一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述裝置包括同名端相反的均流電抗器和與所述電抗器連接的晶閘管閥串并聯(lián)支路；所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。本實(shí)用新型中的技術(shù)方案減少晶閘管閥串并聯(lián)混合使用時(shí)的支路過(guò)多問(wèn)題；通過(guò)串聯(lián)均流電抗器的方式，強(qiáng)迫均流；采用晶閘管閥并聯(lián)支路共用一個(gè)同名端相反的均流電抗器的方式，達(dá)到良好的均流效果；通過(guò)選配反向恢復(fù)電荷相差較小、且通態(tài)伏安特性也相差較小的晶閘管，保證均流和均壓使用的可靠性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶閘管裝置，更具體涉及一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置?！颈尘凹夹g(shù)】:
[0002]近年來(lái)，隨著超高壓和特高壓技術(shù)的不斷推廣實(shí)施，大功率晶閘管的應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣，其所承受的電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力也隨需要越來(lái)越高。而現(xiàn)有的6英寸大功率晶閘管的通流能力已不能夠滿足愈發(fā)嚴(yán)苛的使用要求，在大功率整流裝置中，已有將幾只晶閘管并聯(lián)使用的實(shí)例，但對(duì)于每個(gè)并聯(lián)支路來(lái)說(shuō)，一般都只設(shè)有1-2只晶閘管。而對(duì)于高電壓等級(jí)、大電流的晶閘管閥體來(lái)說(shuō)，由于需要使得所選的晶閘管功率高，且高電壓下使用的晶閘管子串聯(lián)層數(shù)也多，使得現(xiàn)有的晶閘管并聯(lián)使用已不能滿足需求；如果將晶閘管串聯(lián)與并聯(lián)混合使用，則對(duì)均壓和均流的要求都很高，不然很容易出現(xiàn)電流偏置或電壓分配不均的現(xiàn)象。因此，在大功率電力電子應(yīng)用領(lǐng)域中，還沒(méi)有將多層級(jí)的晶閘管串并聯(lián)使用的先例。
實(shí)用新型內(nèi)容:
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，該裝置保證了大功率晶閘管多層級(jí)的串并聯(lián)混合的時(shí)均壓和均流的可靠性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述裝置包括同名端相反的均流電抗器和與所述電抗器連接的晶閘管閥串并聯(lián)支路；所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。
[0006]本實(shí)用新型提供的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路。
[0007]本實(shí)用新型提供的另一優(yōu)選的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路，所述晶閘管閥串聯(lián)支路由晶閘管串聯(lián)而成。
[0008]本實(shí)用新型提供的再一優(yōu)選的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述每個(gè)晶閘管并聯(lián)I個(gè)RC回路，所述RC回路包括串聯(lián)連接的電容和電阻。
[0009]本實(shí)用新型提供的又一優(yōu)選的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路為兩個(gè)反向晶閘管閥串支路。
[0010]本實(shí)用新型提供的又一優(yōu)選的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述串聯(lián)晶閘管的參數(shù)為反向恢復(fù)電荷相差不大于150 μ As，通態(tài)峰值電壓相差不大于0.1V，導(dǎo)通門(mén)檻電壓相差不大于0.05V。
[0011]本實(shí)用新型提供的又一優(yōu)選的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，所述晶閘管包括管蓋、管體、管座、設(shè)置在管體內(nèi)的硅片和設(shè)置在所述硅片上下的鑰片；所述硅片包括長(zhǎng)基區(qū)、設(shè)置在所述長(zhǎng)基區(qū)上下的短基區(qū)1、短基區(qū)2、設(shè)置在所述短基區(qū)I上的擴(kuò)磷區(qū)和設(shè)置所述短基區(qū)2下方的濃硼擴(kuò)散區(qū)。
[0012]和最接近的現(xiàn)有技術(shù)比，本實(shí)用新型提供技術(shù)方案具有以下優(yōu)異效果:
[0013]1、本實(shí)用新型中的技術(shù)方案解決了在一些特殊的大電流使用條件下，現(xiàn)有晶閘管電流等級(jí)不能滿足使用要求的問(wèn)題；
[0014]2、本實(shí)用新型中技術(shù)方案解決了大功率晶閘管在多層級(jí)的串并聯(lián)混合使用時(shí)，均壓和均流的問(wèn)題；
[0015]3、本實(shí)用新型中技術(shù)方案中減少晶閘管閥串并聯(lián)混合使用時(shí)的支路過(guò)多問(wèn)題；通過(guò)串聯(lián)均流電抗器的方式，強(qiáng)迫均流；
[0016]4、本實(shí)用新型中技術(shù)方案中將晶閘管閥并聯(lián)支路共用一個(gè)同名端相反的均流電抗器的方式，達(dá)到良好的均流效果；
[0017]5、本實(shí)用新型中技術(shù)方案中通過(guò)選配反向恢復(fù)電荷相差較小、且通態(tài)伏安特性也相差較小的晶閘管，保證均流和均壓使用的可靠性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型大功率晶閘管閥并聯(lián)支路結(jié)構(gòu)意圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]實(shí)施例1:
[0022]如圖1-2所示，本例的實(shí)用新型大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置包括同名端相反的均流電抗器和與所述電抗器連接的晶閘管閥串并聯(lián)支路；所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。本實(shí)施例中所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路。本實(shí)施例中所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路，所述2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路為兩個(gè)反向晶閘管閥串支路，所述晶閘管閥串聯(lián)支路由晶閘管串聯(lián)而成。
[0023]所述每個(gè)晶閘管并聯(lián)I個(gè)RC回路，所述RC回路包括串聯(lián)連接的電容和電阻。
[0024]所述串聯(lián)晶閘管的參數(shù)為反向恢復(fù)電荷相差不大于150 μ As，通態(tài)峰值電壓相差不大于0.1V，導(dǎo)通門(mén)檻電壓相差不大于0.05V,以保證均流和均壓使用的可靠性。
[0025]所述晶閘管包括管蓋、管體、管座、設(shè)置在管體內(nèi)的硅片和設(shè)置在所述硅片上下的鑰片；所述硅片包括長(zhǎng)基區(qū)、設(shè)置在所述長(zhǎng)基區(qū)上下的短基區(qū)1、短基區(qū)2、設(shè)置在所述短基區(qū)I上的擴(kuò)磷區(qū)和設(shè)置所述短基區(qū)2下方的濃硼擴(kuò)散區(qū)。
[0026]最后應(yīng)該說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)其限制，盡管參照上述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:依然可以對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行修改或者等同替換，而未脫離本實(shí)用新型精神和范圍的任何修改或者等同替換，其均應(yīng)涵蓋在本權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述裝置包括同名端相反的均流電抗器和與所述電抗器連接的晶閘管閥串并聯(lián)支路；所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。
2.如權(quán)利要求1所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述晶閘管閥串并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥并聯(lián)支路。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括至少2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路。
4.如權(quán)利要求3所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述晶閘管閥并聯(lián)支路包括2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路，所述晶閘管閥串聯(lián)支路由晶閘管串聯(lián)而成。
5.如權(quán)利要求4所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述每個(gè)晶閘管并聯(lián)I個(gè)RC回路，所述RC回路包括串聯(lián)連接的電容和電阻。
6.如權(quán)利要求4所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述2個(gè)晶閘管閥串聯(lián)支路為兩個(gè)反向晶閘管閥串支路。
7.如權(quán)利要求4或5所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述串聯(lián)晶閘管的參數(shù)為反向恢復(fù)電荷相差不大于150yAs，通態(tài)峰值電壓相差不大于0.1V，導(dǎo)通門(mén)濫電壓相差不大于0.05V。
8.如權(quán)利要求4或5所述的一種大功率晶閘管閥串并聯(lián)裝置，其特征在于:所述晶閘管包括管蓋、管體、管座、設(shè)置在管體內(nèi)的硅片和設(shè)置在所述硅片上下的鑰片；所述硅片包括長(zhǎng)基區(qū)、設(shè)置在所述長(zhǎng)基區(qū)上下的短基區(qū)1、短基區(qū)2、設(shè)置在所述短基區(qū)I上的擴(kuò)磷區(qū)和設(shè)置所述短基區(qū)2下方的濃硼擴(kuò)散區(qū)。
【文檔編號(hào)】H03K19/08GK203563049SQ201320699558
【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】郎平, 袁洪亮, 常忠, 張雷 申請(qǐng)人:國(guó)家電網(wǎng)公司, 國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院, 中電普瑞科技有限公司