自激振蕩電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自激振蕩電路，包括：振蕩部(1)，進行自激振蕩；及放大部(3)，將利用該振蕩部(1)振蕩的頻率信號放大并反饋給該振蕩部；在包含這些振蕩部(1)與放大部(3)的振蕩回路中具備共振器(5)，該共振器(5)的共振頻率在振蕩部(1)的振蕩頻率附近，且Q值高于振蕩部(1)。例如，共振器(5)的Q值為所述振蕩部(1)的Q值的10倍以上。本發(fā)明提供的自激振蕩電路，其驅(qū)動電流小且可振蕩穩(wěn)定的頻率信號。
【專利說明】自激振蕩電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有進行自激振蕩的振蕩部的自激振蕩電路。
【背景技術(shù)】
[0002]具備晶體振動器(crystal resonator)的振蕩電路在信息、通訊領(lǐng)域中被大范圍地應(yīng)用，而要求進一步的小型化、節(jié)電化，并且要求高的頻率穩(wěn)定性。一般而言，為人所周知的是，晶體振動器隨著小型化，可使其穩(wěn)定地動作的驅(qū)動電流的上限(耐驅(qū)動電流)降低。另一方面，也存在如下情況:如果考慮振蕩頻率相對于電子噪聲或溫度變化的穩(wěn)定性，則難以令使晶體振動器振蕩的驅(qū)動電流小于耐驅(qū)動電流。
[0003]例如，引用文獻I中記載有如下技術(shù):在使液體中的傳感對象物吸附在壓電振動器的表面上所形成的吸附層、來進行傳感的傳感裝置中，通過使壓電振動器振蕩的驅(qū)動電流設(shè)為0.3mA以下，而抑制壓電振動器的自發(fā)熱，從而準確地把握因傳感對象物的吸附所引起的頻率的變化量。然而，引用文獻I中，對于解決降低供給至壓電振動器的驅(qū)動電流時所產(chǎn)生的所述問題的方法未作記載。
[0004]另外，引用文獻2中記載有如下方法:在具備了由晶體振動器構(gòu)成的泛音振蕩器(overtone oscillator)的科爾皮茲(Colpitts)型振蕩電路的振蕩回路(loop)內(nèi)，設(shè)置了由晶體振動器構(gòu)成的泛音共振器、來用作使規(guī)定的泛音頻率通過的濾波器(filter)，由此，縮窄振蕩頻率的頻帶。該引用文獻2中，也未記載降低驅(qū)動電流并且獲得穩(wěn)定的振蕩頻率的技術(shù)。
[0005][現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[0006][專利文獻]
[0007][專利文獻I]日本專利特開2008-157751號公報:權(quán)利要求第I項、段落0011
[0008][專利文獻2]日本專利特開2002-232234號公報:段落0003?0013、圖3

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009][發(fā)明所要解決的問題]
[0010]本發(fā)明是在所述情況下而完成的，其目的在于提供一種自激振蕩電路，其驅(qū)動電流小且可振蕩穩(wěn)定的頻率信號。
[0011][解決問題的技術(shù)手段]
[0012]本發(fā)明的自激振蕩電路包括:振蕩部，進行自激振蕩；及放大部,將利用該振蕩部而振蕩的頻率信號放大、并反饋給該振蕩部；且所述自激振蕩電路是:
[0013]在包含所述振蕩部與放大部的振蕩回路中，設(shè)置有共振器，所述共振器的共振頻率在所述振蕩部的振蕩頻率的附近,且Q值高于所述振蕩部。
[0014]所述自激振蕩電路也可具備下述特征。
[0015](a)所述共振器的Q值為所述振蕩部的Q值的10倍以上。
[0016](b)所述振蕩部為電感電容(inductance capacitance, LC)振蕩電路、或電阻電容(resistance capacitance, RC)振蕩電路。
[0017](c)所述共振器為壓電振動器或微機電系統(tǒng)(Micro Electro MechanicalSystems, MEMS)振動器。另外,所述壓電振動器為晶體振動器。
[0018](d)所述共振器的共振頻率處于所述振蕩部的振蕩頻率的土 10%的范圍內(nèi)。
[0019](e)用以使所述振蕩部振蕩的驅(qū)動電流為0.3mA以下。
[0020][發(fā)明的效果]
[0021]根據(jù)本發(fā)明，進行自激振蕩的振蕩部可利用相對小的驅(qū)動電流進行振蕩，因此，除了可實現(xiàn)節(jié)電化以外，還不易產(chǎn)生活性下降(activity dip)或頻率下降(frequencydip)。另外，在振蕩回路中設(shè)置有Q值高于振蕩部的共振器，因此，通過該共振器的牽入現(xiàn)象(entrainment phenomenon),可使自激振蕩電路整體的頻率特性提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是表示本發(fā)明的實施方式的科爾皮茲型的自激振蕩電路。
[0023]圖2(a)、圖2(b)是設(shè)置在所述自激振蕩電路的電路零件。
[0024]圖3是所述電路零件的局部放大俯視圖。
[0025]圖4(a)、圖4(b)是構(gòu)成設(shè)置在所述自激振蕩電路的共振器的晶體振動器。
[0026]圖5是構(gòu)成所述共振器的表面聲波(Surface Acoustic Wave, SAW)振動器的第一例。
[0027]圖6是構(gòu)成所述共振器的表面聲波振動器的第二例。
[0028]圖7 (a)、圖7 (b)是構(gòu)成所述共振器的微機電系統(tǒng)振動器的示例。
[0029]圖8是所述自激振蕩電路的第一變形例。
[0030]圖9是所述自激振蕩電路的第二變形例。
[0031]圖10是所述自激振蕩電路的第三變形例。
[0032]圖11是所述自激振蕩電路的第四變形例。
[0033]圖12是皮爾斯(Pierce)型的自激振蕩電路的構(gòu)成例。
[0034]圖13是克拉普(Clapp)型的自激振蕩電路的構(gòu)成例。
[0035]圖14是巴特勒(Butler)型的自激振蕩電路的構(gòu)成例。
[0036]圖15是由電阻電容振蕩電路構(gòu)成振蕩電路部的自激振蕩電路的示例。
[0037]圖16是實施例的自激振蕩電路的溫度頻率特性。
[0038]圖17是比較例的自激振蕩電路的溫度頻率特性。
[0039]符號的說明:
[0040]1、Ia:振蕩部
[0041]3:晶體管
[0042]5:晶體振動器
[0043]6a、6b:表面聲波振動器
[0044]7:圓盤振動器
[0045]11:電感器
[0046]12、22、23、24、33、41、81:電容器
[0047]13:電阻[0048]25:反饋電阻
[0049]31、32:泄漏電阻
[0050]40:輸出端子
[0051]50:晶體片
[0052]51、52、73、74:電極
[0053]51a、52a:激振電極
[0054]5 lb、52b:引出電極
[0055]60:壓電片
[0056]61:叉指式變換器電極
[0057]62:發(fā)送電極
[0058]63:接收電極
[0059]64、75:輸入埤
[0060]65、76:輸出焊
[0061]66:光柵反射器
[0062]71:圓盤
[0063]72:支撐柱
[0064]82:可變電阻
[0065]100:電路零件
[0066]101:晶體基板
[0067]102:接觸端子
[0068]103:接地電極
[0069]201:共用電極部
[0070]202:叉指式變換器電極指
[0071]b:基極
[0072]c:集極
[0073]e:發(fā)射極
[0074]X、Y、Z:方向
【具體實施方式】
[0075]圖1是表示本發(fā)明的自激振蕩電路的實施方式的電路圖。圖1的電路構(gòu)成為科爾皮茲型的振蕩電路，振蕩部I是將電感器(inductor) 11與電容器(condenser) 12串聯(lián)連接而成的電感電容振蕩電路。振蕩部I的一端側(cè)連接在作為放大部的負極-正極-負極(negative-positive-negative, NPN)型晶體管(transistor) 3 的基極(base)。晶體管 3用以將利用振蕩部I振蕩的頻率信號放大、并反饋給該振蕩部I。在晶體管3的基極側(cè)，與振蕩部I并聯(lián)地設(shè)置有分壓用電容器23、分壓用電容器24的串聯(lián)電路，這些電容器23、電容器24的中間點連接在晶體管3的發(fā)射極(emitter)。
[0076]另外,通過直流電源部Vcc而對泄漏電阻(bleeder resistance) 31、泄漏電阻32的串聯(lián)電路施加+Vcc的直流電壓，泄漏電阻31、泄漏電阻32的中間點的電壓供給至晶體管3的基極。33為電容器，25為反饋電阻。[0077]另一方面，晶體管3的發(fā)射極側(cè)是:經(jīng)由用以提取輸出頻率信號的電容器41而連接在輸出端子40。
[0078]在具備所述構(gòu)成的本例的振蕩電路中，為了實現(xiàn)裝置(device)的小型化，例如電感器11、電容器12、分壓用電容器23、分壓用電容器24構(gòu)成為共用的電路零件100。如圖2 (a)、圖2 (b)、圖3所示，電路零件100是:通過光刻法(photolithography)等,對成膜在例如數(shù)mm見方左右的尺寸的晶體基板101上的金屬膜進行蝕刻(etching)而形成。
[0079]晶體基板101例如為AT切割(At-cut)晶體板，相對介電常數(shù)ε成為4.0左右，電能(energy)的損耗(介電損耗因數(shù)(dielectric dissipation factor):tan3)成為
0.00008左右。因此，該晶體基板101的Q值成為12500(=1/0.00008)左右。
[0080]另外，所述各電容器12、電容器22、電容器23在圖2(a)中簡化地描畫，但實際上如圖3的放大圖所示，例如，包括梳齒電極，該梳齒電極包含:一對共用電極部201，以相互平行的方式形成；及叉指式變換器(interdigital transducer, IDT)電極指202群，自這些共用電極部201以呈梳齒狀相互交叉的方式伸出；且各個共用電極部201連接在下述的接觸端子102或電感器11。
[0081]另一方面，電感器11包括:作為導電線路的帶狀線(stripline),另外,連接有電容器12、電容器23的電極膜為接地電極103 ;以與這些接地電極103或電感器11、電容器
22、電容器23接觸的方式而設(shè)置的凸部為接觸端子102。此外，圖2(b)表示沿圖2(a)所示的A-A線切割電路零件100而得的縱截側(cè)視圖。
[0082]如此，通過將包含振蕩部I的電路部分形成在介電損耗因數(shù)極小(Q值高)的晶體基板101上，與例如在現(xiàn)有使用的氟樹脂基板(Q值=1000)形成該電路部分的情況相比，可遍及寬的頻帶，而能夠?qū)⑾辔辉肼曇种茷闃O低(詳細而言，參照日本專利特開2011-82710的圖10及其相關(guān)記載)。
[0083]另外，可通過光刻法將振蕩部I (電感器11、電容器12)、電容器22、電容器23單芯片(one-chip)化，因此，可構(gòu)成小型且也耐物理性沖擊等的電路零件100。
[0084]但是，所述電路零件100表示一個優(yōu)選例，當然，也可在通常的氟樹脂基板上等排列電感器11或電容器12、及其他電路部分的元件，而構(gòu)成圖1所記載的自激振蕩電路。
[0085]如以上所說明，具備了包含電感電容振蕩電路的振蕩部I的自激振蕩電路，與例如以晶體振動器作為振蕩部的晶體振蕩電路相比,可利用小的驅(qū)動電流產(chǎn)生頻率信號。特別是具有如下優(yōu)點:在以小的驅(qū)動電流振蕩的電感電容振蕩電路，不易產(chǎn)生對晶體振動器施加連續(xù)的溫度變化時所產(chǎn)生的急劇的頻率變動或電阻變動(活性下降、頻率下降)。
[0086]另一方面，一般而言，將電感電容振蕩電路作為振蕩部I的自激振蕩電路,與晶體振蕩電路相比頻率穩(wěn)定性差，因此，存在晶體振蕩電路比電感電容振蕩電路更大范圍地得到應(yīng)用的實際情況。因此，本例的自激振蕩電路在如下方面具有特征:如圖1所示，通過在電容器23、電容器24的中間點與晶體管3的發(fā)射極之間設(shè)置共振器(晶體振動器5)，而使自激振蕩電路整體的頻率穩(wěn)定性提高。
[0087]如圖4 (a)所示，設(shè)置在本例的自激振蕩電路的晶體振動器5，是在AT切割的短條型的晶體片50的正背兩面,設(shè)置有相互成對的電極51、電極52。這些電極51、電極52分別包括:矩形的激振電極5Ia (激振電極52a)、及自該激振電極5Ia (激振電極52a)引出的引出電極51b (引出電極52b)。晶體片50的正面?zhèn)鹊囊鲭姌O51b引繞至背面?zhèn)?，因此，在背面?zhèn)瘸蔀橐鲭姌O51b、引出電極52b排列配置在平面上相互不同的位置的狀況。
[0088]對在本自激振蕩電路的振蕩回路中，設(shè)置有具備所述構(gòu)成的晶體振動器5的情況下的作用進行敘述。例如，在振蕩20MHz?30MHz的頻率信號的自激振蕩電路的情況下，電感電容振蕩電路的Q值為100?1000左右，另一方面，晶體振動器5獲得IO4?IO6級(order)的高Q值。
【發(fā)明者】們發(fā)現(xiàn)，如果將如此具有高Q值的晶體振動器5設(shè)置在包含振蕩部1(電感電容振蕩電路)與放大部(晶體管3)的振蕩回路中，則受到由晶體振動器5產(chǎn)生的牽入現(xiàn)象(同步現(xiàn)象)的影響，而使振蕩回路整體的頻率穩(wěn)定性提高。換言之，通過設(shè)置晶體振動器5，能夠如將振蕩回路中的電感電容振蕩電路的Q值替換為晶體振動器5的Q值般，使自激振蕩電路工作。
[0089]此處，自激振蕩電路的振蕩是通過振蕩部I的電感電容振蕩電路來進行，設(shè)置在振蕩回路中的晶體振動器5只不過是作為使規(guī)定頻率的頻率信號通過的濾波器來發(fā)揮作用。因此，可令使振蕩部I振蕩的驅(qū)動電流降低至0.3mA以下，優(yōu)選為0.2mA?0.3mA的范圍，也確認到即便在該條件下進行振蕩，也不易產(chǎn)生活性下降或頻率下降。
[0090]晶體振動器5的共振頻率優(yōu)選為與振蕩部I的振蕩頻率一致，但即便在不一致的情況下，晶體振動器5的共振頻率只要是在振蕩部I的振蕩頻率的附近亦可?！熬w振動器5的共振頻率在振蕩部I的振蕩頻率的附近”，是指利用振蕩部I振蕩的頻率信號的至少一部分可通過晶體振動器5，且振蕩回路可進行振蕩。在該觀點下，只要晶體振動器5的共振頻率處于振蕩部I的振蕩頻率的±10%的范圍內(nèi)，則能以振蕩部I的振蕩頻率使振蕩回路振蕩而獲得頻率信號。
[0091]根據(jù)本實施方式所涉及的自激振蕩電路，具有以下效果。由于具備了包含進行自激振蕩的電感電容振蕩電路的振蕩部1，因此，除了可減小驅(qū)動電流而實現(xiàn)節(jié)電化以外，還不易產(chǎn)生活性下降或頻率下降。另外，由于在振蕩回路中設(shè)置Q值高于振蕩部I的共振器(晶體振動器5)，因此，可利用該共振器的牽入現(xiàn)象，而使自激振蕩電路整體的頻率特性提聞。
[0092]此外，圖1中設(shè)置晶體振動器5的位置，與【背景技術(shù)】中所列舉的專利文獻2 (日本專利特開2002-232234)的圖3所記載的晶體振蕩電路中設(shè)置泛音共振器(晶體振動器)的位置一致。然而，引用文獻2中所記載的泛音共振器是作為濾波器來設(shè)置的裝置，該濾波器用以自利用構(gòu)成振蕩器的其他晶體振動器振蕩的包含泛音的頻率信號，進行使規(guī)定次數(shù)的泛音通過的波形整形。另一方面，在將電感電容振蕩電路設(shè)為振蕩部I的情況下，使不包含泛音而波形整齊的頻率信號進行振蕩，因此，就波形整形的觀點而言，無需設(shè)置濾波器。如此，本例的晶體振動器5是為了獲得牽入現(xiàn)象這一單獨的作用而設(shè)置者，作用與引用文獻2中所記載的泛音共振器不同。
[0093]此處，設(shè)置在自激振蕩電路的振蕩回路中的共振器，只要為具有至少比振蕩部I的Q值高的Q值的共振器，則可發(fā)揮利用牽入現(xiàn)象使頻率特性提高的作用。實用上，只要設(shè)置具有例如振蕩部I的Q值的10倍以上的Q值的共振器，則可更顯著地使頻率穩(wěn)定性提高。
[0094]在該觀點下，如所述般具有極高的Q值的晶體振動器5，可說為適于本自激振蕩電路的頻率穩(wěn)定化的共振器。此處，可應(yīng)用于本發(fā)明的晶體振動器5并不限定于圖4(a)、圖4(b)所示的利用厚度切變振動(thickness-shear vibration)的AT切割的晶體振動器5?？筛鶕?jù)振蕩部I的振蕩頻率等，利用各種切割(SC切割、X切割等)、形狀(圓板形狀或音叉形狀等)的晶體振動器5。
[0095]另外，設(shè)置在振蕩回路內(nèi)的共振器的種類并不限定于利用晶體的晶體振動器5，也可為利用其他種類的壓電材料的壓電振動器等。例如可例示:利用鋯鈦酸鉛(leadzirconate titanate, PZT)等的陶瓷(ceramic)振動器、或通過電磁場共振使介電體共振器共振的介電體濾波器等。
[0096]進而，利用這些壓電材料的振動器并不限定于使用體波(bulk wave)的振動器，如圖5、圖6所示，也可為使用表面聲波的振動器。圖5中，60為包含壓電材料的壓電片，在該壓電片60設(shè)置有表面聲波振動器6a。該表面聲波振動器6a是在壓電片60的表面,沿表面聲波的傳播方向排列配置有發(fā)送電極62及接收電極63，所述發(fā)送電極62及接收電極63包含:各個叉指式變換器電極61。自輸入埠(input port)64輸入的頻率信號中，由叉指式變換器電極61的構(gòu)成而決定的共振頻率的信號是:以大的電力強度自輸出埠(outputport) 65輸出。另外，圖6的表面聲波振動器6b為縱向I禹合型的振動器，圖6中與圖5為相同符號的部分，表不共用的構(gòu)成兀件。66為光柵(Grating)反射器,61為叉指式變換器電極。
[0097]此外，設(shè)置在自激振蕩電路的振蕩回路中的共振器并不限定于壓電振動器，也可使用包含機械要素部的微機電系統(tǒng)振動器。在圖7(a)、圖7(b)中，表示有將由支撐柱72支撐的圓板狀的圓盤(disk) 71設(shè)為機械要素部，且在與該圓盤71之間隔開間隙而設(shè)置有四個電極73、電極74的圓盤振動器7。四個電極73、電極74每兩個成為一對，這兩組電極73、電極74 (第一電極73、第二電極74)配置在夾持圓盤71而相互交叉的方向上。
[0098]而且，如果對于連接在第一電極73的該對的輸入埠75、與連接在第二電極74的該對的輸出埠76之間輸入規(guī)定頻率的頻率信號，則對應(yīng)于圓盤71與電極73、電極74之間的靜電電容的變化，而在圓盤71產(chǎn)生酒杯模式(wine-glass mode)的振動,從而圓盤71作為振動器發(fā)揮作用。
[0099]本例中，可設(shè)置在自激振蕩電路的振蕩回路中的共振器，也并不限定于圖7(a)、圖7(b)所示的圓盤振動器7的示例，當然也可使用包含其他形狀的機械要素部的微機電系統(tǒng)振動器。
[0100]其次，對自激振蕩電路的變化(variations)進行說明。圖8是以共振頻率的頻率調(diào)整為目的，而將電容器81串聯(lián)連接在晶體振動器5的后級的示例。該電容器81也可與晶體振動器5并聯(lián)連接，但串聯(lián)連接的頻率調(diào)整范圍比并聯(lián)連接的頻率調(diào)整范圍更廣。
[0101]另外，如圖9所示，也可在頻率調(diào)整用的電容器81的后級設(shè)置驅(qū)動電流控制用的可變電阻82，關(guān)于該電容器81，也可相對于晶體振動器5并聯(lián)連接(圖10)。圖10的示例中，可變電阻82為了避免對設(shè)置在晶體管3的發(fā)射極側(cè)的反饋電阻25造成影響，而連接在分壓用電容器23、分壓用電容器24與晶體振動器5之間。
[0102]以上，在圖1、圖8、圖9、圖10中，表示有將晶體振動器5設(shè)置在分壓用的電容器23、電容器24與晶體管3的發(fā)射極之間的示例，但設(shè)置晶體振動器5的位置只要是在包含振蕩部I與放大部(晶體管3)的振蕩回路中，則并不限定于該位置。如圖11所示，也可在晶體管3的集極(collector)與泄漏電阻31之間設(shè)置晶體振動器5。
[0103]進而，自激振蕩電路的種類并不限定于科爾皮茲型。也可在圖12所示的皮爾斯(Pierce)型的自激振湯電路的振湯回路中設(shè)直共振器(例如晶體振動器5),也可在圖13所示的克拉普(Clapp)型的自激振蕩電路、或圖14所示的巴特勒(Butler)型的自激振蕩電路的振蕩回路中設(shè)置共振器。此處，在圖12、圖13、圖14的各圖中，與晶體管3 —并標記的b、c、e的符號分別表示基極、集極、發(fā)射極。
[0104]進而，自激振蕩電路的振蕩部并不限定于包括電感電容振蕩電路的情況，也可使用電容電阻(capacitance resistance,CR)振蕩電路。圖15中為如下自激振蕩電路:將連接有3級包含電容器12(C)與電阻13 (R)的電路部分的電容電阻振蕩電路設(shè)為振蕩部la，在包含該振蕩部Ia與放大部(晶體管3)的振蕩回路中設(shè)置有牽入用的共振器(晶體振動器5)。
[0105][實施例]
[0106](實驗)
[0107]比較在振蕩回路中設(shè)置有晶體振動器5的自激振蕩電路、與現(xiàn)有的晶體振蕩電路的振蕩頻率的溫度特性。
[0108]A.實驗條件
[0109](實施例)由電感電各振湯電路構(gòu)成振湯部I，使在振湯回路中設(shè)直有晶體振動器5的圖1的自激振蕩電路在_30°C?+85°C的溫度條件下振蕩，來計測頻率溫度特性。振蕩部I的振蕩頻率為26.0MHz，驅(qū)動電流為0.26mA,晶體振動器5使用AT切割且共振頻率為26.0MHz。使自晶體振動器5觀察的主動電路側(cè)(包含振蕩部1、泄漏電阻31、泄漏電阻32、分壓用電容器23、分壓用電容器24的電路側(cè))的負載電容成分與比較例一致。頻率的測定是基于國際標準(國際電工委員會(International Electrotechnical Commission,IEC) 60444-7)來進行。
[0110](比較例)代替電感電容振蕩電路，而使用除了以下方面以外，具備與實施例相同的電路構(gòu)成的晶體振蕩電路，在與實施例相同的條件下計測頻率溫度特性，所述晶體振蕩電路是在振蕩部設(shè)置AT切割、26.0MHz的晶體振動器，且不設(shè)置牽入用的晶體振動器5。
[0111]B.實驗結(jié)果
[0112]將實施例的結(jié)果示于圖16，將比較例的結(jié)果示于圖17。這些圖中，橫軸表示溫度[°c ]，縱軸表示頻率偏差(頻率變化量df相對于振蕩頻率f的比df/f) [ppm]。
[0113]根據(jù)圖16所示的實施例的結(jié)果，在0.26mA的低驅(qū)動電流下，遍及寬的溫度范圍(_30°C?+85°C )而頻率偏差的值收斂在O?+0.1 [ppm]的范圍內(nèi)，從而發(fā)揮穩(wěn)定的頻率溫度特性。
[0114]另一方面，比較例中，為使該晶體振蕩電路穩(wěn)定地振蕩，不僅需要1.0mA的與實施例相比高的驅(qū)動電流，而且當溫度條件超過+70°C時(圖17中以虛線包圍來表示)，觀察到頻率偏差在+0.5?-0.2[ppm]左右急劇變動的活性下降、頻率下降。自比較這些實施例與比較例的結(jié)果也可說，在振蕩部I設(shè)置進行自激振蕩的電感電容振蕩電路，且在振蕩回路中設(shè)置有共振器(晶體振動器5)的自激振蕩電路，可在驅(qū)動電流低的條件下發(fā)揮穩(wěn)定的頻率溫度特性。
【權(quán)利要求】
1.一種自激振蕩電路，包括:振蕩部，進行自激振蕩；及放大部，將利用該振蕩部振蕩的頻率信號放大、并反饋給所述振蕩部；所述自激振蕩電路的特征在于: 在包含所述振蕩部與所述放大部的振蕩回路中，設(shè)置有共振器， 所述共振器的共振頻率在所述振蕩部的振蕩頻率的附近，且Q值高于所述振蕩部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自激振蕩電路，其特征在于:所述共振器的Q值為所述振蕩部的Q值的10倍以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自激振蕩電路，其特征在于:所述振蕩部為電感電容振蕩電路或電阻電容振蕩電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自激振蕩電路，其特征在于:所述共振器為壓電振動器或微機電系統(tǒng)振動器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自激振蕩電路，其特征在于:所述壓電振動器為晶體振動器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自激振蕩電路，其特征在于:所述共振器的共振頻率處于所述振蕩部的振蕩頻率的±10%的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自激振蕩電路，其特征在于:用以使所述振蕩部振蕩的驅(qū)動電流為0.3mA以下。
【文檔編號】H03B5/20GK103812444SQ201310547163
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月7日
【發(fā)明者】小山光明, 武藤猛, 石川學 申請人:日本電波工業(yè)株式會社