半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路及其測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路的輸出電流能力調(diào)整為期望的特性的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路及其測(cè)試方法。本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具有：驅(qū)動(dòng)電路（2），其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備（1）進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；輸入電路（3），其向驅(qū)動(dòng)電路（2）發(fā)出控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電源（4），其使驅(qū)動(dòng)電路（2）的輸出級(jí)（21至28）進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及控制電源（5），其與驅(qū)動(dòng)電源（4）獨(dú)立地設(shè)置，并使輸入電路（3）進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，在測(cè)試時(shí)僅使驅(qū)動(dòng)電源（4）的驅(qū)動(dòng)電壓降低，基于輸出級(jí)（21至28）的5極管區(qū)域中的電流能力，調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路（2）的電流能力。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路及其測(cè)試方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)例如在高電壓電路中為了對(duì)負(fù)載進(jìn)行驅(qū)動(dòng)而配置的半導(dǎo)體設(shè)備的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路及其測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路具有:驅(qū)動(dòng)電路，其具有MOSFET (Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)的輸出級(jí)；輸入電路,其對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行波形整形；以及驅(qū)動(dòng)電源，其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路及輸入電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2001 - 016082號(hào)公報(bào)
[0004]專利文獻(xiàn)2:日本特開平7 - 122985號(hào)公報(bào)
[0005]在現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路中，在對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流能力(釋出(source)(供給)或引入(sink)(吸入)電流的能力，以下統(tǒng)稱為電流能力)進(jìn)行測(cè)試評(píng)價(jià)的情況下，由于正常動(dòng)作時(shí)的電源電壓過(guò)高，且必須對(duì)較大的電流值進(jìn)行測(cè)定，測(cè)定時(shí)的消耗電力變得過(guò)大，因此，無(wú)法直接評(píng)價(jià)驅(qū)動(dòng)電路的電流能力。因此，由于驅(qū)動(dòng)電路和輸入電路由共用的驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此測(cè)定MOSFET輸出級(jí)的3極管區(qū)域中的導(dǎo)通電阻，基于該導(dǎo)通電阻評(píng)價(jià)電流能力。但是，在該評(píng)價(jià)方法中，存在測(cè)定值波動(dòng)大，無(wú)法測(cè)定準(zhǔn)確的電流能力的問(wèn)題。另外，對(duì)于MOSFET輸出級(jí)的電流能力，有時(shí)因制造波動(dòng)而得不到期望的電流能力。當(dāng)前使用激光修整等方法，該激光修整方法基于制成的半導(dǎo)體元件的各種特性的測(cè)定結(jié)果，通過(guò)利用激光切斷配線圖案等而進(jìn)行調(diào)整，以得到期望的特性(驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流能力的設(shè)計(jì)值)，但在將本方法用于MOSFET輸出級(jí)的電流能力的調(diào)整的情況下，以上述的MOSFET輸出級(jí)的電流能力評(píng) 價(jià)方法無(wú)法測(cè)定準(zhǔn)確的電流能力，因此，難以將電流能力準(zhǔn)確地調(diào)整為期望的特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明就是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路的電流能力調(diào)整為期望的特性的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路及其測(cè)試方法。
[0007]為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具有:驅(qū)動(dòng)電路，其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；輸入電路，其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電源，其使驅(qū)動(dòng)電路的MOSFET輸出級(jí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及控制電源，其與驅(qū)動(dòng)電源獨(dú)立設(shè)置，并使輸入電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，該半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路在測(cè)試時(shí)僅使驅(qū)動(dòng)電源的驅(qū)動(dòng)電壓降低，基于MOSFET輸出級(jí)的5極管區(qū)域中的電流能力，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的電流能力進(jìn)行調(diào)整。
[0008]發(fā)明的效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，由于具有:驅(qū)動(dòng)電路，其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；輸入電路，其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)電源，其使驅(qū)動(dòng)電路的MOSFET輸出級(jí)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及控制電源，其與驅(qū)動(dòng)電源獨(dú)立設(shè)置，并使輸入電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，且本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路在測(cè)試時(shí)僅使驅(qū)動(dòng)電源的驅(qū)動(dòng)電壓降低，基于MOSFET輸出級(jí)的5極管區(qū)域中的電流能力，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的電流能力進(jìn)行調(diào)整，因此，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路的電流能力調(diào)整為期望的特性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0011]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0012]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0013]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0014]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0015]圖6是表示前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0016]標(biāo)號(hào)的說(shuō)明
[0017]I半導(dǎo)體設(shè)備，2驅(qū)動(dòng)電路，3輸入電路，4驅(qū)動(dòng)電源，5控制電源，6測(cè)試電路，7直流電流計(jì)，8電流檢測(cè)電路，9直流電流計(jì)，10電流檢測(cè)電路，11直流電流計(jì)，12SiC設(shè)備，13驅(qū)動(dòng)電源，21至28輸出級(jí)，61、62輸出級(jí)，81輸出級(jí)，101輸出級(jí)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面，基于附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0019]<前提技術(shù)>
[0020]首先，對(duì)本發(fā)明的前提技術(shù)進(jìn)行說(shuō)明。
[0021]圖6是表示前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0022]如圖6所示，前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路具有:驅(qū)動(dòng)電路2，其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備I進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；輸入電路3，其將輸入信號(hào)進(jìn)行波形整形后輸入至驅(qū)動(dòng)電路2 ;以及驅(qū)動(dòng)電源13，其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2及輸入電路3進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0023]半導(dǎo)體設(shè)備I是為了例如對(duì)高電壓電路中的負(fù)載進(jìn)行驅(qū)動(dòng)而設(shè)置的，由N溝道型的MOSFET構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體設(shè)備I也可以由P溝道型的MOSFET構(gòu)成。
[0024]驅(qū)動(dòng)電路2具有輸出級(jí)21至28。各組合即輸出級(jí)21及輸出級(jí)22、輸出級(jí)23及輸出級(jí)24、輸出級(jí)25及輸出級(jí)26、輸出級(jí)27及輸出級(jí)28構(gòu)成CMOSFET (ComplementaryM0SFET)，該CMOSFET作為逆變器(inverter)起作用。此外，逆變器的級(jí)數(shù)是任意的。
[0025]在前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路中，在對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行測(cè)試評(píng)價(jià)的情況下，由于無(wú)法對(duì)正常動(dòng)作的高電壓動(dòng)作時(shí)的驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行直接評(píng)價(jià)，因此，測(cè)定輸出級(jí)21至28的3極管區(qū)域中的導(dǎo)通電阻，基于該導(dǎo)通電阻而對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，由于該評(píng)價(jià)方法是對(duì)3極管區(qū)域中的導(dǎo)通電阻進(jìn)行測(cè)定，因此，會(huì)出現(xiàn)即使基于評(píng)價(jià)進(jìn)行了調(diào)整，驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力仍達(dá)不到期望的特性(驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力的設(shè)計(jì)值)的問(wèn)題。
[0026]本發(fā)明就是為了解決上述問(wèn)題而提出的，下面對(duì)其詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。[0027]〈實(shí)施方式I>
[0028]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0029]如圖1所示,本實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路具有:驅(qū)動(dòng)電路2,其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備I進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；輸入電路3，其將對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行波形整形得到的信號(hào)設(shè)為控制信號(hào)，施加給驅(qū)動(dòng)電路2 ;驅(qū)動(dòng)電源4，其使驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21至28 (MOSFET輸出級(jí))進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及控制電源5，其與驅(qū)動(dòng)電源獨(dú)立設(shè)置，使輸入電路3進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0030]下面，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力的調(diào)整方法(半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法)進(jìn)行說(shuō)明。
[0031]首先，作為針對(duì)當(dāng)前制造的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)先對(duì)驅(qū)動(dòng)電源4的驅(qū)動(dòng)電壓為低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力、和驅(qū)動(dòng)電壓為正常驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力之間的相關(guān)性進(jìn)行檢驗(yàn)。
[0032]然后，在各制成的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試時(shí)，對(duì)驅(qū)動(dòng)電源4的驅(qū)動(dòng)電壓為低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力進(jìn)行測(cè)定。此時(shí)，在半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路中，僅使驅(qū)動(dòng)電源4的驅(qū)動(dòng)電壓降低。因此，由于各輸出級(jí)21至28的Vds (漏極一源極間電壓)和Vgs (柵極一源極間電壓)等量下降，因此，能夠在維持5極管區(qū)域的狀態(tài)下減小各輸出級(jí)21至28的電流能力。
[0033]然后，相對(duì)于預(yù)先檢驗(yàn)過(guò)的低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力，通過(guò)修整而將測(cè)定得到的低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力調(diào)整為期望的特性。此時(shí)，通過(guò)參考預(yù)先檢驗(yàn)出的相關(guān)性，能夠調(diào)整正常驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力。即，通過(guò)基于測(cè)定的低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力，參考預(yù)先檢驗(yàn)出的相關(guān)性，對(duì)正常驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力進(jìn)行調(diào)整，從而能夠?qū)︱?qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行調(diào)整。在此,作為修整的方法,可以舉出例如激光修整等已知的方法。具體來(lái)說(shuō),例如，將配線圖案中的由鋁配線構(gòu)成的熔絲(fuse)切斷。通過(guò)上述方法，鋁配線變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，能夠切換信號(hào)。即，輸出級(jí)21、22分別由多個(gè)MOSFET的并聯(lián)連接構(gòu)成，為了對(duì)在輸出級(jí)流過(guò)的電流量進(jìn)行調(diào)整，對(duì)于所述多個(gè)M0SFET，分別通過(guò)使上述熔絲斷開/短路而選擇其動(dòng)作(接受輸入信號(hào)而接通/斷開)或不動(dòng)作(不管輸入信號(hào)如何，始終斷開)，確定所述輸出級(jí)21、22中的所述多個(gè)MOSFET的并聯(lián)連接數(shù)量，對(duì)電流值進(jìn)行調(diào)整。
[0034]由以上說(shuō)明可知，根據(jù)本實(shí)施方式1，在測(cè)試時(shí)僅使驅(qū)動(dòng)電源4的驅(qū)動(dòng)電壓降低，基于輸出級(jí)21至28的5極管區(qū)域中的電流能力，調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21、22的電流能力，因此，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路2的電流能力調(diào)整為期望的特性。
[0035]〈實(shí)施方式2>
[0036]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0037]如圖2所示，本實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具有測(cè)試電路6，該測(cè)試電路6具有與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21、22 (MOSFET輸出級(jí))相對(duì)應(yīng)的輸出級(jí)61,62 (測(cè)試MOSFET輸出級(jí))，并由驅(qū)動(dòng)電源4驅(qū)動(dòng)。
[0038]測(cè)試電路6的輸出級(jí)61、62，在布置上各自與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21、22配對(duì)，輸出級(jí)61、62的電流能力是輸出級(jí)21、22的電流能力的I/η。另外，測(cè)試電路6與用于測(cè)定從該測(cè)試電路6輸出的電流的直流電流計(jì)7連接。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I相同，因此在此省略說(shuō)明。在此，所謂輸出級(jí)配對(duì)，是指輸出級(jí)以承受同樣的工藝誤差的方式彼此對(duì)應(yīng)(例如接近)地配置的狀態(tài)。
[0039]下面，對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力的調(diào)整方法(半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法)進(jìn)行說(shuō)明。在圖2中，驅(qū)動(dòng)電路2及輸入電路3進(jìn)行與實(shí)施方式I相同的動(dòng)作。另外，輸入至測(cè)試電路6的輸出級(jí)61、62的柵極的控制信號(hào)，與輸入至驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21、22的柵極的控制信號(hào)相對(duì)應(yīng)。即，輸出級(jí)61、62與輸出級(jí)21、22共用驅(qū)動(dòng)電壓。
[0040]首先，由直流電流計(jì)7測(cè)定輸出級(jí)61、62的電流能力。
[0041]然后，確認(rèn)所測(cè)定的輸出級(jí)61、62的電流能力與期望的特性的差X [%]。
[0042]然后，針對(duì)輸出級(jí)21、22的電流能力，通過(guò)修整而對(duì)上述的差x[%]進(jìn)行調(diào)整。SP，基于所測(cè)定的輸出級(jí)61、62的電流能力和輸出級(jí)61、62的電流能力的設(shè)計(jì)值，調(diào)整輸出級(jí)2U22的電流能力。通過(guò)對(duì)輸出級(jí)21、22的電流能力進(jìn)行調(diào)整，從而調(diào)整從驅(qū)動(dòng)電路2輸出的電流能力。
[0043]由以上說(shuō)明可知，根據(jù)本實(shí)施方式2，基于測(cè)試電路6的輸出級(jí)61、62的電流能力而對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21、22的電流能力進(jìn)行調(diào)整，因此，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路2的電流能力調(diào)整為期望的特性。
[0044]此外，在實(shí)施方式2中，說(shuō)明了測(cè)試電路6和驅(qū)動(dòng)電路2電源共用的情況，但也可以使測(cè)試電路6和驅(qū)動(dòng)電路2的電源獨(dú)立，在上述測(cè)試時(shí)，僅使測(cè)試電路6進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0045]<實(shí)施方式3>
[0046]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0047]如圖3所示，本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具有電流檢測(cè)電路8 (第I電流檢測(cè)電路)，該電流檢測(cè)電路8具有與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21至28中的N溝道的輸出級(jí)22 (N溝道MOSFET輸出級(jí))相對(duì)應(yīng)的輸出級(jí)81 (第I晶體管)，由驅(qū)動(dòng)電源4驅(qū)動(dòng)。
[0048]電流檢測(cè)電路8的輸出級(jí)81，在布置上與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)22配對(duì)，輸出級(jí)81的電流能力(引入能力)是輸出級(jí)22的電流能力(引入能力)的I/η。另外，電流檢測(cè)電路8的電阻Rl和電阻R2在布置上配對(duì)。電流檢測(cè)電路8與用于測(cè)定從該電流檢測(cè)電路8輸出的電流的直流電流計(jì)9連接。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I相同，因此在此省略說(shuō)明。
[0049]下面，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力的調(diào)整方法(半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法)進(jìn)行說(shuō)明。在圖3中，驅(qū)動(dòng)電路2及輸入電路3進(jìn)行與實(shí)施方式I相同的動(dòng)作。另外，輸入至電流檢測(cè)電路8的輸出級(jí)81的柵極的控制信號(hào)，與輸入至驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)22的柵極的控制信號(hào)相對(duì)應(yīng)。即，輸出級(jí)81與輸出級(jí)22共用驅(qū)動(dòng)電壓。
[0050]首先，使短路電流流過(guò)電流檢測(cè)電路8的輸出級(jí)81，由直流電流計(jì)9測(cè)定將該短路電流以R1/R2分流而從電流檢測(cè)電路8輸出的電流能力。
[0051]然后，確認(rèn)所測(cè)定的輸出級(jí)81的電流能力與期望的特性的差X [%]。
[0052]然后，針對(duì)輸出級(jí)22的電流能力，通過(guò)修整而對(duì)上述的差X [%]進(jìn)行調(diào)整。S卩，基于所測(cè)定的輸出級(jí)81的電流能力和輸出級(jí)81的電流能力的設(shè)計(jì)值,調(diào)整輸出級(jí)22的電流能力。通過(guò)對(duì)輸出級(jí)22的電流能力進(jìn)行調(diào)整，從而調(diào)整從驅(qū)動(dòng)電路2輸出的電流能力。
[0053]由以上說(shuō)明可知，根據(jù)本實(shí)施方式3，基于電流檢測(cè)電路8的輸出級(jí)81的電流能力而對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行調(diào)整，因此，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路2的電流能力調(diào)整為期望的特性。
[0054]此外，在實(shí)施方式3中，說(shuō)明了電流檢測(cè)電路8和驅(qū)動(dòng)電路2電源共用的情況，但也可以使電流檢測(cè)電路8和驅(qū)動(dòng)電路2的電源獨(dú)立，在上述測(cè)試時(shí)，僅使電流檢測(cè)電路8進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0055]<實(shí)施方式4>
[0056]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0057]如圖4所示，本實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的特征在于，具有電流檢測(cè)電路10 (第2電流檢測(cè)電路)，該電流檢測(cè)電路10具有與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21至28中的P溝道的輸出級(jí)21 (P溝道MOSFET輸出級(jí))相對(duì)應(yīng)的輸出級(jí)101 (第2晶體管)，并由驅(qū)動(dòng)電源4驅(qū)動(dòng)。
[0058]電流檢測(cè)電路10的輸出級(jí)101，在布置上與驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21配對(duì)，輸出級(jí)101的電流能力(釋出能力)是輸出級(jí)21的電流能力(釋出能力)的I/η。電流檢測(cè)電路10的電阻Rl和電阻R2在布置上配對(duì)。另外，電流檢測(cè)電路10與用于測(cè)定從該電流檢測(cè)電路10輸出的電流的直流電流計(jì)11連接。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I相同，因此在此省略說(shuō)明。
[0059]下面，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力的調(diào)整方法(半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法)進(jìn)行說(shuō)明。在圖4中，驅(qū)動(dòng)電路2及輸入電路3進(jìn)行與實(shí)施方式I相同的動(dòng)作。另外，輸入至電流檢測(cè)電路10的輸出級(jí)101的柵極的控制信號(hào)，與輸入至驅(qū)動(dòng)電路2的輸出級(jí)21的柵極的控制信號(hào)相對(duì)應(yīng)。即，輸出級(jí)101與輸出級(jí)21共用驅(qū)動(dòng)電壓。
[0060]首先，使短路電流流過(guò)電流檢測(cè)電路10的輸出級(jí)101，由直流電流計(jì)11測(cè)定將該電流以R1/R2分流而從電流檢測(cè)電路10輸出的電流能力。
[0061]然后，確認(rèn)所測(cè)定的輸出級(jí)101的電流能力與期望的特性的差X [%]。
[0062]然后，針對(duì)輸出級(jí)21的電流能力，通過(guò)修整而對(duì)上述的差X [%]進(jìn)行調(diào)整。S卩，基于所測(cè)定的輸出級(jí)101的電流能力和輸出級(jí)101的電流能力的設(shè)計(jì)值,調(diào)整輸出級(jí)21的電流能力。通過(guò)對(duì)輸出級(jí)21的電流能力進(jìn)行調(diào)整，從而調(diào)整從驅(qū)動(dòng)電路2輸出的電流能力。
[0063]由以上說(shuō)明可知，根據(jù)本實(shí)施方式4，基于電流檢測(cè)電路10的輸出級(jí)101的電流能力而對(duì)驅(qū)動(dòng)電路2的電流能力進(jìn)行調(diào)整，因此，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路2的電流能力調(diào)整為期望的特性。
[0064]此外，在實(shí)施方式4中，說(shuō)明了電流檢測(cè)電路10和驅(qū)動(dòng)電路2電源共用的情況，但也可以使電流檢測(cè)電路10和驅(qū)動(dòng)電路2的電源獨(dú)立，在上述測(cè)試時(shí)，僅使電流檢測(cè)電路10進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0065]<實(shí)施方式5>
[0066]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的圖。
[0067]如圖5所示，在本實(shí)施方式5所涉及的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路中，其特征在于，驅(qū)動(dòng)對(duì)象是SiC設(shè)備12。其它結(jié)構(gòu)及動(dòng)作與實(shí)施方式I相同，因此在此省略說(shuō)明。
[0068]由以上說(shuō)明可知，根據(jù)本實(shí)施方式5，即使半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)對(duì)象是以更高電壓、高電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的SiC設(shè)備12，也能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)電路2的電流能力調(diào)整為期望的特性。
[0069]此外，本發(fā)明可在其發(fā)明范圍內(nèi)，對(duì)各實(shí)施方式進(jìn)行自由組合，或?qū)Ω鲗?shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖冃位蚴÷浴?br> 【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，具有: 驅(qū)動(dòng)電路(2)，其對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備(I)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)； 輸入電路(3)，其向所述驅(qū)動(dòng)電路(2)發(fā)出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 驅(qū)動(dòng)電源(4)，其使所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的MOSFET輸出級(jí)(21至28)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及 控制電源(5 )，其與所述驅(qū)動(dòng)電源(4 )獨(dú)立地設(shè)置，使所述輸入電路(3 )進(jìn)行驅(qū)動(dòng)， 在測(cè)試時(shí)僅使所述驅(qū)動(dòng)電源(4)的驅(qū)動(dòng)電壓降低，基于所述MOSFET輸出級(jí)(21至28)的5極管區(qū)域中的電流能力，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力。
2.—種權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法，其具有: (a)預(yù)先檢驗(yàn)所述驅(qū)動(dòng)電源(4)的所述驅(qū)動(dòng)電壓為低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力、和所述驅(qū)動(dòng)電壓為正常驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力之間的相關(guān)性的工序； (b)在所述測(cè)試時(shí)，測(cè)定所述驅(qū)動(dòng)電源(4)的所述驅(qū)動(dòng)電壓為低驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的電流能力的工序；以及 (C)基于在所述工序(b)中測(cè)定的電流能力，參考在所述工序(a)中檢驗(yàn)出的所述相關(guān)性，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電壓為正常驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 還具有測(cè)試電路(6 )，該測(cè)試電路(6 )具有與所述MOSFET輸出級(jí)(21、22 )相對(duì)應(yīng)的測(cè)試MOSFET輸出級(jí)(61、62)，并由所述驅(qū)動(dòng)電源(4)驅(qū)動(dòng)， 基于所述測(cè)試MOSFET輸出級(jí)(61、62 )的電流能力，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2 )的電流能力。
4.一種權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法，其具有: (a)測(cè)定所述測(cè)試MOSFET輸出級(jí)(61、62)的電流能力的工序；以及 (b)基于所述測(cè)試MOSFET輸出級(jí)(61、62)的電流能力的設(shè)計(jì)值和在所述工序(a)中測(cè)定的電流能力之間的誤差，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 還具有第I電流檢測(cè)電路(8)，該第I電流檢測(cè)電路(8)具有與所述MOSFET輸出級(jí)(21至28)中的N溝道MOSFET輸出級(jí)(22)相對(duì)應(yīng)的第I晶體管(81 )，并由所述驅(qū)動(dòng)電源(4)驅(qū)動(dòng)， 基于所述第I晶體管(81)的電流能力，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力。
6.一種權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法，其具有: Ca)測(cè)定所述第I晶體管(81)的電流能力的工序；以及 (b)基于所述第I晶體管(81)的電流能力的設(shè)計(jì)值和在所述工序(a)中測(cè)定的電流能力之間的誤差，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2 )的電流能力的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 還具有第2電流檢測(cè)電路(10)，該第2電流檢測(cè)電路(10)具有與所述MOSFET輸出級(jí)(21至28)中的P溝道MOSFET輸出級(jí)(21)相對(duì)應(yīng)的第2晶體管(101 )，并由所述驅(qū)動(dòng)電源(4)驅(qū)動(dòng)， 基于所述第2晶體管(101)的電流能力，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力。
8.—種權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路的測(cè)試方法，其具有: Ca)測(cè)定所述第2晶體管(101)的電流能力的工序；以及 (b)基于所述第2晶體管(101)的電流能力的設(shè)計(jì)值和在所述工序(a)中測(cè)定的電流能力之間的誤差，調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)電路(2)的電流能力的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、3、5、7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述半導(dǎo)體設(shè)備(I)是SiC 設(shè)備(12)。
【文檔編號(hào)】H03K19/0944GK103825602SQ201310577129
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月16日
【發(fā)明者】平田大介 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社