本發(fā)明屬于電子元件印刷線路板的技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異散熱性能的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板。

背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，電子封裝變得更輕、更薄、更小、功能更強(qiáng)，逐步滿足人類對(duì)便捷、舒適、強(qiáng)大功能的追求，同時(shí)也對(duì)電子封裝提出了更高的要求。電子元件功耗的增加必然會(huì)導(dǎo)致電路發(fā)熱量的提高，從而使工作溫度不斷上升。一般來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體器件中，溫度每升高18℃，失效的可能性就增加2～3倍。因此散熱成為制約電子元件向高功率化發(fā)展的瓶頸問(wèn)題。當(dāng)前，散熱問(wèn)題無(wú)疑已成為擺在電子設(shè)計(jì)者們面前的最大挑戰(zhàn)之一。一方面隨著印刷線路板向著高密度、高精度、小型多層SMT方向的不斷發(fā)展,元器件的安裝空間大幅減少；而另一方面對(duì)功率元器件的功率要求卻又越來(lái)越高。小空間大功率不可避免地產(chǎn)生更多的熱量聚集，造成元器件電氣性能下降甚至毀損。早先的解決辦法是采用冷卻硬件或陶瓷功能塊散熱，前者本身需要大量空間，而后者更由于陶瓷的熱膨脹系數(shù)較大，而不能形成大的陶瓷絕緣層，而如果陶瓷絕緣層大于一定尺寸時(shí)在反復(fù)多次的冷熱循環(huán)中焊點(diǎn)處由于應(yīng)力易形成裂紋或脫落而導(dǎo)致連接失效甚至容易引起短路而失效。另外，隨著電子元器件的引腳越來(lái)越多的參與散熱，要求導(dǎo)電層也要具有良好的散熱能力。因此，隨著封裝密度及對(duì)可靠性要求的提高，應(yīng)考慮選用導(dǎo)熱性能更好的基材和導(dǎo)熱層。目前的電子器件普遍使用FR4印刷線路板，對(duì)于電子器件來(lái)說(shuō)，影響其可靠性指標(biāo)的一個(gè)重要因素就是元器件的工作溫度。根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)記載，電子設(shè)備的失效率有55%是由溫度超過(guò)電子元件的規(guī)定值引起的。溫度對(duì)各種類型元器件的性能影響是不同的，在常見的元器件中，溫度對(duì)于半導(dǎo)體器件的影響最大。電子設(shè)備中大量應(yīng)用的半導(dǎo)體器件如集成運(yùn)放、TTL邏輯芯片、各種電源穩(wěn)壓芯片等，其基本組成單元都是P-N結(jié)，對(duì)溫度變化非常敏感，一般溫度每升高10℃，反向漏電流將增加一倍。這種隨溫度的變化，將直接導(dǎo)致產(chǎn)品正常工作點(diǎn)發(fā)生漂移，最大允許功耗下降。溫度對(duì)阻容元件的性能參數(shù)也有一定的影響。溫度升高時(shí)，會(huì)造成電阻內(nèi)熱噪聲加劇，阻值偏離標(biāo)稱值，允許耗散功率下降等。對(duì)電容器的影響是使電容量和介質(zhì)損耗角等參數(shù)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致電路中的阻容時(shí)間常數(shù)等參數(shù)改變，影響整個(gè)電子設(shè)備的可靠性。為了減少溫度對(duì)元器件的性能影響，必須要使用散熱良好而且可靠性高的線路板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板。采用本發(fā)明所述的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板不僅成本相對(duì)較低而還具有高導(dǎo)熱率、抗擊穿并且性能可靠的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明所述的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板，包括金屬基板，其特征在于：所述金屬基板上形成有樹脂絕緣層和高導(dǎo)熱絕緣層，并且所述高導(dǎo)熱絕緣層用作半導(dǎo)體元器件的基座，所述樹脂絕緣層用作其他電子元器件的基座，并且所述半導(dǎo)體元器件與所述其他電子元器件通過(guò)金屬連接體電性連接。其中，所述金屬基板上具有多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)高導(dǎo)熱絕緣層；并且所述樹脂絕緣層之間相鄰設(shè)置或者間隔設(shè)置；所述高導(dǎo)熱絕緣層之間相鄰或者間隔設(shè)置；所述樹脂絕緣層與所述高導(dǎo)熱絕緣層之間相鄰設(shè)置或者間隔設(shè)置。其中，所述金屬連接體為采用銀、金或銅的引線、隆起物和/或橋接物。其中，所述金屬基板由選自鋁、銅、鎳、鐵、金、銀、鈦、鉬、硅、鎂、鉛、錫、銦、鎵或者它們的合金材料制成。作為優(yōu)選地，所述金屬基板由銅或銅合金，鋁或鋁合金，以及單晶硅或多晶硅等制成。其中，所述金屬基體經(jīng)過(guò)表面處理工序，所述的表面處理工序包含粗化處理、酸洗、堿洗、酸蝕刻或者堿蝕刻工序中的任意一種或幾種。其中，所述金屬基體表面形成有金屬或非金屬過(guò)渡層。其中，所述金屬基體表面經(jīng)過(guò)表面處理在其表面上形成有陽(yáng)極氧化膜或絕緣漆膜。其中，所述高導(dǎo)熱絕緣層由陶瓷材料或非金屬單晶材料制成。其中，所述陶瓷材料選自氧化物、氮化物、碳化物或者它們的復(fù)合物的一種或幾種。其中，所述陶瓷材料通過(guò)燒結(jié)或真空鍍膜方法形成，所述的真空鍍膜方法選自蒸鍍、濺鍍、離子鍍、反應(yīng)濺射以及化學(xué)氣相沉積等工藝。其中，所述高導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)的范圍為50～500W/mK，優(yōu)選為100～500W/mK。其中，所述高導(dǎo)熱絕緣層的厚度為20～500μm，優(yōu)選為20～200μm。其中，所述半導(dǎo)體元器件或其他電子元器件通過(guò)波峰焊接、回流焊接、共晶焊接或使用導(dǎo)電粘合劑與金屬導(dǎo)線或金屬連接柱連接。其中，所述半導(dǎo)體元器件的功率為0.5W以上，優(yōu)選為3W以上，更優(yōu)選為5W以上。其中，所述樹脂絕緣層為含有熱固性樹脂和固化劑的樹脂固化物。其中，所述樹脂絕緣層為含有熱固性樹脂、固化劑和無(wú)機(jī)填料的樹脂固化物。其中，所述熱固性樹脂選自環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂或酰亞胺樹脂中的一種。其中，所述無(wú)機(jī)填料選自二氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅或氮化硼中的一種或幾種。其中，所述樹脂絕緣層的熱導(dǎo)率為0.5W/mK以上，優(yōu)選導(dǎo)熱率為1.0W/mK以上，例如1.0～30W/mK。其中，所述樹脂絕緣層的厚度為20～1000μm，優(yōu)選厚度范圍為20～500μm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：本發(fā)明通過(guò)設(shè)置不同導(dǎo)熱系數(shù)以及不同材質(zhì)的陶瓷絕緣板以及樹脂絕緣板，可提供散熱性得到顯著改善以及高可靠性的電子元器件封裝用絕緣金屬基板，由于半導(dǎo)體器件的性能對(duì)溫度敏感，因此對(duì)于半導(dǎo)體器件使用導(dǎo)熱和散熱性能優(yōu)異的陶瓷基座，而對(duì)于其它電子元器件使用普通的樹脂絕緣材料，這樣避免了陶瓷板的大型化可能導(dǎo)致的脆性失效，提高了電路基板的可靠性；此外本發(fā)明還通過(guò)對(duì)金屬基板的處理，能夠在金屬基板的表面形成耐高壓擊穿的絕緣層，例如特殊處理的陽(yáng)極氧化層或漆膜層，能夠進(jìn)一步提高封裝密度以及封裝的可靠性。本發(fā)明所述的電路基板可以用于各種含半導(dǎo)體芯片的基體，例如可以提高計(jì)算機(jī)電路中CPU等的散熱，提高逆變器電路中IGBTbipolar等半導(dǎo)體芯片的散熱，提高無(wú)線通訊電路中無(wú)線模塊等的散熱，提高電源管理電路中管理芯片的散熱。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明所述的帶有半導(dǎo)體元器件以及其他電子元器件的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明所述的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板，包括金屬基板，所述金屬基板上形成有樹脂絕緣層和高導(dǎo)熱絕緣層，并且所述高導(dǎo)熱絕緣層用作半導(dǎo)體元器件的基座，所述樹脂絕緣層用作其他電子元器件的基座，并且所述半導(dǎo)體元器件與所述其他電子元器件通過(guò)金屬連接體電性連接。所述金屬連接體為采用銀、金或銅的引線、隆起物和/或橋接物。具體來(lái)說(shuō)，例如可以采用軟釬焊、硬釬焊、高導(dǎo)熱性粘結(jié)劑等來(lái)進(jìn)行電連接，優(yōu)選為軟釬焊。在本發(fā)明中所述半導(dǎo)體芯片例如可以為逆變器電路中IGBTbipolar芯片、CPU芯片、無(wú)線通訊芯片、管理芯片或其它半導(dǎo)體芯片。在本發(fā)明中，所述半導(dǎo)體元器件的功率為0.5W以上，優(yōu)選為3W以上，更優(yōu)選為5W以上，當(dāng)然如果不考慮經(jīng)濟(jì)因素，本發(fā)明所述的電路基板也可以應(yīng)用于功率為0.5W以下的半導(dǎo)體元器件。在本發(fā)明中所述的半導(dǎo)體元件還可以是大功率LED芯片，例如單顆LED芯片的功率為1W以上，優(yōu)選地為3W以上的芯片。而所述的LED是指發(fā)光二級(jí)管，其是指具有向二極管供電的接觸區(qū)域的發(fā)光半導(dǎo)體元件。不同形式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管可以由一種或多種III族元素和一種或者多種V族元素的PN結(jié)(III-V半導(dǎo)體)形成。可用于LED的III-V半導(dǎo)體材料的例子包括：氮化物，如氮化鎵或者氮化銦鎵；以及磷化物如磷化銦鎵。也可以使用其它類型的III-V材料，還可以使用其它族的無(wú)機(jī)材料。其中，所述金屬基板上具有多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)高導(dǎo)熱絕緣層；并且所述樹脂絕緣層之間相鄰設(shè)置或者間隔設(shè)置；所述高導(dǎo)熱絕緣層之間相鄰或者間隔設(shè)置；所述樹脂絕緣層與所述高導(dǎo)熱絕緣層之間相鄰設(shè)置或者間隔設(shè)置。在本發(fā)明中，所述金屬基板可以由選自鋁、銅、鎳、鐵、金、銀、鈦、鉬、硅、鎂、鉛、錫、銦、鎵或者它們的合金材料制成。作為優(yōu)選地，所述金屬基板由銅或銅合金，鋁或鋁合金，以及單晶硅或多晶硅等制成。在本發(fā)明中，金屬基板的厚度可以依據(jù)實(shí)際需要加以選擇，例如可以從0.1毫米至數(shù)十毫米。在本發(fā)明中所述基板優(yōu)選使用銅或銅合金。具體來(lái)說(shuō)優(yōu)選為雜質(zhì)少、99質(zhì)量%以上的純度的鋁。例如，優(yōu)選99.99wt%的銅、99.0%銅等?；蛘撸诓煌哪康?，也可添加其它合金元素。例如可以添加適量錳的銅錳合金，以改善其耐蝕性能。除了錳以外，還可選擇其它固溶極限高的添加元素。作為優(yōu)選地，所述金屬基體經(jīng)過(guò)表面處理工序，所述的表面處理工序可包含粗化處理、酸洗、堿洗、酸蝕刻或者堿蝕刻等各種工序。作為用于形成粗化表面的代表性方法，可以舉出對(duì)金屬基板依次實(shí)施機(jī)械性粗面化處理、堿蝕刻處理、采用酸的清洗處理和使用了電解液的電化學(xué)粗面化處理等方法；對(duì)金屬基板實(shí)施多次機(jī)械性粗面化處理、堿蝕刻處理、采用酸的除垢處理和使用了不同的電解液的電化學(xué)粗面化處理的方法；但本發(fā)明并不限于這些。作為酸可以為無(wú)機(jī)酸和/或有機(jī)酸，所述的無(wú)機(jī)酸例如可以為硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等；所述的有機(jī)酸例如可以為羧酸或磺酸，例如甲酸、乙酸、酒石酸、草酸、蘋果酸、抗壞血酸以及苯甲酸等。作為常用的堿例如可以為堿金屬的氫氧化物，例如氫氧化鈉或氫氧化鉀，另外也可以使用四甲基氫氧化銨、三甲基（羥乙基）氫氧化銨等有機(jī)堿。為了減少酸洗或堿蝕刻處理過(guò)程中金屬基體材料的蝕刻量，在所述的堿溶液或酸溶液中可以含有耐蝕劑，此外還可以含有表面活性劑以及螯合劑等其它組分。此外，所述的表面處理，還可以是在所述的金屬基體表面形成陽(yáng)極氧化膜或電絕緣的漆膜層，從而改善粘結(jié)性以及所述金屬基體的耐高壓擊穿強(qiáng)度。在本發(fā)明中，作為本發(fā)明中的所述高導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)的范圍為50～500W/mK，作為優(yōu)選地，所述高導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)的范圍為100～500W/mK。所述高導(dǎo)熱絕緣層的厚度優(yōu)選為20～500μm，更優(yōu)選地，其厚度范圍為20～200μm。所述高導(dǎo)熱絕緣層可以由陶瓷材料或非金屬單晶材料制成，作為陶瓷材料可以選擇但不限于氧化鋅、氧化鈹、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化硅、氮化硅、藍(lán)寶石、氮化鋁、碳化硅、氮氧化硅或氮氧化鋁。在本發(fā)明中所述的陶瓷材料可以通過(guò)切割燒制的陶瓷板并焊接在本發(fā)明所述的金屬基板上，所述的焊接方法例如可以是釬焊的方法，例如軟釬焊、硬釬焊或活性釬焊等。在本發(fā)明中所述的陶瓷材料還可以通過(guò)原位形成方法制備得到，例如通過(guò)真空鍍膜方法，例如常用的物理氣相沉積方法或化學(xué)氣相沉積方法制備得到。作為物理氣相沉積的例子例如蒸鍍、濺射或離子鍍沉積方法。其中，真空蒸發(fā)沉積具有簡(jiǎn)單便利、操作容易、成膜速度快以及效率高等優(yōu)點(diǎn)，是薄膜制備中最為廣泛使用的技術(shù)。其原理是在真空環(huán)境下，給待蒸發(fā)材料，例如本發(fā)明中的陶瓷材料提供足夠的熱量以獲得蒸發(fā)所必需的蒸氣壓。在適當(dāng)?shù)臏囟认?，蒸發(fā)粒子在金屬基體上凝結(jié)，這樣既可實(shí)現(xiàn)真空蒸發(fā)薄膜沉積。作為蒸鍍的例子例如可以選擇電阻加熱蒸鍍、閃爍蒸鍍、電子束蒸發(fā)、激光蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)或者射頻加熱蒸發(fā)等。濺射是指具有足夠高能量的離子轟擊靶材表面使其中的原子發(fā)射出來(lái)，濺射過(guò)程實(shí)際上入射粒子(通常為離子)通過(guò)與靶材碰撞，進(jìn)行一系列能量交換的過(guò)程，而入射粒子能量的95%用于激勵(lì)靶中的晶格熱振動(dòng)，只有5%左右的能量是傳遞給濺射原子。作為濺射沉積的例子例如通過(guò)，通過(guò)中高頻磁控濺射陶瓷靶材并沉積在所述金屬基板表面上，濺射所獲得的薄膜與基體結(jié)合良好，而且薄膜純度較高、致密性較好，而且膜厚可控，能夠獲得厚度均勻的薄膜。作為濺射沉積的例子例如可以選擇輝光直流濺射、磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、反應(yīng)濺射等。另外，所述陶瓷材料還可以通過(guò)離子鍍方法沉積得到。離子鍍是指在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物部分離子化，產(chǎn)生離子轟擊效應(yīng)，最終將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上。作為化學(xué)氣相沉積方法例如可以采用一般化學(xué)氣相沉積方法或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法。在本發(fā)明中，根據(jù)其它電子元器件的類型，所述樹脂絕緣層的熱導(dǎo)率為0.5W/mK以上，更優(yōu)選地，其導(dǎo)熱率為1.0W/mK以上，例如可以為0.5～30W/mK的范圍。如此可以將其它電子元器件或者金屬導(dǎo)線所產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散掉而不產(chǎn)生積累。所述樹脂絕緣層的厚度優(yōu)選為20～500μm，更優(yōu)選地，其厚度范圍為20～200μm。因?yàn)楹穸热绻∮?0μm，則電絕緣性變得不充分，如果大于500μm，則散熱性可能會(huì)受損，散熱性能將顯著降低。而所述樹脂絕緣層為含有熱固性樹脂和固化劑的樹脂固化物。作為優(yōu)選地，所述樹脂絕緣層為含有熱固性樹脂、固化劑和無(wú)機(jī)填料的樹脂固化物。此外，在用于形成絕緣層的固化性樹脂組合物中，還可以根據(jù)需要還可以使用催化劑、硅烷類偶聯(lián)劑、鈦酸脂類偶聯(lián)劑、穩(wěn)定劑以及固化促進(jìn)劑等。作為熱固性樹脂，例如可以選擇環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂和酰亞胺樹脂等。從導(dǎo)熱性的角度考慮優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂。而作為環(huán)氧樹脂，優(yōu)選使用可較為廉價(jià)地獲得的雙官能性環(huán)氧樹脂，如，雙酚A二縮水甘油醚、雙酚F二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚、六氫雙酚A二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、二聚酸二縮水甘油酯等。作為固化劑，優(yōu)選使用具有優(yōu)異的機(jī)械性質(zhì)和電性質(zhì)的酸酐類或苯酚類，并且為了確保絕緣層的機(jī)械性質(zhì)和介電性質(zhì)，優(yōu)選加入加聚型固化劑。作為加聚型固化劑，優(yōu)選使用可較為廉價(jià)地獲得的酸酐類或苯酚類，酸酐類包括鄰苯二甲酸酐、四氫甲基鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、甲基降冰片烯二酸酐等，苯酚類包括線型酚醛樹脂、鄰甲酚線型酚醛樹脂、雙酚A型線型酚醛樹脂等。此外，為了促進(jìn)所述熱固性和加聚型固化劑的固化反應(yīng)，可以加入催化劑。作為催化劑，優(yōu)選咪唑類，如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-甲基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-芐基-2-苯基咪唑、2，3-二氫-1H-吡咯并[1，2-a]苯并咪唑、2-苯基-4，5-二羥甲基咪唑等，可以任意改變其添加量以獲得所希望的固化速度。作為無(wú)機(jī)填料，優(yōu)選具有電絕緣性且熱傳導(dǎo)性良好的無(wú)機(jī)填料，例如可以使用二氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮化硼等。為保持適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)性，絕緣層中的無(wú)機(jī)填料的含量較好為5～15wt%。無(wú)機(jī)填料的粒度較好是包含平均粒徑為0.6μm～2.4μm以及5μm～20μm的兩種粒度。通過(guò)將平均粒徑較大的粗粒子和平均粒徑較小的微粒子混合，與單獨(dú)使用各微粒時(shí)相比，可實(shí)現(xiàn)更多的填充，能夠獲得良好的熱傳導(dǎo)性。此外，粒子形狀可以是粉碎的、球形的、或鱗片狀的。在本發(fā)明所述的電路基板上還含有金屬圖案電路，所述的金屬圖案電路根據(jù)需要可形成在所述樹脂絕緣層或所述高導(dǎo)熱絕緣層上，所述的金屬圖案電路可以通過(guò)將用于形成絕緣層的固化性樹脂組合物漿料在金屬基板上利用絲網(wǎng)印刷等方法進(jìn)行圖案印刷，加熱后形成半固化狀態(tài)后，粘貼金屬箔，之后，進(jìn)行加熱，形成基本上完全固化的狀態(tài)的方法；或者使用預(yù)先將絕緣層加工成半固化狀態(tài)的片狀，利用熱壓裝置使其與用于形成金屬圖案電路的金屬箔一體化的方法等。作為金屬圖案電路的形成方法，例如可使用預(yù)先在金屬箔上的規(guī)定部位涂布抗蝕劑層使其固化后，利用濕蝕刻利用常規(guī)的氯化銅、過(guò)氧化氫與硫酸的混合物等腐蝕劑的腐蝕；此外還可以利用干蝕刻方法，例如利用濺射氣體進(jìn)行的干蝕刻工藝。如附圖1所示，為本發(fā)明所述的大功率LED光引擎的一個(gè)典型的例子（但本發(fā)明的保護(hù)范圍以核準(zhǔn)的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)），所述的圖案化多絕緣材質(zhì)電路基板上設(shè)置有半導(dǎo)體元器件和其他電子元器件，其包括金屬基板10，所述金屬基板10上形成有樹脂絕緣層20和高導(dǎo)熱絕緣層25，并且所述高導(dǎo)熱絕緣層25上設(shè)置有金屬圖案電路30和半導(dǎo)體元器件40，所述樹脂絕緣層20上設(shè)置有金屬圖案電路30和其他電子元器件50，并且所述半導(dǎo)體元器件40與所述其他電子元器件50可以通過(guò)金屬連接體60電性連接。所述金屬連接體為采用銀、金或銅的引線、隆起物和/或橋接物。具體來(lái)說(shuō)，例如可以采用軟釬焊、硬釬焊、高導(dǎo)熱性粘結(jié)劑等來(lái)進(jìn)行電連接，優(yōu)選為軟釬焊。在本發(fā)明中所述半導(dǎo)體芯片例如可以為逆變器電路中IGBTbipolar芯片、CPU芯片、無(wú)線通訊芯片、管理芯片或其它半導(dǎo)體芯片。金屬基板以及陽(yáng)極氧化鋁膜在本實(shí)施例中所述金屬基板選擇為鋁板基底，例如99.99wt%的純鋁，并且在所述鋁板基底上形成有陽(yáng)極氧化鋁膜；所述鋁板基底的厚度為2～20mm，陽(yáng)極氧化鋁膜的厚度為10～20μm；所述陽(yáng)極氧化鋁膜的絕緣耐久時(shí)間大于1000小時(shí)，所述的絕緣耐久時(shí)間是指在50℃、85%RH的條件下在陽(yáng)極氧化鋁膜上施加100V的直流電壓，而將電阻值下降至106Ω以下的時(shí)間。所述的陽(yáng)極氧化膜的制備方法如下：首先對(duì)鋁板進(jìn)行清洗和除垢，然后在檸檬酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述檸檬酸水溶液含有：20～35g/L的檸檬酸，3～5g/L的DL-半胱氨酸，0.5～1.0g/L的過(guò)氧化氫，3～5g/L的檸檬酸鋁；在液溫為10～20℃、電流密度為0.5～1A/dm2、電解處理20～30min。采用上述陽(yáng)極氧化方法，由于采用檸檬酸作為處理溶液，并在其中添加了適量的過(guò)氧化氫和DL-半光氨酸，在陽(yáng)極氧化處理時(shí)能夠使得鋁離子的供應(yīng)充足，從而能夠得到致密的陽(yáng)極氧化鋁膜，在膜厚為10μm及以上的條件下，即使不經(jīng)過(guò)封孔處理即可滿足絕緣耐久時(shí)間大于1000小時(shí)的要求。實(shí)施例1本實(shí)施例所述的陽(yáng)極氧化膜的制備方法如下：首先對(duì)鋁板進(jìn)行清洗和除垢，然后在檸檬酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述檸檬酸水溶液含有：20g/L的檸檬酸，3g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的過(guò)氧化氫，3g/L的檸檬酸鋁；在液溫為10℃、電流密度為1A/dm2、電解處理20min。得到的致密陽(yáng)極氧化鋁膜絕緣耐久時(shí)間大于1000小時(shí)。實(shí)施例2本實(shí)施例所述的陽(yáng)極氧化膜的制備方法如下：首先對(duì)鋁板進(jìn)行清洗和除垢，然后在檸檬酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述檸檬酸水溶液含有：30g/L的檸檬酸，4g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的過(guò)氧化氫，5g/L的檸檬酸鋁；在液溫為20℃、電流密度為1A/dm2、電解處理20min。得到的致密陽(yáng)極氧化鋁膜絕緣耐久時(shí)間大于1000小時(shí)。實(shí)施例3本實(shí)施例所述的陽(yáng)極氧化膜的制備方法如下：首先對(duì)鋁板進(jìn)行清洗和除垢，然后在檸檬酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述檸檬酸水溶液含有：35g/L的檸檬酸，5g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的過(guò)氧化氫，5g/L的檸檬酸鋁；在液溫為10℃、電流密度為1A/dm2、電解處理30min。得到的致密陽(yáng)極氧化鋁膜絕緣耐久時(shí)間大于1500小時(shí)。對(duì)比例1對(duì)鋁板進(jìn)行酸洗除垢，然后在草酸溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述草酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的草酸鋁；在液溫為20℃、電流密度為1A/dm2、電解處理30min；然后在硼酸水溶液中進(jìn)行封閉處理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸鈉；封孔條件為液溫20℃、電流密度1A/dm2、電解處理時(shí)間5分鐘，其絕緣耐久時(shí)間為300～500小時(shí)。對(duì)比例2對(duì)鋁板進(jìn)行酸洗除垢，然后在硫酸溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述硫酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的硫酸鋁；在液溫為20℃、電流密度為1A/dm2、電解處理30min；然后在硼酸水溶液中進(jìn)行封閉處理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸鈉；封孔條件為液溫20℃、電流密度1A/dm2、電解處理時(shí)間5分鐘，其絕緣耐久時(shí)間為250～400小時(shí)。高導(dǎo)熱絕緣層在本發(fā)明中，所述高導(dǎo)熱絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)的范圍為50～500W/mK。所述高導(dǎo)熱絕緣層厚度范圍為20～500μm，例如為50μm。所述高導(dǎo)熱絕緣層可以由陶瓷材料或非金屬單晶材料制成。作為陶瓷材料可以選擇但不限于氧化鋅、氧化鈹、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化硅、氮化硅、藍(lán)寶石、氮化鋁、碳化硅、氮氧化硅或氮氧化鋁。在本發(fā)明中所述的陶瓷材料可以通過(guò)切割燒制的陶瓷板并焊接在本發(fā)明所述的金屬基板上，所述的焊接方法例如可以是釬焊的方法，例如軟釬焊、硬釬焊或活性釬焊等，優(yōu)選使用活性釬焊，所述活性釬焊的成分例如可以選擇2.25wt%的Ti、2.00wt%的Al、3.00wt%的Si和余量的Cu；例如可以選擇1.25wt%的Ti、32.250wt%的Cu和余量的Ag；例如可以選擇1.25wt%的Ti、12.50wt%的In、27.25wt%的Cu和余量的Ag。此外，所述的高導(dǎo)熱絕緣層還可以采用蒸鍍、濺射鍍或反應(yīng)離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的方法制備得到，例如采用申請(qǐng)人為蘇州晶品光電科技有限公司，公開號(hào)為CN103354221A、CN103353065A、CN103354219A、CN103354222A、CN103354698A、CN103354220A、CN103354269A、CN103354697A、CN103354699A、CN103354254A、CN103327736A、CN103327735A、CN103325921A、CN103338588A，或者公告號(hào)為CN203340413U、CN203339213U、CN203339139U、CN203340409U、CN203340407U、CN203340408U、CN203339224U、CN203336288U、CN203339140U和CN203339145U中記載的制備方法，并且上述文獻(xiàn)記載在此，作為參考。樹脂絕緣層在本發(fā)明中，所述樹脂絕緣層的導(dǎo)熱率可選擇為0.5～30W/mK，并且所述樹脂絕緣層的厚度范圍優(yōu)選為20～500μm。所述樹脂絕緣層由含有熱固性樹脂、固化劑和無(wú)機(jī)填料的固化性樹脂組合物形成，此外，在用于形成絕緣層的固化性樹脂組合物中，還可以根據(jù)需要還可以使用其它組分等。形成條件例如可以在160～180℃的條件下固化30～180秒。作為優(yōu)選地，所述的固化性樹脂組合物含有55～60wt%的雙酚F二縮水甘油醚、12.5～15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8.0～10.0wt%的苯烯酸-2-羥基乙酯、3.2～5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5～3.0wt%的鄰苯二甲酸酐、0.5～1.0wt%的2，6-二叔丁基對(duì)甲酚，和3～8wt%的平均粒徑為2.0μm的氧化鋁微粒以及3～8wt%的平均粒徑為5.0μm的氧化鋁微粒。實(shí)施例4本實(shí)施例所述的固化性樹脂組合物含有55wt%的雙酚F二縮水甘油醚、15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10.0wt%的苯烯酸-2-羥基乙酯、5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5wt%的鄰苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基對(duì)甲酚，和5.5wt%的平均粒徑為2.0μm的氧化鋁微粒以及6.0wt%的平均粒徑為5.0μm的氧化鋁微粒。制備的樹脂絕緣層厚度為50μm時(shí)，測(cè)得其熱導(dǎo)率為20～25W/mK。實(shí)施例5本實(shí)施例所述的固化性樹脂組合物含有60wt%的雙酚F二縮水甘油醚、12.5wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8wt%的苯烯酸-2-羥基乙酯、3.2wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的鄰苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基對(duì)甲酚，和6.3wt%的平均粒徑為2.0μm的氧化鋁微粒以及6.0wt%的平均粒徑為5.0μm的氧化鋁微粒。制備的樹脂絕緣層厚度為50μm時(shí)，測(cè)得其熱導(dǎo)率為22～26W/mK。實(shí)施例6本實(shí)施例所述的固化性樹脂組合物含有58wt%的雙酚F二縮水甘油醚、15wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10wt%的苯烯酸-2-羥基乙酯、5wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的鄰苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基對(duì)甲酚，和4wt%的平均粒徑為2.0μm的氧化鋁微粒以及4wt%的平均粒徑為5.0μm的氧化鋁微粒。制備的樹脂絕緣層厚度為50μm時(shí)，測(cè)得其熱導(dǎo)率為18～22W/mK。實(shí)施例7本實(shí)施例所述的固化性樹脂組合物含有78wt%的雙酚F二縮水甘油醚、5wt%的2-甲基咪唑、3.0wt%的鄰苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基對(duì)甲酚，和6.5wt%的平均粒徑為2.0μm的氧化鋁微粒以及6.5wt%的平均粒徑為5.0μm的氧化鋁微粒。制備的樹脂絕緣層厚度為50μm時(shí)，測(cè)得其熱導(dǎo)率為15～20W/mK。在本發(fā)明中所述的樹脂絕緣層除了需要滿足所需的導(dǎo)熱率外，還應(yīng)具有優(yōu)異的耐熱變色性。為了檢測(cè)上述固化性樹脂組合物的耐熱變色性能，將所述的固化性樹脂組合物，在170℃、8N/mm2以及固化時(shí)間為120秒的條件下加工成直徑為50mm×厚度為3mm的圓盤作為樣品，然后在150℃的條件下放置24小時(shí)，利用肉眼觀察其耐熱變色性，發(fā)現(xiàn)實(shí)施例4-6所述的樣品有發(fā)現(xiàn)變色現(xiàn)象，而實(shí)施例7所述的樣品稍有變色或發(fā)生了變色。金屬圖案電路根據(jù)實(shí)際需要，在所述的樹脂絕緣層,或者在所述的樹脂絕緣層以及所述高導(dǎo)熱絕緣層上均形成有金屬圖案電路。在所述緣層上可以通過(guò)粘結(jié)或按壓銅箔形成導(dǎo)電銅膜，或者可以通過(guò)濺射、化學(xué)鍍（需要事先進(jìn)行活化）形成銅膜。所述銅膜的厚度例如為2～5μm厚，然后在帶所述銅膜上涂上光刻膠，再在光刻機(jī)上利用金屬光刻掩模版進(jìn)行光刻，再經(jīng)顯影形成金屬圖案電路，或者，采用絲網(wǎng)印刷的方法直接形成導(dǎo)電金屬層的圖形；經(jīng)烘烤固化后，再用濕法蝕刻工藝對(duì)所述鋁層進(jìn)行蝕刻，蝕刻后即可得到所述的金屬圖案電路。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明所述的電路基板，具有改進(jìn)的散熱性能和可靠性，可以應(yīng)用于各種含半導(dǎo)體芯片的基體，例如可以提高計(jì)算機(jī)電路中CPU等的散熱，提高逆變器電路中IGBTbipolar等半導(dǎo)體芯片的散熱，提高無(wú)線通訊電路中無(wú)線模塊等的散熱，提高電源管理電路中管理芯片的散熱。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實(shí)施例只是結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。