。峰值放大器級可以包括多個峰值放大器子級。主放大器級子級的每一個可以設(shè)置在分離的晶體管管芯上。峰值放大器級的每一個可以設(shè)置在分離的晶體管管芯上。多個晶體管的提供允許改進的功率縮放能力。
[0031]第一和第二主放大器子級可以與分離的附加電容器元件相關(guān)聯(lián)。第一和第二主放大器子級可以與分離的輸入電容性元件相關(guān)聯(lián)。
[0032]每一個峰值放大器子級可以與分離的輸出電容性元件相關(guān)聯(lián)。每一個主放大器子級可以與分離的輸出電容性元件相關(guān)聯(lián)。
[0033]所述電路還可以包括輸出電容性元件。輸出電容性元件可以配置為將輸出導(dǎo)體耦合至輸出端子。也就是說，輸出電容性元件可以配置為在輸出導(dǎo)體和地之間提供電容性耦合。輸出電容性元件可以配置為在輸出端子和地之間提供電容性耦合。輸出電容性元件可以配置為將輸出導(dǎo)體電流耦合至輸出端子。輸出電容性元件可以提供放大器和輸出負載之間的阻抗匹配，從而改進了電路的性能。
[0034]輸出端子可以設(shè)置在電路的與主輸入端子相對的一側(cè)上。輸出端子可以設(shè)置在電路的與峰值輸入端子相對的一側(cè)上。為了便于連接，主輸入端子和峰值輸入端子可以設(shè)置在電路的相同側(cè)上。
[0035]除非另有聲明，“耦合”可以是電流耦合，也就是說可以是連接。“電流耦合”可以看作是實現(xiàn)電子流的耦合。換句話說，“電流耦合”可以看作是導(dǎo)電耦合。兩個元件之間的電流耦合可以由接合引線提供。類似地，這里的術(shù)語“相連”可以意味著電流相連。這里的術(shù)語“相連”也可以意味著物理相連。
[0036]主輸入連接集合內(nèi)的連接沿第二方向的間隔可以與主輸出連接集合的連接的間隔相對應(yīng)。峰值輸入連接集合的沿連接的第二方向的間隔可以與峰值輸出連接集合的連接的間隔相對應(yīng)。主輸入連接集合的沿連接的第二方向的間隔可以與主放大器級的晶體管的位置相對應(yīng)。峰值輸入連接集合的沿連接的第二方向的間隔可以與峰值放大器級的晶體管的位置相對應(yīng)。
[0037]主放大器級可以位于主輸入導(dǎo)體和輸出導(dǎo)體之間。峰值放大器級可以位于峰值輸入導(dǎo)體和輸出導(dǎo)體之間。輸出導(dǎo)體可以位于主輸入導(dǎo)體和峰值輸入導(dǎo)體之間。放大器電路的這些結(jié)構(gòu)可以減小放大器電路占用的面積。
[0038]也公開了一種多赫爾蒂放大器，包括:
[0039]主放大器級和峰值放大器級；
[0040]主輸入端子和峰值輸入端子，分別耦合至所述主放大器級和所述峰值放大器級；
[0041]輸出端子；
[0042]多個相等長度的導(dǎo)電路徑，通過所述主輸入端子和所述輸出端子之間的主放大器級；以及
[0043]多個相等長度的導(dǎo)電路徑，通過所述峰值輸入端子和所述輸出端子之間的峰值放大器級。
[0044]等于另一個路徑長度的路徑長度可以意味著路徑長度中的差異導(dǎo)致了采取不同路徑的信號之間實質(zhì)上沒有或者足夠小的相移。實質(zhì)上沒有相移意味著在沿兩個路徑傳播的信號之間的相移差小于(10,5,1,0.1,0.05或0.01)。對于將要放大的信號的典型頻率可以是100、200、500、1000或5000MHz。替代地，如果路徑長度的差異小于例如10000、1000、IOOUO或lnm，路徑長度可以等于另一個路徑長度。
[0045]在一些實施例中，主輸入導(dǎo)體和峰值輸入導(dǎo)體的阻抗可以設(shè)置為增加沿導(dǎo)體傳播的信號中的相移，以便錯開主放大器級或峰值放大器級內(nèi)的單獨晶體管的功率需求。也就是說，主輸入導(dǎo)體和峰值輸入導(dǎo)體的特性可以隨著相距相關(guān)聯(lián)輸入端子的距離而變化。這種特性可以是輸入導(dǎo)體的寬度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0046]下面參考附圖作為說明性示范實施例詳細地描述本發(fā)明，其中:
[0047]圖1說明了多赫爾蒂放大器電路的示意圖；
[0048]圖2說明了根據(jù)本發(fā)明實施例的電路配置的頂視圖；
[0049]圖3a說明了圖2的電路實現(xiàn)方式的示意圖；
[0050]圖3b說明了圖2所示電路的側(cè)視圖；
[0051]圖3c說明了圖3a中的示意圖的側(cè)視圖；
[0052]圖4說明了具有多個主放大器子級和峰值放大器子級的電路；
[0053]圖5說明了具有輸入電容性元件和二次諧波輸出端子的電路；
[0054]圖6說明了具有針對每一個峰值放大器子級的獨立輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的電路；
[0055]圖7說明了具有公共輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的電路；
[0056]圖8說明了將每一個子級設(shè)置在獨立的晶體管管芯上的電路；
[0057]圖9說明了圖8中的那些電路的晶體管管芯表示；以及
[0058]圖10說明了可以包括本發(fā)明實施例的封裝設(shè)備。
【具體實施方式】[0059]這里公開了一種設(shè)備，所述設(shè)備可以提供以下的一個或多個:緊湊的高功率集成多赫爾蒂功率放大器，允許改進的放大RF和信號帶寬、保留的相位相干性、容易的功率和頻率縮放和減小的尺寸。所述配置可以允許主放大器級和峰值放大器級的單獨激勵，使其適用于包含數(shù)字信號分裂的先進放大器概念。
[0060]本發(fā)明的實施例涉及一種放大器電路，所述放大器電路包括放大器級內(nèi)的多個晶體管，其中來自各個晶體管的輸出信號進行組合、并且在所述放大器的輸出處實質(zhì)上彼此同相。在一些實施例中，將每一個放大器級內(nèi)的多個晶體管并聯(lián)設(shè)置、并且設(shè)置為在晶體管管芯上或者在多個晶體管管芯上具有線性的空間分布。輸入信號可以由幾何地設(shè)置為與晶體管的線性結(jié)構(gòu)平行的輸入導(dǎo)體來提供。晶體管的線性結(jié)構(gòu)的結(jié)果是將相對相移引入到饋送至單獨晶體管的輸入信號，從位于放大器輸入的遠端開始所述晶體管的相移增加。這種相移是由于信號沿晶體管的線性結(jié)構(gòu)長度的傳播花費的時間導(dǎo)致的。然而，當(dāng)每一個晶體管處理信號所花費的時間實質(zhì)上相同時，在單獨晶體管的輸出處保留了這些相對相移。如果沿也與晶體管的線性結(jié)構(gòu)幾何地平行的輸出導(dǎo)體對來自晶體管的線性結(jié)構(gòu)的輸出信號進行組合，那么可以抵消單獨晶體管的輸出信號的相對相移，從而使得信號恢復(fù)彼此同相。這種效應(yīng)要求將輸入信號施加至收集輸出信號的晶體管線性結(jié)構(gòu)的相對末端，從而確保了放大器級的輸入和輸出之間的所有信號路徑的總路徑長度相同。
[0061]在圖1中說明了雙向多赫爾蒂放大器。雙向多赫爾蒂放大器包括兩個放大器級1、2，這些放大器級的第一放大器級是峰值放大器1，并且這些放大器級的第二放大器級是主放大器2。峰值放大器I對相移的輸入信號進行放大，而主放大器102對未偏移的輸入信號進行放大。通過分配器級3將相移引入到相移的輸入信號。組合器級4對來自放大器級
1、2的輸出信號同相地組合，并且向負載5提供輸出的已放大信號。相移的峰值信號的使用降低了當(dāng)接收峰值放大器級別信號時放大器的即時功耗需求。
[0062]在同步或異步實現(xiàn)方式中，經(jīng)典的多赫爾蒂功率放大器(DPA)成為用于基站高效率放大器的當(dāng)前工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。為了進一步改進性能，已經(jīng)提供了多赫爾蒂放大器的最新實現(xiàn)作為單獨的集成電路封裝，而不是作為分立部件。然而，隨著對于高RF帶寬和數(shù)據(jù)率傳輸不斷增加的需求，迅速地達到了現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)方式的性能的物理限制。
[0063]當(dāng)在限制在幾十MHz范圍的RF帶寬(BW)操作時，分立的DPA高效率地遞送。在其他因素中，操作的BW受限于由匹配網(wǎng)絡(luò)和延長線路引入的附加電學(xué)路徑的存在的限制，要求所述匹配網(wǎng)絡(luò)和延長線路以確保信號的相位相干性和放大器的最優(yōu)功能。將這些部件典型地放置于利用分立晶體管實現(xiàn)的兩個放大支路的輸出和功率組合器之間。
[0064]集成解決方案通過在匹配網(wǎng)絡(luò)之前對兩個放大支路進行組合，部分地克服了性能上的這些限制。集成解決方案的特定實施方式可以要求在低功率級別發(fā)生功率組合。為了實現(xiàn)較高的放大器功率輸出，可以將多個基本單元(主放大器和峰值功率放大器的集合)并聯(lián)連接。然而在這種結(jié)構(gòu)中，不能夠分離地激勵單獨對的主功率放大器和峰值功率放大器，因此可能對工作帶寬的靈活性進行了折衷。本發(fā)明的一些實施例通過允許主放大器級和峰值放大器級的分離激勵，解決了這種問題。
[0065]當(dāng)主放大器和峰值放大器共享相同的襯底時，集成DPA也經(jīng)受了不需要的電學(xué)反饋回路，因此使得放大器的性能退化，所述性能包括放大器的增益和穩(wěn)定性。為了克服這種限制，本發(fā)明的實施例允許多個晶體管管芯收納所述主放大器級和峰值放大器級。[0066]另外，分立和集成的DPA都提供由輸入相位和功率分配網(wǎng)絡(luò)強加的有限工作帶寬。實際上。由于這些考慮，在實際應(yīng)用中集成解決方案通常提供更加有限的工作帶寬。本發(fā)明通過對放大器級的每一個內(nèi)的晶體管放大的信號進行同相重新組合、并且通過減小重新組合主信號和峰值信號所必要的相移，允許改進的帶寬。
[0067]圖2說明了根據(jù)本發(fā)明實施例的多赫爾蒂放大器電路100。多赫爾蒂放大器電路100包主放大器級110和峰值放大器級112。將所述電路100設(shè)置在具有第一方向151和第二方向152的平面襯底101上。第一方向151和第二方向152均在襯底101的平面中。第一方向151與第二方向152垂直。可以將第二方向152看作是信號傳播通過電路100的輸入-輸出方向。
[0068]兩個分離的大LDMOS晶體管管芯可以適用于用作多赫爾蒂放大器電路100的主放大器級Iio和峰值放大器級112。所述晶體管管芯可以從如圖2所示的配置提供200-250W或以上的峰值功率輸出。
[0069]圖2所示的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于對稱配置，其中所述主放大器級110和峰值放大器級112具有相等的總柵極寬度，或者可應(yīng)用于不對稱配置，其中主放大器級110和峰值放大器級112具有不相等的總柵極寬度。主放大器級110和峰值放大器級112可以具有類似的幾何尺寸。
[0070]多赫爾蒂放大器電路100也包括:主輸入端子104、峰值輸入端子106和輸出端子108?？梢詫⑿盘柺┘又林鬏斎攵俗?04和峰值輸入端子106。在將信號提供給主輸入端子104和峰值輸入端子106之前，所述信號可以相對于彼此相移90° (1/4波長)。兩個分離的輸入端子104、106允許主放大器級110和峰值放大器級112的單獨激勵。這種結(jié)構(gòu)允許數(shù)字受控的輸入信號分配，確保了針對較寬帶寬的改進性能。
[0071]多赫爾蒂放大器電路100也包括沿第一方向151彼此偏移的主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116。該實施例中的主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116每一個均具有“L”形狀。主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116每一個均可以看作是具有第一部分114a、116a和第二部分114b、116b。主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第一部分114a、116a都沿第一方向151延伸。主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分114b、116b都沿第二方向152延伸。主輸入導(dǎo)體114的第二部分114b與主放大器級110并排地延伸。峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分116b與峰值放大器級112并排地延伸。
[0072]主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分114b、116b每一個均可以看作是具有輸入端(在圖2的左手側(cè)上)。主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第一部分114a、116a在相關(guān)聯(lián)第二部分114b、116b的輸入端處與相應(yīng)的第二部分114b、116b相連。
[0073]如下面更加詳細地描述，主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第一部分114a、116a與主輸入端子104、峰值輸入端子106相連。這些連接從輸入端子104、106向主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的相應(yīng)第二部分114b、116b的輸入端提供輸入信號。在一些其他實施例中，可以省略主輸入導(dǎo)體114的第一部分114a和/或峰值輸入導(dǎo)體116的第一部分116a。在這些實施例中，主輸入導(dǎo)體114和峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分114b、116b的輸入端可以與相關(guān)聯(lián)的輸入端子104、106直接相連。
[0074]電路100也包含輸出導(dǎo)體118，用于接收通過i)峰值放大器112 ;以及主放大器110的信號。下面提供另外的細節(jié)。輸出導(dǎo)體118在主放大器級110和峰值放大器級112之間具有沿第一方向151延伸的第一部分118a和沿第二方向152延伸的第二部分118b。輸出導(dǎo)體118的第一部分118a的中點耦合至輸出導(dǎo)體118的第二部分118b的末端。該示例中的輸出導(dǎo)體118形成“T”形形狀。
[0075]輸出端子108 f禹合至輸出導(dǎo)體118的第一部分118a。例如，可以將主輸入導(dǎo)體114、峰值輸入導(dǎo)體116或輸出導(dǎo)體118的任一個或全部實現(xiàn)為電介質(zhì)襯底101上的金屬跡線。在一些其他實施例中，可以將輸出導(dǎo)體118的第二部分118b單獨地看作輸出導(dǎo)體118。
[0076]主放大器級110位于主輸入導(dǎo)體114的第二部分114b和輸出導(dǎo)體118的第二部分118b之間，所述第二部分沿第一方向151彼此偏移。主放大器級110在相對的邊緣上具有主放大器級輸入120和主放大器級輸出124。主放大器級110及其輸入120和輸出140沿第二方向152延伸。主放大器級輸入120面對主輸入導(dǎo)體114的第二部分114b并且與其平行。連接122的主輸入集合提供多個電流傳導(dǎo)路徑(在圖2中示出了 4個)以將主放大器級輸入120連接至主輸入導(dǎo)體114。電流傳導(dǎo)路徑允許信號的電流表示沿所述連接流動。可以通過接合引線提供圖中所示的各種連接。主放大器級輸出124饋送輸出導(dǎo)體118的第二部分118b并且與其平行。如下所述，該示例中規(guī)定主放大器級輸出124經(jīng)由峰值放大器級112間接耦合至輸出導(dǎo)體118。
[0077]峰值放大器級112位于峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分116b和輸出導(dǎo)體118的第二部分118b之間，所述第二部分都沿第一方向151彼此偏移。峰值放大器級112具有峰值放大器級輸入128和峰值放大器級輸出126。峰值放大器級112及其輸入128和輸出126沿第二方向152延伸。峰值放大器級輸入128面對峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分116b并且與其平行。連接130的峰值輸入集合提供多個電流傳導(dǎo)路徑(圖2中示出了 4個)，將峰值放大器級輸入128連接至峰值輸入導(dǎo)體116。
[0078]峰值放大器級輸出126面對所述輸出導(dǎo)體的第二部分并且與其平行。輸出導(dǎo)體的第二部分118b在峰值放大器112的峰值放大器級輸出126和主放大器110的主放大器級輸出124之間。峰值放大器級輸出126也與輸出導(dǎo)體118b的第二部分平行。
[0079]連接132的峰值輸出集合提供多個電流傳導(dǎo)路徑(圖2中示出了 5個)，以將峰值放大器級輸出126連接至輸出導(dǎo)體118。
[0080]在圖2所示的示例中，連接125的主輸出集合提供多個電流傳導(dǎo)路徑(圖2中示出了 5個)，以將主放大器級輸出124直接連接至峰值放大器級輸出126。然后，來自主放大器級輸出124的信號可以經(jīng)由連接132的峰值輸出集合傳遞至輸出導(dǎo)體118。主放大器級輸出124和峰值放大器級輸出126之間的直接連接代替與輸出導(dǎo)體118的直接連接的優(yōu)勢在于:可以在主放大器級輸出124和峰值放大器級輸出126之間仍然提供所要求的90°相移的同時，將主放大器級110和峰值放大器級112放置得靠近在一起。在該示例中，主放大器級110和峰值放大器級112的輸出信號在峰值放大器級輸出126處進行組合。實際上由于這種設(shè)計，因為可以將放大器級110、112放置得如此靠近在一起，連接125的主輸出集合可以配置為在放大器的工作頻率下提供90°相移，而不是長連接所要求的90°的奇數(shù)整數(shù)倍(例如，如果不可以實現(xiàn)90°相移，可能要求270°或540°相移)。減小由放大器100引入的相移可以允許增加帶寬。因此，通過直接在晶體管管芯上將來自主放大器級110和峰值放大器級112的信號進行組合，圖2所示的結(jié)構(gòu)提供實質(zhì)上更寬的工作帶寬。
[0081]替代地，連接125的主輸出集合可以將主放大器級輸出124直接連接至輸出導(dǎo)體118。
[0082]主放大器級110和峰值放大器級112每一個均包括多個基本單元(晶體管)。所述晶體管可以設(shè)置為線性且功能并聯(lián)。晶體管可以是場效應(yīng)晶體管。這些晶體管每一個均具有共同形成峰值放大器級輸入120和主放大器級輸入128的漏極以及共同形成峰值放大器級輸出124和主放大器級輸出126的柵極。
[0083]單獨的晶體管可以排列為沿第二方向152平行。這種排列的結(jié)果是由于沿相應(yīng)的主輸入導(dǎo)體114或峰值輸入導(dǎo)體116的第二部分的長度的信號傳播中的延遲，將相對相移引入到饋送至更加遠離主輸入端子104或峰值輸入端子106的晶體管的信號。類似地，沿峰值放大器級輸出126的長度對單獨晶體管的輸出信號進行組合，以確保所有放大的信號的同相組合，從而保留了輸出信號相干性。也就是說，應(yīng)該理解的是在圖2所示的示例中，在峰值放大器級輸出126處將來自主放大器級110和峰值放大器級112的輸出信號彼此同相地組合。
[0084]連接132的峰值輸出集合將主放大器級輸出124以及峰值放大器級輸出126耦合至輸出導(dǎo)體118。替代地，可以將峰值放大器級輸出126看作是包括輸出導(dǎo)體118，在這種情況下不要求連接132的峰值輸出集合。在這種替代方式中，輸出端子可以直接與峰值放大器級輸出的末端(在圖2實施例中的右手一側(cè)上)相連。
[0085]在圖2所示的實施例中，其中連接125的主輸出接合集合將主放大器級輸出124直接耦合至峰值放大器級輸出126，在主輸入端子104和主放大器級輸入122之間引入的相移應(yīng)該等于在峰值放大器級輸入端子106和峰值放大器級輸入128之間引入的相移，以確保在峰值放大器級輸出126處將信號彼此同相地進行組合。然而，對于電路100的正確運行，在相應(yīng)放大器級(可以認(rèn)為所述放`大器級包括輸入端子餓相關(guān)聯(lián)的放大器級輸入之間的所有連接和導(dǎo)體)的輸入側(cè)引入的相位延遲的絕對值可能不重要；所述相位延遲的絕對值只需要對于兩個級相同即可。在許多應(yīng)用中，為了簡化電路設(shè)計，由連接122的主輸入集合和連接130的峰值輸入集合產(chǎn)生的相位延遲可以彼此相等。也就是說，用于實現(xiàn)連接的接合引線的個數(shù)對于連接122、130的主輸入集合和峰值輸入集合可以是相同的。
[0086]圖3a示出了圖2所示的電路100的實現(xiàn)方式的示意圖。在圖3中使用與圖2中相同的參考數(shù)字。
[0087]電路100位于包括電介質(zhì)襯底182的平面襯底101上。例如，電介質(zhì)襯底182可以包括娃或薄層。絕緣體環(huán)184在電介質(zhì)襯底182周圍延伸。絕緣體環(huán)184可以是陶瓷。將電介質(zhì)襯底182和絕緣體環(huán)184設(shè)置在導(dǎo)體層186的頂部上。導(dǎo)體層186可以包括金屬。電介質(zhì)襯底182與導(dǎo)體層186直接接觸。因此，電介質(zhì)襯底的相對面上的電容性元件與導(dǎo)體層186接觸。導(dǎo)體層186可以延伸以形成凸緣(flange)，所述凸緣可以用于將導(dǎo)體層接地、并且用于將電路與外部裝置或板相連。
[0088]圖3a的實施例與圖2所示實施例的區(qū)別在于示出了橋型導(dǎo)體180。橋型導(dǎo)體180沿第二方向152延伸，并且位于主放大器級110和峰值放大器級112之間。
[0089]連接125的主輸出集合需要是特定的長度，以便提供導(dǎo)致90°相移的阻抗。然而，這使得應(yīng)用中必要的引線長度導(dǎo)致接合引線如此之長，使得它們變得纏繞在一起或者要求附加的支撐。橋型導(dǎo)體180可以輔助設(shè)置適當(dāng)長的連接125的主輸出接合集合。
[0090]在圖3a中，連接125的主輸出集合包括第一部分125a和第二部分125b。第一部分125a將主放大器級輸出124連接至橋型導(dǎo)體180。第二部分125b將橋型導(dǎo)體180連接至峰值輸出級126。
[0091]該示例中的輸出導(dǎo)體118形成了“L”形狀。應(yīng)該理解的是輸出導(dǎo)體118可以采取多種形狀。然而，輸出導(dǎo)體118必須至少沿第二方向152延伸。
[0092]圖3b示出了圖2所示電路100的截面。從圖3b中可以看出，通過接合引線的回路提供了連接122的主輸入集合、連接125的主輸出集合、連接130的峰值輸入集合、連接132的峰值輸出集合。接合引線的每一個回路具有特定阻抗。接合引線的集合的阻抗依賴于所述集合內(nèi)的連接的個數(shù)、連接的高度、厚度、制造連接的材料以及外部環(huán)境條件。并聯(lián)地增加附加接合引線增加了連接集合的功率輸運能力。然而，這種添加也整體上減小了連接的接合的特定阻抗。接合引線阻抗的減小以及因此它們引入的信號傳播延遲(相移)可以通過改變接合引線的長度和高度來補償。
[0093]圖3b所示的結(jié)構(gòu)通過改變連接122、125、130、132的長度(從而調(diào)節(jié)回路的高度)和/或如果需要改變主放大器級Iio和峰值放大器級112的晶體管管芯之間的距離，允許電路設(shè)計者容易地調(diào)節(jié)或優(yōu)化在不同射頻工作頻帶使用的電路。如果要求連接125的主輸出集合的長度令人驚訝地長以便提供必要的相移，可以使用中間支撐(未示出)。具體地，可以通過上面具有接合引線連接的電介質(zhì)襯底上的金屬條帶提供中間支撐。替代地，除了接合引線連接之外可以使用MOS電容器的計算值以便修改電感，在這種情況下可以減小所要求的連接125的主輸出集合的物理長度。
[0094]實際上，漏極側(cè)電流可以大于柵極側(cè)電流，因此可以在級輸出124、126處比在級輸入120、128處使用更多的接合引線，以便輸出這種附加的電流。
[0095]圖3c說明了圖3a中的示意圖的側(cè)視圖。圖3c的示意圖與圖3d所示的電路橫截面實質(zhì)上相同。然而，橋型連接器180的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖(如上參考圖3a所述)在圖3c中是可見的。
[0096]應(yīng)該理解的是可以將圖2和圖3中所示特征的一個或多個看作是可選的，因為仍然沒有它們也可以實現(xiàn)這里公開的優(yōu)點的一個或多個。
[0097]圖4說明了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的電路400。在圖之間存在公共特征時將使用對應(yīng)的參考數(shù)字。對于大多數(shù)部分，將不會針對后續(xù)附圖分離地討論實質(zhì)上相同的特征。
[0098]圖4說明了一個示例，其中在保留輸出相位相干性的同時可以容易地將電路400的功率輸出能力按比例增加。在圖4中，通過將兩個或更多個放大器子級并聯(lián)連接來實現(xiàn)功率縮放。放大器子級可以是與圖3a所示的放大器級110、112類似的晶體管管芯。在將多個晶體管管芯用于每一個放大器級的情況下，可以將所述放大器級看作包括多個放大器子級。
[0099]在圖4中，主放大器級包括沿第二方向452彼此偏移的第一主放大器子級410a和第二主放大器子級410b。峰值放大器級包括沿第二方向452彼此偏移的第一峰值放大器子級412a和第二峰值放大器子級412b。
[0100]除了增加晶體管的個數(shù)以便增加放大器電路400的功率輸出能力之外或者替代地，可以增加晶體管管芯的柵極寬度。
[0101]圖5說明了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的電路500，所述電路包括主預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)540和峰值預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)542?？梢酝ㄟ^針對單獨晶體管管芯的一個或多個或者全部提供輸入預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)來擴展多赫爾蒂放大器電路的基本功能。這可以通過減小輸入失配來改進功率性倉泛。
[0102]主預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)540包括MOS電容器元件544、546以及連接522的主輸入集合。主電容器元件544、546都沿第二方向552延伸，并且沿第二方向552彼此偏移。主電容器元件544、546位于主輸入導(dǎo)體514和主放大器級輸入520之間。主電容器兀件544、546每一個均從主輸入導(dǎo)體514和主放大器級輸入520沿第一方向551偏移。主電容器兀件544、546的相應(yīng)第一極板稱合至主輸入導(dǎo)體514和主放大器級輸入520兩者。主電容器兀件544、546的相應(yīng)第二極板(圖5不可見)配置為耦合至地。主電容器元件544、546也通過連接522的主輸入集合電流耦合至主輸入導(dǎo)體514和主放大器級輸入520兩者。應(yīng)該理解的是作為替代方式，可以通過連續(xù)的主輸入電容器元件來提供主電容器元件544、546。
[0103]峰值預(yù)匹配網(wǎng)絡(luò)542包括MOS電容器元件548、550和連接530的峰值輸入集合。峰值電容器元件548、550兩者都沿第二方向552延伸，并且沿第二方向552彼此偏移。峰值電容器兀件548、558位于峰值輸入導(dǎo)體516和峰值放大器級輸入528之間。峰值電容器兀件548、550每一個均從峰值輸入導(dǎo)體516和峰值放大器級輸入528沿第一方向551偏移。峰值電容器元件548、550耦合至峰值輸入導(dǎo)體516和峰值放大器級輸入528兩者。峰值電容器元件548、550的相應(yīng)第一極板也通過連接530的峰值輸入集合電流耦合至峰值輸入導(dǎo)體516和峰值放大器級輸入528兩者。峰值電容器元件548、550的相應(yīng)第二極板(圖5中不可見)配置為耦合至地。應(yīng)該理解的是作為替代，可以通過連續(xù)的峰值輸入電容器元件提供分離的峰值電容器元件544、546。
[0104]圖5所示的實施例也包括位于主放大器級輸出524和輸出導(dǎo)體518之間的第一和第二附加電容器元件553、554。附加電容器元件553、554可以用作附加端子560的阻抗路徑的一部分。這種結(jié)構(gòu)允許對于由主放大器級產(chǎn)生的不需要的互調(diào)制信號的接地路由。
[0105]第一和第二附加電容器兀件553、554從主放大器級輸出524和輸出導(dǎo)體518沿第一方向551偏移。第一附加電容器兀件553和第二附加電容器兀件554稱合至主放大器級輸出524。第一附加電容器兀件553和第二附加電容器兀件554的相應(yīng)第一極板通過第一附加元件連接556電流耦合至主放大器級輸出524，通過接合引線或引線提供所述第一附加元件連接。峰值電容器元件548、550的相應(yīng)第二極板(圖5中不可見)配置為耦合至地。第一附加元件連接556的電感可以配置為向一些相對低頻率的信號提供非常低的阻抗。由接合引線或引線提供的第三附加元件連接558將第一附加電容器元件553耦合至附加端子560。
[0106]由并聯(lián)諧振(或儲能)電路提供諧振頻率，其中主放大器級的漏極-源極電容與第一附加元件連接556和第一附加電容器元件553的串聯(lián)組合并聯(lián)連接。可以將諧振頻率選擇為在多赫爾蒂放大器電路500的工作頻帶之外。優(yōu)選地，所述諧振頻率應(yīng)該是比工作頻帶小200-300MHZ或以上，以便避免干擾放大器的操作。
[0107]第一附加電容器元件553的一個端子連接至地，并且第二端子經(jīng)由附加元件連接558連接至附加端子560。也可以將高電容的電容器設(shè)置在圖5所示電路的外部，并且連接在附加端子560和地之間。這種配置可以為由功率放大器(PA)產(chǎn)生的二階互調(diào)制產(chǎn)品的低阻抗路由。這種配置也改進了 PA對信號進行放大的能量，同時將添加至信號的失真電平最小化，并且允許在較寬的調(diào)制帶寬發(fā)生放大。如果由第一和第二附加電容器元件553、554提供的電容足夠大，使得可以通過自己從主放大器級輸出524到地的二階產(chǎn)品提供低阻抗路由，外部電容器和附加端子560可能不是必要的。
[0108]第一附加電容器兀件553和第二附加電容器兀件554沿第二方向552彼此偏移。第一附加電容性元件553和第二附加電容器元件554通過第三附加元件連接562彼此電流耦合，所述第三附加元件連接562由接合引線或引線提供。應(yīng)該理解的是作為替代，分離的峰值電容器元件544、546可以由連續(xù)的峰值輸入電容器元件提供。
[0109]圖6說明了根據(jù)本發(fā)明實施例的電路600，具有針對分離的子級610a、610b、612a、612b的單獨或分離的第一和第二輸出匹配網(wǎng)絡(luò)670a、670b，以改進與輸出端子耦合的外部負載的分界面(阻抗匹配)。改進輸出阻抗匹配的結(jié)果是更有效的功率傳遞。
[0110]第一和第二匹配網(wǎng)絡(luò)670a、670b每一個均包括MOS電容器元件672、674以及連接632的峰值輸出集合的子級。每一個峰值放大器子級612a、612b具有與其相關(guān)聯(lián)的自己的匹配網(wǎng)絡(luò)670a、670b (每一個均包括輸出電容性兀件672、674)。也就是說,第一峰值放大器子級612a與輸出電容性元件672的第一極板電流耦合，而第二峰值放大器子級612b與輸出電容性元件674的第一極板電流耦合。輸出電容性元件672、674的相應(yīng)第二極板(圖6中不可見)配置為耦合接地。
[0111]輸出電容性元件672、674都沿第二方向652延伸，并且沿第二方向652彼此偏移。輸出電容性兀件672、674位于輸出導(dǎo)體618和峰值放大器級輸出626之間，并且沿第一方向651與輸出導(dǎo)體618和峰值放大器級輸出626偏移。輸出電容性元件672、674耦合至輸出導(dǎo)體618和峰值放大器級輸出626。輸出電容性元件672、674也通過連接632的峰值輸出集合電流地耦合至輸出導(dǎo)體618和峰值放大器級輸出626。應(yīng)該理解的是作為替代，分離的輸出電容性元件644、646可以通過練習(xí)的輸出輸入電容器元件來提供。
[0112]圖7說明了根據(jù)本發(fā)明實施例的電路700，具有用于第一和第二主放大器子級710a、710b以及第一和第二峰值放大器子級712a、712b的公共輸出匹配網(wǎng)絡(luò)780。改進輸出阻抗匹配的結(jié)果是更有效的功率傳遞。
[0113]公共輸出匹配網(wǎng)絡(luò)780包括輸出導(dǎo)體的第一部分718a、輸出電容性元件782、連接784的輸出集合以及輸出端子708。
[0114]輸出導(dǎo)體718a的第一部分沿第一方向751延伸、并且I禹合至沿第二方向752延伸的輸出導(dǎo)體718的第二部分718b。輸出端子708也可以看作是沿第一方向751延伸。輸出電容性元件782沿第一方向751延伸，并且位于輸出導(dǎo)體718a的第一部分和輸出端子708之間。輸出電容性元件782的第一極板耦合輸出導(dǎo)體的第一部分718a和輸出端子708。輸出電容性元件782的第二極板(圖7中不可見)配置為耦合至地。連接784的輸出集合提供了輸出導(dǎo)體的第一部分718a和輸出電容性元件782的第一極板之間、以及輸出電容性元件782的第一極板和輸出端子708之間的電流f禹合。
[0115]在圖6和圖7的實施例中，將輸出匹配網(wǎng)絡(luò)670、780定位于來自峰值放大器級輸出626、726處輸出的峰值放大器級和主放大器級的信號組合之后改進了多赫爾蒂放大器電路600、700的工作帶寬，并且減小了對于輸出端子608、708處的負載阻抗匹配的要求。
[0116]圖8示出了本發(fā)明的實施例，其中可以將與放大器子級810a、810b、812a、812b的每一個相關(guān)聯(lián)的無源部件集成到相應(yīng)的晶體管管芯811a、811b、813a、813b上。每一個晶體管管芯811a、811b、813a、813b包括:放大器子級810a、810b、812a、812b，其中所述放大器子級包括子級輸入和子級輸出；以及輸入電容性元件。將參考圖9進一步詳細地討論代表性子級的晶體管管芯的布局。
[0117]圖9的代表性子級910a中所示的部件可以涉及參考前述圖中的許多不同部件。例如，應(yīng)該理解的是圖9的子級910a可以涉及圖8的主子級810a、810b或者峰值子級812a、812b。
[0118]圖9的實施例說明了都沿第二方向延伸、并且沿第一方向951彼此分離的輸入導(dǎo)體914和輸出導(dǎo)體918。晶體管管芯911a處于輸入導(dǎo)體914和輸出導(dǎo)體918之間。附加晶體管管芯911b處于鄰近于晶體管管芯911a,也就是說沿第二方向952與晶體管管芯911a偏移。
[0119]晶體管管芯91 Ia包括:放大器子級910,具有子級輸入和子級輸出；輸入電容性兀件944 ;第一和第二電容性輸出元件952a、952b ;以及集成電感器922b。電容性元件944位于晶體管管芯911a上以便面對輸入導(dǎo)體914。輸入連接集合的接合引線922a將輸入導(dǎo)體914電流耦合至輸入電容性元件944的第一極板。輸入電容性元件944的第二極板(圖9中不可見)配置為耦合至地。輸入連接集合也包括芯片上的集成電感器922b，或者替代地將輸入電容性元件944的第一極板電流耦合至子級輸入的接合引線。電容性連接集合的接合引線956a、956b將子級輸出耦合至第一和第二電容性輸出元件952a、952b。子級輸出面對輸出集電極918，并且通過連接925的輸出集合(經(jīng)由圖9未示出的部件)耦合至輸出集電極918。
[0120]由接合引線提供的附加元件連接962將晶體管管芯911a的第二電容性輸出元件952b的第一極板與耦合至附加晶體管管芯911b的第一電容性輸出元件。第二電容性輸出元件952b的第二極板(圖9中不可見)配置為耦合至地。
[0121]圖10說明了可以包括本發(fā)明實施例的已封裝設(shè)備。圖10的平面襯底包括金屬并且由金屬凸緣1001包圍。平面襯底和金屬凸緣可以是單片構(gòu)造。各宗電容器元件的第二電容性極板可以與所述平面襯底直接物理和電學(xué)接觸。金屬凸緣1001可以用作接地端子，從而實現(xiàn)電容性元件的相應(yīng)第二極板和地之間的連接。
[0122]可以將晶體管管芯、電容器元件和電介質(zhì)襯底1003裝配到金屬凸緣1001上。
【權(quán)利要求】
1.一種集成多赫爾蒂放大器電路(100),包括: 主輸入端子(104)、峰值輸入端子(106)和輸出端子(108)； 沿第一方向(151)彼此偏移的主輸入導(dǎo)體(114)和峰值輸入導(dǎo)體(116),其中所述主輸入導(dǎo)體(104)和所述峰值輸入導(dǎo)體(106)都沿與第一方向(151)垂直的第二方向(152)延伸，并且其中所述主輸入導(dǎo)體(114)的輸入端耦合至所述主輸入端子(104)，并且所述峰值輸入導(dǎo)體(116)的輸入端耦合至所述峰值輸入端子(106)； 沿第二方向(152)延伸的輸出導(dǎo)體(118)，其中所述輸出導(dǎo)體(118)的輸出端耦合至所述輸出端子(108)； 主放大器級(110)，所述主放大器級沿第二方向(152)延伸并且具有主放大器級輸入(120)和主放大器級輸出(124)； 峰值放大器級(112)，所述峰值放大器級沿第二方向(152)延伸并且具有峰值放大器級輸入(126)和峰值放大器級輸出(128)； 主輸入連接集合(122)，配置為將所述主放大器級輸入(120)耦合至所述主輸入導(dǎo)體(114)； 主輸出連接集合(125)，配置為將所述主放大器級輸出(124)耦合至所述輸出導(dǎo)體(118)； 峰值輸入連接集合(130)，`配置為將所述峰值放大器級輸入(128)耦合至所述峰值輸入導(dǎo)體(116);以及 峰值輸出連接集合(132)，配置為將所述峰值放大器級輸出(126)耦合至所述輸出導(dǎo)體(118)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路(100)，其中所述主放大器級(110)包括多個主晶體管，所述主晶體管沿第二方向(152)間隔開，并且所述峰值放大器級(112)包括多個峰值晶體管，所述多個峰值晶體管沿第二方向(152)間隔開，其中所述主放大器級輸入(120)包括相應(yīng)主晶體管的柵極端子，以及所述主放大器級輸出(124)包括相應(yīng)主晶體管的漏極端子，并且所述峰值放大器級輸入(128)包括相應(yīng)峰值晶體管的柵極端子，以及所述峰值放大器級輸出(126)包括相應(yīng)峰值晶體管的漏極端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路(100)，其中所述放大器電路(100)具有沿第二方向(152)偏移的輸入側(cè)和相對的輸出側(cè)，其中所述峰值輸入導(dǎo)體(116)的輸入端和所述主輸入導(dǎo)體(114)的輸入端都更靠近輸入側(cè)而不是輸出側(cè)，并且所述輸出導(dǎo)體(118)的輸出端更靠近輸出側(cè)而不是輸入側(cè)。
4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(100)，其中所述主放大器級輸入和主放大器級輸出(120，124)在所述主放大器級(110)的相對邊緣上，并且沿第二方向(152)延伸，并且其中所述峰值放大器級輸入和峰值放大器級輸出(126，128)在所述峰值放大器級(112)的相對邊緣上，并且沿第二方向(152)延伸。
5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(100)，其中所述主輸入連接集合(122)、主輸出連接集合(125)、峰值輸入連接集合(130)和峰值輸出連接集合(132)內(nèi)的連接沿第二方向(152)間隔開。
6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(100)，其中所述主輸出連接集合(125)經(jīng)由峰值放大器級輸出(126)和峰值輸出連接集合(132)將所述主放大器級輸出(124)間接地耦合至所述輸出導(dǎo)體(118)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路(100)，其中所述連接(125)的主輸出集合配置為在所述放大器的工作頻率處向信號提供90°相移。
8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(500),還包括一個或多個輸入電容性兀件(544，546，548，550)，所述輸入電容性元件配置為將所述主放大器級輸入(520)耦合至所述主輸入導(dǎo)體(514)和/或?qū)⑺龇逯捣糯笃骷壿斎?528)耦合至所述峰值輸入導(dǎo)體(516)。
9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(500;600)，還包括至少一個附加電容性元件(553，554 ;672，674)，所述至少一個附加電容性元件配置為向所述主放大器級和/或峰值放大器級提供電容性耦合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路(500)，還包括附加的端子(560)，其中附加的接合引線(558)將所述至少一個附加的電容性元件(553)耦合至所述附加的端子(560)。
11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(400)，其中所述主放大器級(410)包括多個主放大器子級(410a，410b)，并且/或者所述峰值放大器級(412)包括多個峰值放大器子級(412a，412b)，其中每一個子級(410a，410b，412a，412b)設(shè)置在分離的晶體管管芯上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路(500)，其中所述第一和第二主放大器子級與分離的附加電容器兀件(553,554)和/或分離的輸入電容性兀件(544,546,548,550)相關(guān)聯(lián)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的電路出00)，其中每一個峰值放大器子級^12a，612b)與分離的輸出電容性兀件(672,674)相關(guān)聯(lián)。
14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(700)，包括輸出電容性元件(782)，所述輸出電容性元件配置為電流耦合在所述輸出導(dǎo)體(718a)和所述輸出端子(708)之間。
15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的電路(100)，其中將所述輸出端子(108)設(shè)置在所述電路(100)的與所述主輸入端子(104)和所述峰值輸入端子(106)相對的一側(cè)上。
【文檔編號】H03F1/07GK103490732SQ201310182184
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月17日
【發(fā)明者】埃歐丹·K·斯維奇塔羅夫 申請人:Nxp股份有限公司