基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊，包括射頻電路板、電源電路板、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板、五孔射頻模塊、雙排50針插座、電源穿心電容，射頻電路板分別連接五孔射頻模塊、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板和電源電路板，電源電路板分別與電源穿心電容和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板，雙排50針插座和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板。本實(shí)用新型極大地降低了高頻頻綜模塊的相位噪聲；具有安裝方便牢固的優(yōu)點(diǎn)，便于批量生產(chǎn)，抗震性能更佳；具有很好的雜散抑制，其頻率準(zhǔn)確度更是達(dá)到了1Hz左右；使用直接數(shù)字頻率合成技術(shù)，可以通過(guò)向AD9852ASQ的寄存器送數(shù)來(lái)改變其頻率，步進(jìn)1Hz，使用MCU控制的跳頻和鎖相具有更快的跳頻速度，平均只要1ms。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種微波混合集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及的是一種基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]直接數(shù)字頻率合成(DDS)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新的頻率合成技術(shù)，其主要優(yōu)點(diǎn)是相對(duì)帶寬很大，頻率轉(zhuǎn)換時(shí)間極短(可小于20ns)，頻率分辨率很高，全數(shù)字化結(jié)構(gòu)便于集成，輸出相位連續(xù)可調(diào)，且頻率、相位和幅度均可實(shí)現(xiàn)程控。DDS能夠與計(jì)算機(jī)技術(shù)緊密結(jié)合在一起，克服了模擬頻率合成和鎖相頻率合成等傳統(tǒng)頻率合成技術(shù)電路復(fù)雜、設(shè)備體積較大、成本較高的不足，因此它是一種很有發(fā)展前途的頻率合成技術(shù)。AD9852ASQ是近年推出的高速DDS芯片，具有小型化和高性能等特點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種基于直接數(shù)字頻率合成的聞?lì)l頻綜1旲塊。
[0004]本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型包括射頻電路板、電源電路板、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板、五孔射頻模塊、雙排50針插座、電源穿心電容，射頻電路板分別連接五孔射頻模塊、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板和電源電路板，電源電路板分別與電源穿心電容和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板，雙排50針插座和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板。
[0005]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述電源電路板和射頻電路板之間分別設(shè)有12V直流通道、5V直流通道和3.3V直流通道。
[0006]本實(shí)用新型高頻頻綜模塊的頻率分辨率為100Hz，這是主波振蕩器輸出信號(hào)的最小步進(jìn)，通過(guò)換算后要求AD9852ASQ輸出信號(hào)的頻率分辨率為12.5Hz。AD9852ASQ存在相位截?cái)嗾`差，導(dǎo)致輸出頻率與標(biāo)稱(chēng)頻率之間存在頻率誤差。在控制數(shù)據(jù)中四舍五入，相位截?cái)嗾`差引起的頻率誤差可控制在IHz以?xún)?nèi)，對(duì)頻率分辨率精度影響不大，從測(cè)試結(jié)果看能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)。通過(guò)對(duì)AD9852ASQ控制數(shù)據(jù)的修正、混頻環(huán)節(jié)的頻率規(guī)劃，設(shè)計(jì)出的頻綜在頻率重調(diào)離散性和頻率準(zhǔn)確度方面都滿(mǎn)足了指標(biāo)要求。
[0007]本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型具有低雜散、高頻率準(zhǔn)確度和高穩(wěn)定度的優(yōu)點(diǎn):本高頻頻綜模塊極大地降低了高頻頻綜模塊的相位噪聲；具有安裝方便牢固的優(yōu)點(diǎn)，便于批量生產(chǎn)，抗震性能更佳；本高頻頻綜模塊具有很好的雜散抑制，其頻率準(zhǔn)確度更是達(dá)到了 IHz左右；本高頻頻綜模塊使用直接數(shù)字頻率合成技術(shù)，可以通過(guò)向AD9852ASQ的寄存器送數(shù)來(lái)改變其頻率，步進(jìn)1Hz，使用MCU控制的跳頻和鎖相具有更快的跳頻速度，平均只要1ms。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0009]圖2是本實(shí)用新型的裝配流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施例在以本實(shí)用新型技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
[0011]如圖1所示，本實(shí)施例包括射頻電路板1、電源電路板2、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板3、五孔射頻模塊4、雙排50針插座5、電源穿心電容6，射頻電路板I分別連接五孔射頻模塊4、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板3和電源電路板2，電源電路板2分別與電源穿心電容6和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板3，雙排50針插座5和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板3。所述電源電路板2和射頻電路板I之間分別設(shè)有12V直流通道、5V直流通道和3.3V直流通道。
[0012]如圖2所示，本實(shí)施例裝配流程為:
[0013]1、進(jìn)行射頻電路板I的焊接，再進(jìn)行電源電路板2的焊接，將射頻電路板I和電源電路板2電源電路板2 —起裝在腔體內(nèi)；
[0014]2、制作同軸電纜線，制作五孔射頻模塊4;將上述部分在頻綜的底板上進(jìn)行統(tǒng)一的裝配；
[0015]3、將控制程序燒入MCU之中，用邏輯分析儀檢查其送數(shù)邏輯有無(wú)錯(cuò)誤；
[0016]4、將聞?lì)l頻綜I旲塊進(jìn)彳丁封蓋處理；
[0017]5、將公司的商標(biāo)打印在模塊表面；
[0018]6、進(jìn)行復(fù)測(cè)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊，其特征在于，包括射頻電路板(I)、電源電路板(2)、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板(3)、五孔射頻模塊(4)、雙排50針插座(5)、電源穿心電容(6)，射頻電路板(I)分別連接五孔射頻模塊(4)、信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板(3)和電源電路板(2)，電源電路板(2 )分別與電源穿心電容(6 )和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板(3 )，雙排50針插座(5 )和信號(hào)轉(zhuǎn)接電路板(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于直接數(shù)字頻率合成的高頻頻綜模塊，其特征在于，所述電源電路板(2)和射頻電路板(I)之間分別設(shè)有12V直流通道、5V直流通道和3.3V直流通道。
【文檔編號(hào)】H03L7/16GK203466799SQ201320544434
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
【發(fā)明者】吳華夏, 劉勁松, 王 華, 王景伋, 蔡慶剛, 孫龍飛 申請(qǐng)人:安徽華東光電技術(shù)研究所