Cmos下變頻混頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種CMOS下變頻混頻器，包括射頻差分輸入電路和開關(guān)電路，開關(guān)電路的正相和反相輸出端和電源電壓之間連接有由電阻和PMOS管并聯(lián)形成的負(fù)載電路，負(fù)載電路的PMOS管的柵極都連接由控制電壓從而能調(diào)節(jié)負(fù)載電路的負(fù)載阻抗。射頻差分輸入電路的兩個NMOS跨導(dǎo)管的漏極都分別連接一恒流源，源極共同連接一LC并聯(lián)電路。本發(fā)明能提高增益并實現(xiàn)增益可調(diào)，能提高線性度和噪聲性能，能降低工作電壓。
【專利說明】CMOS下變頻混頻器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種CMOS下變頻混頻器。

【背景技術(shù)】
[0002]無線收發(fā)機(jī)射頻(RF)前端在本質(zhì)上主要完成頻率變換的功能，接收機(jī)射頻前端將接收到的射頻信號轉(zhuǎn)換成基帶信號，而發(fā)射機(jī)射頻前端將要發(fā)射的基帶信號轉(zhuǎn)換成射頻信號，頻率轉(zhuǎn)換功能由混頻器完成?；祛l器是射頻前端電路中的重要模塊，它一種非線性電路，依靠電路本身的非線性來完成頻率轉(zhuǎn)換功能。下變頻混頻器把一個接收到的RF信號變換成一個較低的頻率，稱為中頻(IF)?？梢姵朔óa(chǎn)生了在輸入信號的頻率和處與頻率差處的輸出信號，它們的幅值正比于RF和本振信號(LO)幅值的乘積。因此，如果LO幅值不變，那么在RF信號中任何幅值調(diào)制都傳遞給了 IF信號。
[0003]雙極型雙平衡混頻器(Gilbert乘法器)擁有較好的LO-RF、RF-1F、LO-1F端口隔離，因此在設(shè)計中常采用此結(jié)構(gòu)。圖1是現(xiàn)有CMOS Gilbert下變頻混頻器的電路圖；Gilbert乘法器包括:
[0004]由NMOS管101和NMOS管102組成的射頻差分輸入電路，NMOS管101和NMOS管102的源極連接在一起并和由NMOS管103組成的電流源連接在一起。NMOS管101和NMOS管102的柵極分別連接一個差分射頻電壓信號RFP或RFN。NMOS管103的源極接地，柵極接偏置電壓Vbiasn。射頻差分輸入電路分別在NMOS管101和NMOS管102的漏極產(chǎn)生包含射頻電壓信號RFP或RFN的頻率的射頻電流信號。
[0005]由NMOS管104、NM0S管105、NM0S管106和NMOS管107組成的開關(guān)電路，NMOS管104和NMOS管105的源極都和NMOS管101的漏極相連，NMOS管106和NMOS管107的源極都和NMOS管102的漏極相連，NMOS管104和NMOS管107的柵極都接一個差分本振信號LOPjNMOS管105和NMOS管106的柵極都接另一個差分本振信號LON。NMOS管104和NMOS管106的漏極相連并作為一個差分中頻信號IFP的輸出端，NMOS管105和NMOS管107的漏極相連并作為另一個差分中頻信號IFN的輸出端。NMOS管104和NMOS管106的漏極和電源之間還連接有負(fù)載，NMOS管105和NMOS管107的漏極和電源之間還連接有負(fù)載。差分中頻信號的頻率為差分本振信號和差分射頻電壓信號的頻率差。
[0006]如圖1所示的現(xiàn)有CMOS Gilbert下變頻混頻器相比較單平衡混頻器而言，隔離性能良好，尤其是本振至中頻端口的隔離性能有所改進(jìn)，另外是線性范圍較大，但隨著工藝的進(jìn)一步發(fā)展及應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，對混頻器的性能提出了更多的應(yīng)用需求，客觀上要求更高性能的混頻器。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種CMOS下變頻混頻器，能提高增益并實現(xiàn)增益可調(diào)，能提高線性度和噪聲性能，能降低工作電壓。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的CMOS下變頻混頻器包括:
[0009]射頻差分輸入電路，包括第一 NMOS管和第二 NMOS管，所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的柵極作為兩個射頻輸入端并分別連接兩個差分射頻電壓信號，所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的源極連接在一起，所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的漏極作為所述射頻差分輸入電路的兩個輸出端并分別輸出和所述差分射頻電壓信號頻率相同的兩路差分射頻電流信號。
[0010]開關(guān)電路，所述開關(guān)電路包括兩個對稱且為全差分結(jié)構(gòu)的第一開關(guān)支路和第二開關(guān)支路，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的控制端都分別連接兩個差分本振信號，所述第一開關(guān)支路的輸入端連接所述第一 NMOS管的漏極、所述第二開關(guān)支路的輸入端連接所述第二 NMOS管的漏極，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端連接在一起并輸出差分中頻電壓信號的正相信號，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端連接在一起并輸出差分中頻電壓信號的反相信號。
[0011]所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端和電源電壓之間連接有第一負(fù)載電路，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端和電源電壓之間有第二負(fù)載電路。
[0012]所述第一負(fù)載電路由第一電阻和第一 PMOS管并聯(lián)而成，所述第一電阻和所述第一PMOS管的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的正相輸出端，所述第一電阻和所述第一PMOS管的源極連接并接電源電壓。
[0013]所述第二負(fù)載電路由第二電阻和第二 PMOS管并聯(lián)而成，所述第二電阻和所述第二PMOS管的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的反相輸出端，所述第二電阻和所述第二PMOS管的源極連接并接電源電壓。
[0014]所述第一電阻和所述第二電阻的阻值相同，所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的結(jié)構(gòu)相同，所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的柵極都連接第一控制電壓，通過調(diào)節(jié)所述第一控制電壓的大小調(diào)節(jié)所述第一負(fù)載電路和所述第二負(fù)載電路的負(fù)載大小，實現(xiàn)所述CMOS下變頻混頻器的增益調(diào)節(jié)。
[0015]進(jìn)一步改進(jìn)是，CMOS下變頻混頻器還包括:第一恒流源，連接在所述第一 NMOS管的漏極和電源電壓之間，所述第一恒流源用于對所述第一 NMOS管的直流進(jìn)行泄放，減小所述第一開關(guān)支路電流；第二恒流源，連接在所述第二 NMOS管的漏極和電源電壓之間；所述第二恒流源用于對所述第二 NMOS管的直流進(jìn)行泄放，減小所述第二開關(guān)支路電流。
[0016]進(jìn)一步改進(jìn)是，所述第一恒流源由第三PMOS管組成，所述第三PMOS管的漏極連接所述第一 NMOS管的漏極，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓；所述第二恒流源由第四PMOS管組成，所述第四PMOS管的漏極連接所述第二 NMOS管的漏極，所述第四PMOS管的源極連接電源電壓；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的柵極連接相同的偏置電壓。
[0017]進(jìn)一步改進(jìn)是，所述射頻差分輸入電路還包括一 LC并聯(lián)電路，所述LC并聯(lián)電路由第一電容和第一電感并聯(lián)而成，所述第一電容和所述第一電感的第一端連接在一起且連接所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的源極，所述第一電容和所述第一電感的第二端連接在一起且接地。
[0018]進(jìn)一步改進(jìn)是，所述開關(guān)電路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS 管。
[0019]所述第一開關(guān)支路由所述第三NMOS管和所述第四NMOS管組成，所述第二開關(guān)支路由所述第五NMOS管和所述第六NMOS管組成。
[0020]所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極相連接并連接所述第一 NMOS管的漏極；所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源極相連接并連接所述第二 NMOS管的漏極；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極作為所述第一開關(guān)支路的輸入端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源極作為所述第二開關(guān)支路的輸入端。
[0021]所述第三NMOS管和所述第六NMOS管的柵極都連接相同的一個所述差分本振信號，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的柵極都連接相同的另一個所述差分本振信號；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的柵極組成所述第一開關(guān)支路的控制端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的柵極組成所述第二開關(guān)支路的控制端。
[0022]所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的正相信號，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的反相信號；所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端。
[0023]本發(fā)明能取得如下有益效果:
[0024]1、本發(fā)明通過由電阻和PMOS管并聯(lián)形成的第一負(fù)載電路和第二負(fù)載電路的設(shè)置，能夠通過設(shè)置于PMOS管的柵極上的第一控制電壓來調(diào)節(jié)PMOS管的工作狀態(tài)和電阻值，從而能調(diào)節(jié)整個第一負(fù)載電路或第二負(fù)載電路的電阻值，從而實現(xiàn)電路的增益可調(diào)。
[0025]2、本發(fā)明通過第一恒流源和第二恒流源的設(shè)置，能夠在射頻差分輸入電路的兩個NMOS管的電流不變的條件下，減少開關(guān)電路的各晶體管的電流，從而能夠減少開關(guān)電路的本振信號的過驅(qū)動電壓，從而能有效提高電路的電壓轉(zhuǎn)換增益并提升電路的凈空電壓。
[0026]3、本發(fā)明通過LC并聯(lián)電路的設(shè)置，能夠提供較高的射頻阻抗從而能提高電路的線性度，同時LC并聯(lián)電路不消耗額外的直流壓降并且不引入顯著的噪聲，從而能提高電路的噪聲性能，并能降低電路的工作電壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0028]圖1是現(xiàn)有雙極型雙平衡CMOS下變頻混頻器的電路圖；
[0029]圖2是本發(fā)明實施例CMOS下變頻混頻器的電路圖。

【具體實施方式】
[0030]如圖2所示，是本發(fā)明實施例CMOS下變頻混頻器的電路圖，本發(fā)明實施例CMOS下變頻混頻器包括:
[0031]射頻差分輸入電路，由第一 NMOS管MNl和第二 NMOS管MN2組成，所述第一 NMOS管MNl和所述第二 NMOS管MN2的柵極作為兩個射頻輸入端并分別連接兩個差分射頻電壓信號RFP和RFN，所述第一 NMOS管MNl和所述第二 NMOS管MN2的源極連接在一起，所述第一NMOS管麗I和所述第二 NMOS管麗2的漏極作為所述射頻差分輸入電路的兩個輸出端并分別輸出和所述差分射頻電壓信號RFP和RFN頻率相同的兩路差分射頻電流信號。
[0032]所述射頻差分輸入電路還包括一 LC并聯(lián)電路，所述LC并聯(lián)電路由第一電容C和第一電感L并聯(lián)而成，所述第一電容C和所述第一電感L的第一端連接在一起且連接所述第一 NMOS管麗I和所述第二 NMOS管麗2的源極，所述第一電容C和所述第一電感L的第二端連接在一起且接地。
[0033]開關(guān)電路，所述開關(guān)電路包括兩個對稱且為全差分結(jié)構(gòu)的第一開關(guān)支路和第二開關(guān)支路。所述第一開關(guān)支路由第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4組成，所述第二開關(guān)支路由第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6組成。
[0034]所述第三匪OS管麗3和所述第四NMOS管MN4的源極相連接并連接所述第一 NMOS管MNl的漏極；所述第五NMOS管MN5和所述第六NMOS管MN6的源極相連接并連接所述第二 NMOS管MN2的漏極；所述第三NMOS管MN3和所述第四NMOS管MN4的源極作為所述第一開關(guān)支路的輸入端，所述第五NMOS管MN5和所述第六NMOS管MN6的源極作為所述第二開關(guān)支路的輸入端。
[0035]所述第三NMOS管MN3和所述第六NMOS管MN6的柵極都連接相同的一個所述差分本振信號L0P，所述第四NMOS管MN4和所述第五NMOS管MN5的柵極都連接相同的另一個所述差分本振信號LON ;所述第三NMOS管MN3和所述第四NMOS管MN4的柵極組成所述第一開關(guān)支路的控制端，所述第五NMOS管MN5和所述第六NMOS管MN6的柵極組成所述第二開關(guān)支路的控制端。
[0036]所述第三NMOS管麗3和所述第五NMOS管麗5的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的正相信號IFP，所述第四NMOS管MN4和所述第六NMOS管MN6的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的反相信號IFN ;所述第三NMOS管MN3和所述第五NMOS管MN5的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端，所述第四NMOS管MN4和所述第六NMOS管MN6的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端。
[0037]所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端和電源電壓AVDD之間連接有第一負(fù)載電路，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端和電源電壓AVDD之間有第二負(fù)載電路。
[0038]所述第一負(fù)載電路由第一電阻RLl和第一 PMOS管MPl并聯(lián)而成，所述第一電阻RLl和所述第一 PMOS管MPl的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的正相輸出端，所述第一電阻RLl和所述第一 PMOS管MPl的源極連接并接電源電壓AVDD。
[0039]所述第二負(fù)載電路由第二電阻RL2和第二 PMOS管MP2并聯(lián)而成，所述第二電阻RL2和所述第二 PMOS管MP2的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的反相輸出端，所述第二電阻RL2和所述第二 PMOS管MP2的源極連接并接電源電壓AVDD。
[0040]所述第一電阻RLl和所述第二電阻RL2的阻值相同，所述第一 PMOS管MPl和所述第二 PMOS管MP2的結(jié)構(gòu)相同，所述第一 PMOS管MPl和所述第二 PMOS管MP2的柵極都連接第一控制電壓Vc，所述第一控制電壓Vc能夠控制所述第一 PMOS管MPl和所述第二 PMOS管MP2的工作狀態(tài)和電阻大小，所以通過調(diào)節(jié)所述第一控制電壓Vc的大小能夠調(diào)節(jié)所述第一負(fù)載電路和所述第二負(fù)載電路的負(fù)載大小，實現(xiàn)所述CMOS下變頻混頻器的增益調(diào)節(jié)。
[0041 ] CMOS下變頻混頻器還包括:第一恒流源，連接在所述第一 NMOS管麗I的漏極和電源電壓AVDD之間，所述第一恒流源用于對所述第一 NMOS管MNl的直流進(jìn)行泄放，減小所述第一開關(guān)支路電流；第二恒流源，連接在所述第二 NMOS管麗2的漏極和電源電壓AVDD之間；所述第二恒流源用于對所述第二 NMOS管MN2的直流進(jìn)行泄放，減小所述第二開關(guān)支路電流。較佳為，所述第一恒流源由第三PMOS管MP3組成，所述第三PMOS管MP3的漏極連接所述第一 NMOS管MNl的漏極，所述第三PMOS管MP3的源極連接電源電壓AVDD ;所述第二恒流源由第四PMOS管MP4組成，所述第四PMOS管MP4的漏極連接所述第二 NMOS管MN2的漏極，所述第四PMOS管MP4的源極連接電源電壓AVDD ;所述第三PMOS管MP3和所述第四PMOS管MP4的柵極連接相同的偏置電壓。
[0042]混頻器是射頻前端電路中的重要模塊，它是一種非線性電路，依靠電路本身的非線性來完成頻率轉(zhuǎn)換功能。下變頻混頻器把一個接收到的射頻(RF)信號變換成一個頻率較低的中頻(IF)信號。中頻信號的幅值正比于RF信號和本振(LO)信號幅值的乘積。因此，如果LO信號幅值不變，那么在RF信號中任何幅值調(diào)制都傳遞給了 IF信號?；诔朔üδ艿幕祛l器通常性能較好，另外因為將混頻器的兩路輸入和一路輸出分別連接至三個端口，所以三個信號即RF、L0、IF信號間的隔離度較好。由于CMOS可以較好的工作于開關(guān)狀態(tài)，可以實現(xiàn)基于開關(guān)的性能優(yōu)異的乘法器。假定本振驅(qū)動的晶體管工作在完全的開關(guān)切換狀態(tài)，那么可以得到混頻器的轉(zhuǎn)換增益?；谏鲜黾僭O(shè)，本發(fā)明實施例中差分輸出電流可以認(rèn)為是第一 NMOS管麗I和第二 NMOS管麗2的漏電流乘以單位幅度方波的結(jié)果。如果輸出端接有負(fù)載電阻RL，那么電壓轉(zhuǎn)換增益為

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[0043]AV - (二)(1- ' ^
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[0044]通過公式(I)可知，如果要提高混頻器的增益，可以提高跨導(dǎo)射頻輸入管即第一NMOS管麗I和第二 NMOS管麗2的跨導(dǎo)gm、負(fù)載電阻RL、本振信號幅度Vuj，減小開關(guān)管即第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的過驅(qū)動電壓即(Vgs-Vt)sw。但是提高跨導(dǎo)8_?需要消耗功耗，電流增大會影響噪聲；本振信號的幅度Vuj過大，對開關(guān)管對即第一開關(guān)支路或第二開關(guān)支路的共源節(jié)點的寄生電容充放電，大的本振信號還容易引起泄漏，所以通過提高跨導(dǎo)gm和本振信號幅度Vw的方法來提高增益都產(chǎn)生不利影響。本發(fā)明實施例中通過提高由第三PMOS管M3和第四PMOS管M4組成的兩個恒流源，在第一 NMOS管麗I和第二 NMOS管麗2電流不變的情況下，流過開關(guān)管對的電流減小，過驅(qū)動電壓(Vgs-Vt)sw減小，而開關(guān)管的尺寸不變，寄生電容不變，這樣在不造成大的寄生的情況下對改善增益有幫助，同時對緩解凈空電壓有利。
[0045]本發(fā)明實施例中更直接有效的方法是改變負(fù)載電阻RL的大小的方法來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換增益的調(diào)整，如圖2中所示，本發(fā)明實施例中的負(fù)載電阻RL為第一負(fù)載電路和第二負(fù)載電路，其中所述第一負(fù)載電路由第一電阻RLl和第一 PMOS管MPl并聯(lián)而成,第二負(fù)載電路由第二電阻RL2和第二 PMOS管MP2并聯(lián)而成，通過調(diào)節(jié)所述第一 PMOS管MPl和所述第二PMOS管MP2的柵極連接的第一控制電壓Ne，能夠控制所述第一 PMOS管MPl和所述第二PMOS管MP2的工作狀態(tài)和電阻大小，從而能夠調(diào)節(jié)所述第一負(fù)載電路和所述第二負(fù)載電路的負(fù)載大小，實現(xiàn)所述CMOS下變頻混頻器的增益調(diào)節(jié)。
[0046]另外，本發(fā)明實施例中，射頻差分輸入電路還包括一 LC并聯(lián)電路，LC并聯(lián)電路能提高射頻阻抗從而提高線性度同時不消耗額外的直流壓降并且不引入顯著的噪聲。
[0047]較之傳統(tǒng)的Gilbert混頻器，本發(fā)明實施例電路對電源電壓要求降低，提供了可變的增益選擇，同時實現(xiàn)了較好的線性度及噪聲性能。
[0048]以上通過具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種CMOS下變頻混頻器，其特征在于，包括: 射頻差分輸入電路，包括第一 NMOS管和第二 NMOS管；所述第一 NMOS管和所述第二NMOS管的柵極作為兩個射頻輸入端并分別連接兩個差分射頻電壓信號，所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的源極連接在一起，所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的漏極作為所述射頻差分輸入電路的兩個輸出端并分別輸出和所述差分射頻電壓信號頻率相同的兩路差分射頻電流信號； 開關(guān)電路，所述開關(guān)電路包括兩個對稱且為全差分結(jié)構(gòu)的第一開關(guān)支路和第二開關(guān)支路，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的控制端都分別連接兩個差分本振信號，所述第一開關(guān)支路的輸入端連接所述第一 NMOS管的漏極、所述第二開關(guān)支路的輸入端連接所述第二 NMOS管的漏極，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端連接在一起并輸出差分中頻電壓信號的正相信號，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端連接在一起并輸出差分中頻電壓信號的反相信號； 所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端和電源電壓之間連接有第一負(fù)載電路，所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端和電源電壓之間有第二負(fù)載電路； 所述第一負(fù)載電路由第一電阻和第一 PMOS管并聯(lián)而成,所述第一電阻和所述第一PMOS管的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的正相輸出端，所述第一電阻和所述第一 PMOS管的源極連接并接電源電壓； 所述第二負(fù)載電路由第二電阻和第二 PMOS管并聯(lián)而成，所述第二電阻和所述第二PMOS管的漏極連接并接兩個所述開關(guān)支路的反相輸出端，所述第二電阻和所述第二 PMOS管的源極連接并接電源電壓； 所述第一電阻和所述第二電阻的阻值相同，所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的結(jié)構(gòu)相同，所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管的柵極都連接第一控制電壓，通過調(diào)節(jié)所述第一控制電壓的大小調(diào)節(jié)所述第一負(fù)載電路和所述第二負(fù)載電路的負(fù)載大小，實現(xiàn)所述CMOS下變頻混頻器的增益調(diào)節(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS下變頻混頻器，其特征在于，還包括: 第一恒流源，連接在所述第一 NMOS管的漏極和電源電壓之間，所述第一恒流源用于對所述第一 NMOS管的直流進(jìn)行泄放，減小所述第一開關(guān)支路電流； 第二恒流源，連接在所述第二 NMOS管的漏極和電源電壓之間；所述第二恒流源用于對所述第二 NMOS管的直流進(jìn)行泄放，減小所述第二開關(guān)支路電流。
3.如權(quán)利要求2所述的CMOS下變頻混頻器，其特征在于: 所述第一恒流源由第三PMOS管組成，所述第三PMOS管的漏極連接所述第一 NMOS管的漏極，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓； 所述第二恒流源由第四PMOS管組成，所述第四PMOS管的漏極連接所述第二 NMOS管的漏極，所述第四PMOS管的源極連接電源電壓； 所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的柵極連接相同的偏置電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的CMOS下變頻混頻器，其特征在于:所述射頻差分輸入電路還包括一 LC并聯(lián)電路，所述LC并聯(lián)電路由第一電容和第一電感并聯(lián)而成，所述第一電容和所述第一電感的第一端連接在一起且連接所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的源極，所述第一電容和所述第一電感的第二端連接在一起且接地。
5.如權(quán)利要求1所述的CMOS下變頻混頻器，其特征在于:所述開關(guān)電路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管； 所述第一開關(guān)支路由所述第三NMOS管和所述第四NMOS管組成，所述第二開關(guān)支路由所述第五NMOS管和所述第六NMOS管組成； 所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極相連接并連接所述第一 NMOS管的漏極；所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源極相連接并連接所述第二 NMOS管的漏極；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極作為所述第一開關(guān)支路的輸入端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源極作為所述第二開關(guān)支路的輸入端； 所述第三NMOS管和所述第六NMOS管的柵極都連接相同的一個所述差分本振信號，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的柵極都連接相同的另一個所述差分本振信號；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的柵極組成所述第一開關(guān)支路的控制端，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的柵極組成所述第二開關(guān)支路的控制端； 所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的正相信號，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏極連接在一起并輸出所述差分中頻電壓信號的反相信號；所述第三NMOS管和所述第五NMOS管的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的正相輸出端，所述第四NMOS管和所述第六NMOS管的漏極分別作為所述第一開關(guān)支路和所述第二開關(guān)支路的反相輸出端。
【文檔編號】H03D7/12GK104242825SQ201310237459
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】劉國軍, 朱紅衛(wèi), 趙郁煒 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司