專利名稱：一種e波段多芯片集成倍頻模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種基于多芯片集成技術(shù)的E波段倍頻模塊，用做E波段收發(fā)前端的本振。
背景技術(shù)：
微波是常見的無線通信技術(shù)，以其遠距離、大容量、部署快捷、抗損強的特點被廣泛應(yīng)用于各類通信系統(tǒng)的中繼和回傳。持續(xù)的移動寬帶的承載需求，常規(guī)6GHz 38GHz的微波頻譜資源已經(jīng)被迅速消耗殆盡，微波通信向更高頻段擴展已成為必然趨勢。E波段微波早在2001年和2003年被ITU-R (國際電聯(lián)無線組織)所發(fā)布，主要包括60GHz和80GHz的高頻段微波通信，60GHz免費頻段較早為軍方和行業(yè)客戶使用，對運營商來說，80GHz微波頻段將會是重要的無線傳輸手段。E波段微波頻段由71G 76G/81G 86G頻譜資源構(gòu)成的，既是目前民用微波通信領(lǐng)域發(fā)布的最高傳送頻段，也是迄今為止ITU-R —次性發(fā)放的頻譜資源中波道間隔最大的一次。該頻段擁有IOGHz的收發(fā)間隔(TR間隔)，以及總共5GHz的可調(diào)制帶寬。按照IHz傳送Ibit這樣最基本的傳送能力計算，5GHz的頻帶寬度使得G比特(Gbps)級高速率傳輸成為可能，這是以往常規(guī)低頻段的微波無法實現(xiàn)的。E波段具有更寬的可調(diào)制波道間隔，故E波段頻段的微波通信系統(tǒng)天然具有傳輸G比特以上業(yè)務(wù)容量的能力。以ECC (歐洲電子通信委員會)對80GHz頻段的定義為例，其建議的最小波道間隔為250MHz，整個5GHz的可用調(diào)制頻段劃被分成了 19個子頻段，傳輸業(yè)務(wù)時使用的波道間隔可以是I 4個250MHz子頻段的組合，當(dāng)最多4個250MHz子頻段組合在一起時，可調(diào)波道間隔最大可以達到1GHz，采用一定的更高階調(diào)制方式后，E波段微波可以實現(xiàn)I 5Gbps的高容量傳輸。近年來，隨著無線通信網(wǎng)絡(luò)從GSM、UMTS發(fā)展到LTE，回傳網(wǎng)絡(luò)所需要的承載帶寬需求大幅增長。對電信運營商而言，E波段微波的應(yīng)用無疑拓寬了無線傳輸緊張的頻率資源，特別是對于無線網(wǎng)絡(luò)未來大量部署的LTE基站，E波段能以更寬的頻譜資源滿足其超大帶寬的承載需求。目前，許多國家已經(jīng)開放了 E波段頻段的使用限制，各國紛紛開始進行E波段微波用于無線下一代無線回傳網(wǎng)絡(luò)的研制及試驗。目前應(yīng)用面臨的困難主要在于毫米波模塊的集成度低，造成系統(tǒng)電路復(fù)雜，體積大，從而影響整體性能。

實用新型內(nèi)容發(fā)明目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型提供一種基于多芯片集成技術(shù)的E波段倍頻模塊，用做E波段收發(fā)前端的本振；其在一個模塊中實現(xiàn)了 X波段到E波段的倍頻功能，大幅提高了模塊集成度。技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為:一種E波段多芯片集成倍頻模塊，包括金屬上基座、金屬下基座和倍頻電路，所述金屬上基座和金屬下基座拼合后內(nèi)部形成倍頻通道的容腔，所述倍頻電路包括依次電氣連接的輸入端、第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)、第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)和輸出端，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)和第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)設(shè)置在倍頻通道的容腔內(nèi)，所述輸入端為標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭，所述輸出端為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)，且輸入端和輸出端分別設(shè)置在金屬上基座和金屬下基座拼合后形成結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)面。優(yōu)選的，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A和帶通濾波電路，所述第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片B和放大芯片，所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路、降高波導(dǎo)電路和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路；所述倍頻電路中所有使用的芯片均為毫米波砷化鎵芯片，且各芯片和/或電路之間通過金絲鍵合實現(xiàn)電氣連接。具體的，所述倍頻通道的容腔的底部設(shè)置有直流電源板，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A和帶通濾波電路；所述倍頻芯片A的輸入端通過第一鍵合金絲A與微帶傳輸線電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲A與帶通濾波電路電氣連接、直流端通過第三鍵合金絲A與芯片電容A電氣連接；所述芯片電容A通過第四鍵合金絲A與直流偏置電路A電氣連接，直流偏置電路A通過第五鍵合金絲A與直流絕緣子A電氣連接，直流絕緣子A與直流電源板直通；所述微帶傳輸線與輸入端電氣連接。優(yōu)選的，所述芯片電容A、直流絕緣子A和帶通濾波電路均設(shè)置在倍頻芯片A的上側(cè)。具體的，所述倍頻通道的容腔的底部設(shè)置有直流電源板，所述第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片B和放大芯片，所述倍頻芯片B的輸入端通過第一鍵合金絲B與第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲B與放大芯片的輸入端電氣連接，放大芯片的輸出端通過第三鍵合金絲B與第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)電氣連接；所述放大芯片一側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲BI和第五鍵合金絲BI與第一芯片電容BI和第二芯片電容BI電氣連接，所述第一芯片電容BI和第二芯片電容BI分別通過第六鍵合金絲BI和第七鍵合金絲BI與直流偏置電路BI電氣連接，所述直流偏置電路BI分別通過第八鍵合金絲BI和第九鍵合金絲BI與第一直流絕緣子BI和第二直流絕緣子BI電氣連接，所述第一直流絕緣子BI和第二直流絕緣子BI與直流電源板直通；所述放大芯片另一側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲B2和第五鍵合金絲B2與第一芯片電容B2和第二芯片電容B2電氣連接，所述第一芯片電容B2和第二芯片電容B2分別通過第六鍵合金絲B2和第七鍵合金絲B2與直流偏置電路B2電氣連接，所述直流偏置電路B2分別通過第八鍵合金絲B2和第九鍵合金絲B2與第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2電氣連接，所述第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2與直流電源板直通。具體的，所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路、降高波導(dǎo)電路和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路，其中降高波導(dǎo)電路和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路構(gòu)成輸出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，且扇形微帶波導(dǎo)過渡電路具有寬度特性；這樣第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)就具有寬帶特性，能夠覆蓋70GHz 90GHz頻率范圍。優(yōu)選的，所述金屬上基座和金屬下基座通過第一定位銷和第二定位銷拼合。優(yōu)選的，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A和帶通濾波電路，所述帶通濾波電路的厚度為127 254 μ m，優(yōu)選帶通濾波電路的材料為低耗介質(zhì)材料。優(yōu)選的，所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路、降高波導(dǎo)電路和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路，所述扇形微帶波導(dǎo)過渡電路的厚度為127 254 μ m,優(yōu)選扇形微帶波導(dǎo)過渡電路的材料為低耗介質(zhì)材料。本案所需的電源電壓一般小于5V，電源電流一般小于300mA ;其倍頻放大功能通過倍頻芯片和放大芯片實現(xiàn)，結(jié)構(gòu)緊湊并且能夠大幅減小電路面積，輸出雜波小于_30dBc ；且本案的端口性能良好，在進行輸出電路設(shè)計時，對電路結(jié)構(gòu)進行協(xié)同設(shè)計并綜合考慮了端口匹配，明顯減弱了端口駐波，端口性能大幅提高。采用本案結(jié)構(gòu)設(shè)計的E波段倍頻模塊:在輸入頻率范圍11.4GHz 13.3GHz，輸出頻率范圍70GHz 80GHz(覆蓋71GHz 76GHz)，輸入信號功率6dBm條件下，輸出信號功率為14dBm ;在輸入頻率范圍13.3GHz 15GHz，輸出頻率范圍80GHz 90GHz(覆蓋81GHz 86GHz)，輸入信號功率6dBm條件下，輸出信號功率14dBm。有益效果:本實用新型提供的E波段多芯片集成倍頻模塊，具有結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高等優(yōu)點，同時采用標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)能夠易于外接各類測試線纜及測試設(shè)備；且成本低、一致性好、便于規(guī)模制造。

圖1為本實用新型的外形結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為設(shè)置有倍頻電路的金屬下基座的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為設(shè)置有直流電源板的金屬下基座的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖4為第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為實施實例I輸出功率結(jié)果；圖7為實施實例2輸出功率結(jié)果。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作更進一步的說明。如圖1到圖5所示為種E波段多芯片集成倍頻模塊，包括金屬上基座11、金屬下基座12和倍頻電路，所述金屬上基座11和金屬下基座12拼合后內(nèi)部形成倍頻通道的容腔，所述倍頻電路包括依次電氣連接的輸入端、第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)、第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)和輸出端，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)和第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)設(shè)置在倍頻通道的容腔內(nèi)，所述輸入端為標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭1，所述輸出端為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)100，且輸入端和輸出端分別設(shè)置在金屬上基座11和金屬下基座12拼合后形成結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)面。所述倍頻通道的容腔的底部設(shè)置有直流電源板110，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A3和帶通濾波電路4，所述第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片B5和放大芯片6，所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路7、降高波導(dǎo)電路81和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路82 ;所述倍頻電路中所有使用的芯片均為毫米波砷化鎵芯片，且各芯片和/或電路之間通過金絲鍵合實現(xiàn)電氣連接。第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu): 所述倍頻芯片A3的輸入端通過第一鍵合金絲A31與微帶傳輸線2電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲A32與帶通濾波電路4電氣連接、直流端通過第三鍵合金絲A33與芯片電容A34電氣連接；所述芯片電容A34通過第四鍵合金絲A35與直流偏置電路A36電氣連接，直流偏置電路A36通過第五鍵合金絲A37與直流絕緣子A38電氣連接，直流絕緣子A38與直流電源板110直通；所述微帶傳輸線2與輸入端電氣連接。所述芯片電容A34、直流絕緣子A38和帶通濾波電路4均設(shè)置在倍頻芯片A3的上側(cè)。第二級倍頻放大結(jié)構(gòu):所述倍頻芯片B5的輸入端通過第一鍵合金絲B51與帶通濾波電路4電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲B52與放大芯片6的輸入端電氣連接,放大芯片6的輸出端通過第三鍵合金絲B61與扇形微帶波導(dǎo)過渡電路7電氣連接；所述放大芯片6 —側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲B162和第五鍵合金絲B163與第一芯片電容B164和第二芯片電容B165電氣連接，所述第一芯片電容B164和第二芯片電容B165分別通過第六鍵合金絲B166和第七鍵合金絲B167與直流偏置電路B168電氣連接，所述直流偏置電路B168分別通過第八鍵合金絲B1691和第九鍵合金絲B1692與第一直流絕緣子B1693和第二直流絕緣子B1694電氣連接，所述第一直流絕緣子B1693和第二直流絕緣子B1694與直流電源板110直通；所述放大芯片6另一側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲B2和第五鍵合金絲B2與第一芯片電容B2和第二芯片電容B2電氣連接，所述第一芯片電容B2和第二芯片電容B2分別通過第六鍵合金絲B2和第七鍵合金絲B2與直流偏置電路B2電氣連接，所述直流偏置電路B2分別通過第八鍵合金絲B2和第九鍵合金絲B2與第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2電氣連接，所述第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2與直流電源板110直通。第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu):降高波導(dǎo)電路81和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路82構(gòu)成輸出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，且扇形微帶波導(dǎo)過渡電路7具有寬度特性。金屬上基座11和金屬下基座12通過第一定位銷91和第二定位銷92拼合,金屬上基座11和金屬下基座12可以通過精密數(shù)控銑然后表面鍍金的方式加工生產(chǎn)，金屬上基座11和金屬下基座12的材料優(yōu)選為銅材料，當(dāng)然也可以選擇其他金屬材料比如鋁等。微帶傳輸線2、帶通濾波電路4和扇形微帶波導(dǎo)過渡電路7可以通過在厚度為127 254 μ m的低耗介質(zhì)材料進行刻蝕、鍍金、打孔、沖模等工序得到；本例中的倍頻芯片A3、倍頻芯片B5和放大芯片6采用了砷化鎵芯片，當(dāng)然還可以根據(jù)具體指標(biāo)要求，選擇氮化鎵、磷化銦芯片或硅基芯片，從而實現(xiàn)更好的倍頻放大性能。如圖6、圖7所示為本例的性能數(shù)據(jù)結(jié)果:圖7為輸入功率為5mW條件下在70GHz 80GHz范圍內(nèi)的輸出功率結(jié)果，從曲線可見IOGHz帶寬范圍內(nèi)輸出功率高于14mW，同時無明顯駐波；圖8為輸入功率為5mW條件下在80GHz 90GHz范圍內(nèi)的輸出功率結(jié)果，從曲線可見IOGHz帶寬范圍內(nèi)，輸出功率高于14mW，結(jié)果表明，在70GHz 80GHz和80GHz 90GHz頻段上保持相當(dāng)好的倍頻性能與優(yōu)越的端口特性，模塊性能優(yōu)良。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出:對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:包括金屬上基座(11)、金屬下基座(12)和倍頻電路，所述金屬上基座(11)和金屬下基座(12)拼合后內(nèi)部形成倍頻通道的容腔，所述倍頻電路包括依次電氣連接的輸入端、第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)、第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)和輸出端，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)和第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)設(shè)置在倍頻通道的容腔內(nèi)，所述輸入端為標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭(I )，所述輸出端為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)(100)，且輸入端和輸出端分別設(shè)置在金屬上基座(11)和金屬下基座(12)拼合后形成結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A (3)和帶通濾波電路(4)，所述第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片B (5)和放大芯片(6)，所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路(7 )、降高波導(dǎo)電路(81)和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路(82 );所述倍頻電路中所有使用的芯片均為毫米波砷化鎵芯片，且各芯片和/或電路之間通過金絲鍵合實現(xiàn)電氣連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述倍頻通道的容腔的底部設(shè)置有直流電源板(110)，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A (3)和帶通濾波電路(4);所述倍頻芯片A (3)的輸入端通過第一鍵合金絲A (31)與微帶傳輸線(2)電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲A (32)與帶通濾波電路(4)電氣連接、直流端通過第三鍵合金絲A (33)與芯片電容A (34)電氣連接；所述芯片電容A (34)通過第四鍵合金絲A (35)與直流偏置電路A (36)電氣連接，直流偏置電路A (36)通過第五鍵合金絲A (37)與直流絕緣子A (38)電氣連接，直流絕緣子A (38)與直流電源板(110)直通；所述微帶傳輸線(2)與輸入端電氣連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的 E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述芯片電容A (34)、直流絕緣子A (38) 和帶通濾波電路(4)均設(shè)置在倍頻芯片A (3)的上側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述倍頻通道的容腔的底部設(shè)置有直流電源板(110)，所述第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片B (5)和放大芯片(6)，所述倍頻芯片B (5)的輸入端通過第一鍵合金絲B (51)與第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)電氣連接、輸出端通過第二鍵合金絲B (52)與放大芯片(6)的輸入端電氣連接，放大芯片(6)的輸出端通過第三鍵合金絲B (61)與第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)電氣連接；所述放大芯片(6) —側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲BI (62)和第五鍵合金絲BI (63)與第一芯片電容BI (64)和第二芯片電容BI (65)電氣連接，所述第一芯片電容BI (64)和第二芯片電容BI (65)分別通過第六鍵合金絲BI (66)和第七鍵合金絲BI (67)與直流偏置電路BI (68)電氣連接，所述直流偏置電路BI (68)分別通過第八鍵合金絲BI (691)和第九鍵合金絲BI (692)與第一直流絕緣子BI (693)和第二直流絕緣子BI (694)電氣連接，所述第一直流絕緣子BI (693)和第二直流絕緣子BI (694)與直流電源板(110)直通；所述放大芯片(6)另一側(cè)的直流端分別通過第四鍵合金絲B2和第五鍵合金絲B2與第一芯片電容B2和第二芯片電容B2電氣連接，所述第一芯片電容B2和第二芯片電容B2分別通過第六鍵合金絲B2和第七鍵合金絲B2與直流偏置電路B2電氣連接，所述直流偏置電路B2分別通過第八鍵合金絲B2和第九鍵合金絲B2與第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2電氣連接，所述第一直流絕緣子B2和第二直流絕緣子B2與直流電源板(I 10)直通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路(7)、降高波導(dǎo)電路(81)和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路(82)，其中降高波導(dǎo)電路(81)和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路(82)構(gòu)成輸出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，且扇形微帶波導(dǎo)過渡電路(7)具有寬度特性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述金屬上基座(11)和金屬下基座(12)通過第一定位銷(91)和第二定位銷(92)拼合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)包括倍頻芯片A(3)和帶通濾波電路(4)，所述帶通濾波電路(4)的厚度為127 254 μ m0
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的E波段多芯片集成倍頻模塊，其特征在于:所述第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)包括扇形微帶波導(dǎo)過渡電路(7)、降高波導(dǎo)電路(81)和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)電路(82)，所述扇形微帶波導(dǎo)過渡電路(7)的厚度為127 254 μ m。
專利摘要本實用新型公開了一種E波段多芯片集成倍頻模塊，包括金屬上基座、金屬下基座和倍頻電路，所述金屬上基座和金屬下基座拼合后內(nèi)部形成倍頻通道的容腔，所述倍頻電路包括依次電氣連接的輸入端、第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)、第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)和輸出端，所述第一級倍頻及濾波結(jié)構(gòu)、第二級倍頻放大結(jié)構(gòu)和第三級輸出微帶波導(dǎo)過渡結(jié)構(gòu)設(shè)置在倍頻通道的容腔內(nèi)，所述輸入端為標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭，所述輸出端為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)。本實用新型提供的E波段多芯片集成倍頻模塊，具有結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高等優(yōu)點，同時采用標(biāo)準(zhǔn)SMA接頭和標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)法蘭結(jié)構(gòu)能夠易于外接各類測試線纜及測試設(shè)備；且成本低、一致性好、便于規(guī)模制造。
文檔編號H03B19/00GK203057071SQ201320013860
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者楊非, 王宗新, 孟洪福, 崔鐵軍, 孫忠良 申請人:東南大學(xué)