弛張振蕩器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種弛張振蕩器。此弛張振蕩器包括一設(shè)定－重設(shè)閂鎖器、一第一延遲電路以及一第二延遲電路。第一延遲電路的輸入端耦接該設(shè)定－重設(shè)閂鎖器的Q輸出端，第一延遲電路的輸出端耦接該設(shè)定－重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端。第二延遲電路的輸入端耦接該設(shè)定－重設(shè)閂鎖器的反Q輸出端，該第二延遲電路的輸出端耦接該設(shè)定－重設(shè)閂鎖器的設(shè)定端。當(dāng)?shù)谝谎舆t電路的輸入端輸入一第一邏輯電壓，在一延遲時(shí)間后，第一延遲電路的輸出端輸出第二邏輯電壓脈沖。當(dāng)?shù)诙舆t電路的輸入端輸入第一邏輯電壓，在一延遲時(shí)間后，第二延遲電路的輸出端輸出第二邏輯電壓脈沖。本發(fā)明的弛張振蕩器可提供更高速的時(shí)鐘脈沖信號(hào)，并節(jié)省電流消耗。
【專利說(shuō)明】弛張振蕩器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種振蕩器的技術(shù)，更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，本發(fā)明是關(guān)于一種改善邏輯延遲的弛張振蕩器(Relaxat1n Oscillator)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，電子技術(shù)已經(jīng)由最早的真空管、晶體管，進(jìn)展到集成電路芯片。其用途十分的廣泛，也因此，電子產(chǎn)品也漸漸的成為現(xiàn)代人生活中不可或缺的生活必需品。然而，振蕩器更是模擬電路或數(shù)字電路中不可或缺的重要元件。弛張振蕩器是屬于振蕩器中，重要的一種。弛張振蕩器常用于電容傳感器以及單芯片功率集成電路。相較于電感、電容振蕩器(LC Oscillator)，弛張振蕩器僅需一種儲(chǔ)能元件。此振蕩器的優(yōu)點(diǎn)在于，具有較寬的頻率調(diào)整范圍，以及聞度的線性控制。設(shè)計(jì)良好的她張振蕩器應(yīng)具有穩(wěn)定性聞、可調(diào)頻率范圍寬、控制線性度高等特點(diǎn)。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖1，此弛張振蕩器包括由兩個(gè)或非門(mén)組成的設(shè)定一重設(shè)閂鎖器(latch) 101、反相器102、或非門(mén)103、或非門(mén)104、第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP1、第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP2、第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP3、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP4、第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN1、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN2、第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN3、第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN4、第一電容105以及第二電容106。第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管麗1、第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN2、第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP3、第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP4主要是用來(lái)作偏壓(電流源)使用，圖式中的VBP與VBN則分別是P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極偏壓與N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極偏壓。為了讓所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員了解，此圖中標(biāo)示了節(jié)點(diǎn)N1、節(jié)點(diǎn)N2、節(jié)點(diǎn)S3以及節(jié)點(diǎn)S4。
[0004]為了詳細(xì)說(shuō)明此振蕩器的運(yùn)作原理，先假設(shè)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的初始邏輯狀態(tài)分別是0、1、1、0。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)S4的電壓為邏輯高電壓，節(jié)點(diǎn)S3的電壓則低于第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN4的門(mén)檻電壓。由于重設(shè)端R的邏輯狀態(tài)為0，且Q輸出端的邏輯狀態(tài)為1，因此，或非門(mén)104的輸出端為邏輯低電壓，使得P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP2導(dǎo)通。電容器106被快速的充電到邏輯高電壓，使得設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的設(shè)定端S轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)改變?yōu)?、0、1、O0
[0005]接下來(lái)，由于設(shè)定一重設(shè)H鎖器101的設(shè)定端S與反Q輸出端的邏輯皆為0，使得或非門(mén)103的輸出端輸出邏輯高電壓，因此，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MPl截止，電容器105通過(guò)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MNl進(jìn)行放電。當(dāng)電容器105被放電到邏輯低電壓時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)被改變?yōu)?、0、0、1。由于此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的設(shè)定端S以及其反Q輸出端的邏輯分別是O、1，并且，重設(shè)端R以及其Q輸出端的邏輯分別是1、0，因此，或非門(mén)103以及或非門(mén)104的輸出端皆為邏輯低電壓，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MPl以及MP2也因此導(dǎo)通。此時(shí)，電容器105被快速的充電到邏輯高電壓，而設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)被改變?yōu)?、0、0、1。
[0006]接下來(lái)，由于設(shè)定一重設(shè)H鎖器101的重設(shè)端R與Q輸出端的邏輯皆為0，使得第二或非門(mén)104的輸出端輸出邏輯高電壓，因此，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP2截止，電容器106通過(guò)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN2進(jìn)行放電。當(dāng)電容器106被放電到邏輯低電壓時(shí)，此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)又再度變回0、1、1、0。
[0007]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的操作波形圖。請(qǐng)參考圖2，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員可以看出，節(jié)點(diǎn)NI的電壓與節(jié)點(diǎn)N2的電壓雖是反相，但是兩者確有同時(shí)為邏輯低電壓的間隙。因此，導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)S3在節(jié)點(diǎn)NI為邏輯低電壓時(shí)，并未立刻進(jìn)行放電，且節(jié)點(diǎn)S4在節(jié)點(diǎn)N2為邏輯低電壓時(shí)，并未立刻進(jìn)行放電。如此，導(dǎo)致此弛張振蕩器的操作頻率無(wú)法提升，相反的，如要得得到相同的頻率，就必須耗費(fèi)更大的電流。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的一目的在于提供一種弛張振蕩器，藉此，提升振蕩器的操作頻率，減少振蕩器內(nèi)部電路的延遲。
[0009]有鑒于此，本發(fā)明提供一種弛張振蕩器，此弛張振蕩器包括一設(shè)定一重設(shè)閂鎖器、一第一延遲電路以及一第二延遲電路。此設(shè)定一重設(shè)閂鎖器具有一設(shè)定端、一重設(shè)端、一 Q輸出端以及一反Q輸出端。第一延遲電路包括一第一充電電路、一第一電容、一第一放電兀件以及一第一比較檢測(cè)電路。第一充電電路的第一端稱接一電源電壓，第一充電電路的控制端I禹接Q輸出端。當(dāng)Q輸出端輸出一第一邏輯電壓時(shí)，第一充電電路的第一端與該第一充電電路的第二端導(dǎo)通。第一電容的第一端耦接第一充電電路的第二端，且第一電容的第二端耦接一共接電壓。第一放電元件的第一端耦接第一充電電路的第二端，第一放電元件的第二端耦接共接電壓。第一比較檢測(cè)電路的輸入端耦接第一電容的第一端，且第一比較檢測(cè)電路的輸出端耦接設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端，其中，當(dāng)?shù)谝槐容^檢測(cè)電路的輸入端的電壓下降到第一電壓時(shí)，第一比較檢測(cè)電路的輸出端輸出第一邏輯脈沖。
[0010]第二延遲電路包括一第二充電電路、一第二電容、一第二放電元件以及一第二比較檢測(cè)電路。第二充電電路的第一端耦接一電源電壓，第二充電電路的控制端耦接反Q輸出端。當(dāng)反Q輸出端輸出第一邏輯電壓時(shí)，第二充電電路的第一端與第二充電電路的第二端導(dǎo)通。第二電容的第一端耦接第二充電電路的第二端，且第二電容的第二端耦接共接電壓。第二放電元件的第一端耦接第二充電電路的第二端，且第二放電元件的第二端耦接共接電壓。第二比較檢測(cè)電路的輸入端耦接第二電容的第一端，第二比較檢測(cè)電路的輸出端耦接設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的設(shè)定端，其中，當(dāng)?shù)诙容^檢測(cè)電路的輸入端的電壓下降到第一電壓時(shí)，第二比較檢測(cè)電路的輸出端輸出第一邏輯脈沖。
[0011]依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的弛張振蕩器，上述第一充電電路包括一第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接第一充電電路的控制端，第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接第一充電電路的第一端，第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接第一充電電路的第二端。另外，第一放電元件包括第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極接收一第一偏壓，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接第一放電元件的第一端，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接第一放電元件的第二端。
[0012]依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的弛張振蕩器，上述第一比較檢測(cè)電路包括一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及一第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接一第二偏壓，第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接電源電壓。第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接第一比較檢測(cè)電路的輸入端，第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接第一比較檢測(cè)電路的輸出端以及第二P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極，第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接共接電壓。
[0013]本發(fā)明另外提供一種弛張振蕩器，此弛張振蕩器包括一設(shè)定一重設(shè)閂鎖器、一第一延遲電路以及一第二延遲電路。此設(shè)定一重設(shè)閂鎖器具有一設(shè)定端、一重設(shè)端、一 Q輸出端以及一反Q輸出端。第一延遲電路包括一第一反相器、一第一電容以及一第一比較檢測(cè)電路。第一反相器的輸入端I禹接Q輸出端。第一電容的第一端I禹接第一反相器的輸出端，第一電容的第二端耦接一共接電壓。第一比較檢測(cè)電路的輸入端耦接第一電容的第一端，第一比較檢測(cè)電路的輸出端耦接設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端。第二延遲電路包括一第二反相器、一第二電容以及一第二比較檢測(cè)電路。第二反相器的輸入端耦接反Q輸出端。第二電容的第一端耦接第二反相器的輸出端，第二電容的第二端耦接共接電壓。第二比較檢測(cè)電路的輸入端耦接第二電容的第一端，第二比較檢測(cè)電路的輸出端耦接設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端。
[0014]依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的弛張振蕩器，上述第一反相器包括一第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及一第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接Q輸出端，第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接一電源電壓。第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接Q輸出端，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極，第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接共接電壓。另外，第一延遲電路更包括一第一偏壓電流源，耦接在電源電壓與第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極之間，用以提供一固定電流。
[0015]再者，一較佳實(shí)施例中，第一比較檢測(cè)電路包括一第二偏壓電流源以及一第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二偏壓電流源的第一端耦接一電源電壓，用以提供一固定電流。第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接第一比較檢測(cè)電路的輸入端，第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接第二偏壓電流源的第二端，第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接共接電壓。
[0016]本發(fā)明的精神在于通過(guò)狀態(tài)圖分析電路，找尋現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器的關(guān)鍵延遲點(diǎn)。據(jù)此，減少現(xiàn)有技術(shù)的邏輯延遲(Logic Delay)，因此，本發(fā)明的弛張振蕩器可提供更高速的時(shí)鐘脈沖信號(hào)，并節(jié)省電流消耗。另外，振蕩器的運(yùn)作原理也更加直覺(jué)，便于設(shè)計(jì)者的使用。
[0017]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的電路圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的操作波形圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的分析的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖；
[0021]圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0022]圖5A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0023]圖5B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0024]圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的偏壓產(chǎn)生電路的電路圖；
[0025]圖7為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0026]圖8A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0027]圖8B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0028]圖9為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖；
[0029]圖10為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。
[0030]附圖標(biāo)記
[0031]101,401:設(shè)定一重設(shè)閂鎖器
[0032]102:反相器
[0033]103、104:或非門(mén)
[0034]MPl:第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0035]MP2:第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0036]MP3:第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0037]MP4:第四P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0038]MNl:第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0039]MN2:第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0040]MN3:第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0041]MN4:第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0042]105:第一電容
[0043]106:第二電容
[0044]402:第一延遲電路
[0045]403:第二延遲電路
[0046]404:反相器
[0047]405、409:充電電路
[0048]406,410:放電元件
[0049]407、411、804、808:電容器
[0050]408、412、802、806:比較檢測(cè)電路
[0051]501、503、MP601: P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0052]502、504、MN601、MN602: N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0053]R601:電阻
[0054]701:開(kāi)關(guān)電路
[0055]702:充電電路
[0056]801、805:反相器
[0057]803、807:偏壓電流源

【具體實(shí)施方式】
[0058]為了讓所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員可以了解現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的操作頻率無(wú)法上升的原因，請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的分析的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖。如圖3所示，其中，箭頭向下表示電壓下降，箭頭向上表示電壓上升。當(dāng)Q輸出端開(kāi)始電壓下降，反Q輸出端QB電壓向上，之后，NI節(jié)點(diǎn)電壓向下，接下來(lái)，S4節(jié)點(diǎn)電壓向上，R輸入端電壓向下，之后N2節(jié)點(diǎn)電壓向上。換句話說(shuō)，從Q輸出端電壓下降，到N2節(jié)點(diǎn)電壓向上，經(jīng)過(guò)了 QB輸出端、NI節(jié)點(diǎn)、S4節(jié)點(diǎn)以及R輸入端的電壓延遲。
[0059]同樣的道理，當(dāng)反Q輸出端QB開(kāi)始電壓下降，Q輸出端電壓向上，之后，N2節(jié)點(diǎn)電壓向下，接下來(lái)，S3節(jié)點(diǎn)電壓向上，S輸入端電壓向下，之后NI節(jié)點(diǎn)電壓向上。換句話說(shuō)，從QB輸出端電壓下降，到NI節(jié)點(diǎn)電壓向上，經(jīng)過(guò)了 Q輸出端、N2節(jié)點(diǎn)、S3節(jié)點(diǎn)以及S輸入端的電壓延遲。上述邏輯狀態(tài)圖，可以看出，從Q的電壓變化到節(jié)點(diǎn)N2的電壓變化之間的延遲以及從QB的電壓變化到節(jié)點(diǎn)NI的電壓變化的延遲，是此弛張振蕩器的操作頻率無(wú)法上升的主因。
[0060]因此，在設(shè)計(jì)本發(fā)明實(shí)施例的弛張振蕩器，便考慮到當(dāng)反Q輸出端QB開(kāi)始電壓下降，立即性的使節(jié)點(diǎn)NI的電壓上升，且當(dāng)Q輸出端開(kāi)始電壓下降，立即性的使節(jié)點(diǎn)N2的電壓上升。圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖4，此弛張振蕩器包括一設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401、一第一延遲電路402以及一第二延遲電路403。在此實(shí)施例中，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401是以兩個(gè)或非門(mén)實(shí)施。又，在設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端后，額外耦接一反相器404，主要是用來(lái)作為一緩沖電路。此緩沖電路主要是用以增加輸出時(shí)鐘脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力，以推動(dòng)一負(fù)載，或是做波形整型用。
[0061]第一延遲電路402包括一充電電路405、放電元件406、電容器407以及比較檢測(cè)電路408。第二延遲電路403亦包括一充電電路409、放電元件410、電容器411以及比較檢測(cè)電路412。為了詳細(xì)說(shuō)明此弛張振蕩器的運(yùn)作原理，先假設(shè)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的初始邏輯狀態(tài)分別是O、1、1、0。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)S4的電壓為邏輯高電壓，節(jié)點(diǎn)S3的電壓則低于比較檢測(cè)電路412的檢測(cè)電壓。由于反Q輸出端的邏輯狀態(tài)為0，且Q輸出端的邏輯狀態(tài)為1，因此，充電電路409導(dǎo)通，充電電路405截止，電容器411被快速的充電到邏輯高電壓，同時(shí)，電容器407通過(guò)放電元件406進(jìn)行放電。當(dāng)電容器407的電壓被放電到比較檢測(cè)電路408的檢測(cè)電壓時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的設(shè)定端S轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，且設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R轉(zhuǎn)為邏輯高電壓，此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)改變?yōu)?、
O,OUo
[0062]接下來(lái)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端的邏輯是0，并且，反Q輸出端的邏輯是1，因此，充電電路405導(dǎo)通，同時(shí)，充電電路409截止。此時(shí)，電容器407被快速的充電到邏輯高電壓，同時(shí)，電容器411通過(guò)放電元件410進(jìn)行放電。當(dāng)電容器411的電壓被放電到比較檢測(cè)電路412的檢測(cè)電壓時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)被改變?yōu)?0、1、1、0。
[0063]請(qǐng)比對(duì)現(xiàn)有技術(shù)與上述實(shí)施例，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的延遲電路需要等待設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的設(shè)定端S的邏輯與設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的反Q輸出端的邏輯同樣為O時(shí)，才會(huì)對(duì)電容器105進(jìn)行放電，且現(xiàn)有技術(shù)的延遲電路需要等待設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R的邏輯與設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的Q輸出端的邏輯同樣為O時(shí)，才會(huì)對(duì)電容器106進(jìn)行放電。在此例中，只要設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端的邏輯變?yōu)?，便可以立即的針對(duì)電容器407進(jìn)行放電，且只要設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的反Q輸出端的邏輯變?yōu)?，便可以立即的針對(duì)電容器411進(jìn)行放電。換句話說(shuō)，本實(shí)施例已經(jīng)大大的減少了現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的延遲時(shí)間。
[0064]圖5A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖5A，在此實(shí)施例中，第一延遲電路402的充電電路405是以一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管501實(shí)施，當(dāng)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的Q輸出端為邏輯O時(shí)，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管501導(dǎo)通以對(duì)電容器407充電。放電元件406是以柵極耦接一偏壓VBN的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502實(shí)施。比較檢測(cè)電路408則是以一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管504與柵極耦接一偏壓VBP的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管503實(shí)施。另外，由于第二延遲電路403的實(shí)施方式與第一延遲電路402的實(shí)施方式相同，故不予贅述。
[0065]圖5B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖5B，在此實(shí)施例中，比較檢測(cè)電路408則是以一比較器505實(shí)施。此比較器505的正輸入端接收一參考電壓VREF,比較器505的負(fù)輸入端耦接電容器407。當(dāng)Q轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺唠妷?，電容?07的電壓通過(guò)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502被放電到低于參考電壓VREF時(shí)，比較器505便輸出一邏輯電壓脈沖。另外，由于第二延遲電路403的實(shí)施方式與第一延遲電路402的實(shí)施方式相同，故不予贅述。另外，參考電壓VREF可以采用偏壓VBN取代或另外用帶隙參考電壓產(chǎn)生電路(Bandgap Reference Voltage Generator)產(chǎn)生。
[0066]圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的偏壓產(chǎn)生電路的電路圖。請(qǐng)參考圖6，此偏壓產(chǎn)生電路是用以產(chǎn)生上述的偏壓VBN與VBP，此電路主要是一個(gè)基本結(jié)構(gòu)的電流鏡，此電流鏡包括一電阻R601、N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN601、MN602以及P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP601。由此電路可知，N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502的電流會(huì)與N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN601的電流成比例，且P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管503的電流會(huì)與P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP601的電流成比例。在此，為了讓本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，能夠完整了解此偏壓產(chǎn)生電路的意義，以下以數(shù)學(xué)的形式說(shuō)明。
[0067]首先，假設(shè)流過(guò)電阻R601的電流為Ικ，電流Ik可以用下述數(shù)學(xué)表示:
r VDD-VBN/ s
[0068]Ir =----(I )
[0069]又，假設(shè)在圖5A及圖5B的電路中的電容器407的電容為C，電容器407的電壓變化為Λ V，流過(guò)N型金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502的電流為ΙΜ，則:
[0070]C Δ V=ImT (2)
[0071]又，電容器407的電壓變化為Λ V = VDD - VBN，且電流Im與電流Ik成一定比例(假設(shè)為m)，因此，數(shù)學(xué)式(2)可以改為


f//)/) — U R KI
[0072]C(VDI)-VBN) = m ^ ' T (3)
[0073]整理上述數(shù)學(xué)式(3)，可得
〒 RC
[0074]T =——⑷
m
[0075]由上述推導(dǎo)，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員便可以了解，增加此電流源作偏壓可以讓此弛張振蕩器能夠產(chǎn)生與電源電壓VDD、制成參數(shù)以及溫度無(wú)關(guān)的時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
[0076]圖7為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖7，在此實(shí)施例中，第一延遲電路402除了原本的圖5A及圖5B的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管501、N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502、P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管503、N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管504以及圖4的電容器407之外，還增加了開(kāi)關(guān)電路701以及充電電路702，其中，開(kāi)關(guān)電路701是以傳輸門(mén)的方式實(shí)施，充電電路702是以P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)施。
[0077]較特殊的是，當(dāng)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端輸出邏輯O時(shí)，開(kāi)關(guān)電路701截止，節(jié)點(diǎn)S4會(huì)被迅速的充電到邏輯1，因此，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的R輸入端會(huì)迅速的由邏輯I轉(zhuǎn)為邏輯O。而充電電路702則另外獨(dú)立的對(duì)電容器407進(jìn)行充電。當(dāng)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端輸出邏輯I時(shí)，開(kāi)關(guān)電路701導(dǎo)通且充電電路702截止，節(jié)點(diǎn)S4通過(guò)開(kāi)關(guān)電路701以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502進(jìn)行放電。因此，此實(shí)施例可以更進(jìn)一步的增加操作頻率。另外，由于第二延遲電路的實(shí)施方式與第一延遲電路402相同，故在此不予贅述。
[0078]圖8A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖8A，在此實(shí)施例中，第一延遲電路402由反相器801、比較檢測(cè)電路802、偏壓電流源803以及電容器804實(shí)施。第二延遲電路403由反相器805、比較檢測(cè)電路806、偏壓電流源807以及電容器808實(shí)施。在此實(shí)施例中，比較檢測(cè)電路802是以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及電流源實(shí)施，且比較檢測(cè)電路806同樣是以N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及電流源實(shí)施。
[0079]先假設(shè)設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的初始邏輯狀態(tài)分別是0、1、1、0。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)S4的電壓為邏輯高電壓，節(jié)點(diǎn)S3的電壓則低于比較檢測(cè)電路806的檢測(cè)電壓(以此例來(lái)說(shuō)，是N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的門(mén)檻電壓)。由于反Q輸出端的邏輯狀態(tài)為0，且Q輸出端的邏輯狀態(tài)為1，因此，反相器805輸出邏輯1，反相器801輸出邏輯0，電容器808被偏壓電流源807以定電流充電到邏輯高電壓，同時(shí)，電容器804通過(guò)反相器801的N型金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行放電，因此，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的設(shè)定端S轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，且設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R轉(zhuǎn)為邏輯高電壓，此時(shí)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)改變?yōu)?、0、0、1。
[0080]接下來(lái)，設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端的邏輯是0，并且，反Q輸出端的邏輯是1，因此，反相器801輸出邏輯I,同時(shí)，反相器805輸出邏輯O。此時(shí)，電容器804被偏壓電流源803以定電流充電到邏輯高電壓，同時(shí)，電容器808通過(guò)反相器805的N型金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行放電，而設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的重設(shè)端R、設(shè)定端S、Q輸出端以及反Q輸出端的邏輯狀態(tài)被改變?yōu)?、1、1、0。
[0081]同樣的道理，請(qǐng)比對(duì)現(xiàn)有技術(shù)與上述實(shí)施例，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的延遲電路需要等待設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的設(shè)定端S的邏輯與設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的反Q輸出端的邏輯同樣為O時(shí)，才會(huì)對(duì)電容器105進(jìn)行放電，且現(xiàn)有技術(shù)的延遲電路需要等待設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的重設(shè)端R的邏輯與設(shè)定一重設(shè)閂鎖器101的Q輸出端的邏輯同樣為O時(shí)，才會(huì)對(duì)電容器106進(jìn)行放電。在此例中，只要設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的Q輸出端的邏輯變?yōu)?，便可以立即的針對(duì)電容器808進(jìn)行充電，且只要設(shè)定一重設(shè)閂鎖器401的反Q輸出端的邏輯變?yōu)?，便可以立即的針對(duì)電容器804進(jìn)行充電。換句話說(shuō)，本實(shí)施例已經(jīng)大大的減少了現(xiàn)有技術(shù)的弛張振蕩器的延遲時(shí)間。
[0082]圖8B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖8B，在此實(shí)施例中，比較檢測(cè)電路802是以一比較器809實(shí)施。此比較器809的負(fù)輸入端接收一參考電壓VREF,比較器809的正輸入端耦接電容器804。另外，比較檢測(cè)電路806是以一比較器810實(shí)施。此比較器810的負(fù)輸入端接收一參考電壓VREF，比較器810的正輸入端耦接電容器804。由于運(yùn)作原理相同，差異僅在于檢測(cè)電壓是以參考電壓VREF決定,而非金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的門(mén)檻電壓。
[0083]圖9為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖8與圖9，在此實(shí)施例中，延遲電路的反相器801與805的P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管皆被移除。在圖8中，實(shí)際P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的用意是當(dāng)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管在執(zhí)行放電時(shí)，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管不導(dǎo)通，因此，電流源803與807的電流不會(huì)流過(guò)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，藉以避免額外的耗流。在此實(shí)施例中，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然被移除，然元件迭接數(shù)量減少，使此弛張振蕩器可以操作在更加低壓的環(huán)境。此弛張振蕩器的邏輯動(dòng)作與原理與圖8的弛張振蕩器的邏輯動(dòng)作與原理相同，故不予贅述。
[0084]圖10為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的弛張振蕩器的電路圖。請(qǐng)參考圖10與圖5A及圖5B，在此實(shí)施例中，延遲電路402、403分別被額外加入了 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1001、1002。上述N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管1001可以在充電電路(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管501)對(duì)電容充電時(shí)，阻斷放電電路(N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管502)，如此，可以達(dá)到快速充電的功效，進(jìn)一步改善此弛張振蕩器的頻率。
[0085]綜上所述，本發(fā)明的精神在于通過(guò)狀態(tài)圖分析電路，找尋現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器的關(guān)鍵延遲點(diǎn)。據(jù)此，減少現(xiàn)有技術(shù)的邏輯延遲(Logic Delay)，因此，本發(fā)明的弛張振蕩器可提供更高速的時(shí)鐘脈沖信號(hào)，并節(jié)省電流消耗。另外，振蕩器的運(yùn)作原理也更加直覺(jué)，簡(jiǎn)便設(shè)計(jì)者的使用。
[0086]另外，在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述延遲電路若配合較佳實(shí)施例的偏壓產(chǎn)生電路，此弛張振蕩器可以進(jìn)一步產(chǎn)生不受到電源電壓、制成參數(shù)與溫度影響的時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
[0087]在較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中所提出的具體實(shí)施例僅用以方便說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而非將本發(fā)明狹義地限制于上述實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的精神及以下申請(qǐng)專利范圍之情況，所做的種種變化實(shí)施，皆屬于本發(fā)明的范圍。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種弛張振蕩器，其特征在于，所述弛張振蕩器包括: 一設(shè)定一重設(shè)R鎖器，具有一設(shè)定端、一重設(shè)端、一 Q輸出端以及一反Q輸出端； 一第一延遲電路，包括: 一第一充電電路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，所述第一充電電路的第一端耦接一電源電壓，所述第一充電電路的控制端耦接所述Q輸出端，其中，當(dāng)所述Q輸出端輸出一第一邏輯電壓時(shí)，所述第一充電電路的第一端與所述第一充電電路的第二端導(dǎo)通； 一第一電容，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第一電容的第一端稱接所述第一充電電路的第二端，所述第一電容的第二端耦接一共接電壓； 一第一放電兀件，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第一放電兀件的第一端I禹接所述第一充電電路的第二端，所述第一放電元件的第二端耦接所述共接電壓；以及 一第一比較檢測(cè)電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端耦接所述第一電容的第一端，所述第一比較檢測(cè)電路的輸出端耦接所述設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端，其中，當(dāng)所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端的電壓下降到一第一電壓時(shí)，所述第一比較檢測(cè)電路的輸出端輸出一第一邏輯脈沖；以及一第二延遲電路，包括: 一第二充電電路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，所述第二充電電路的第一端耦接一電源電壓，所述第二充電電路的控制端耦接所述反Q輸出端，其中，當(dāng)所述反Q輸出端輸出所述第一邏輯電壓時(shí)，所述第二充電電路的第一端與所述第二充電電路的第二端導(dǎo)通； 一第二電容，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第二電容的第一端耦接所述第二充電電路的第二端，所述第二電容的第二端耦接所述共接電壓； 一第二放電元件，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第二放電元件的第一端耦接所述第二充電電路的第二端，所述第二放電元件的第二端耦接所述共接電壓；以及 一第二比較檢測(cè)電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第二比較檢測(cè)電路的輸入端耦接所述第二電容的第一端，所述第二比較檢測(cè)電路的輸出端耦接所述設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的設(shè)定端，其中，當(dāng)所述第二比較檢測(cè)電路的輸入端的電壓下降到一第二電壓時(shí)，所述第二比較檢測(cè)電路的輸出端輸出所述第一邏輯脈沖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一充電電路包括: 一第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第一充電電路的控制端，所述第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述第一充電電路的第一端，所述第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述第一充電電路的第二端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一放電元件包括: 一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極接收一第一偏壓，所述第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述第一放電元件的第一端，所述第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述第一放電元件的第~.-5-jJU-~-? O
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一偏壓由一偏壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生，所述偏壓產(chǎn)生電路包括: 一第一電阻，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第一電阻的第一端稱接所述電源電壓； 一第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極，且所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述共接電壓； 一第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極，且所述第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述共接電壓；以及 一第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極以及所述第三N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極，所述第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述電源電壓，其中，所述第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的電壓為所述第一偏壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一比較檢測(cè)電路包括: 一第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接一第二偏壓，所述第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述電源電壓；以及 一第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端，所述第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述第一比較檢測(cè)電路的輸出端以及所述第三P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極，所述第四N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述共接電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的弛張振蕩器，其特征在于，在所述第一電容的第一端與所述第一充電電路的第二端之間更包括: 一第一開(kāi)關(guān)，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)的控制端耦接所述Q輸出端，所述第一開(kāi)關(guān)的第一端耦接所述第一放電元件的第一端與所述第一充電電路的第二端，所述第一開(kāi)關(guān)的第二端耦接所述第一電容的第一端；以及 一第三充電電路，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，所述第三充電電路的第一端耦接一電源電壓，所述第三充電電路的控制端耦接所述Q輸出端，所述第三充電電路的第二端耦接所述第一電容的第一端， 其中，當(dāng)所述Q輸出端輸出所述第一邏輯電壓時(shí)，所述第三充電電路的第一端與所述第三充電電路的第二端導(dǎo)通，且所述第一開(kāi)關(guān)的第一端與所述第一開(kāi)關(guān)的第二端截止，其中，當(dāng)所述Q輸出端輸出一第二邏輯電壓時(shí)，所述第三充電電路的第一端與所述第三充電電路的第二端截止，且所述第一開(kāi)關(guān)的第一端與所述第一開(kāi)關(guān)的第二端導(dǎo)通。
7.一種弛張振蕩器，其特征在于，所述弛張振蕩器包括: 一設(shè)定一重設(shè)R鎖器，具有一設(shè)定端、一重設(shè)端、一 Q輸出端以及一反Q輸出端； 一第一延遲電路，包括: 一第一反相器，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第一反相器的輸入端I禹接Q輸出端； 一第一電容，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第一電容的第一端稱接所述第一反相器的輸出端，所述第一電容的第二端耦接一共接電壓；以及 一第一比較檢測(cè)電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端耦接所述第一電容的第一端，所述第一比較檢測(cè)電路的輸出端耦接所述設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端，其中，當(dāng)所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端的電壓上升到一第一電壓時(shí)，所述第一比較檢測(cè)電路的輸出端輸出一第一邏輯脈沖；以及一第二延遲電路，包括: 一第二反相器，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第二反相器的輸入端耦接反Q輸出端； 一第二電容，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第二電容的第一端耦接所述第二反相器的輸出端，所述第二電容的第二端耦接所述共接電壓；以及 一第二比較檢測(cè)電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，所述第二比較檢測(cè)電路的輸入端耦接所述第二電容的第一端，所述第二比較檢測(cè)電路的輸出端耦接所述設(shè)定一重設(shè)閂鎖器的重設(shè)端，其中，當(dāng)所述第二比較檢測(cè)電路的輸入端的電壓上升到所述第一電壓時(shí)，所述第二比較檢測(cè)電路的輸出端輸出所述第一邏輯脈沖。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一反相器包括: 一第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述Q輸出端，所述第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接一電源電壓；以及 一第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述Q輸出端，所述第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極，所述第一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述共接電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一延遲電路更包括: 一第一偏壓電流源，包括一第一端以及一第二端，所述第一偏壓電流源的第一端耦接所述電源電壓，所述第一偏壓電流源的第二端耦接所述第一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極，所述第一偏壓電流源用以提供一固定電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的弛張振蕩器，其特征在于，所述第一比較檢測(cè)電路包括: 一第二偏壓電流源，包括一第一端以及一第二端，其中，所述第二偏壓電流源的第一端耦接一電源電壓，所述第二偏壓電流源用以提供一固定電流；以及 一第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一柵極、一第一源漏極以及一第二源漏極，其中，所述第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極耦接所述第一比較檢測(cè)電路的輸入端，所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一源漏極耦接所述第二偏壓電流源的第二端，所述第二 N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二源漏極耦接所述共接電壓。
【文檔編號(hào)】H03K3/012GK104242874SQ201310339533
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月14日
【發(fā)明者】羅世明, 陸敏 申請(qǐng)人:凌通科技股份有限公司