電容觸摸按鍵的檢測電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電容觸摸按鍵的檢測電路。包括一用于對按鍵進行檢測的檢測模塊，及用于接收檢測模塊輸出信號的處理模塊；檢測模塊包括用于感應人體觸摸的第一電容，用于提供參考電壓的第二電容，以及反相比例放大電路。其中，第一電容的正極連接至反相比例放大電路的第一輸入端，第二電容的正極連接至反相比例放大電路的第二輸入端；反相比例放大電路將第一電容與第二電容的電壓差值進行放大，并輸出一電壓值至處理模塊。反相比例放大電路將兩電壓值進行差分放大。差分放大后，抵消了第一電容與第二電容因工作環(huán)境干擾所引起的電壓變化量，排除了工作環(huán)境對檢測結果的干擾。從而有效降低了檢測電路誤判和誤檢的概率。
【專利說明】電容觸摸按鍵的檢測電路
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電子檢測【技術領域】，特別涉及一種電容觸摸按鍵的檢測電路。
【背景技術】
[0002]觸摸是目前最直觀、最方便、最符合人類行為習慣的輸入方式，與傳統(tǒng)的機械式按鍵相比，電容式觸摸感應按鍵傳感器結構簡單、成本低，無需特殊元件，僅使用簡單的PCB圖形便可實現(xiàn)按鍵。主流的電容觸摸檢測技術有電荷轉移技術、RC振蕩器技術、阻抗測試技術等多種。在實際應用中，上述檢測技術對溫度、濕度、表面玷污以及電磁干擾等環(huán)境變化所引起的誤檢和誤判概率高。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的主要目的在于提供一種電容觸摸按鍵的檢測電路，旨在降低溫度、濕度、表面玷污以及電磁干擾等環(huán)境變化所引起的誤檢和誤判的概率。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種電容觸摸按鍵的檢測電路，該檢測電路包括一用于對按鍵進行檢測的檢測模塊，及用于接收檢測模塊輸出信號的處理模塊；所述檢測模塊包括用于感應人體觸摸的第一電容，用于提供參考電壓的第二電容，以及反相比例放大電路，其中，所述第一電容的正極連接至反相比例放大電路的第一輸入端，所述第二電容的正極連接至反相比例放大電路的第二輸入端；所述反相比例放大電路將第一電容與第二電容的電壓差值進行比較放大，并輸出一電壓值至所述處理模塊。
[0005]優(yōu)選地，所述檢測模塊還包括用于為所述第一電容充電的第一供電電路，和用于為所述第二電容充電的第二供電電路，其中，所述第一供電電路的輸入端和第二供電電路的輸入端連接至外部直流電源，所述第一供電電路的輸出端連接至第一電容的正極，所述第二供電電路的輸出端連接至第二電容的正極。
[0006]優(yōu)選地，所述第一供電電路包括第一電流源，所述第一電流源的輸入端與外部直流電源連接，輸出端與第一電容的正極連接；所述第二供電電路包括第二電流源，所述第二電流源的輸入端與外部直流電源連接，輸出端與第二電容的正極連接。
[0007]優(yōu)選地，所述檢測模塊還包括充電控制電路，所述充電控制電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路，其中，所述第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路均與外部交流電源連接；當外部交流電源為低電平時，所述第二開關電路與第三開關電路斷開，所述第一開關電路導通并使所述第一電流源與外部直流電源導通，所述第一電源對第一電容充電，所述第二電源對第二電容充電；當外部交流電源為高電平時，所述第一開關電路斷開，所述第二開關電路與第三開關電路導通，所述第一電容與第二電容放電。
[0008]優(yōu)選地，所述檢測模塊還包括采樣保持電路，所述采樣保持電路的輸入端與所述反相比例放大電路的輸出端連接，所述采樣保持電路的輸出端連接至所述處理模塊；所述采樣保持電路對反相比例放大電路的輸出信號進行采樣并進行存儲，并發(fā)送至所述處理模塊。[0009]優(yōu)選地，所述采樣保持電路包括第一傳輸門電路和用于對采樣到的電壓值進行存儲的第三電容，所述第一傳輸門電路包括第一控制端、第二控制端、輸入端以及輸出端，其中，所述外部交流電源與所述第一控制端連接，所述外部交流電源經反相器與所述第二控制端連接，所述第一傳輸門電路的輸入端與所述反相比例放大電路的輸出端連接，所述第一傳輸門電路的輸出端與所述第三電容和所述處理模塊的輸入端連接；所述外部交流電源控制第一傳輸門電路導通，第一傳輸門電路對所述反相比例放大電路輸出的電壓進行米樣并存儲至所述第三電容，所述第三電容存儲的電壓值輸出至所述處理模塊。優(yōu)選地，所述檢測模塊還包括用于提高電壓驅動能力的第一放大電路和第二放大電路；其中，所述第一放大電路的輸入端與所述第一電容的正極連接，輸出端與所述反相比例放大電路的第一輸入端連接；所述第二放大電路的輸入端與所述第二電容的正極連接，輸出端與所述反相比例放大電路的第二輸入端連接。
[0010]優(yōu)選地，所述第一放大電路和第二放大電路為緩沖器電路，所述緩沖器電路包括第一 P型MOS管和第一 N型MOS管，其中，所述第一 P型MOS管的源極與外部直流電源連接，所述第一 P型MOS管的漏極與所述第一 N型MOS管的漏極連接并作為輸出端，第一 P型MOS管的柵極連接至第一 N型MOS管的柵極并作為輸入端；所述第一 N型MOS管的源極接地。
[0011]優(yōu)選地，所述反相比例放大電路包括運算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻以及第四電阻，其中，所述第一電阻一端連接至運算放大器的正輸入端，另一端作為反相比例放大電路的第一輸入端；所述第二電阻一端連接至運算放大器的負輸入端，另一端作為反相比例放大電路的第二輸入端；所述運算放大器的正輸入端經第三電阻接地；所述第四電阻一端連接至運算放大器的負輸入端，另一端連接至運算放大器的輸出端并作為反相比例放大電路的輸出端。
[0012]本發(fā)明通過設置用于感應人體觸摸的第一電容、用于參考的第二電容以及反相比例放大電路。兩電容置于相同的工作環(huán)境，隨著工作環(huán)境的變化，兩電容產生相同的電壓變化量。第一電容的電壓值與第二電容的電壓值輸出至反相比例放大電路。反相比例放大電路將兩電壓差值放大。差分放大后，抵消了第一電容與第二電容因工作環(huán)境干擾所引起的電壓差，排除了工作環(huán)境對檢測結果的干擾。從而有效降低了檢測電路誤判和誤檢的概率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明電容觸摸按鍵的檢測電路一實施例的結構示意圖；
[0014]圖2為圖1中的第一放大電路及第二放大電路一實施例的結構示意圖；
[0015]圖3為圖1中的反相比例放大電路一實施例的結構示意圖。
[0016]本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
【具體實施方式】
[0017]應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0018]本發(fā)明提供電容觸摸按鍵的檢測電路。
[0019]參照圖1，圖1為本發(fā)明電容觸摸按鍵的檢測電路一實施例的結構示意圖。本實施例提供的電容觸摸按鍵的檢測電路，包括一用于對按鍵進行檢測的檢測模塊I，及用于接收檢測模塊I輸出信號的處理模塊2。檢測模塊I包括用于感應人體觸摸的第一電容Cl，用于提供參考電壓的第二電容C2，以及反相比例放大電路11。其中，第一電容Cl的正極連接至反相比例放大電路11的第一輸入端，第二電容C2的正極連接至反相比例放大電路11的第二輸入端。反相比例放大電路11將第一電容Cl的電壓與第二電容C2的的電壓差值進行比較放大，并輸出一電壓值至處理模塊2。
[0020]在本實施例中，當人觸摸電容觸摸按鍵時，第一電容Cl的容值變大。具體為第一電容Cl本身的容值加上人體電容的容值(5?10pF)。本方案同時設置有第二電容C2，第二電容C2作為參考電容，其容值不隨人觸摸電容觸摸按鍵而變化。應當說明的是，第一電容Cl與第二電容C2處于同一工作環(huán)境，且第一電容Cl與第二電容C2的容值均受工作環(huán)境的影響，如溫度、濕度、玷污或者電磁干擾都有可能導致上述電容的容值變化。優(yōu)選地，第一電容Cl與第二電容C2的電容參數(shù)相等，從而有效地保證了受到相同的工作環(huán)境干擾時，第一電容Cl和第二電容C2所產生的電壓變化量相等。在本實施例中，將第一電容Cl的電壓值與第二電容C2的電壓值輸出至反相比例放大電路11。反相比例放大電路11將兩電壓值差分放大，得到檢測結果。具體原理如下:
[0021]人觸摸電容觸摸按鍵時，第二電容C2的容值不變，第一電容Cl的容值變大，從而導致第一電容Cl的充電速度變慢，其在單位時間里的電壓變化量較小。第一電容Cl與第二電容C2的充電電流相等，使得相等的時間內，第一電容Cl的電壓變化量小于第二電容C2的電壓變化量，從而使得第一電容Cl與第二電容C2的差值變大。第一電容Cl與反相比例放大電路11的第一輸入端連接，第二電容C2與反相比例放大電路11的第二輸入端連接。反相比例放大電路11對兩個輸入電壓的差值進行反相放大，輸出電壓值至處理模塊2。處理模塊2對輸入的電壓值進行判斷并執(zhí)行相應的命令。當?shù)谝浑娙軨l與第二電容C2受到工作環(huán)境的干擾時，第一電容Cl與第二電容C2的容值將同時變大或者變小，即第一電容Cl因工作環(huán)境干擾所增加或減小的電壓與第二電容C2因工作環(huán)境干擾所增加或減小的電壓始終相等。反相比例放大電路11將第一電容Cl與第二電容C2因工作環(huán)境干擾所引起的電壓值相互抵消(即差值為零)。因此，工作環(huán)境的干擾不會對反相比例放大電路11輸出的電壓值產生影響。從而排除了工作環(huán)境對電容觸摸按鍵的干擾。
[0022]本發(fā)明通過設置用于感應人體觸摸的第一電容Cl、用于參考的第二電容C2以及反相比例放大電路11。兩電容置于相同的工作環(huán)境，隨著工作環(huán)境的變化，兩電容產生相同的電壓變化量。第一電容Cl的電壓值與第二電容C2的電壓值輸出至反相比例放大電路
11。反相比例放大電路11將兩電壓差值放大。差分放大后，抵消了第一電容Cl與第二電容C2因工作環(huán)境干擾所引起的電壓差，排除了工作環(huán)境對檢測結果的干擾。從而有效降低了檢測電路誤判和誤檢的概率。
[0023]進一步地，檢測模塊I還包括用于為第一電容Cl充電的第一供電電路12，和用于為第二電容C2充電的第二供電電路13。其中，第一供電電路12的輸入端和第二供電電路13的輸入端連接至外部直流電源VDD，第一供電電路12的輸出端連接至第一電容Cl的正極，第二供電電路13的輸出端連接至第二電容C2的正極。
[0024]應當說明的是，第一供電電路12為第一電容Cl提供恒定的電流，并為第一電容Cl供電。第二供電電路13為第二電容C2提供恒定的電流，并為第二電容C2供電。進一步說明，第一供電電路12和第二供電電路13可以設置為多種方式，只要實現(xiàn)為第一電容Cl和第二電容C2提供恒定的電流即可。以下列舉兩個實施例。[0025]第一實施例，第一供電電路12包括第一電流源II,第一電流源Il的輸入端與外部直流電源VDD連接，第一電流源Il的輸出端與第一電容Cl的正極連接。外部直流電源VDD為第一電流源Il供電，第一電流源Il將輸出恒定的電流至第一電容Cl,為第一電容Cl充電。第二供電電路13包括第二電流源12，第二電流源12的輸入端與外部直流電源VDD連接，輸出端與第二電容C2的正極連接。外部直流電源VDD為第二電流源12供電，第二電流源12輸出恒定的電流至第二電容C2，為第二電容C2充電。應當說明的是，上述外部直流電源VDD的電壓值范圍為1.8?5V。
[0026]第二實施例，第一供電電路12包括第一電阻,第一電阻的一端與外部直流電源VDD連接，另一端與第一電容Cl的正極連接。外部直流電源VDD經第一電阻，為第一電容Cl提供恒定的電流進行充電。第二供電電路13包括第二電阻，第二電阻的一端與外部直流電源VDD連接，另一端與第二電容C2的正極連接。外部直流電源VDD經第二電阻，為第二電容C2提供恒定的電流進行充電。應當說明的是，為使得兩電容的充電電流相等，設置第一電阻Rl的阻值與第二電阻R2的阻值相等。
[0027]進一步地，檢測模塊I還包括充電控制電路14，充電控制電路14包括第一開關電路141、第二開關電路142以及第三開關電路143 ;所述第一開關電路141、第二開關電路142以及第三開關電路143均與外部交流電源Vin連接。當外部交流電源Vin為低電平時，第二開關電路142與第三開關電路143斷開，第一開關電路141導通并使第一電流源Il與外部直流電源VDD導通，第一電源11對第一電容Cl充電，第二電源12對第二電容C2充電。當外部交流電源Vin為高電平時，第一開關電路141斷開，第二開關電路142與第三開關電路143導通，第一電容Cl與第二電容C2放電。
[0028]應當說明的是，第一開關電路141在外部交流電源Vin為高電平時斷開，低電平時導通?！揪唧w實施方式】視實際情況而定，只要能實現(xiàn)以上功能均在本方案的保護范圍內。同理，第二開關電路142與第三開關電路143亦同。以下列舉充電控制電路的兩個實施例。
[0029]第一實施例，第一開關電路141為第二 P型MOS管P2，第二開關電路142為第二 N型MOS管N2以及第三開關電路143為第三N型MOS管N3 ;第二 P型MOS管P2的漏極與外部直流電源VDD連接，源極與第一電流源Il的輸入端和第二電流源12的輸入端連接，柵極與第二 N型MOS管N2、第三N型MOS管N3的柵極和外部交流電源Vin連接；第二 N型MOS管N2的漏極連接至第一電容Cl的正極，源極接地GND ;第三N型MOS管N3的漏極連接至第二電容C2的正極，源極接地GND。當外部交流電源Vin為低電平時，第二 P型MOS管P2導通，第二 N型MOS管N2與第三N型MOS管N3斷開，第一電流源Il對第一電容Cl充電，第二電流源12對第二電容C2充電。當外部交流電源Vin為高電平時，第二 P型MOS管P2斷開，第二 N型MOS管N2與第三N型MOS管N3導通，第一電容Cl對地放電，第二電容C2對地放電。以上電路實現(xiàn)了通過外部交流電源Vin對第一電容Cl與第二電容C2充電與放電的控制。
[0030]第二實施例，第一開關電路141為第二傳輸門電路、第二開關電路142為第三傳輸門電路以及第三開關電路143為第四傳輸門電路。應當說明的是，以上所提及的傳輸門電路均包括兩個控制端:第一控制端和第二控制端。外部交流電源Vin與第二傳輸門電路的第一控制端連接，外部交流電源Vin經反相器Inv與第二傳輸門電路的第二控制端連接。第二傳輸門電路的輸入端與外部直流電源VDD連接，輸出端與第一電流源Il連接。外部交流電源Vin與第三傳輸門電路的第一控制端連接，外部交流電源Vin經反相器Inv與第三傳輸門電路的第二控制端連接。第三傳輸門電路的輸入端連接至第一電流源II，輸出端接地GND。外部交流電源Vin與第四傳輸門電路的第一控制端連接。外部交流電源Vin經反相器Inv與第四傳輸門電路的第二控制端連接。第四傳輸門電路的輸入端連接至第二電流源12，輸出端接地GND。當外部交流電源Vin為低電平時，第二傳輸門電路導通，第三傳輸門電路與第四傳輸門電路斷開。第一電流源Il與第二電流源12均與外部直流電源VDD連接，從而使得第一電流源Il對第一電容Cl充電，第二電流源12對第二電容C2充電。當外部交流電源Vin為高電平時，第二傳輸門電路斷開，第三傳輸門電路與第四傳輸門電路導通，從而使得第一電流源Il與第二電流源12接地GND并使得第一電容Cl與第二電容C2放電。以上電路實現(xiàn)了通過外部交流電源Vin對第一電容Cl與第二電容C2充電與放電的控制。
[0031]進一步地,檢測模塊I還包括采樣保持電路15,采樣保持電路15的輸入端與反相比例放大電路11的輸出端連接，采樣保持電路15的輸出端連接至處理模塊2 ;采樣保持電路15對反相比例放大電路11的輸出信號進行采樣并進行存儲，并發(fā)送至處理模塊2。
[0032]在本實施例中，采樣保持電路15對反相比例放大電路11輸出的電壓值進行采樣，并進一步存儲，然后發(fā)送至處理模塊2，處理模塊2再對接收到的電壓值進一步處理。
[0033]具體地，采樣保持電路15包括第一傳輸門電路Tl和用于對采樣到的電壓值進行存儲的第三電容C3,第一傳輸門電路Tl包括第一控制端、第二控制端、輸入端以及輸出端。其中，外部交流電源Vin與第一控制端連接，外部交流電源Vin經反相器Inv與第二控制端連接。第一傳輸門電路Tl的輸入端與反相比例放大電路的輸出端連接，第一傳輸門電路Tl的輸出端與第三電容C3和所述處理模塊的輸入端連接；外部交流電源Vin控制第一傳輸門電路Tl導通，第一傳輸門電路Tl對反相比例放大電路輸出的電壓進行采樣并存儲至第三電容C3，第三電容C3存儲的電壓值輸出至處理模塊。
[0034]在本實施例中，當外部交流電源Vin為低電平時，第一傳輸門電路Tl導通，第一傳輸門電路Tl的輸入端電壓將等于輸出端電壓。第一傳輸門電路Tl的輸入端與反相比例放大電路11的輸出端連接，因此第一傳輸門電路Tl輸出端的電壓與反相比例放大電路11輸出端的電壓相等。從而實現(xiàn)了第一傳輸門電路Tl對反相比例放大電路11的信號采集。第三電容C3與第一傳輸門電路Tl的輸出端連接，當?shù)谝粋鬏旈T電路Tl導通時，第三電容C3將對第一傳輸門電路Tl輸出電壓進行存儲。第三電容C3存儲的電壓值發(fā)送至處理模塊2,處理模塊2再進行分析處理，執(zhí)行相應的命令。
[0035]進一步地，檢測模塊I還包括用于提高電壓驅動能力的第一放大電路16和第二放大電路17。其中,第一放大電路16的輸入端與第一電容Cl的正極連接,輸出端與反相比例放大電路11的第一輸入端連接。第一放大電路16對第一電容Cl的電壓值進行放大，并將放大后的電壓值輸出至反相比例放大電路11，從而提高了輸入至反相比例放大電路11的驅動能力。第二放大電路17的輸入端與第二電容C2的正極連接，輸出端與反相比例放大電路11的第二輸入端連接。第二放大電路17對第二電容C2的電壓值進行放大，并將放大后的電壓值輸出至反相比例放大電路11，從而提高了輸入至反相比例放大電路11的驅動能力。
[0036]結合參照圖2，圖2為圖1中的第一放大電路及第二放大電路一實施例的結構示意圖?；谏鲜鰧嵤├唧w地，第一放大電路16和第二放大電路17可以有多種實施方式，只要實現(xiàn)對輸入至反相比例放大電路11第一輸入端與第二輸入端的電壓值進行放大即可。在本實施例中，第一放大電路16和第二放大電路17為緩沖器電路，緩沖器電路包括第一 P型MOS管Pl和第一 N型MOS管NI ;第一 P型MOS管Pl的源極與外部直流電源VDD連接，第一 P型MOS管Pl的漏極與第一 N型MOS管NI的漏極連接并作為輸出端Vout，第一 P型MOS管Pl的柵極連接至第一 N型MOS管NI的柵極并作為輸入端Vin ;第一 N型MOS管NI的源極接地GND。
[0037]結合參照圖3，圖3為圖1中的反相比例放大電路一實施例的結構示意圖。具體地，反相比例放大電路11包括運算放大器AMP、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5以及第六電阻R6，第三電阻R3的一端連接至運算放大器AMP的正輸入端，另一端作為反相比例放大電路11的第一輸入端；第四電阻R4—端連接至運算放大器AMP的負輸入端，另一端作為反相比例放大電路11的第二輸入端；運算放大器AMP的正輸入端經第五電阻R5接地GND ;第六電阻R6 —端連接至運算放大器AMP的負輸入端，另一端連接至運算放大器AMP的輸出端并作為反相比例放大電路11的輸出端。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構變換，或直接或間接運用在其他相關的【技術領域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
【權利要求】
1.一種電容觸摸按鍵的檢測電路，包括一用于對按鍵進行檢測的檢測模塊，及用于接收檢測模塊輸出信號的處理模塊；其特征在于，所述檢測模塊包括用于感應人體觸摸的第一電容，用于提供參考電壓的第二電容，以及反相比例放大電路，其中，所述第一電容的正極連接至反相比例放大電路的第一輸入端，所述第二電容的正極連接至反相比例放大電路的第二輸入端；所述反相比例放大電路將第一電容與第二電容的電壓差值進行比較放大，并輸出一電壓值至所述處理模塊。
2.如權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊還包括用于為所述第一電容充電的第一供電電路，和用于為所述第二電容充電的第二供電電路，其中，所述第一供電電路的輸入端和第二供電電路的輸入端連接至外部直流電源，所述第一供電電路的輸出端連接至第一電容的正極，所述第二供電電路的輸出端連接至第二電容的正極。
3.如權利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述第一供電電路包括第一電流源，所述第一電流源的輸入端與外部直流電源連接，輸出端與第一電容的正極連接；所述第二供電電路包括第二電流源，所述第二電流源的輸入端與外部直流電源連接，輸出端與第二電容的正極連接。
4.如權利要求3所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊還包括充電控制電路，所述充電控制電路包括第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路，其中，所述第一開關電路、第二開關電路以及第三開關電路均與外部交流電源連接；當外部交流電源為低電平時，所述第二開關電路與第三開關電路斷開，所述第一開關電路導通并使所述第一電流源與外部直流電源導通，所述第一電源對第一電容充電，所述第二電源對第二電容充電；當外部交流電源為高電平時，所述第一開關電路斷開，所述第二開關電路與第三開關電路導通，所述第一電容與第二電容放電。
5.如權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊還包括采樣保持電路，所述采樣保持電路的輸入端與所述反相比例放大電路的輸出端連接，所述采樣保持電路的輸出端連接至所述處理模塊；所述采樣保持電路對反相比例放大電路的輸出信號進行采樣并進行存儲，并發(fā)送至所述處理模塊。.
6.如權利要求5所述的檢測電路，其特征在于，所述采樣保持電路包括第一傳輸門電路和用于對采樣到的電壓值進行存儲的第三電容，所述第一傳輸門電路包括第一控制端、第二控制端、輸入端以及輸出端，其中，所述外部交流電源與所述第一控制端連接，所述外部交流電源經反相器與所述第二控制端連接，所述第一傳輸門電路的輸入端與所述反相比例放大電路的輸出端連接，所述第一傳輸門電路的輸出端與所述第三電容和所述處理模塊的輸入端連接；所述外部交流電源控制第一傳輸門電路導通，第一傳輸門電路對所述反相比例放大電路輸出的電壓進行采樣并存儲至所述第三電容，所述第三電容存儲的電壓值輸出至所述處理模塊。
7.如權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊還包括用于提高電壓驅動能力的第一放大電路和第二放大電路；其中，所述第一放大電路的輸入端與所述第一電容的正極連接，輸出端與所述反相比例放大電路的第一輸入端連接；所述第二放大電路的輸入端與所述第二電容的正極連接，輸出端與所述反相比例放大電路的第二輸入端連接。
8.如權利要求7所述的檢測電路，其特征在于，所述第一放大電路和第二放大電路為緩沖器電路，所述緩沖器電路包括第一 P型MOS管和第一 N型MOS管，其中，所述第一 P型MOS管的源極與外部直流電源連接，所述第一 P型MOS管的漏極與所述第一 N型MOS管的漏極連接并作為輸出端，第一 P型MOS管的柵極連接至第一 N型MOS管的柵極并作為輸入端；所述第一 N型MOS管的源極接地。
9.如權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述反相比例放大電路包括運算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻以及第四電阻，其中，所述第一電阻一端連接至運算放大器的正輸入端，另一端作為反相比例放大電路的第一輸入端；所述第二電阻一端連接至運算放大器的負輸入端，另一端作為反相比例放大電路的第二輸入端；所述運算放大器的正輸入端經第三電阻接地；所述第四電阻一端連接至運算放大器的負輸入端，另一端連接至運算放大器的輸出端并作為反相比例放大電路的輸出端。
【文檔編號】H03K17/975GK103475352SQ201310404940
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權日:2013年9月6日
【發(fā)明者】譚遷寧 申請人:深圳市芯?？萍加邢薰?br>